JPS60170030A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPS60170030A JPS60170030A JP2388184A JP2388184A JPS60170030A JP S60170030 A JPS60170030 A JP S60170030A JP 2388184 A JP2388184 A JP 2388184A JP 2388184 A JP2388184 A JP 2388184A JP S60170030 A JPS60170030 A JP S60170030A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording medium
- magnetic recording
- nonmagnetic
- magnetic
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- Prior art date
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- Granted
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、非磁性支持体上に非磁性の低融点金属）＠と
強磁性金属）＠を連続して積１ｔｉｆ形成しζなる磁気
記録媒体の製造方法に関する。
強磁性金属）＠を連続して積１ｔｉｆ形成しζなる磁気
記録媒体の製造方法に関する。
背景技術とその問題点
近年、磁気記録の面密度化の目的で磁性８Ｎ５１＋型の
磁気記録媒体即ち非磁性支持体上に真空蒸着等の方法に
より数白人〜略ｌμの厚さの強磁性金属側腺を形成させ
た磁気記録媒体についての研究が盛んである。
磁気記録媒体即ち非磁性支持体上に真空蒸着等の方法に
より数白人〜略ｌμの厚さの強磁性金属側腺を形成させ
た磁気記録媒体についての研究が盛んである。
本出願人においても先に斜め蒸着法によることなく、は
ぼ垂直蒸着によっても＾い抗磁力をホし且つ商い角型比
を不ず＊ｌ＊型の磁気記録媒体を提案した。この磁気記
録媒体は非磁性基体上に下地ｊ−とし゛この例えは旧等
による非磁性の低融点金属を被着した後、これの上に例
えばＣｏ、 Ｇｏ−Ｎｉ合金等の強磁性金属を被着し”
ζ磁性１−を形成するものである。斯る磁気記録媒体で
は磁性（−の形成時、或いは磁性１−を形成して後に熱
を加えることにより、低融点金属を強磁性金属側へ拡散
させて所望の磁気特性を得ている。この磁気記録媒体の
量産性を考えると、磁性層の形成時に非磁性支持体を加
熱することが右利である。しかしながらこの非磁ｔ［支
持体の加熱の仕方で、作製された磁気記録媒体の磁気特
性が非常に異なるものとなる。また非磁性支持体として
高分子フィルムを使用し、この為分子フィルムを走行さ
せながら量産する装置では、加熱の仕方で高分子フィル
ムへの損傷（しわ又はカール等）の程度が異なり適切な
加熱方法が必要になってくる。
ぼ垂直蒸着によっても＾い抗磁力をホし且つ商い角型比
を不ず＊ｌ＊型の磁気記録媒体を提案した。この磁気記
録媒体は非磁性基体上に下地ｊ−とし゛この例えは旧等
による非磁性の低融点金属を被着した後、これの上に例
えばＣｏ、 Ｇｏ−Ｎｉ合金等の強磁性金属を被着し”
ζ磁性１−を形成するものである。斯る磁気記録媒体で
は磁性（−の形成時、或いは磁性１−を形成して後に熱
を加えることにより、低融点金属を強磁性金属側へ拡散
させて所望の磁気特性を得ている。この磁気記録媒体の
量産性を考えると、磁性層の形成時に非磁性支持体を加
熱することが右利である。しかしながらこの非磁ｔ［支
持体の加熱の仕方で、作製された磁気記録媒体の磁気特
性が非常に異なるものとなる。また非磁性支持体として
高分子フィルムを使用し、この為分子フィルムを走行さ
せながら量産する装置では、加熱の仕方で高分子フィル
ムへの損傷（しわ又はカール等）の程度が異なり適切な
加熱方法が必要になってくる。
発明の目的
本発明は、上述の点に鑑み、非磁性支持体に対する熱損
傷を司及的に少なくできると同時に、高い抗磁力を有す
る磁気記録媒体が得られる磁気記録媒体の製造方法を提
供するものである。
傷を司及的に少なくできると同時に、高い抗磁力を有す
る磁気記録媒体が得られる磁気記録媒体の製造方法を提
供するものである。
発明の概要
本発明は、移動する非磁性支持体上に非磁性の低融点金
属層と強磁性金属層とを連続し°ζ積層形成する際に、
強磁性金属）−が付着される領域に温度分布の極大値を
有するごとく支持体を加熱して行うようになす。
属層と強磁性金属層とを連続し°ζ積層形成する際に、
強磁性金属）−が付着される領域に温度分布の極大値を
有するごとく支持体を加熱して行うようになす。
低融点金属層としては３００℃以下の融点を自するもの
でよく、例えばＢｉ＋ Ｇａ及びその合金等の非磁性金
属を用いることができる。また、強磁性金属Ｊ−として
は、例えばＣｏ、 Ｃｏ−Ｎｉ合金等を用いることがで
きる。Ｉ・地となる低融点金属層の厚みとしては１０〜
５００人程度、＋１！磁性金属層としＣは１００〜１０
００人程度の厚みで被着するを可とする。
でよく、例えばＢｉ＋ Ｇａ及びその合金等の非磁性金
属を用いることができる。また、強磁性金属Ｊ−として
は、例えばＣｏ、 Ｃｏ−Ｎｉ合金等を用いることがで
きる。Ｉ・地となる低融点金属層の厚みとしては１０〜
５００人程度、＋１！磁性金属層としＣは１００〜１０
００人程度の厚みで被着するを可とする。
非磁性支持体としては、例えばポリエチレンテレフタレ
ート、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリイミド等の
西分子フィルム、ガラス、セラミック、サファイア或は
表面を酸化した金属層等を用いることができる。
ート、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリイミド等の
西分子フィルム、ガラス、セラミック、サファイア或は
表面を酸化した金属層等を用いることができる。
この発明の製法では、非磁性支持体に対する熱的損傷を
少なくして、しかも晶い抗磁力Ｈｃを拷ることができる
。
少なくして、しかも晶い抗磁力Ｈｃを拷ることができる
。
実施例
以下本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明に適用される蒸着装置の概略図である。
この蒸着装置（１１は電空雰囲気に保たれた蒸着槽内に
非磁性支持体（２）が供給リール（３）から巻取りリー
ル（４）に移送するようになされる。一方移送する非磁
性支持体（２）に対向し゛ζ非磁性の低融点金属による
土地１−の蒸着源例えば旧蒸着源（５）と強磁性金属層
の蒸着源例えばＧｏ−Ｎｉ合金の蒸着源（６）が配置さ
れる。非磁性支持体の蒸着源（５）及び（６）とは反対
側に近接して非磁性支持体を所定の温度分布となすため
の加熱制御手段、本例では複数の赤外線ランプａ−１が
配置される。この赤外線ラン−７’ ａ −ｉは自由に
着脱できるようになっ°ζおり、これによっ゛ζ移送方
向の非磁性支持体（２）の温度分布を選べるようにして
いる。非磁性支持体の所謂基板温度は図示せざるも非磁
性支持体近傍に設けた熱電対によって知ることができる
。（７）は蒸Ｎｔ池（５）及び（６）よりの各金属蒸気
流を相り、に遮蔽する遮蔽教、（８）は同じく金属蒸気
流を遮蔽する遮蔽教である。この装ｆｆｔｔ＋では非磁
１（１゛支持に対し′ζ略垂直に金属蒸気流を入射させ
るようにな１゜実施例１ 上記蒸着装置＋１１を使用し、真空トで曲分子フィルム
よりなる非磁性支持体（２）を供給リール（３）から布
取りリール（４）へと走行させ、この時、非磁性支持体
（２）の温度即ち供給リール（２）から巻取りリール（
３）に至る間の温度分布が第２図にノ１りずような温度
分布を某するように各赤外線ランプａ ｗ ｉを制御す
る。そし°ζ蒸着淘（５）より旧を２０（臥の１ｖ、さ
に蒸着し°ζト地層を形成し、続い゛ζ蒸着源（６）よ
り６５％Ｇｏ −３５％Ｎ１合金を３００人の１１１さ
に蒸着し’ｌｉ＋−地ｊ＠トにＣｏ−Ｎｉ合合金磁性−
を被着した。このようにし°Ｃ得た磁気記録媒体を実ｈ
ｉｌＩ例１とした。
非磁性支持体（２）が供給リール（３）から巻取りリー
ル（４）に移送するようになされる。一方移送する非磁
性支持体（２）に対向し゛ζ非磁性の低融点金属による
土地１−の蒸着源例えば旧蒸着源（５）と強磁性金属層
の蒸着源例えばＧｏ−Ｎｉ合金の蒸着源（６）が配置さ
れる。非磁性支持体の蒸着源（５）及び（６）とは反対
側に近接して非磁性支持体を所定の温度分布となすため
の加熱制御手段、本例では複数の赤外線ランプａ−１が
配置される。この赤外線ラン−７’ ａ −ｉは自由に
着脱できるようになっ°ζおり、これによっ゛ζ移送方
向の非磁性支持体（２）の温度分布を選べるようにして
いる。非磁性支持体の所謂基板温度は図示せざるも非磁
性支持体近傍に設けた熱電対によって知ることができる
。（７）は蒸Ｎｔ池（５）及び（６）よりの各金属蒸気
流を相り、に遮蔽する遮蔽教、（８）は同じく金属蒸気
流を遮蔽する遮蔽教である。この装ｆｆｔｔ＋では非磁
１（１゛支持に対し′ζ略垂直に金属蒸気流を入射させ
るようにな１゜実施例１ 上記蒸着装置＋１１を使用し、真空トで曲分子フィルム
よりなる非磁性支持体（２）を供給リール（３）から布
取りリール（４）へと走行させ、この時、非磁性支持体
（２）の温度即ち供給リール（２）から巻取りリール（
３）に至る間の温度分布が第２図にノ１りずような温度
分布を某するように各赤外線ランプａ ｗ ｉを制御す
る。そし°ζ蒸着淘（５）より旧を２０（臥の１ｖ、さ
に蒸着し°ζト地層を形成し、続い゛ζ蒸着源（６）よ
り６５％Ｇｏ −３５％Ｎ１合金を３００人の１１１さ
に蒸着し’ｌｉ＋−地ｊ＠トにＣｏ−Ｎｉ合合金磁性−
を被着した。このようにし°Ｃ得た磁気記録媒体を実ｈ
ｉｌＩ例１とした。
実施例２
実施例１と同様の方法をとるも、非磁性支持体（２）の
温度分布を第３図にボずような温度分布となした。この
ようにして得た磁気記録媒体を実施例２とした。
温度分布を第３図にボずような温度分布となした。この
ようにして得た磁気記録媒体を実施例２とした。
比較例１
実施例１と同様の方法をとるも、非磁性支持体（２）の
温度分布を第４図に示すような温度分布した。
温度分布を第４図に示すような温度分布した。
このようにし°Ｃ得た磁気記録媒体を比較例１とした。
なお、第２図乃至第４図においＣは縦軸に温度をとり、
横軸に赤外線ランプの位置をとっ°Ｃボず。
横軸に赤外線ランプの位置をとっ°Ｃボず。
上記各側の磁気記録媒体の抗磁力１１ｃの測定結果を上
記表にネオ。
記表にネオ。
表
表より明らかなように、実施例Ｉ及び２ではｉい抗磁ノ
月１ｃが得られている。実施例１及び２に共通ずるのは
Ｇｏ−Ｎｉ合合金炉１１層蒸着される領域側部らＣｏ−
Ｎｉ、９着源（６）側に温度分布の最大値が存在し゛（
いることであり、この傾向は比較例１には見られない。
月１ｃが得られている。実施例１及び２に共通ずるのは
Ｇｏ−Ｎｉ合合金炉１１層蒸着される領域側部らＣｏ−
Ｎｉ、９着源（６）側に温度分布の最大値が存在し゛（
いることであり、この傾向は比較例１には見られない。
比較例１では抗磁力が低い。実施例１及び２で抗磁力が
−１−がる理由は次のように考えられる。商分子フィル
ムの非磁性支持体上に非磁性の低融点金属１−と強磁性
金属１−とを槓１−シた磁気記録媒体では、加熱するこ
とにより低融点金属が強磁性金属側に拡散し、所望の磁
気特性が得られる。従っ゛ζ実施例１及び２で示ずよう
に強磁性金属蒸着椋側の非磁性支持体を加熱する時には
液状態になった低融点金属層上に強磁性金属が蒸着され
ることになる。当然低融点金属は強磁性金属中に拡散し
やすくなり、ゆえに晶い抗磁力を持つ磁気記録媒体が得
られる。
−１−がる理由は次のように考えられる。商分子フィル
ムの非磁性支持体上に非磁性の低融点金属１−と強磁性
金属１−とを槓１−シた磁気記録媒体では、加熱するこ
とにより低融点金属が強磁性金属側に拡散し、所望の磁
気特性が得られる。従っ゛ζ実施例１及び２で示ずよう
に強磁性金属蒸着椋側の非磁性支持体を加熱する時には
液状態になった低融点金属層上に強磁性金属が蒸着され
ることになる。当然低融点金属は強磁性金属中に拡散し
やすくなり、ゆえに晶い抗磁力を持つ磁気記録媒体が得
られる。
一方、実施例１．２及び比較例１においては、いずれも
ＩＩＩ＋温側を１８０℃に抑え°ζあるので、熱的Ｉ員
傷特にカール等の現象は見られなかった。
ＩＩＩ＋温側を１８０℃に抑え°ζあるので、熱的Ｉ員
傷特にカール等の現象は見られなかった。
以上から非磁性支持体の熱的ＨＡ傷或いは生産刊を考え
ると非磁性支持体の温度分布としては強磁性金属蒸着海
側もしくは両蒸着源の中間位置（赤外線ランプ０に対応
する位置付近）に温度分布の最大値を持つように加熱す
るのがよい。
ると非磁性支持体の温度分布としては強磁性金属蒸着海
側もしくは両蒸着源の中間位置（赤外線ランプ０に対応
する位置付近）に温度分布の最大値を持つように加熱す
るのがよい。
尚、上側では低融点金属層上に強磁性金属ｊ−を形成し
た構成としたが、その他、肉層を繰返し蒸着して多層構
造とする場合にも通用できる。
た構成としたが、その他、肉層を繰返し蒸着して多層構
造とする場合にも通用できる。
発明の効果
」二連せるごとく、本発明によれば非磁性支持体上に非
磁性の低融点金属１鋪と強磁性金属層とを連続し−（積
１−形成する際に、その強磁性金属が付着される領域に
温度分布の極大値を有するごとく非磁性支持体を加熱す
るようにして行えば、非磁ｖ１・支持体に対する熱的損
傷を回避し即ぢ比較的低い温度で行え、しかも抗磁力１
１ｃを晶めることができる。また比較的低い温度で抗磁
力が上がるので非磁性支持体とし°Ｃは耐熱性に劣る商
分子フィルム等を使用することができ実用上極めて有益
である。
磁性の低融点金属１鋪と強磁性金属層とを連続し−（積
１−形成する際に、その強磁性金属が付着される領域に
温度分布の極大値を有するごとく非磁性支持体を加熱す
るようにして行えば、非磁ｖ１・支持体に対する熱的損
傷を回避し即ぢ比較的低い温度で行え、しかも抗磁力１
１ｃを晶めることができる。また比較的低い温度で抗磁
力が上がるので非磁性支持体とし°Ｃは耐熱性に劣る商
分子フィルム等を使用することができ実用上極めて有益
である。
第１図は本発明に適用される蒸着装置の一例を不ず概略
図、第２図乃至第４図は夫々本発明の説明に供する非磁
性支持体の温度分布図である。 （１）は蒸着装置、（２）は非磁性支持体、（５）は低
融点金属１鋪諒、（６）は強磁性金属蒸着海、（ａｌ〜
（１）は赤外線ランプである。
図、第２図乃至第４図は夫々本発明の説明に供する非磁
性支持体の温度分布図である。 （１）は蒸着装置、（２）は非磁性支持体、（５）は低
融点金属１鋪諒、（６）は強磁性金属蒸着海、（ａｌ〜
（１）は赤外線ランプである。
Claims (1)
- 移動する非磁性支持体上に低融点金属１−と強磁セ１金
属ｊ−を連続し′ζ積層形成する磁気記録媒体の製造方
法におい°（、上記強磁性金属１＠が付着される領域に
温度分布の極大値を有するごとく上記支持体を加熱して
行うようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2388184A JPS60170030A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2388184A JPS60170030A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60170030A true JPS60170030A (ja) | 1985-09-03 |
| JPH0550053B2 JPH0550053B2 (ja) | 1993-07-28 |
Family
ID=12122788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2388184A Granted JPS60170030A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60170030A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57169925A (en) * | 1981-04-14 | 1982-10-19 | Sony Corp | Magnetic recording medium |
-
1984
- 1984-02-10 JP JP2388184A patent/JPS60170030A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57169925A (en) * | 1981-04-14 | 1982-10-19 | Sony Corp | Magnetic recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0550053B2 (ja) | 1993-07-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |