JPS6017741A - 帯電防止写真ベ−ス - Google Patents
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-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は写真分野で特に有効な帯電防止ベース、その製
法、およびそれ?使用した写真要素に関する。
法、およびそれ?使用した写真要素に関する。
技術背景
一般に、写真要素は写真層を片面または両面に被覆して
有するベースからなる。写真層は例えば感光性ハロケゝ
ン化銀乳剤層、中間層、保護層、・・レーション防止層
、等々である。
有するベースからなる。写真層は例えば感光性ハロケゝ
ン化銀乳剤層、中間層、保護層、・・レーション防止層
、等々である。
詳しく云うと、ベースはポリ−α−オレフィン(例えば
、ポリエチレンやポリスチレン)、セルロースエステル
(例エバ、三酢酸セルo −X )、ポリエステル(例
えは、ポリエチレンテレツクレート)、承りカーボネー
トまたはペーパーのような自己支持性の天然または合成
重合体化合物のフィルムからなる。
、ポリエチレンやポリスチレン)、セルロースエステル
(例エバ、三酢酸セルo −X )、ポリエステル(例
えは、ポリエチレンテレツクレート)、承りカーボネー
トまたはペーパーのような自己支持性の天然または合成
重合体化合物のフィルムからなる。
大抵の写真感光性要素は支持体の片面にのみ被覆された
写真層Y有し、その反対面には写真層が存在しない。カ
ラー複製に迩する写真要素は、例えは、片面に宵感性ハ
ロヶり化銀乳剤ゼラチン層、緑感性ハロゲン化銀乳剤ゼ
ラチン層および赤感性・・ロケゝン化銀乳剤ゼラチン層
を保護層、中間層およびバレージョン防止層と組合わせ
て被覆し・て有するベースからなる。写真像乞得るため
には、一般に、該ハロゲン化銀写真要素χ蕗光し、そし
て現像剤、鋏白および定漕浴中で処理する。写真要素の
刈造および使用中に他の表面との接触によって起る何ら
かの表面摩擦が原因となって静電荷が蓄積する傾向のあ
ることは知られている。感光性層は蓄積静電荷の放電に
よって感光されるので、現(象時に斑点や分枝線マーク
(「スタチック・マーク」と称される)が形成される。
写真層Y有し、その反対面には写真層が存在しない。カ
ラー複製に迩する写真要素は、例えは、片面に宵感性ハ
ロヶり化銀乳剤ゼラチン層、緑感性ハロゲン化銀乳剤ゼ
ラチン層および赤感性・・ロケゝン化銀乳剤ゼラチン層
を保護層、中間層およびバレージョン防止層と組合わせ
て被覆し・て有するベースからなる。写真像乞得るため
には、一般に、該ハロゲン化銀写真要素χ蕗光し、そし
て現像剤、鋏白および定漕浴中で処理する。写真要素の
刈造および使用中に他の表面との接触によって起る何ら
かの表面摩擦が原因となって静電荷が蓄積する傾向のあ
ることは知られている。感光性層は蓄積静電荷の放電に
よって感光されるので、現(象時に斑点や分枝線マーク
(「スタチック・マーク」と称される)が形成される。
静電荷の蓄積によってもたらされる悪影響?克服するた
めに、写真要素に帯電防止層ン包含せしめることが通常
行われている。
めに、写真要素に帯電防止層ン包含せしめることが通常
行われている。
スルホン比重合体のような導電性の水溶性重合体は導電
性によって静電蓄積を阻止することKよって帯電防止を
行うバッキング層として写真要素中に広く使用されてい
る。これ等帯電防止層がかかえる問題は写真処理浴に耐
えられないことと、写真シートまたはフィルム同志ンま
たはそれ等を他の表(8)とくつつき易くすることであ
る。このような問題は該帯電防止層上に疎水性電合体か
らなる保映層を被覆することによって解決されてきた。
性によって静電蓄積を阻止することKよって帯電防止を
行うバッキング層として写真要素中に広く使用されてい
る。これ等帯電防止層がかかえる問題は写真処理浴に耐
えられないことと、写真シートまたはフィルム同志ンま
たはそれ等を他の表(8)とくつつき易くすることであ
る。このような問題は該帯電防止層上に疎水性電合体か
らなる保映層を被覆することによって解決されてきた。
しかし、このような帯電防止2重層構造でも尚、別の欠
点をかかえている。例えば、特に写真要素が処理前に高
温多湿で貯蔵された場合には、写真現像時に「クレータ
−」現象および不透明化が起る。処理後に顕微鏡検査し
たところ、上記の帯電防止2重バッキング層構造からな
る要素の断面は多分バッキング層中への処理液の浸透に
よるのであろうが、元の2重層構造が破壊されたことを
示していた。
点をかかえている。例えば、特に写真要素が処理前に高
温多湿で貯蔵された場合には、写真現像時に「クレータ
−」現象および不透明化が起る。処理後に顕微鏡検査し
たところ、上記の帯電防止2重バッキング層構造からな
る要素の断面は多分バッキング層中への処理液の浸透に
よるのであろうが、元の2重層構造が破壊されたことを
示していた。
発明の概要
本発明によれば、ベース上に被覆された耐久性、耐摩耗
性、非粘着性および写真処理に使用される水性処理浴に
対する耐性を有する改善された帯電防止層が提供され、
該帯電防止層は該ベースの片面上にエポキシ−シラン化
合物の存在下で親水性非拡散性スルホン化厘合体からな
る液状組成物によって形成された第1ノーと、疎水性皮
躾形成性質合体物賀かもなる液状物置によって形成され
た第2層を被覆することによって形成されている。
性、非粘着性および写真処理に使用される水性処理浴に
対する耐性を有する改善された帯電防止層が提供され、
該帯電防止層は該ベースの片面上にエポキシ−シラン化
合物の存在下で親水性非拡散性スルホン化厘合体からな
る液状組成物によって形成された第1ノーと、疎水性皮
躾形成性質合体物賀かもなる液状物置によって形成され
た第2層を被覆することによって形成されている。
発明の詳細
従つ−〔、本発明は第1の親水性常電防止層と該第1層
上に被覆された第2の疎水性保a層とによって被覆され
ている重合体フィルム支持体からなる写真ベースであっ
て、該第1層がエポキシ−シラン化合qvの存在下で親
水性非拡散性スルホン化重合体からなる液状被覆性組成
物ン該支持体上に被覆することによつC形成された、写
真ベースに関ずろ。
上に被覆された第2の疎水性保a層とによって被覆され
ている重合体フィルム支持体からなる写真ベースであっ
て、該第1層がエポキシ−シラン化合qvの存在下で親
水性非拡散性スルホン化重合体からなる液状被覆性組成
物ン該支持体上に被覆することによつC形成された、写
真ベースに関ずろ。
特に、本発明は該重合体フィルム支持体がセルロース誘
導体、好ましくは三酢酸セルロースである上記写真ベー
スに関する。さらに特に、本発明は該親水性スルホン化
1台体かポリスチレンスルホン酸、ポリビニルトルエン
スルホン酸、ポリインデンスルホン酸、(ブチルメタク
リレート−ビニルトルエンスルホン酸)共重合体、(フ
チルアクリレート−スチレンスルホン酸)共重合体、ポ
リビニルスルホン酸またはポリビニルベンずルー2.4
−ジスルホン酸であり、そして好ましくはポリスチレン
スルホン酸である上記写真ベースに関する。
導体、好ましくは三酢酸セルロースである上記写真ベー
スに関する。さらに特に、本発明は該親水性スルホン化
1台体かポリスチレンスルホン酸、ポリビニルトルエン
スルホン酸、ポリインデンスルホン酸、(ブチルメタク
リレート−ビニルトルエンスルホン酸)共重合体、(フ
チルアクリレート−スチレンスルホン酸)共重合体、ポ
リビニルスルホン酸またはポリビニルベンずルー2.4
−ジスルホン酸であり、そして好ましくはポリスチレン
スルホン酸である上記写真ベースに関する。
さらに特に、本発明は該疎水性皮膜形成性保護層が二酢
酸セルロース、三酢酸セルロース、酢酸プロピオン酸セ
ルロース、酢酸酪酸セルロース、メチルセルロースまた
はエチルセルロースのようナセv o−ス誘導体、好ま
しくは三酢酸セルロースからなる液状組成物を被覆する
ことによって形成された上記写真ベースに関する。
酸セルロース、三酢酸セルロース、酢酸プロピオン酸セ
ルロース、酢酸酪酸セルロース、メチルセルロースまた
はエチルセルロースのようナセv o−ス誘導体、好ま
しくは三酢酸セルロースからなる液状組成物を被覆する
ことによって形成された上記写真ベースに関する。
さらに特に、本発明は該疎水性皮膜形成性保護層が合成
重合体または共重合体、好ましくは、スチレン、ビニル
エーテル、ビニルエステル、アクリル酸エステル、ビニ
ルケトン、塩化ビニルおよびアクリロニトリルのような
重合性モノマーの重合体または共重合体を含有する液状
組成物を被覆することによって形成された上記写真ベー
スに関する。
重合体または共重合体、好ましくは、スチレン、ビニル
エーテル、ビニルエステル、アクリル酸エステル、ビニ
ルケトン、塩化ビニルおよびアクリロニトリルのような
重合性モノマーの重合体または共重合体を含有する液状
組成物を被覆することによって形成された上記写真ベー
スに関する。
さらに特に、本発明は該エポキシ−シラン化合物が次の
一般式によって表わされる化合物の中から選はれる上記
写真ペースに関する: (式中、 Bは炭素原子20個未満の2価の炭化水素基である(そ
の骨格は炭素原子だけからなるか又は咳2価基の骨格中
に珪素と酸素以外に隣合うペテロ原子が存在しないこと
Y条件に炭素原子の他に窒素、硫黄、珪素および酸素原
子が包含されていてもよい); R1は水素、炭素原子10個未満の脂肪族炭化水素基、
炭素原子1o個未満のアシル基である:nはOまたは1
である:そして mは1〜6である。
一般式によって表わされる化合物の中から選はれる上記
写真ペースに関する: (式中、 Bは炭素原子20個未満の2価の炭化水素基である(そ
の骨格は炭素原子だけからなるか又は咳2価基の骨格中
に珪素と酸素以外に隣合うペテロ原子が存在しないこと
Y条件に炭素原子の他に窒素、硫黄、珪素および酸素原
子が包含されていてもよい); R1は水素、炭素原子10個未満の脂肪族炭化水素基、
炭素原子1o個未満のアシル基である:nはOまたは1
である:そして mは1〜6である。
最も好ましいエポキシ−シラン化合物は式(式中、
R2およびR3は個別に、炭素原子1〜4個のアルキレ
ン基である;そして R4は水素または炭素原子1〜10個、最も好ましくは
1〜4個のアルキル基である) Y有するものである。
ン基である;そして R4は水素または炭素原子1〜10個、最も好ましくは
1〜4個のアルキル基である) Y有するものである。
本発明に有効なエポキシ−シラン化合物は好ましくはr
−グリシドキシプロピル−トリメトキシ−シランおヨヒ
β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)−二チルトリ
メトキシーシランであり、最も好ましくはγ−グリシド
キシグロビルートリメトキシーシランである。
−グリシドキシプロピル−トリメトキシ−シランおヨヒ
β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)−二チルトリ
メトキシーシランであり、最も好ましくはγ−グリシド
キシグロビルートリメトキシーシランである。
別の面からみると、本発明は重合体フィルム支持体、該
支持体の片面上に被覆された感光性像形成層少なくとも
1層、および該支持体の反対面上の帯′鑞防止層からな
る写真要素であって、該帯電防止層が第1の親水性帯電
防止層および該第1層上に被覆された第2の疎水性保護
層によって形成されており、該第1層が上記のようなエ
ポキシ−シラン化合物の存在下で親水性非拡散性スルホ
ン化重合体からなる敵状被覆性組成物を該支持体上に被
覆することによって形成された、与X要素に関する。
支持体の片面上に被覆された感光性像形成層少なくとも
1層、および該支持体の反対面上の帯′鑞防止層からな
る写真要素であって、該帯電防止層が第1の親水性帯電
防止層および該第1層上に被覆された第2の疎水性保護
層によって形成されており、該第1層が上記のようなエ
ポキシ−シラン化合物の存在下で親水性非拡散性スルホ
ン化重合体からなる敵状被覆性組成物を該支持体上に被
覆することによって形成された、与X要素に関する。
さらに別の面からみると、本発明は感光性像形成層少な
くとも1層で片面ン被覆されたl(合体支持体フィルム
からなる写真要素用の帯電防止層の作製方法であって、 該支持体の反対面上に非拡散性親水性スルホン化患合体
とエポキシ−シラン化合物からなる第1液状組成物を被
覆し、そして被覆された組成物を乾燥して第1帯電防止
層馨形成し、それから疎水性皮膜形成性重合体物質から
なる第2液状組成物乞該第1層上に被覆することからな
り、該第2液状組成物の溶剤が第1帯電防止層の親水性
スルホン化重合体を來質的に溶解できないことを特徴と
する、 耐久性、耐摩耗性、非粘着性、および水性処理浴による
攻撃に対する耐性を有する帯電防止層の作製方法に関す
る。
くとも1層で片面ン被覆されたl(合体支持体フィルム
からなる写真要素用の帯電防止層の作製方法であって、 該支持体の反対面上に非拡散性親水性スルホン化患合体
とエポキシ−シラン化合物からなる第1液状組成物を被
覆し、そして被覆された組成物を乾燥して第1帯電防止
層馨形成し、それから疎水性皮膜形成性重合体物質から
なる第2液状組成物乞該第1層上に被覆することからな
り、該第2液状組成物の溶剤が第1帯電防止層の親水性
スルホン化重合体を來質的に溶解できないことを特徴と
する、 耐久性、耐摩耗性、非粘着性、および水性処理浴による
攻撃に対する耐性を有する帯電防止層の作製方法に関す
る。
本発E14によって使用されるスルホン化重合体は非拡
散性親水性スルホン化重合体であるべきである。それは
重合体を十分に親水性にするために十分な楓のスルホン
酸基が結合されている重合体鎖(好ましくはポリスチレ
ン鎖)を包含していなけれはならない。実際、重合体の
titi:防止特性の効力は重合体の水分保持能に関係
すると考えられ、それは該重合体を本発明の目的に必要
な程度に迄親水性または水分保持可能にするに十分な量
(後で具体的に記述する)で本発明の第1層内に使用さ
れるべきである。好ましくは、実用のためには、スルホ
ン化重合体の少なくとも20重量%、最も好ましくは6
0重量%がスルホン酸基で構成されるべきである。酸型
合体分子全体に対するスルホン酸基の相対量の通電の上
限は合成によって決まる。合理的な上限は50重1にチ
であるようである。
散性親水性スルホン化重合体であるべきである。それは
重合体を十分に親水性にするために十分な楓のスルホン
酸基が結合されている重合体鎖(好ましくはポリスチレ
ン鎖)を包含していなけれはならない。実際、重合体の
titi:防止特性の効力は重合体の水分保持能に関係
すると考えられ、それは該重合体を本発明の目的に必要
な程度に迄親水性または水分保持可能にするに十分な量
(後で具体的に記述する)で本発明の第1層内に使用さ
れるべきである。好ましくは、実用のためには、スルホ
ン化重合体の少なくとも20重量%、最も好ましくは6
0重量%がスルホン酸基で構成されるべきである。酸型
合体分子全体に対するスルホン酸基の相対量の通電の上
限は合成によって決まる。合理的な上限は50重1にチ
であるようである。
スルホン酸基は臨界的であると考えられる。それン例え
ばカルボン酸基で置き換えることはできなかった。
ばカルボン酸基で置き換えることはできなかった。
スルホン化重合体は本発明の実施においては非拡散性で
あるべきであると云うことも判明した。
あるべきであると云うことも判明した。
スルホン化厘合体の非拡散性に関与し得るパラメーター
は(スルホン酸基を結合させる前に測定される)電合体
自体の固有粘度である。重合体の固有粘度がi%くなる
程、それから誘導されたスルホン化厘合体は拡散し難く
なる。公知のように、重合体浴液の固有粘度は重合体の
分子量に関連している(固有粘度の定義およびその測定
方法についてはJ 、BrandrupとE、H,Tm
mergutの共著ポリマーハンドブック、インターサ
イエンス発行、1965年、頁IV −1ffおよびF
、W、Bi l1meyer著テキストブック・オプ
・ポリマーケミストリー、インターサイエンス発行、1
957年、頁128ff参照)。ベンゼン中で30’C
に於いて測定したときに、本発明に必要な最小粘度は約
0.4 al/g(デシリットル/グラム)に等しいと
考えることが合理的であり、より好ましくは肌8〜1.
4゜cldliである。
は(スルホン酸基を結合させる前に測定される)電合体
自体の固有粘度である。重合体の固有粘度がi%くなる
程、それから誘導されたスルホン化厘合体は拡散し難く
なる。公知のように、重合体浴液の固有粘度は重合体の
分子量に関連している(固有粘度の定義およびその測定
方法についてはJ 、BrandrupとE、H,Tm
mergutの共著ポリマーハンドブック、インターサ
イエンス発行、1965年、頁IV −1ffおよびF
、W、Bi l1meyer著テキストブック・オプ
・ポリマーケミストリー、インターサイエンス発行、1
957年、頁128ff参照)。ベンゼン中で30’C
に於いて測定したときに、本発明に必要な最小粘度は約
0.4 al/g(デシリットル/グラム)に等しいと
考えることが合理的であり、より好ましくは肌8〜1.
4゜cldliである。
場合によっては、スルホン化重合体からなる帯電防止被
覆性組成物に、1%未満のように非常に低い水に対する
溶解度欠有する樹脂である実質的に疎水性のバインダー
樹脂、例えばセルロースエステル、セルロースエーテル
、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、ビニル夏合体お
よびアクリル重合体、を添加することも有効である。三
酢酸セルロースフィルム支持体の場合、良好な組合わせ
は該帯電防止被覆性組成物中にスルホン化重合体と二酢
酸セルロースを分散させるものである。実際、上記の通
り、二酢酸セルロースは「実質的に」疎水性のバインダ
ー樹脂であり、水に対するその低溶解性は二酢酸セルロ
ース樹脂中にはセルロースヒドロキシル基の約14以下
しか非エステル化形態が残っていないことと関係付ける
ことができ、そして水に対する二酢酸セルロース樹脂の
溶解度は1チ未満である。
覆性組成物に、1%未満のように非常に低い水に対する
溶解度欠有する樹脂である実質的に疎水性のバインダー
樹脂、例えばセルロースエステル、セルロースエーテル
、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、ビニル夏合体お
よびアクリル重合体、を添加することも有効である。三
酢酸セルロースフィルム支持体の場合、良好な組合わせ
は該帯電防止被覆性組成物中にスルホン化重合体と二酢
酸セルロースを分散させるものである。実際、上記の通
り、二酢酸セルロースは「実質的に」疎水性のバインダ
ー樹脂であり、水に対するその低溶解性は二酢酸セルロ
ース樹脂中にはセルロースヒドロキシル基の約14以下
しか非エステル化形態が残っていないことと関係付ける
ことができ、そして水に対する二酢酸セルロース樹脂の
溶解度は1チ未満である。
この分野で知られているように、スルホン化]i合体か
らなる本発明の第1帯電防止層の液状被覆性組成物はス
ルホン化重合体があまり可溶性でない(例えば1チ未?
4 )第1溶剤とスルホン化重合体が非常に溶解性であ
る(例えば10チより大きい)!42溶剤を包含する。
らなる本発明の第1帯電防止層の液状被覆性組成物はス
ルホン化重合体があまり可溶性でない(例えば1チ未?
4 )第1溶剤とスルホン化重合体が非常に溶解性であ
る(例えば10チより大きい)!42溶剤を包含する。
第11−の特性は成る程度、第1浴剤に対する第2雛剤
の相対量に依存するようである。さらに明確に云うと、
#l/第1溶剤比が高くなる程、要素の帯電防止層上も
高くなる。(二昨醒セルロースの有無にかかわらず)ポ
リスチレンスルホン酸の場合の良好な活剤混合物は相対
容量比的1:1のアセトンとメタノールで構属さ九たも
のであることが知られている。アセトン/メタノールの
1.5/1より大きい比は乏しい帯電防止特性を有する
非常に透明な支持ベースを与えるのに対し、メタノール
/アセトンの1.Vlより大きい比は非常に良好な帯N
、特性を示すが透明性を喪失させる。被優性組成物の熱
安定性を教書するために当業者に知られているように付
加的なi時沸点有機溶剤例えば酢酸メチルセルロースを
使用してもよい。加えて、第1m剤の存在は三酢酸セル
ロース支持体に対する良好な層付着性ン確保するために
有効であることが知られている(これは支持体に対する
溶剤の攻撃によると考えられる)。
の相対量に依存するようである。さらに明確に云うと、
#l/第1溶剤比が高くなる程、要素の帯電防止層上も
高くなる。(二昨醒セルロースの有無にかかわらず)ポ
リスチレンスルホン酸の場合の良好な活剤混合物は相対
容量比的1:1のアセトンとメタノールで構属さ九たも
のであることが知られている。アセトン/メタノールの
1.5/1より大きい比は乏しい帯電防止特性を有する
非常に透明な支持ベースを与えるのに対し、メタノール
/アセトンの1.Vlより大きい比は非常に良好な帯N
、特性を示すが透明性を喪失させる。被優性組成物の熱
安定性を教書するために当業者に知られているように付
加的なi時沸点有機溶剤例えば酢酸メチルセルロースを
使用してもよい。加えて、第1m剤の存在は三酢酸セル
ロース支持体に対する良好な層付着性ン確保するために
有効であることが知られている(これは支持体に対する
溶剤の攻撃によると考えられる)。
帯電防止層上にその保線として被覆されるべき重合体物
質は皮膜形成性で且つ疎水性であらねばならない。皮膜
形成性重合体物質の具体例はセルロース紡導体(例えば
二酢酸セルロース、三酢酸セルロース、酢酸プロピオン
酸セルロース、酢酸酪酸セルロース、三プロピオン酸セ
ルロース、メチルセルロースおヨヒエチルセルロース)
、x合性モノマー(例エバスチレン、ビニルエーテル、
ビニルエステル、アクリル酸エステル、ビニルケトン、
塩化ビニルおよびアクリロニトリル)の合成付加重合体
および共重合体、および合成縮合重合体(例えばポリエ
ステルおよびポリウレタン)である。
質は皮膜形成性で且つ疎水性であらねばならない。皮膜
形成性重合体物質の具体例はセルロース紡導体(例えば
二酢酸セルロース、三酢酸セルロース、酢酸プロピオン
酸セルロース、酢酸酪酸セルロース、三プロピオン酸セ
ルロース、メチルセルロースおヨヒエチルセルロース)
、x合性モノマー(例エバスチレン、ビニルエーテル、
ビニルエステル、アクリル酸エステル、ビニルケトン、
塩化ビニルおよびアクリロニトリル)の合成付加重合体
および共重合体、および合成縮合重合体(例えばポリエ
ステルおよびポリウレタン)である。
この事合体物員はフィルムベースの性質および起り得る
技術的必要性に依存して選択される。例えば、三酢酸セ
ルロースフィルムベースの場合、それは二酢酸セルロー
スまたは好ましくは三酢酸セルロースである。ポリエス
テルベースの場合、それはポリエステル樹脂(下引きを
もって、又は下引き無しで)または三酢酸セルロース樹
脂である。
技術的必要性に依存して選択される。例えば、三酢酸セ
ルロースフィルムベースの場合、それは二酢酸セルロー
スまたは好ましくは三酢酸セルロースである。ポリエス
テルベースの場合、それはポリエステル樹脂(下引きを
もって、又は下引き無しで)または三酢酸セルロース樹
脂である。
上記重合体物質からなる被覆性組成物の溶剤はスルホン
化嵐合体がその中で可溶性でも膨潤性でもない有機液体
化合物、例えばジオキサン、クロロホルム、塩化メチレ
ン等である。
化嵐合体がその中で可溶性でも膨潤性でもない有機液体
化合物、例えばジオキサン、クロロホルム、塩化メチレ
ン等である。
本発明のエボキシーシジン化合物はエポキシ基と官能性
(または反応性)基即ちシラノール基?包含しており、
そのシラノール基の水素原子は直換されていないか又は
該化合物の通常の反応、即ち、公知のように珪素−酸素
結合の分裂もしくはヒドロキシル基(シラン誘導体の中
に存在するか又はその加水分解によって遊離する:この
ためには、かかる反応7行うことができない、珪素原子
に直接結合したアルキル基Y有するシラン化合物は本発
明に使用できないと云うことに留意せよ)での反応のど
ちらかによって多分行われる該化合物の通常の反応Y
OJ能にする置換基で置換されている。このようなエポ
キシ基とシラン基は安定で且つ特に非加水分解性の脂肪
族、芳香族、または脂肪族と芳香族の2111[iのブ
リッジ(または鎖)(それは結合鎖中に窒素、硫黄、珪
素および酸素原子を有していてもよい)を介して互いに
結合されている。一般に、これ等結合鎖は周知のように
置換されていてもよい、何故なら鋼上のこれ等置換基は
該化合物のエポキシ基および官能性シラン基馨介して本
賀的反応乞行う機能に大きな影響を与えないからである
。結合部分に存在していてもよい置換基の例はNO2、
アルキル、アルコキシ、ハロゲン等のような基である。
(または反応性)基即ちシラノール基?包含しており、
そのシラノール基の水素原子は直換されていないか又は
該化合物の通常の反応、即ち、公知のように珪素−酸素
結合の分裂もしくはヒドロキシル基(シラン誘導体の中
に存在するか又はその加水分解によって遊離する:この
ためには、かかる反応7行うことができない、珪素原子
に直接結合したアルキル基Y有するシラン化合物は本発
明に使用できないと云うことに留意せよ)での反応のど
ちらかによって多分行われる該化合物の通常の反応Y
OJ能にする置換基で置換されている。このようなエポ
キシ基とシラン基は安定で且つ特に非加水分解性の脂肪
族、芳香族、または脂肪族と芳香族の2111[iのブ
リッジ(または鎖)(それは結合鎖中に窒素、硫黄、珪
素および酸素原子を有していてもよい)を介して互いに
結合されている。一般に、これ等結合鎖は周知のように
置換されていてもよい、何故なら鋼上のこれ等置換基は
該化合物のエポキシ基および官能性シラン基馨介して本
賀的反応乞行う機能に大きな影響を与えないからである
。結合部分に存在していてもよい置換基の例はNO2、
アルキル、アルコキシ、ハロゲン等のような基である。
本発明の実施に有効な好ましいエポキシ−シラン化合物
の例は次の一般式乞有する化合物である=(頂点を点で
示した六角形の内の符号Aは芳香核を表わし、Sは飽和
核ン表わす): 式中、 Rは炭素原子20個未満の2価の非加水分解性炭化水素
基(脂肪族、芳香族、または脂肪族と芳香族)であり、
炭素、水素、窒素、硫黄、珪素およびば素原子(これ等
原子だけが2価基の主鎖中に存仕可能である)から構成
され、最後の原子はエーテル結合または51−0結合の
形態である。ペテロ原子は51−0結合の珪素と酸素を
除いて2価の炭化水素基の主鎖中で隣合うことはできな
い: nは0〜1であろ: B1は水素、炭素原子10個未満の脂肪族炭化水素基、
または炭素原子10個未満のアシル基であろ;そして mは1〜6である。
の例は次の一般式乞有する化合物である=(頂点を点で
示した六角形の内の符号Aは芳香核を表わし、Sは飽和
核ン表わす): 式中、 Rは炭素原子20個未満の2価の非加水分解性炭化水素
基(脂肪族、芳香族、または脂肪族と芳香族)であり、
炭素、水素、窒素、硫黄、珪素およびば素原子(これ等
原子だけが2価基の主鎖中に存仕可能である)から構成
され、最後の原子はエーテル結合または51−0結合の
形態である。ペテロ原子は51−0結合の珪素と酸素を
除いて2価の炭化水素基の主鎖中で隣合うことはできな
い: nは0〜1であろ: B1は水素、炭素原子10個未満の脂肪族炭化水素基、
または炭素原子10個未満のアシル基であろ;そして mは1〜6である。
本発明に使用されろ組成物は、Rが2価の炭化水素基例
えはメチレン、エチレン、デカンタ、フェニレン、シク
ロヘキシレン、シクロベンチレフ、メチルシクロヘキシ
レン、2−エチルブチレンおよびアレン、エーテル基例
えば−CH2−CH2−0−CH2−CH27+び−C
H2−0−(CH2)3−1またはシロキサン基例えば
−CH2(CH3)2Si−0−1−(CH2)2(C
H3)2Sl−0−;−CH2O(CH2)3(CH3
)2Si−0−であり;R工が炭素原子10個未満の脂
肪族炭化水素基例えばメチル、エチル、イソプロピル、
ブチル、ビニル、または炭素原子10個未満のアシル基
例えはホルミル、アセチル、プロピオニルであってもよ
い上記式のエポキシ−シラ7を用いることができる。
えはメチレン、エチレン、デカンタ、フェニレン、シク
ロヘキシレン、シクロベンチレフ、メチルシクロヘキシ
レン、2−エチルブチレンおよびアレン、エーテル基例
えば−CH2−CH2−0−CH2−CH27+び−C
H2−0−(CH2)3−1またはシロキサン基例えば
−CH2(CH3)2Si−0−1−(CH2)2(C
H3)2Sl−0−;−CH2O(CH2)3(CH3
)2Si−0−であり;R工が炭素原子10個未満の脂
肪族炭化水素基例えばメチル、エチル、イソプロピル、
ブチル、ビニル、または炭素原子10個未満のアシル基
例えはホルミル、アセチル、プロピオニルであってもよ
い上記式のエポキシ−シラ7を用いることができる。
本発明の最も好ましいエポキシ−シラン化合物は次の弐
ン有するものである: (式中、 R2およびR3は個別に、炭素原子1〜4個のアルキレ
フ基である:そして R4は水素または炭素原子1〜10個、より好ましくは
1〜4個のアルキル基である。
ン有するものである: (式中、 R2およびR3は個別に、炭素原子1〜4個のアルキレ
フ基である:そして R4は水素または炭素原子1〜10個、より好ましくは
1〜4個のアルキル基である。
本発明の目的に有効な好ましいエボキシーシラン化合物
の具体例は次の通りである: 1)4さ。□−Cl−T2−0−(。□2)3−8i。
の具体例は次の通りである: 1)4さ。□−Cl−T2−0−(。□2)3−8i。
。。□3)310\
3、) CH2−CH−C12−CH2−8i(OC2
H5)310\ 4) CE(2−CH−CI(2−0−(CH2)3−
8i(OC2H5)3上記のエポキシ−シラン化合物は
既知の方法例えはW、No1l著シリコーンの化学と技
術(Chemistry and Technolog
y of 5ilicones )、アカデミツク出版
(1968年)、1171〜176頁、およびアメリカ
ン・ケミカル・ソサイエテイ第81巻(1959年)第
2662に記載された方法に従って合成できる。
H5)310\ 4) CE(2−CH−CI(2−0−(CH2)3−
8i(OC2H5)3上記のエポキシ−シラン化合物は
既知の方法例えはW、No1l著シリコーンの化学と技
術(Chemistry and Technolog
y of 5ilicones )、アカデミツク出版
(1968年)、1171〜176頁、およびアメリカ
ン・ケミカル・ソサイエテイ第81巻(1959年)第
2662に記載された方法に従って合成できる。
本発明による、エポキシ−シラン化合物と親水性スルホ
ン化重合体からなる液状組成物を支持体ベース上に塗布
することによって形成された帯電防止層は水にも写真処
理溶液にも不溶性になったが、エポキシ−シラン化合物
が存在しない場合には容易に可溶であった。
ン化重合体からなる液状組成物を支持体ベース上に塗布
することによって形成された帯電防止層は水にも写真処
理溶液にも不溶性になったが、エポキシ−シラン化合物
が存在しない場合には容易に可溶であった。
エポキシ−シラン化合物が帯電防止層ン不溶性にするメ
カニズムの解説は確定的なものではないが、シラノール
基(シラン誘導体中に存在するか又はその加水分解によ
って生成される)がヒドロキシル基を介してスルホン化
te体と反応し、それから残りのヒドロキシル基を介し
て重合してポリシロキサンになる;または、エポキシ基
がスルホン化重合体と反応し、そしてシラノール基が重
合してポリシロキサンになる;またはエポキシ基かスル
ホン化里合体と反応し、そしてシランがその′1能基に
よって支持体ベース光面に固定される:またはそれ等メ
カニズムの組合わせが作用して層を不俗化すると考える
ことが合理的であろう。
カニズムの解説は確定的なものではないが、シラノール
基(シラン誘導体中に存在するか又はその加水分解によ
って生成される)がヒドロキシル基を介してスルホン化
te体と反応し、それから残りのヒドロキシル基を介し
て重合してポリシロキサンになる;または、エポキシ基
がスルホン化重合体と反応し、そしてシラノール基が重
合してポリシロキサンになる;またはエポキシ基かスル
ホン化里合体と反応し、そしてシランがその′1能基に
よって支持体ベース光面に固定される:またはそれ等メ
カニズムの組合わせが作用して層を不俗化すると考える
ことが合理的であろう。
本発明の目的には、エポキシ基とシラン基の両方の存在
は欠くことかでき/よい。ポリグリシジルメククリレー
トのようにエポキシ基のみを有する化合物、またはエポ
キシ基以外の壱機基例えばアミン、メルカプト、ビニル
またはアクリロイル基を41するシラン化合物は、まさ
に他の架橋剤例えばグルタルアルデヒド、グリオキサー
ル、ジメチロール尿素、レデルシノールアルデヒド、ジ
クロロヒドロキシトリアジン等がそうであるように、(
t)電防+h iil’lを不溶化しない。
は欠くことかでき/よい。ポリグリシジルメククリレー
トのようにエポキシ基のみを有する化合物、またはエポ
キシ基以外の壱機基例えばアミン、メルカプト、ビニル
またはアクリロイル基を41するシラン化合物は、まさ
に他の架橋剤例えばグルタルアルデヒド、グリオキサー
ル、ジメチロール尿素、レデルシノールアルデヒド、ジ
クロロヒドロキシトリアジン等がそうであるように、(
t)電防+h iil’lを不溶化しない。
本発明の2重層の帯電防止構造ケ作製する成分の割合は
’it)電防止層を設けるべき具体的写真要素またはベ
ースの要求な満足させるように広く変動iiJ龍である
。一般的に、第1帯蹴防止層の屑水性非拡故性スルホン
化乗合体は支持体ベース1 rn2当り約0.05〜0
.5g、好ましくは約0.1〜0,15Jの鷲で使用さ
れ、そしてシラン/スルホン化重合体の重量比は約0.
25〜約1、好ましくは約0.4〜0.6の範囲にある
。第2保磯層乞形成する疎水性皮膜形成性貞合体物質は
一般に支持体11rLii当り約0.05〜0.5g、
好ましくは約0.1〜0.2yの世で使用される。本発
明の帯電防止2重層構造は親水性非拡散性スルホン化重
合体に、エポキシ−シラン化合物に、また疎水性皮膜形
成性電合体物質に加えてその他成分ン含有することも可
能である。例えば、公知のように、各種目的に望ましい
その他添加剤が導入されてもよい:例えば、第1帯電防
止層中に界面活性剤、染料、可塑剤;第2保護層中にマ
ット剤、界面活性剤、滑り剤。
’it)電防止層を設けるべき具体的写真要素またはベ
ースの要求な満足させるように広く変動iiJ龍である
。一般的に、第1帯蹴防止層の屑水性非拡故性スルホン
化乗合体は支持体ベース1 rn2当り約0.05〜0
.5g、好ましくは約0.1〜0,15Jの鷲で使用さ
れ、そしてシラン/スルホン化重合体の重量比は約0.
25〜約1、好ましくは約0.4〜0.6の範囲にある
。第2保磯層乞形成する疎水性皮膜形成性貞合体物質は
一般に支持体11rLii当り約0.05〜0.5g、
好ましくは約0.1〜0.2yの世で使用される。本発
明の帯電防止2重層構造は親水性非拡散性スルホン化重
合体に、エポキシ−シラン化合物に、また疎水性皮膜形
成性電合体物質に加えてその他成分ン含有することも可
能である。例えば、公知のように、各種目的に望ましい
その他添加剤が導入されてもよい:例えば、第1帯電防
止層中に界面活性剤、染料、可塑剤;第2保護層中にマ
ット剤、界面活性剤、滑り剤。
本発明に有効な感光性および/または輻射線感受性層は
画像形成、印刷、医療および情報システムのような分野
における像形成および複製用に周知のものでよい。ハロ
ゲン化銀に加えて、フォトポリマー、ジアゾ、ビゾキュ
ラー像形成組成物、およびその他システムχ使用しても
よい。写真I・ロダン化銀乳剤はいろいろな含量のもの
であってよく、またネガおよび/またはポジ作業である
。
画像形成、印刷、医療および情報システムのような分野
における像形成および複製用に周知のものでよい。ハロ
ゲン化銀に加えて、フォトポリマー、ジアゾ、ビゾキュ
ラー像形成組成物、およびその他システムχ使用しても
よい。写真I・ロダン化銀乳剤はいろいろな含量のもの
であってよく、またネガおよび/またはポジ作業である
。
・・ロダン化銀乳剤の応答性はボラン、アミン、ポリエ
チレンオキシド、デトラアずインデン、ベンゾトリアゾ
ール、ノーロデン化アルカリ、フェニルメルカプトテト
ラゾールおよび金、水銀および硫黄の化合物のような化
学薬品によって増強されたり、安定化されたりしてもよ
い。さらに、写真分野で公知の染料、現像剤改質剤、被
横力重合体、界面活性剤、ラテックス、硬膜剤およびそ
の他添加剤を写真・・ロデン化銀乳剤と共に使用しても
よい。
チレンオキシド、デトラアずインデン、ベンゾトリアゾ
ール、ノーロデン化アルカリ、フェニルメルカプトテト
ラゾールおよび金、水銀および硫黄の化合物のような化
学薬品によって増強されたり、安定化されたりしてもよ
い。さらに、写真分野で公知の染料、現像剤改質剤、被
横力重合体、界面活性剤、ラテックス、硬膜剤およびそ
の他添加剤を写真・・ロデン化銀乳剤と共に使用しても
よい。
次の実験作業により、本発明をよりよく説明することが
できる。本発明の各釉層組成物を被覆するために使用し
た技術はドクターローラー法と呼ばれるものであって、
それによるとフィルムベースは#徨性組成物(溶液形態
)含有槽に直接浸漬されずに、槽に浸漬しているフィー
ドローラーから仮覆性組成物を受け取る。
できる。本発明の各釉層組成物を被覆するために使用し
た技術はドクターローラー法と呼ばれるものであって、
それによるとフィルムベースは#徨性組成物(溶液形態
)含有槽に直接浸漬されずに、槽に浸漬しているフィー
ドローラーから仮覆性組成物を受け取る。
本発明の支持体ベースは層毎に約60〜70℃の温度で
2〜6分間乾燥してから次の被覆性組成物を約350
m/hの被覆速度で被覆する。
2〜6分間乾燥してから次の被覆性組成物を約350
m/hの被覆速度で被覆する。
本発明の支持体ベースまたはそれ馨有する本発明の写真
要素について帯電防止度試験を行った。
要素について帯電防止度試験を行った。
この写真要素は片面に帯′電防止層とその保護層ン被覆
して有する本発明の支持体ベースの反対面にゼラチン・
・ロデン化嫁乳剤層、ゼラチン中間層および保護ゼラチ
ン層な被憶して有していた(%に、ハロゲン化銀乳剤層
はカップラー、分光増感剤、硬膜剤、および当業者に公
知の任意のその他の有効な化学助剤、例えばフィルター
染料、界面活性剤、かぶり防止剤、安定剤等と組付わさ
れている)。
して有する本発明の支持体ベースの反対面にゼラチン・
・ロデン化嫁乳剤層、ゼラチン中間層および保護ゼラチ
ン層な被憶して有していた(%に、ハロゲン化銀乳剤層
はカップラー、分光増感剤、硬膜剤、および当業者に公
知の任意のその他の有効な化学助剤、例えばフィルター
染料、界面活性剤、かぶり防止剤、安定剤等と組付わさ
れている)。
具体的試験はカラーネガ用に通常のC41ラインで処理
されたカラーネガフィルムについて行った、支持体ベー
スとカラーネガフィルム(21°0125%団で15時
間コンディショニングした)は抵抗率ケ測定することに
よって評価された。不透明シミと1クレータ−」は3M
カラープリント100 ASAフィルムの乳剤面と接触
した帯電防止層を裏面に担持している65關ベース27
+1長のサンプル7巻き上げ、そして60℃、70%R
Hで3日間コンディショニングすることによって評価さ
れた。人工老化後、サンプル1c41プロセツシングラ
インで現像し、そして不透明シミとクレータ−V慣用す
るためにサンプル表面ンレフズで走査した。
されたカラーネガフィルムについて行った、支持体ベー
スとカラーネガフィルム(21°0125%団で15時
間コンディショニングした)は抵抗率ケ測定することに
よって評価された。不透明シミと1クレータ−」は3M
カラープリント100 ASAフィルムの乳剤面と接触
した帯電防止層を裏面に担持している65關ベース27
+1長のサンプル7巻き上げ、そして60℃、70%R
Hで3日間コンディショニングすることによって評価さ
れた。人工老化後、サンプル1c41プロセツシングラ
インで現像し、そして不透明シミとクレータ−V慣用す
るためにサンプル表面ンレフズで走査した。
下記実施例で引用したポリスチレンスルホン酸はスルホ
ン酸基65〜40重−j1%ヶ有し、そして非スルポン
化重合体についてベンぞン中で40℃で測定した固有粘
度0.85 di/11 ’に有するものであった〔こ
れは、非スルホン化重付体について測定した固有粘度が
0.04〜1.31 a7i/1/ (ベンゼン中、5
0℃で測定)の範囲にあり、そしてスルホン酸基含有量
が15重量−から65〜40重量−の範囲にあるポリビ
ニルトルエンスルホン酸、ポリインデンスルホン酸、(
ブチルメタクリレート−ビニルトルエンスルホン@)
共N合体、(ブチルアクリレート−スチレンスルホン酸
)共重合体、(エチルへキシルアクリレート−スチレン
スルホン酸)共重合体、ポリビニルスルホン酸およヒポ
リビニルベンずルー2.4−yスルホン酸ヲ含めて、試
験されたスルホン北東合体の中で最も優れていた〕。こ
れ等は公知の方法で、スチレン重合体Y1,2−ジクロ
ロエタン中で約−10℃04度で、三酸化硫黄1モル当
りジクロロエテルエーテル1〜1.5モル& 含有スる
ジクロロエチルエーテル−三酸化硫黄錯体と反応させ、
それから一定攪拌下で室温まで温度ン上けることによっ
て合成された(米国特許第2,536.211号に記載
されている方法と類似の方法で)。
ン酸基65〜40重−j1%ヶ有し、そして非スルポン
化重合体についてベンぞン中で40℃で測定した固有粘
度0.85 di/11 ’に有するものであった〔こ
れは、非スルホン化重付体について測定した固有粘度が
0.04〜1.31 a7i/1/ (ベンゼン中、5
0℃で測定)の範囲にあり、そしてスルホン酸基含有量
が15重量−から65〜40重量−の範囲にあるポリビ
ニルトルエンスルホン酸、ポリインデンスルホン酸、(
ブチルメタクリレート−ビニルトルエンスルホン@)
共N合体、(ブチルアクリレート−スチレンスルホン酸
)共重合体、(エチルへキシルアクリレート−スチレン
スルホン酸)共重合体、ポリビニルスルホン酸およヒポ
リビニルベンずルー2.4−yスルホン酸ヲ含めて、試
験されたスルホン北東合体の中で最も優れていた〕。こ
れ等は公知の方法で、スチレン重合体Y1,2−ジクロ
ロエタン中で約−10℃04度で、三酸化硫黄1モル当
りジクロロエテルエーテル1〜1.5モル& 含有スる
ジクロロエチルエーテル−三酸化硫黄錯体と反応させ、
それから一定攪拌下で室温まで温度ン上けることによっ
て合成された(米国特許第2,536.211号に記載
されている方法と類似の方法で)。
実施例1
次の配合によって4種類の帯電防止被覆性組成物(AX
B、CおよびD)ン調製した:IAIBIcIDI ポリスチレンスルホン酸 (g15 15 15 I
5 17セトン(+Rt) l 5801580158
01580 lメタノール (→ 152015201
5201520 1メチルセロンルプ” (+++/)
l 50 I 50 l 501 501(上面にゼ
ラチン下引き層が被覆されている)三酢酸セルロース支
持体ベースの共面の異なる筒部にそれぞれ上記被覆性組
成物を25儒/mにのifで被覆した。70℃で2〜6
分乾燥した後、各帯″電防止層を次の配合の保映層で被
覆した二三酢酸セルロース U) 4.5 塩化メチレy (mt) 900 メチルセロソルデ■アセテ−) (rnp、) 100
70°Cで10〜12分間乾燥した後、前記のようにバ
ッキング層の抵抗率を測定し、そして不透明シミと「ク
レータ−」の生成を評価した。
B、CおよびD)ン調製した:IAIBIcIDI ポリスチレンスルホン酸 (g15 15 15 I
5 17セトン(+Rt) l 5801580158
01580 lメタノール (→ 152015201
5201520 1メチルセロンルプ” (+++/)
l 50 I 50 l 501 501(上面にゼ
ラチン下引き層が被覆されている)三酢酸セルロース支
持体ベースの共面の異なる筒部にそれぞれ上記被覆性組
成物を25儒/mにのifで被覆した。70℃で2〜6
分乾燥した後、各帯″電防止層を次の配合の保映層で被
覆した二三酢酸セルロース U) 4.5 塩化メチレy (mt) 900 メチルセロソルデ■アセテ−) (rnp、) 100
70°Cで10〜12分間乾燥した後、前記のようにバ
ッキング層の抵抗率を測定し、そして不透明シミと「ク
レータ−」の生成を評価した。
次の表は抵抗率の値並びに不透明と「クレータ−」の評
価な示す。
価な示す。
1 2 1 B 17.1081 少数 1 少数 1
1 5 1 CI7.1081 無 I 無 1141
D 11.10’l 無 1 無 12重層構成の帯
電防止ノーはエポキシ−シラン化会物の存在下で耐久性
、耐摩耗性、非粘着性、水中および写真処理浴中に、不
溶性であり、不透明シミと1クレータ−」ン生成しなか
った。
1 5 1 CI7.1081 無 I 無 1141
D 11.10’l 無 1 無 12重層構成の帯
電防止ノーはエポキシ−シラン化会物の存在下で耐久性
、耐摩耗性、非粘着性、水中および写真処理浴中に、不
溶性であり、不透明シミと1クレータ−」ン生成しなか
った。
実施例2
次の帯′亀防止被覆性組成物から、実施例1のように、
帯電防止バッキング層を有する支持体ベースを作製した
: IEIF+ ポリスチレンスルホン酸 (、V)+ 5.5 1 5
.!:) 1r−グリシドキシゾロビルトリメト (、
&)12.5 1 − 1キシシラン γ−(6,4−エボキシシクロヘキ (g)l −12
,51シル)−エチルトリメトキシシラン r−メルカプトプロピルトリメトキシU)l −1−1
シラン γ−メタクリロキシプロビルトリメトキ (、!i’)
l −1−1シシラン ジメチルジェトキシシラン (!7.)l −1−1エ
チルトリエトキシシラン (g)l −l −lγ−ア
ミノプロピルトリエトキシシラン (,9)l −l
−lアセトン(m6)1380 1 380 1メタ/
−ル(7り1520 1 520 1メチルセロソルブ
■ (m/)1 50 1 50 1メチルセロソルブ
■アセテートC+++/)150 I50 1GI H
I II LI M+ 5.5 1 5.5 1 5.5 1 5.5 1 5
.5 1=l−1−1−1−1 −1−1−1−1−1 2,5+ −1−1−1−1 −12,51−1−1−1 −+−+2・sl −+ −1 −1−1−12・51 −1 − l 1−1−12.51 380 380 380 380 380 11 1
I 1 520 520 520 520 520 11 1
1 1 50 1 50 50 H50150150(5015
01501501 次の表は上記の被覆性組成物によって形成された第1帯
電防止層および実施例1に記載されていると同じ第2保
映層をゼする支持体についての1クレータ−」の存在の
評価Y示す。
帯電防止バッキング層を有する支持体ベースを作製した
: IEIF+ ポリスチレンスルホン酸 (、V)+ 5.5 1 5
.!:) 1r−グリシドキシゾロビルトリメト (、
&)12.5 1 − 1キシシラン γ−(6,4−エボキシシクロヘキ (g)l −12
,51シル)−エチルトリメトキシシラン r−メルカプトプロピルトリメトキシU)l −1−1
シラン γ−メタクリロキシプロビルトリメトキ (、!i’)
l −1−1シシラン ジメチルジェトキシシラン (!7.)l −1−1エ
チルトリエトキシシラン (g)l −l −lγ−ア
ミノプロピルトリエトキシシラン (,9)l −l
−lアセトン(m6)1380 1 380 1メタ/
−ル(7り1520 1 520 1メチルセロソルブ
■ (m/)1 50 1 50 1メチルセロソルブ
■アセテートC+++/)150 I50 1GI H
I II LI M+ 5.5 1 5.5 1 5.5 1 5.5 1 5
.5 1=l−1−1−1−1 −1−1−1−1−1 2,5+ −1−1−1−1 −12,51−1−1−1 −+−+2・sl −+ −1 −1−1−12・51 −1 − l 1−1−12.51 380 380 380 380 380 11 1
I 1 520 520 520 520 520 11 1
1 1 50 1 50 50 H50150150(5015
01501501 次の表は上記の被覆性組成物によって形成された第1帯
電防止層および実施例1に記載されていると同じ第2保
映層をゼする支持体についての1クレータ−」の存在の
評価Y示す。
151E l 無 1 無 1
161F l 無 1 無 1
171(] l 有 1 多数 1
181Hl 有 1 多数 1
1911 1 有 1 多数 1
1101L l 有 1 多数 1
1111M I 有 I 多数 1
第1帯昨防止層と第2保繰層を有する支持体は本発明に
よるエポキシ−シラン化合物の存在−トでは1クレータ
−」を生せしめることがなかった。
よるエポキシ−シラン化合物の存在−トでは1クレータ
−」を生せしめることがなかった。
代理人 浅 村 皓
258−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (11第1の親水性帯′電防止層によって被覆された厘
合体支持体フィルムおよび該第1層上に被覆された第2
の疎水性保護層からなる写真ベースであって、該第1層
がエポキシ−シラン化合物の存在下で親水性非拡散性ス
ルホン化重合体からなる液状+&俊性組成物を該支持体
上に被横することによって形成された、写真ベース。 (2)該支持体フィルムが三酢酸セルロースである、特
許請求の範囲第1項の写真ベース。 (3: 該親水性スルホン化貞合体がポリスチレンスル
ホン酸である、特許請求の範囲第1項の写真ベース。 (4)該親水性スルホン化止金体がポリビニルトルエン
スルホン酸、ポリインデンスルホン酸、(プチルメタク
リレートーヒニルトルエンスルホン酸)共重合体、(ブ
チルアクリレート−スチレンスルホンV)共重合体、(
エチルへキシルアクリレート−スチレンスルホン酸)共
重合体、ポリビニルスルホン酸またはポリビニルベンず
ルー2,4−ジスルホン酸である、特許請求の範囲第1
項の写真ベース。 (5) 該疎水性皮膜形成性物質層が疎水性皮膜形成性
重合体物質からなる液状組成物を被覆することによって
形成された、特許請求の範囲第1項の写真ベース。 (6)該疎水性皮膜形成性物質がセルロース訪導体であ
る、特許請求の範囲第5項の写真ベース。 f71 p * /I/ O−ス肪導体が二酢酸セルロ
ース、三酢酸セルロース、酢酸フロピオン酸セルロース
eiimセルロース、メチルセルロースまたはエチルセ
ルロースである、特許請求の範囲第6項の写真要素。 (8)該疎水性皮膜形成性重合体物置が合成重合体また
は共重合体である、特許請求の範囲第5項の写真ベース
。 (9)該合成重合体または共重合体がスチレン、ビニル
エーテル、ビニルエステル、ビニルケトン、塩化ビニル
およびアクリロニトリルから選択された厘合性七ツマ−
の重合体または共重合体である、特訂ml求の範囲第8
項の写真ベース。 ulll 該エポキシ−シラン化合物が式(式中、 Rは炭素原子20個未満の2価の炭化水素基である: B□は水素、炭素原子10個未満の脂肪族炭化水素基、
炭素原子10個未満のアシル基である:nはOまたは1
であろ;そして mは1〜6である) のどちらかによつ℃表わされる、特許請求の範囲第1項
の写真ベース。 qリ 該エポキシ−シラン化合物が式 %式% (式中、 R2およびR3は個別に、炭素原子1〜4個のアルキレ
ン基である;そして へは水素または炭素原子1〜10個のアルキル基である
) のどちらかによって表わされる、特許請求の範囲第1項
の写真ベース。 Q2 該官能性エポキシ−シラン化合物がγ−グリシド
キシゾロビルトリメトキシ−シランである、特許請求の
範囲第1項の写真ベース。 (13該エポキシ−シラン化合物がβ−(3,4−エポ
キシシクロヘキシル)−エチルトリメトキシ−シランで
ある、特許請求の範囲第1項の写真ベース。 C14)重合体フィルム支持体、該支持体の片面上の感
光性像形成鳩麦なくとも1層、および該支持体の反対面
上の@電防止層からなる写真要素であって、該帯電防止
層か第1の親水性帯′成防止層と該第1層上に被覆され
た第2の疎水性保護ノーからなり、該第1層がエポキシ
−シラン化合物の存在下で親水性非拡敢性スルホン化恵
合体からなる敵状被層性組成物を該支持体上に被覆する
ことによって形成された、写真要素。 00 感光性源形成鳩麦なくとも1層で片面乞被覆され
た重合体支持体フィルムからなる写真要素用の帯電防止
層の作製方法であって、該支持体の反対面上に親水性非
拡散性スルホン化重合体とエポキシ−シラン化合物から
なる第1液状組成物を被捷し、そして被覆された組成物
を乾燥して第1層を形成し、それから疎水性皮膜形成性
重合体物質からなる第2液状組成物乞被覆し、そして被
覆物を乾燥して第2層を形成することからなり、該第2
敵状組成物の溶剤が第1被覆層の親水性スルホン化庫合
体を実質的に浴解できないことを特徴とする、 耐久性、剛摩耗性、非粘着性、および写真処理用水性処
理浴による攻撃に対する耐性を有する帯電防止層の作製
方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| IT65210A/83 | 1983-06-07 | ||
| IT65210/83A IT1175016B (it) | 1983-06-07 | 1983-06-07 | Supporto fotografico antistatico metodo per prepararlo ed elemento fotografico che comprende detto supporto |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6017741A true JPS6017741A (ja) | 1985-01-29 |
| JPH0660993B2 JPH0660993B2 (ja) | 1994-08-10 |
Family
ID=11297731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59117433A Expired - Lifetime JPH0660993B2 (ja) | 1983-06-07 | 1984-06-07 | 帯電防止写真ベ−ス |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4582782A (ja) |
| EP (1) | EP0127820B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0660993B2 (ja) |
| AR (1) | AR242453A1 (ja) |
| AU (1) | AU566937B2 (ja) |
| BR (1) | BR8402726A (ja) |
| CA (1) | CA1246381A (ja) |
| DE (1) | DE3479247D1 (ja) |
| IT (1) | IT1175016B (ja) |
| MX (1) | MX158976A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01155340A (ja) * | 1987-11-20 | 1989-06-19 | Minnesota Mining & Mfg Co <3M> | 感光性媒質と共に使用するための支持体層およびその製造方法 |
| JPH03132648A (ja) * | 1989-10-18 | 1991-06-06 | Konica Corp | 帯電防止されたハロゲン化銀写真感光材料 |
| JPH03253844A (ja) * | 1990-03-02 | 1991-11-12 | Konica Corp | ガラス支持体を有するハロゲン化銀写真感光材料 |
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| DE3542233A1 (de) * | 1985-11-29 | 1987-06-04 | Agfa Gevaert Ag | Waessriges bad und verfahren zur verbesserung der eigenschaften fotografischer aufzeichnungsmaterialien |
| US4886739A (en) * | 1988-08-10 | 1989-12-12 | Eastman Kodak Company | Thermally processable imaging element and process |
| US5126405A (en) * | 1990-05-23 | 1992-06-30 | Eastman Kodak Company | Cross-linked conductive polymers and antistat coatings employing the same |
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| US5589324A (en) * | 1993-07-13 | 1996-12-31 | International Paper Company | Antistatic layer for photographic elements comprising polymerized polyfunctional aziridine monomers |
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| JPS5748405Y2 (ja) * | 1974-07-16 | 1982-10-23 |
-
1983
- 1983-06-07 IT IT65210/83A patent/IT1175016B/it active
-
1984
- 1984-05-17 EP EP84105635A patent/EP0127820B1/en not_active Expired
- 1984-05-17 DE DE8484105635T patent/DE3479247D1/de not_active Expired
- 1984-06-06 BR BR8402726A patent/BR8402726A/pt not_active IP Right Cessation
- 1984-06-06 MX MX201562A patent/MX158976A/es unknown
- 1984-06-06 AU AU29128/84A patent/AU566937B2/en not_active Ceased
- 1984-06-06 CA CA000456025A patent/CA1246381A/en not_active Expired
- 1984-06-07 JP JP59117433A patent/JPH0660993B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1984-06-07 AR AR84296863A patent/AR242453A1/es active
- 1984-06-08 US US06/618,876 patent/US4582782A/en not_active Expired - Fee Related
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| BR8402726A (pt) | 1985-05-14 |
| JPH0660993B2 (ja) | 1994-08-10 |
| IT1175016B (it) | 1987-07-01 |
| US4582782A (en) | 1986-04-15 |
| IT8365210A0 (it) | 1983-06-07 |
| MX158976A (es) | 1989-04-04 |
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| EP0127820B1 (en) | 1989-08-02 |
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| CA1246381A (en) | 1988-12-13 |
| EP0127820A2 (en) | 1984-12-12 |
| AU566937B2 (en) | 1987-11-05 |
| DE3479247D1 (en) | 1989-09-07 |
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