JPS60186071A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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Publication number
JPS60186071A
JPS60186071A JP59041607A JP4160784A JPS60186071A JP S60186071 A JPS60186071 A JP S60186071A JP 59041607 A JP59041607 A JP 59041607A JP 4160784 A JP4160784 A JP 4160784A JP S60186071 A JPS60186071 A JP S60186071A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
junction
semiconductor device
mesa groove
mesa
exposed
Prior art date
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Pending
Application number
JP59041607A
Other languages
English (en)
Inventor
Hisashi Haneda
尚志 羽田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS60186071A publication Critical patent/JPS60186071A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D8/00—Diodes

Landscapes

  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Thyristors (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ、産業上の利用分野 不発明は、半導体装置の製造方法に係り、特に。
メサ構造を有する半導体装置の製造方法に関する。
口、従来技術 従来、ＰＮ接合を形成し、メサ溝を形成した後は、高温
の熱処理を施すことはなく、メサ溝形成の際、ＰＮ接合
のメサ溝への露出部は凸部を残し、特に悪影響を与える
等の欠点があった。すなわち。
第１図は従来のメサ構造を有する半導体装置の断面図で
ある。第１図において、１は、−導電、型。
例えばＮ型の半導体基板、２は、基板１に不純物拡散に
よ膜形成されたＰ層、３は、２層２の形成後、メサエッ
チングによ膜形成されたメサ溝の内壁である。メサ溝内
壁３には、ＰＮ接合５の接合端６が露出するが、ガラス
被膜＋によシ被われ保護されている。しかし、接合端６
はメサ溝形成の時に凸状となシ、ＰＮ接合５に逆バイア
スを印加したとき、凸部近傍の電界が強くなり、逆耐圧
が低下する欠点があった。
／・１発明の目的 本発明の目的は、メサ溝内壁の、ＰＮ接合の接合端露出
部の形状が滑らかであって、耐圧特性のよいメサ構造を
有する半導体装置の製造方法を提供するにある。
二０発明の構成 本発明によれば、半導体基板にＰＮ接合を形成後、メサ
溝を形成し、さらに熱処理を施して、前記メサ溝内壁に
露出したＰＮ接合端の位置を元の位置より移動させるこ
とを含む半導体装置の製造方法が得られる。
ホ、実施例 つぎに本発明を実施例によシ説明する。
第２回は本発明の一実施例方法により製造された半導体
装置の断面図である。第２図において、点線で示す当初
のＰＮ接合５の接合端が露出したメサ溝内壁３の露出部
６は凸状を呈しているが、メサ溝内壁を低温形成の従来
のガラス被膜の代わりに、高温形成の鉛ガラスの被膜４
ａで被い、それから、高温の熱処理を行っている。この
熱処理により、２層２の不純物が内部に拡散し、ｐＮ接
合は実線で示す７の位置まで移動する。その結果ｐＮ接
合の接合端は、当初の接合端の位置６より離れ、滑らか
な内壁面に露出することになる。
第３図は第２の実施例による半導体装置の断面図である
。第３図において、当初のｐＮ接合５の接合端の露出部
凸状６を形成しているが、この状態で、酸化雰囲気中で
熱処理を行い、メサ溝内壁３に酸化被膜８を設け、６の
凸部を緩和すると同時に、第１の実施例と同様に、ＰＮ
接合面を当初の位置５から７へ移動させることができる
。
へ８発明の効果 この様にして、本発明によれば、メサ溝形成時に、発生
した当初のＰＮ接合の接合端が露出する凸部の位置から
、熱処理を施すことによってｐＮ接合を移動させ、よっ
て、接合端露出部凸状のための電界強度の増加による耐
圧低下の欠点をなくし、耐圧特性のよい半導体装置を製
造可能とする。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のメサ構造を有する半導体装置の断面図、
第２図は本発明の一実施例による半導体装置の断面図、
嬉３図は本発明の他の実施例による半導体装置の断面図
である。 １・・・・・・Ｎ型基板Ｎ層、２・・・・・・Ｐ型拡散
層、３・・・・・・メサ溝内壁、４・・・・・・低温ガ
ラス被膜、４ａ・・・・・・高温ガラス被膜、５・・・
・・・当初のＰＮ接合、６・・・・・・ＰＮ接合端露出
部の凸起、７・・・・・・移動後のＰＮ接合、８・・・
・・・酸化膜。 躬１区 第３図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ＰＮ接合を形成した半導体基板にメサ溝を設け。 このメサ溝内壁をガラスで被覆した構造を有する半導体
    装置の製造方法において、前記メサ溝を形成した後に、
    該メサ溝に露出したＰＮ接合部を熱処理等によシ当初の
    位置よシ移動させることを特徴とする半導体装置の製造
    方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4740477A (en) * 1985-10-04 1988-04-26 General Instrument Corporation Method for fabricating a rectifying P-N junction having improved breakdown voltage characteristics
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