JPS6018884A - 磁気バブルメモリ駆動回路 - Google Patents
磁気バブルメモリ駆動回路Info
- Publication number
- JPS6018884A JPS6018884A JP58124703A JP12470383A JPS6018884A JP S6018884 A JPS6018884 A JP S6018884A JP 58124703 A JP58124703 A JP 58124703A JP 12470383 A JP12470383 A JP 12470383A JP S6018884 A JPS6018884 A JP S6018884A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bubble memory
- magnetic bubble
- circuit
- driving circuit
- drive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は磁気バブルメモリ装置における回転磁界駆動回
路に関するものである。
路に関するものである。
第１図に従来用いられているこの種の回路構成を示す。
図において、１１はバブルメモリコントローラ、１２は
タイミングジェネレータ、１３は水晶振動子Ｘ−ｔａｌ
を有する発振回路、１４はコイル駆動回路、１５はバブ
ルメモリデバイスである。
タイミングジェネレータ、１３は水晶振動子Ｘ−ｔａｌ
を有する発振回路、１４はコイル駆動回路、１５はバブ
ルメモリデバイスである。
このように従来は、駆動周波数を決定する基準パルスの
発振回路として、周囲温度に対して安定な水晶振動子を
使用した発振回路を用いていた。
発振回路として、周囲温度に対して安定な水晶振動子を
使用した発振回路を用いていた。
一方、磁気バブルメモリ装置においては、第２図に示す
ように、高温側に比較して低温側でより大きな駆動電圧
を必要とする。すなわち、第２図はバイアスマージン（
Ｈｍ ）の駆動電流（Ｉｘｙ）依存性を示したもので、
図中（、）が高温時伽）が低温時の特性を示し、斜線部
が動作域である。したがって従来低温時に高温時と同様
の駆動電流を得るためにはコイルに供給する電圧を変え
る必要があった。
ように、高温側に比較して低温側でより大きな駆動電圧
を必要とする。すなわち、第２図はバイアスマージン（
Ｈｍ ）の駆動電流（Ｉｘｙ）依存性を示したもので、
図中（、）が高温時伽）が低温時の特性を示し、斜線部
が動作域である。したがって従来低温時に高温時と同様
の駆動電流を得るためにはコイルに供給する電圧を変え
る必要があった。
本発明はこのような事情に鑑みて表されたものであり、
その目的は、供給電圧を変えることなく低温時に駆動電
流を増加させることが可能な磁気バブルメモリ駆動回路
を提供すゐことにある。
その目的は、供給電圧を変えることなく低温時に駆動電
流を増加させることが可能な磁気バブルメモリ駆動回路
を提供すゐことにある。
このような目的を達成するために、本発明は、基準パル
スの発振回路として、その発振周波数が周囲温度に追従
して変化する回路を用いたものである。
スの発振回路として、その発振周波数が周囲温度に追従
して変化する回路を用いたものである。
第２図は本発明の一実施例を示す回路図である。
図において、バブルメモリコントローラ３１、タイミン
グジェネレータ３２、コイル駆動回路３４、バブルメモ
リデバイス３５の構成は第１図のものと同様であるが、
基準パルスの発振回路として感温素子３３ｍを備えた発
振回路３３を有しており、発振回路３３は、第４図に示
す（ａ） ｌ （ｂ）もしくは（Ｃ）のように周囲温度
の上昇に伴って発振周波数が増大する特性を示す。
グジェネレータ３２、コイル駆動回路３４、バブルメモ
リデバイス３５の構成は第１図のものと同様であるが、
基準パルスの発振回路として感温素子３３ｍを備えた発
振回路３３を有しており、発振回路３３は、第４図に示
す（ａ） ｌ （ｂ）もしくは（Ｃ）のように周囲温度
の上昇に伴って発振周波数が増大する特性を示す。
発振回路がこのような温度特性を有すると、駆動回路の
負荷であるバブルメモリデバイス３５の駆動コイルはイ
ンダクタンス負荷であるために、その駆動電流は、第５
図に示すように供給電圧ＶＣが一定でもその最大値■は
高温時（同図（４））に比較して低温時（同図の））に
大きくなる（ΔＩは両者の差を示す）。すなわち、駆動
コイルのインダクタンスをＬとして、供給電圧ｖｃ（一
定）と駆動電流ｌとの間にはＶｃ＝ｊωＬ１の関係が成
立するから、周波数Ｉが低い低温側はどｉは大きくなる
。
負荷であるバブルメモリデバイス３５の駆動コイルはイ
ンダクタンス負荷であるために、その駆動電流は、第５
図に示すように供給電圧ＶＣが一定でもその最大値■は
高温時（同図（４））に比較して低温時（同図の））に
大きくなる（ΔＩは両者の差を示す）。すなわち、駆動
コイルのインダクタンスをＬとして、供給電圧ｖｃ（一
定）と駆動電流ｌとの間にはＶｃ＝ｊωＬ１の関係が成
立するから、周波数Ｉが低い低温側はどｉは大きくなる
。
以上説明したように、本発明によれば、周囲温度に追従
して発振周波数の変化する基準パルス発振回路を用いた
ことにより、供給電圧を変えることなく低温時に駆動電
流を増加させることができ、バブルメモリデバイスの特
性選別歩留シを向上させるこＪ：ができるとともに、バ
ブルメモリ装置としての動作源度域を・拡大させ、また
低温時の動作信頼性を向」ニさせることができる。
して発振周波数の変化する基準パルス発振回路を用いた
ことにより、供給電圧を変えることなく低温時に駆動電
流を増加させることができ、バブルメモリデバイスの特
性選別歩留シを向上させるこＪ：ができるとともに、バ
ブルメモリ装置としての動作源度域を・拡大させ、また
低温時の動作信頼性を向」ニさせることができる。
絽１図は従来の磁気バブルメモリ駆動回路の構成例を示
す図、第２図は磁気バブルメモリデバイスの駆動電流温
度特性図、第３図は本発明の一実る駆動電流の時間変化
を示す図である。 ３１＠・轡・バブルメモリコントローラ、３２・・自書
タイミングジェネレータ、３３＠・−〇発振回路、３３
ｍ５中・・感温素子、３４・・・書コイル駆動回路、３
５・・・・バブルメモリデバイス。 ３− 第１図 第２図 駆動電流ＩＸＹ − ４− 第３図 第４図 １ ↑ 友 −＋−ｋ ”Ｌ菩”うへ＝ 電 電 褒 乳 Ｉ ゆＩ
す図、第２図は磁気バブルメモリデバイスの駆動電流温
度特性図、第３図は本発明の一実る駆動電流の時間変化
を示す図である。 ３１＠・轡・バブルメモリコントローラ、３２・・自書
タイミングジェネレータ、３３＠・−〇発振回路、３３
ｍ５中・・感温素子、３４・・・書コイル駆動回路、３
５・・・・バブルメモリデバイス。 ３− 第１図 第２図 駆動電流ＩＸＹ − ４− 第３図 第４図 １ ↑ 友 −＋−ｋ ”Ｌ菩”うへ＝ 電 電 褒 乳 Ｉ ゆＩ
Claims (1)
- 駆動周波数を決定する基準パルスの発振回路として発振
周波数が周囲温度に追従して変化する発振回路を用いた
ことを特徴とする磁気バブルメモリ駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58124703A JPS6018884A (ja) | 1983-07-11 | 1983-07-11 | 磁気バブルメモリ駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58124703A JPS6018884A (ja) | 1983-07-11 | 1983-07-11 | 磁気バブルメモリ駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6018884A true JPS6018884A (ja) | 1985-01-30 |
Family
ID=14892003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58124703A Pending JPS6018884A (ja) | 1983-07-11 | 1983-07-11 | 磁気バブルメモリ駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6018884A (ja) |
-
1983
- 1983-07-11 JP JP58124703A patent/JPS6018884A/ja active Pending
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