JPS60189954A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS60189954A JPS60189954A JP59046810A JP4681084A JPS60189954A JP S60189954 A JPS60189954 A JP S60189954A JP 59046810 A JP59046810 A JP 59046810A JP 4681084 A JP4681084 A JP 4681084A JP S60189954 A JPS60189954 A JP S60189954A
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- layer
- package body
- pellet
- metallic
- gnd
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
- H10W70/67—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
- H10W70/68—Shapes or dispositions thereof
- H10W70/682—Shapes or dispositions thereof comprising holes having chips therein
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- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5524—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising aluminium [Al]
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- H10W72/59—Bond pads specially adapted therefor
-
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/951—Materials of bond pads
- H10W72/952—Materials of bond pads comprising metals or metalloids, e.g. PbSn, Ag or Cu
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の技術分野]
本発明は半導体装置に係り、特にサーデツプパッケージ
製品のGNDボンディング部の改良に関す゛る。
製品のGNDボンディング部の改良に関す゛る。
C発明の技術的側1
一般に、半導体装置においては、IC(集積回路)が動
作している時、その基板に電流が流れるため、基板の電
位がOvより高くなりそ″の結果−動作が不安定になる
。従って、基板の電位を安定させるために、当該基板を
接地させることが不可決である。第1図は従来のサーデ
ィツプパッケージに於ける接地構造を示す断面図である
。同図において、11はパッケージ本体であり、このパ
ッケージ本体11のキャピテイ部12には金属層として
金層13が設けられている。この金層13上には、半導
体ペレット14が取付けられている。この半導体ベレッ
ト14の1i1415は、金属(アルミニウム)細線1
6によりパッケージ本体11上に設けられた外部端子1
Tに接続されている。上記キャビティ8812の金層1
3上にはさらにGNDベレッ1−18が設けられている
。このGNDベレット18はシリコン小片上にアルミニ
ウムの1ili19を形成したものである。この電極1
9は金属(アルミニウム)細線20により、上記パッケ
ージ本体11上に設けられたGND端子21に接続され
ている。
作している時、その基板に電流が流れるため、基板の電
位がOvより高くなりそ″の結果−動作が不安定になる
。従って、基板の電位を安定させるために、当該基板を
接地させることが不可決である。第1図は従来のサーデ
ィツプパッケージに於ける接地構造を示す断面図である
。同図において、11はパッケージ本体であり、このパ
ッケージ本体11のキャピテイ部12には金属層として
金層13が設けられている。この金層13上には、半導
体ペレット14が取付けられている。この半導体ベレッ
ト14の1i1415は、金属(アルミニウム)細線1
6によりパッケージ本体11上に設けられた外部端子1
Tに接続されている。上記キャビティ8812の金層1
3上にはさらにGNDベレッ1−18が設けられている
。このGNDベレット18はシリコン小片上にアルミニ
ウムの1ili19を形成したものである。この電極1
9は金属(アルミニウム)細線20により、上記パッケ
ージ本体11上に設けられたGND端子21に接続され
ている。
すなわち、従来の半導体ベレット14における基板の接
地は、GNDペレット18を介してワイヤボンディング
により行なっている。
地は、GNDペレット18を介してワイヤボンディング
により行なっている。
[背景技術の問題点]
しかしながら、従来のサーデツプパッケージにおいては
、半導体ペレット14及びGNDベレット1Bの両方の
マウントを行なう必要があるため、マウント工程の自動
化に対して大きな障害となっていた。GNDベレット1
8を用いることなく、直接GND端子20と金層13と
をボンディング接続すれば自動化が容易となる。しかし
、キャビティ部12の金属として金!113が用いられ
ているため、キャビティ部12に直接会jill線20
をボンディング接続した場合、シーリング時において4
00〜450度の高温にさらされ、その結果台とアルミ
ニウムとの金属間化合物が形成され、ボンディング強度
が低下する。このため、従来の構造では、GNDベレッ
ト18を廃止することはできず、マウント工程の自動化
は困難であった。
、半導体ペレット14及びGNDベレット1Bの両方の
マウントを行なう必要があるため、マウント工程の自動
化に対して大きな障害となっていた。GNDベレット1
8を用いることなく、直接GND端子20と金層13と
をボンディング接続すれば自動化が容易となる。しかし
、キャビティ部12の金属として金!113が用いられ
ているため、キャビティ部12に直接会jill線20
をボンディング接続した場合、シーリング時において4
00〜450度の高温にさらされ、その結果台とアルミ
ニウムとの金属間化合物が形成され、ボンディング強度
が低下する。このため、従来の構造では、GNDベレッ
ト18を廃止することはできず、マウント工程の自動化
は困難であった。
[発明の目的]
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、その目的は
、GNDペレットが不要であり、かつボンディング強度
が劣化することなく、マウント工程の自動化を可能とす
る半導体装置を提供することにある。
、GNDペレットが不要であり、かつボンディング強度
が劣化することなく、マウント工程の自動化を可能とす
る半導体装置を提供することにある。
[発明の概要]
本発明は、パッケージ本体に設けられるキャビティ部を
銀層で形成し、この銀層に半導体ペレットを電気的に接
続すると共に、この銀層と前記パッケージ本体上に設け
られたGND端子とを直接金属細線によりボンディング
接続するものである。
銀層で形成し、この銀層に半導体ペレットを電気的に接
続すると共に、この銀層と前記パッケージ本体上に設け
られたGND端子とを直接金属細線によりボンディング
接続するものである。
[発明の実施例]
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。第
2図において、31はパッケージ本体であり、このパッ
ケージ本体31のキャビティ部32には金属層として銀
層33が設けられている。この銀層33上には、半導体
ペレット34が取付けられている。
2図において、31はパッケージ本体であり、このパッ
ケージ本体31のキャビティ部32には金属層として銀
層33が設けられている。この銀層33上には、半導体
ペレット34が取付けられている。
この半導体ペレット34の電[i35は、金l1R(ア
ルミニウム)細線36によりパッケージ本体31上に設
けられた外部端子37に接続されている。そして、キャ
ビティ部32の銀1133は、金属(アルミニウム)細
線38を介して、パッケージ本体31に設けられたGN
D端子39に直接接続されている。
ルミニウム)細線36によりパッケージ本体31上に設
けられた外部端子37に接続されている。そして、キャ
ビティ部32の銀1133は、金属(アルミニウム)細
線38を介して、パッケージ本体31に設けられたGN
D端子39に直接接続されている。
すなわち、本考案のサーデツプパッケージにおいては、
半導体ペレット34の基板の接地を、キャビティ部32
から金属細線38により直接GND端子39に接続する
ことにより行なうものである。しf’Xして、この場合
、キャビティ部32に金層を使用すると、前述のように
シール時の高温により金llI間化合物が形成されボン
ディング強度が劣化するので、これを防止するため銀層
33を用いたものであり、この場合金属間化合物は形成
されずその結果良好なボンディング特性が得られた。
半導体ペレット34の基板の接地を、キャビティ部32
から金属細線38により直接GND端子39に接続する
ことにより行なうものである。しf’Xして、この場合
、キャビティ部32に金層を使用すると、前述のように
シール時の高温により金llI間化合物が形成されボン
ディング強度が劣化するので、これを防止するため銀層
33を用いたものであり、この場合金属間化合物は形成
されずその結果良好なボンディング特性が得られた。
[発明の効果]
以上のように本発明によれば、半導体ペレットの接地構
造にGNDベレットが不要であり、かつボンディング強
度の劣化を防止することができるため、マウント工程の
自動化が容易であると共に、キャビティ部に金が不要で
あるため安価な半導体装置を提供できる。
造にGNDベレットが不要であり、かつボンディング強
度の劣化を防止することができるため、マウント工程の
自動化が容易であると共に、キャビティ部に金が不要で
あるため安価な半導体装置を提供できる。
第1図は従来の半導体装置の構成を示す断面図、第2図
は本発明の一実施例に係る半導体装置の構成を示す断面
図である。 31・・・パッケージ本体、32・・・キャビティ部、
33・・・銀層、34・・・半導体ペレット、35・・
・電極、36・・・金属細線、37・・・外部端子、3
8・・・金属細線、39・・・GND端子。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
は本発明の一実施例に係る半導体装置の構成を示す断面
図である。 31・・・パッケージ本体、32・・・キャビティ部、
33・・・銀層、34・・・半導体ペレット、35・・
・電極、36・・・金属細線、37・・・外部端子、3
8・・・金属細線、39・・・GND端子。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
Claims (1)
- パッケージ本体と、銀層により形成され、前記パッケー
ジ本体に設けられたキャビティ部と、このキャビティ部
の前記銀層上に電気的に接続された半導体ペレットと、
前記パッケージ本体上に段けられたGND端子と、この
GND端子と前記キヤとティ部の前記銀層とを電気的に
接続する金属Ill翰とを具備したことを特徴とする半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59046810A JPS60189954A (ja) | 1984-03-12 | 1984-03-12 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59046810A JPS60189954A (ja) | 1984-03-12 | 1984-03-12 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60189954A true JPS60189954A (ja) | 1985-09-27 |
Family
ID=12757678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59046810A Pending JPS60189954A (ja) | 1984-03-12 | 1984-03-12 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60189954A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50154770A (ja) * | 1974-06-05 | 1975-12-13 | ||
| JPS56126951A (en) * | 1980-03-12 | 1981-10-05 | Hitachi Ltd | Semicondutor device |
-
1984
- 1984-03-12 JP JP59046810A patent/JPS60189954A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50154770A (ja) * | 1974-06-05 | 1975-12-13 | ||
| JPS56126951A (en) * | 1980-03-12 | 1981-10-05 | Hitachi Ltd | Semicondutor device |
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