JPS60193339A - レジスト膜塗布方法 - Google Patents
レジスト膜塗布方法Info
- Publication number
- JPS60193339A JPS60193339A JP59050070A JP5007084A JPS60193339A JP S60193339 A JPS60193339 A JP S60193339A JP 59050070 A JP59050070 A JP 59050070A JP 5007084 A JP5007084 A JP 5007084A JP S60193339 A JPS60193339 A JP S60193339A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- envelope
- resist
- stage
- pressure
- spinner
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明はレジスト膜塗布方法にかかり、特に半導体装置
を製造する際に、フォトプロセスにおいて半導体ウェハ
ー（以下、ウェハーと略す）面に塗布するレジスト膜の
塗布方法に関する。
を製造する際に、フォトプロセスにおいて半導体ウェハ
ー（以下、ウェハーと略す）面に塗布するレジスト膜の
塗布方法に関する。
申） 従来技術と問題点
周知のように、ＩＣなどの半導体装置はウニ／％−面に
多数の素子が形成され、これを分割してパンケージに組
み入れられているが、ウニ／’ｉ−処理工程（ウェハー
プロセス）においては、ウエハ−面に繰り返しフォトプ
ロセスが適用されてパターンニングが行なわれる。
多数の素子が形成され、これを分割してパンケージに組
み入れられているが、ウニ／’ｉ−処理工程（ウェハー
プロセス）においては、ウエハ−面に繰り返しフォトプ
ロセスが適用されてパターンニングが行なわれる。
このようなフォトプロセスにおいて、最も重要なことは
微細パターンを高精度に形成することであって、そのた
めに露光法も従来の紫外線露光法に代わって、電子ビー
ム露光法が使用されるようになってきた。また、レジス
ト膜も高感度、高解像度、残膜率の良い材料が開発され
てきており、このようなフォトプロセスの進歩に伴って
ＩＣの集積度も著しく向上している。
微細パターンを高精度に形成することであって、そのた
めに露光法も従来の紫外線露光法に代わって、電子ビー
ム露光法が使用されるようになってきた。また、レジス
ト膜も高感度、高解像度、残膜率の良い材料が開発され
てきており、このようなフォトプロセスの進歩に伴って
ＩＣの集積度も著しく向上している。
他方、このようなフォトプロセスにおいて、レジスト膜
の塗布方法も大切な問題であり、レジスト膜はウェハー
面上に出来るだけ均一に、而も薄く被覆させる必要があ
る。そのため、従来より回転式塗布装置（スピンナー）
が汎用されており、第１図にこのような従来のスピンナ
ーの概要断面図を示している。図において、１はウェハ
ー、２はステージ、３はレジスト溶液の滴下ノズル、４
ば外囲器で、ステージ２は真空チャックによってウェハ
ー１を背面から吸引し保持しており、モータなどの駆動
機に連結して３０００〜５０００ｒｐｍの速度で回転さ
せることができるステージである。外囲器４は振り飛ば
されたレジスト溶液が、跳ね返って再びウェハー１面に
付着しないように構成されている。図中の４１１は振り
飛ばされたレジスト溶液の排出口である。
の塗布方法も大切な問題であり、レジスト膜はウェハー
面上に出来るだけ均一に、而も薄く被覆させる必要があ
る。そのため、従来より回転式塗布装置（スピンナー）
が汎用されており、第１図にこのような従来のスピンナ
ーの概要断面図を示している。図において、１はウェハ
ー、２はステージ、３はレジスト溶液の滴下ノズル、４
ば外囲器で、ステージ２は真空チャックによってウェハ
ー１を背面から吸引し保持しており、モータなどの駆動
機に連結して３０００〜５０００ｒｐｍの速度で回転さ
せることができるステージである。外囲器４は振り飛ば
されたレジスト溶液が、跳ね返って再びウェハー１面に
付着しないように構成されている。図中の４１１は振り
飛ばされたレジスト溶液の排出口である。
かくして、滴下ノズル３からレジスト溶液を一定量滴下
し、ウェハー１面にある程度まで拡がった時点で、ステ
ージ２を上記速度で回転してウェハー全面に拡散させて
均一に塗布させる。しかしながら、最近ではウェハーが
直径４〜５インチφと大形化しており、レジスト溶液を
滴下し、ステージ２を回転してウェハー全面に拡散させ
ると、レジスト膜の表面に滴下点から渦状に脈流が形成
される。第２図はレジスト膜１１を塗布したウェハー１
の部分断面図を図示しており、レジスト膜の膜厚は通常
、１〜２μｍの間の一定した膜厚であるが、このような
脈流による膜厚の変動差は約３０００λ程度になる。
し、ウェハー１面にある程度まで拡がった時点で、ステ
ージ２を上記速度で回転してウェハー全面に拡散させて
均一に塗布させる。しかしながら、最近ではウェハーが
直径４〜５インチφと大形化しており、レジスト溶液を
滴下し、ステージ２を回転してウェハー全面に拡散させ
ると、レジスト膜の表面に滴下点から渦状に脈流が形成
される。第２図はレジスト膜１１を塗布したウェハー１
の部分断面図を図示しており、レジスト膜の膜厚は通常
、１〜２μｍの間の一定した膜厚であるが、このような
脈流による膜厚の変動差は約３０００λ程度になる。
この脈状をなくするために、レジスト溶液の濃度を変化
させる等、種々の対策を行なっているが、所定の膜厚を
維持して脈状をなくすることは困難である。所定膜厚に
維持することはフォトプロセスにと１で極めて重要で、
それは膜厚が薄くなるとエツチング時にそのパターン形
状が維持できず、また、厚い膜厚は微細なパターン形成
を難しくする問題があるからである。
させる等、種々の対策を行なっているが、所定の膜厚を
維持して脈状をなくすることは困難である。所定膜厚に
維持することはフォトプロセスにと１で極めて重要で、
それは膜厚が薄くなるとエツチング時にそのパターン形
状が維持できず、また、厚い膜厚は微細なパターン形成
を難しくする問題があるからである。
（Ｃ１発明の目的
本発明は、塗布したレジスト膜が所定膜厚を維持し、且
つその表面に脈状が生じないようにする塗布方法を提案
するものである。
つその表面に脈状が生じないようにする塗布方法を提案
するものである。
（ｄ） 発明の構成
その目的は、少なくとも大気圧よりも高い圧力を加えた
雰囲気中において、被塗布試料（ウェハー）にレジスト
溶液を滴下して回転塗布するようにしたレジスト膜塗布
方法によって達成される。
雰囲気中において、被塗布試料（ウェハー）にレジスト
溶液を滴下して回転塗布するようにしたレジスト膜塗布
方法によって達成される。
（ｅ） 発明の実施例
以下１図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第３図は本発明にかかるスピンナーの一実施例の概要断
面図を示しており、図示のように外囲器４にカバー５を
被覆し、バンキングを挾んで気密封止し、外囲器４とス
テージ２との間に０リング６を介在させて気密封止する
。又、レジスト溶液の排出口４１１も封じておく。かく
して、加圧ガスの流入ロアから圧力２〜３ｋｇ／ｃＩｌ
ｌｌの窒素ガスを容器内に流入し加圧し、それ以上の圧
力によって滴下ノズル３からレジスト溶液の一定量を滴
下する。
面図を示しており、図示のように外囲器４にカバー５を
被覆し、バンキングを挾んで気密封止し、外囲器４とス
テージ２との間に０リング６を介在させて気密封止する
。又、レジスト溶液の排出口４１１も封じておく。かく
して、加圧ガスの流入ロアから圧力２〜３ｋｇ／ｃＩｌ
ｌｌの窒素ガスを容器内に流入し加圧し、それ以上の圧
力によって滴下ノズル３からレジスト溶液の一定量を滴
下する。
レジスト溶液が６（ｆ状に滴下して、ウェハー１面に半
分程度まで拡がった時点で、ステージ２を高速に回転し
てウェハー全面に拡散させる。
分程度まで拡がった時点で、ステージ２を高速に回転し
てウェハー全面に拡散させる。
そうすると、滴下時において、溶媒（レジスト材を溶か
している溶液）の蒸発速度が遅くなって、粘度の変化が
少なくなり、脈流が減少する。実施結果によれば、膜厚
の誤差は数１００人に減少させることができた。
している溶液）の蒸発速度が遅くなって、粘度の変化が
少なくなり、脈流が減少する。実施結果によれば、膜厚
の誤差は数１００人に減少させることができた。
本発明はこのように加圧下で、レジスト溶液を滴下する
ため、レジスト膜の膜厚とレジスト溶液の粘度との関係
を再調整しなければならない。しかし、かような加圧下
での塗布方法はよって上記脈流を著しく減少させること
ができる。
ため、レジスト膜の膜厚とレジスト溶液の粘度との関係
を再調整しなければならない。しかし、かような加圧下
での塗布方法はよって上記脈流を著しく減少させること
ができる。
（ｆ） 発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明によれば脈流を
減少させ、塗布するレジスト１１の膜厚を更に均一化さ
せる効果のあるものである。
減少させ、塗布するレジスト１１の膜厚を更に均一化さ
せる効果のあるものである。
第１図は従来のスピンナーの概要断面図、第２図は脈流
を示す断面図、第３図は本発明にがかる一実施例のスピ
ンナーの概要断面図である。 図中、１はウェハー、２はステージ、３はレジスト溶液
の滴下ノズル、４は外囲器、 ４８ば溶液の排出口、５
はカバー、６は０リング、７はガス流入口を示している
。
を示す断面図、第３図は本発明にがかる一実施例のスピ
ンナーの概要断面図である。 図中、１はウェハー、２はステージ、３はレジスト溶液
の滴下ノズル、４は外囲器、 ４８ば溶液の排出口、５
はカバー、６は０リング、７はガス流入口を示している
。
Claims (1)
- 少なくとも大気圧よりも高い圧力を加えた雰囲気中にお
いて、被塗布試料にレジスト溶液を滴下して回転塗布す
るようにしたことを特徴とするレジスト膜塗布方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59050070A JPS60193339A (ja) | 1984-03-14 | 1984-03-14 | レジスト膜塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59050070A JPS60193339A (ja) | 1984-03-14 | 1984-03-14 | レジスト膜塗布方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60193339A true JPS60193339A (ja) | 1985-10-01 |
Family
ID=12848736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59050070A Pending JPS60193339A (ja) | 1984-03-14 | 1984-03-14 | レジスト膜塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60193339A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03187217A (ja) * | 1989-12-15 | 1991-08-15 | Rohm Co Ltd | ウエハの表面処理装置 |
| WO2007076739A3 (de) * | 2005-12-23 | 2007-09-07 | Bohnet Hans | Beschichtungsanlage für wafer |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS503783A (ja) * | 1973-05-16 | 1975-01-16 | ||
| JPS5068475A (ja) * | 1973-10-19 | 1975-06-07 | ||
| JPS5473572A (en) * | 1977-11-24 | 1979-06-12 | Hitachi Ltd | Spin coater |
| JPS5687471A (en) * | 1979-12-17 | 1981-07-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Coating process |
| JPS58114763A (ja) * | 1981-12-29 | 1983-07-08 | Hitachi Ltd | 薄膜形成方法 |
-
1984
- 1984-03-14 JP JP59050070A patent/JPS60193339A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS503783A (ja) * | 1973-05-16 | 1975-01-16 | ||
| JPS5068475A (ja) * | 1973-10-19 | 1975-06-07 | ||
| JPS5473572A (en) * | 1977-11-24 | 1979-06-12 | Hitachi Ltd | Spin coater |
| JPS5687471A (en) * | 1979-12-17 | 1981-07-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Coating process |
| JPS58114763A (ja) * | 1981-12-29 | 1983-07-08 | Hitachi Ltd | 薄膜形成方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03187217A (ja) * | 1989-12-15 | 1991-08-15 | Rohm Co Ltd | ウエハの表面処理装置 |
| WO2007076739A3 (de) * | 2005-12-23 | 2007-09-07 | Bohnet Hans | Beschichtungsanlage für wafer |
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