JPS6149422A - レジスト塗布装置 - Google Patents
レジスト塗布装置Info
- Publication number
- JPS6149422A JPS6149422A JP59171884A JP17188484A JPS6149422A JP S6149422 A JPS6149422 A JP S6149422A JP 59171884 A JP59171884 A JP 59171884A JP 17188484 A JP17188484 A JP 17188484A JP S6149422 A JPS6149422 A JP S6149422A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- nozzle
- tube
- dropping
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C5/00—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
- B05C5/02—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work
Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置製造工程のレジスト塗布において
発生する塗布むらによるレジスト膜厚変化を防止するレ
ジスト塗布装置に関するものである。
発生する塗布むらによるレジスト膜厚変化を防止するレ
ジスト塗布装置に関するものである。
従来例の構成とその問題点
半導体装置製造工程のレジスト塗布は、ウェハー上にレ
ジストを滴下し回転させる方法により行われている。従
来、レジストを滴下する細管（ノス諏し）は、内径１〜
１．５ｍｍのものを用い、レジストを適量滴下させてい
るが、レジスト滴下後ウェハーを回転している間に、ノ
ズル先端部のレジストの溶剤が蒸発して粘性等が変化し
、次のウェハー上へ順次レジストを滴下したとき、この
粘性等が変化したレジストも同時に滴下され、レジスト
塗布むらを発生させ、レジストの膜厚が変動する問題が
あった。特に、レジスト塗布に時間的間隔があいだ場合
、レジスト塗布むらの発生頻度が多い。
ジストを滴下し回転させる方法により行われている。従
来、レジストを滴下する細管（ノス諏し）は、内径１〜
１．５ｍｍのものを用い、レジストを適量滴下させてい
るが、レジスト滴下後ウェハーを回転している間に、ノ
ズル先端部のレジストの溶剤が蒸発して粘性等が変化し
、次のウェハー上へ順次レジストを滴下したとき、この
粘性等が変化したレジストも同時に滴下され、レジスト
塗布むらを発生させ、レジストの膜厚が変動する問題が
あった。特に、レジスト塗布に時間的間隔があいだ場合
、レジスト塗布むらの発生頻度が多い。
発明の目的
本発明は、上記の問題点の解決を図ったものでアシ、レ
ジスト滴下ノズル先端の変質したレジストを除去し、レ
ジスト塗布むらによるレジスト膜厚のウェハー内ばらつ
きを低減するレジスト塗布装置を提供するものである。
ジスト滴下ノズル先端の変質したレジストを除去し、レ
ジスト塗布むらによるレジスト膜厚のウェハー内ばらつ
きを低減するレジスト塗布装置を提供するものである。
発明の槽底
本発明は、要約するに、レジスト滴下用ノズルの外周を
第２の細管そ覆い、第２の細管を減圧に保持したもので
あシ、これによシ、レジスト滴下時にノズル先端に形成
された変質物を吸引し、ウェハー上に滴下することを防
止し、レジスト塗布むらによるレジスト膜厚のウェハー
内ばらつきを低減することが可能である。
第２の細管そ覆い、第２の細管を減圧に保持したもので
あシ、これによシ、レジスト滴下時にノズル先端に形成
された変質物を吸引し、ウェハー上に滴下することを防
止し、レジスト塗布むらによるレジスト膜厚のウェハー
内ばらつきを低減することが可能である。
実施例の説明
本発明の詳細を実施例をもって説明する。
使用したレジストは、ポジ型のホトレジストでフェノー
ルノボフック系の樹脂ヲヘースレシンニし、感光基にキ
ノンジアジド系を用い、その溶剤トシテ、エチレンセロ
ソルブアセＴ−ト（ＥＣＡ）を用いたものである。
ルノボフック系の樹脂ヲヘースレシンニし、感光基にキ
ノンジアジド系を用い、その溶剤トシテ、エチレンセロ
ソルブアセＴ−ト（ＥＣＡ）を用いたものである。
上記レジストの塗布装置のスピンナ一部の概略図を第１
図に示す。図中、１はスピンナーカップ、２は滴下ノズ
ル、３は上部カップ、４は排気管、５はウェハー、６は
スピンナーチャック部である。
図に示す。図中、１はスピンナーカップ、２は滴下ノズ
ル、３は上部カップ、４は排気管、５はウェハー、６は
スピンナーチャック部である。
レジスト滴下ノズｌｖ２からレジストがウェハー６上に
供給されるが、その供給は一般にベローズポンプの収縮
を利用し、必要量滴下後はベローズポンプの伸びを利用
するサックバック機構が取り付けられている。レジスト
滴下後、ウェハー６が回転している時のレジスト滴下ノ
ズル部のレジストの詳細な様子を第２図に示す。サック
バック機構により滴下ノズｌｖ２内のレジス）ｂは同ノ
ズル先端よシ数ロ程引き込まれた状態に有り、ノズル先
端にはノズル外周に回り込んだレジストが付着している
。第２図ａ部が大気に触れ溶媒が蒸発し粘性等が変質し
たレジストである。この状態で次のウェハーにレジスト
を滴下した場合、ａ部のレジストが一部混入し、塗布む
らを発生させる原因となる。
供給されるが、その供給は一般にベローズポンプの収縮
を利用し、必要量滴下後はベローズポンプの伸びを利用
するサックバック機構が取り付けられている。レジスト
滴下後、ウェハー６が回転している時のレジスト滴下ノ
ズル部のレジストの詳細な様子を第２図に示す。サック
バック機構により滴下ノズｌｖ２内のレジス）ｂは同ノ
ズル先端よシ数ロ程引き込まれた状態に有り、ノズル先
端にはノズル外周に回り込んだレジストが付着している
。第２図ａ部が大気に触れ溶媒が蒸発し粘性等が変質し
たレジストである。この状態で次のウェハーにレジスト
を滴下した場合、ａ部のレジストが一部混入し、塗布む
らを発生させる原因となる。
第３図に、本発明によるレジスト塗布装置のレジスト滴
下ノズルの概略図を示す。滴下ノズ／Ｌ’２の周囲を第
２の細管７で覆い、第２の細管７の内径と滴下ノズ／Ｉ
／２の外径との差はｏ、ｙｍｍであシ、実用上、１ 、
Ｏ”−０，４ｍｍが好適である。滴下ノズル２の先端は
、第２の細管７の先端よシ約１ ｍｍ引き込んであって
、内側の滴下ノズ／Ｉ／２の先端を第２の細管７で十分
に覆うのがよい。第２の細管７は約５００ｍｍＨｇの減
圧に保持されている。第３図において滴下ノズル内の変
質したレジス）ａは次のウェハーにレジストを滴下する
時、最初にノズルから滴下されるが、レジスト滴下の初
期においてはベローズポンプの収縮量が小さいために滴
下圧力が小さく、その大部分が、滴下ノズ／Ｌ’２の先
端部で、周囲の第２の細管７に吸引され、ウェハー上に
は滴下されない。したがって、ウェハー上には、ベロー
ズポンプの収縮量が大きくなシ滴下圧力が大きくなった
時に供給される新鮮なレジストのみが滴下される。又、
滴下終了後の滴下ノズル外周へ回シ込んだレジストは、
第２の細管によシ直ちに吸引されるため、ノズルの汚れ
も非常に少なくなる。
下ノズルの概略図を示す。滴下ノズ／Ｌ’２の周囲を第
２の細管７で覆い、第２の細管７の内径と滴下ノズ／Ｉ
／２の外径との差はｏ、ｙｍｍであシ、実用上、１ 、
Ｏ”−０，４ｍｍが好適である。滴下ノズル２の先端は
、第２の細管７の先端よシ約１ ｍｍ引き込んであって
、内側の滴下ノズ／Ｉ／２の先端を第２の細管７で十分
に覆うのがよい。第２の細管７は約５００ｍｍＨｇの減
圧に保持されている。第３図において滴下ノズル内の変
質したレジス）ａは次のウェハーにレジストを滴下する
時、最初にノズルから滴下されるが、レジスト滴下の初
期においてはベローズポンプの収縮量が小さいために滴
下圧力が小さく、その大部分が、滴下ノズ／Ｌ’２の先
端部で、周囲の第２の細管７に吸引され、ウェハー上に
は滴下されない。したがって、ウェハー上には、ベロー
ズポンプの収縮量が大きくなシ滴下圧力が大きくなった
時に供給される新鮮なレジストのみが滴下される。又、
滴下終了後の滴下ノズル外周へ回シ込んだレジストは、
第２の細管によシ直ちに吸引されるため、ノズルの汚れ
も非常に少なくなる。
本発明によると、ウェハー上には常に新鮮で均質なレジ
ストが滴下されるために、後に続く回転塗布時に、塗布
むらが発生せず、ウェハー上に形成されたレジスト膜厚
の均一性が飛躍的に向上し、その後、形成されるレジス
トパターン精度の向上が可能になる。
ストが滴下されるために、後に続く回転塗布時に、塗布
むらが発生せず、ウェハー上に形成されたレジスト膜厚
の均一性が飛躍的に向上し、その後、形成されるレジス
トパターン精度の向上が可能になる。
以上、本発明を実施例をもとに詳細に説明したが、使用
するレジストはポジ型ホトレジスト以外のレジストでも
良く、又、レジストを塗布する材料もウェハーだけでな
く、マスク乾板に対しても非常に有効である。
するレジストはポジ型ホトレジスト以外のレジストでも
良く、又、レジストを塗布する材料もウェハーだけでな
く、マスク乾板に対しても非常に有効である。
発明の効果
以上、本発明によると、パターンの微細化が進み高集積
超ＬＳＩの製造工程におけるレジスト塗布装置として特
に好適であシ、工業的価値が高い。
超ＬＳＩの製造工程におけるレジスト塗布装置として特
に好適であシ、工業的価値が高い。
第１図は、レジスト塗布装置のスピンナ一部の概略断面
図、第２図は、従来のレジスト滴下ノズル部の様子を示
す断面図、第３図は、本発明によるレジスト塗布装置の
レジスト滴下ノズルの概略断面図を示すものである。 １・・・・・・スピンナーカップ、２・・・・・・レジ
スト滴下ノズル、３・・・・・・上部キャップ、４・・
・・・・排気及び排液管、６・・・・・・ウェハー、６
・・・−・・スピンナー（ウェハーチャック）、７・・
・・・・第２の細管。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 □２１ ′°１
図、第２図は、従来のレジスト滴下ノズル部の様子を示
す断面図、第３図は、本発明によるレジスト塗布装置の
レジスト滴下ノズルの概略断面図を示すものである。 １・・・・・・スピンナーカップ、２・・・・・・レジ
スト滴下ノズル、３・・・・・・上部キャップ、４・・
・・・・排気及び排液管、６・・・・・・ウェハー、６
・・・−・・スピンナー（ウェハーチャック）、７・・
・・・・第２の細管。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 □２１ ′°１
Claims (3)
- （１）レジスト滴下用細管の周囲を第２の細管で覆い二
重構造とし、前記レジスト滴下用細管と前記第２の細管
との隙間を減圧に保持したことを特徴とするレジスト塗
布装置。 - （２）レジスト滴下用細管の周囲を覆う第２の細管の先
端が、前記レジスト滴下用細管の先端を十分覆っている
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のレジス
ト塗布装置。 - （３）レジスト滴下用細管の外径と第２の細管の内径と
の差が１．０ｍｍ以下であることを特徴とする特許請求
の範囲第１項に記載のレジスト塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59171884A JPS6149422A (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | レジスト塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59171884A JPS6149422A (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | レジスト塗布装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6149422A true JPS6149422A (ja) | 1986-03-11 |
| JPH0241895B2 JPH0241895B2 (ja) | 1990-09-19 |
Family
ID=15931579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59171884A Granted JPS6149422A (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | レジスト塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6149422A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01227437A (ja) * | 1988-03-07 | 1989-09-11 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置 |
| JP2002350414A (ja) * | 2001-05-28 | 2002-12-04 | Miura Co Ltd | 溶存酸素濃度の測定方法 |
-
1984
- 1984-08-17 JP JP59171884A patent/JPS6149422A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01227437A (ja) * | 1988-03-07 | 1989-09-11 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置 |
| JP2002350414A (ja) * | 2001-05-28 | 2002-12-04 | Miura Co Ltd | 溶存酸素濃度の測定方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0241895B2 (ja) | 1990-09-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5066616A (en) | Method for improving photoresist on wafers by applying fluid layer of liquid solvent | |
| US4886728A (en) | Use of particular mixtures of ethyl lactate and methyl ethyl ketone to remove undesirable peripheral material (e.g. edge beads) from photoresist-coated substrates | |
| US5985363A (en) | Method of providing uniform photoresist coatings for tight control of image dimensions | |
| US4068019A (en) | Spin coating process for prevention of edge buildup | |
| US5151219A (en) | Use of particular mixtures of ethyl lactate and methyl ethyl ketone to remove undesirable peripheral material (e.g. edge beads) from photoresist-coated substrates | |
| US6592939B1 (en) | System for and method of using developer as a solvent to spread photoresist faster and reduce photoresist consumption | |
| JP2874155B2 (ja) | レジスト現像装置 | |
| US20100247770A1 (en) | Method for applying coating liquid, method for forming coated film, method for forming a pattern by using the same, and method for manufacturing semiconductor device | |
| JPH0629204A (ja) | レジスト現像方法及び装置 | |
| KR100284348B1 (ko) | 포토레지스트도포웨이퍼의저장방법및레지스트패턴의형성방법 | |
| EP0403086B1 (en) | Method for improving deposit of photoresist on wafers | |
| JPH0241895B2 (ja) | ||
| JPS60226125A (ja) | レジスト膜の形成方法 | |
| JPH1124282A (ja) | レジスト現像装置及び現像方法 | |
| JP2802636B2 (ja) | 塗布装置及び塗布方法 | |
| JP2871747B2 (ja) | 処理装置 | |
| JPH08194316A (ja) | フォトレジストの塗布方法 | |
| JPH0632675Y2 (ja) | 半導体製造用塗布装置 | |
| JPH05123632A (ja) | 液状塗布物質の塗布方法 | |
| JPS60160614A (ja) | レジスト塗布方法および装置 | |
| JPS60193339A (ja) | レジスト膜塗布方法 | |
| JPS6315250A (ja) | フォトマスク上の粒状物質を減少させる方法およびその装置 | |
| JPH05228413A (ja) | 塗布装置 | |
| JPS59100524A (ja) | レジスト塗布方法 | |
| JPH0632673Y2 (ja) | レジスト塗布装置 |