JPS60201653A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS60201653A
JPS60201653A JP59059117A JP5911784A JPS60201653A JP S60201653 A JPS60201653 A JP S60201653A JP 59059117 A JP59059117 A JP 59059117A JP 5911784 A JP5911784 A JP 5911784A JP S60201653 A JPS60201653 A JP S60201653A
Authority
JP
Japan
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electrode
semiconductor device
oxide film
capacitor
semiconductor substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP59059117A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, Suwa Seikosha KK filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPS60201653A publication Critical patent/JPS60201653A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D1/00—Resistors, capacitors or inductors
    • H10D1/60—Capacitors
    • H10D1/62—Capacitors having potential barriers
    • H10D1/66—Conductor-insulator-semiconductor capacitors, e.g. MOS capacitors

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は半導体装置に構成される電気容量体の構造に関
する。
〔従来技術〕
従来、半導体装置における電気容量体の構造は第１図に
示す如く、８１基板１の表面に形成された拡散層を平担
な第１の電極３として、フィールド酸化膜２及びゲート
酸化膜４を介して第２の電極５が形成されて成る。
上記従来技術によると、半導体装置の電気容量体の面積
が大となり、高集積化に向かないという欠点があった。
〔目的〕
本発明は、かかる従来技術の欠点をなくシ、小面積で大
電気容量の半導体装置用電気容量・体の構造を提供する
ことを目的とす、る。
〔概要〕
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、半
導体装置に於て、半導体基板上には第１の電極が形成さ
れその表面に２つ以上の凹凸部が形成され、該第１の電
極表面上に絶縁膜を介して第２の電極が形成された電気
容量体を有することを特徴とする。
〔実施例〕
以下、実施例により本発明を詳述する。
第２図は本発明の一実施例を示す半導体基板上の電気容
量体の断面図である。すなわち、８１基板１１の表面に
は凹凸部１４．拡散層からなる第１の電極１！１．フィ
ールド酸化膜１２．ゲート酸化膜１５が形成され、該ゲ
ート酸化膜１５等上に第２の電極１６が形成されて成る
。
尚、凹凸部は必ずしも線状である必要なく、点状に形成
されても良い。
更に、第１の電極は半導体基板表面に形成される必要は
なく、半導体基板１１上のフィールド酸化膜１２上に第
１の電極が形成され、該第１の電極に凹凸段を形成した
第１の電極としても良いことは云うまでもない。
〔効果〕
本発明の如く電気容量体を第１の電極凹凸部を形成して
構成することにより、半導体装置の集積度が向上できる
効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来技術による半導体装置の電気容量体の断面
図、第２図は本発明の一実施例を示す半導体装置の電気
容量体の断面図である。 １．１１・・・・・・８１基板 ２．１２・・・・・・フィールド酸化膜３．１３…・・
・第１の電極 ４．１５・・・・・・絶縁膜 １４・・・・・・・・・・・・凹凸部 ５．１６・・・・・・第２の電極 以　上 出願人　株式会社睡訪精工舎 代理人　弁理士　最上　務

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体基板上には第１の電極が形成されその表面に２つ
    以上の凹凸部が形成され、該第１の電極表面上に絶縁膜
    を介して第２の電極が形成された電気容量体を有するこ
    とを特徴とする半導体装置
JP59059117A 1984-03-27 1984-03-27 半導体装置 Pending JPS60201653A (ja)

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JP59059117A JPS60201653A (ja) 1984-03-27 1984-03-27 半導体装置

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JP59059117A JPS60201653A (ja) 1984-03-27 1984-03-27 半導体装置

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JPS60201653A true JPS60201653A (ja) 1985-10-12

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JP59059117A Pending JPS60201653A (ja) 1984-03-27 1984-03-27 半導体装置

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JP (1) JPS60201653A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001017032A1 (de) * 1999-08-27 2001-03-08 Infineon Technologies Ag Kondensatorstruktur

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