JPS60208755A - 露光方法及び転写方法 - Google Patents
露光方法及び転写方法Info
- Publication number
- JPS60208755A JPS60208755A JP59065261A JP6526184A JPS60208755A JP S60208755 A JPS60208755 A JP S60208755A JP 59065261 A JP59065261 A JP 59065261A JP 6526184 A JP6526184 A JP 6526184A JP S60208755 A JPS60208755 A JP S60208755A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- alignment
- mask
- light
- wafer
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/7045—Hybrid exposures, i.e. multiple exposures of the same area using different types of exposure apparatus, e.g. combining projection, proximity, direct write, interferometric, UV, x-ray or particle beam
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、露光方法に関し、特に半導体製造工程におい
てマスクのパターンをウェハに位置合わせして露光する
転写方法に関する。
てマスクのパターンをウェハに位置合わせして露光する
転写方法に関する。
半導体製造における微細加工技術は近年急速に進み、サ
ブミクロン領域の回路パターンの加工が要求されている
。
ブミクロン領域の回路パターンの加工が要求されている
。
０．５ミクロン以下の回路パターンを重ね合わせて転写
するには高精度のアライメント機構、高い分解能と高い
スループットが要求されるが、従来のアライメント法と
してはレーザー光等の光を用いた方法と、電子ビームや
イオンビーム等の荷電粒子を用いた方法がある。
するには高精度のアライメント機構、高い分解能と高い
スループットが要求されるが、従来のアライメント法と
してはレーザー光等の光を用いた方法と、電子ビームや
イオンビーム等の荷電粒子を用いた方法がある。
前者の光を用いたアライメント方式は、光の反射や干渉
現像を利用しており、従ってウニ／＼表面の凹凸や 蒸
着膜の様に光反射率の高い条件の下では、精密なアライ
メントが難しい。
現像を利用しており、従ってウニ／＼表面の凹凸や 蒸
着膜の様に光反射率の高い条件の下では、精密なアライ
メントが難しい。
後者の荷電粒子を用いたアライメント法は高精度の分解
能の点で特徴があるが、全ての条件に対して可能ではな
く、例えば厚い酸化膜の上の厚いレジストの上に荷電粒
子を照射してアライメントマークを検出する場合、レジ
スト内や酸化膜内のチャージアップがアライメント精度
を悪くする。
能の点で特徴があるが、全ての条件に対して可能ではな
く、例えば厚い酸化膜の上の厚いレジストの上に荷電粒
子を照射してアライメントマークを検出する場合、レジ
スト内や酸化膜内のチャージアップがアライメント精度
を悪くする。
他方、微細な回路パターンをシリコンウェハ上に転写す
る技術は、光露光法を始め、Ｘ線、電子線やイオンを用
いた露光技術がそれぞれ開発されているが、マスクを用
いた転写露光法は、スルーブツトの点で特に優れている
。
る技術は、光露光法を始め、Ｘ線、電子線やイオンを用
いた露光技術がそれぞれ開発されているが、マスクを用
いた転写露光法は、スルーブツトの点で特に優れている
。
露光分解能の面では、光露光はスループットの面では良
いが、０．５ミクロン以下の微細露光が難しく、逆にＸ
線露光では微細な露光には適しているが、スループット
の点で問題があった。また、半導体プロセスの中にはＸ
線に対するダメージでＸ線が使うことができない場合や
、特に高分解能の露光を必要としない場合がある。
いが、０．５ミクロン以下の微細露光が難しく、逆にＸ
線露光では微細な露光には適しているが、スループット
の点で問題があった。また、半導体プロセスの中にはＸ
線に対するダメージでＸ線が使うことができない場合や
、特に高分解能の露光を必要としない場合がある。
本発明は、上記従来例の欠点に鑑み、各半導体製造プロ
セスにおいて最適の露光法を選択する露光方法を提供す
ることを目的とする。
セスにおいて最適の露光法を選択する露光方法を提供す
ることを目的とする。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。第１図は
本発明の一実施例に係る半導体転写工程の説明図である
。
本発明の一実施例に係る半導体転写工程の説明図である
。
ウェハＷはまずレジストベークなどの前工程ｌから７ラ
イメント室Ａに搬入されると、ステップＣ１において荷
電粒子によるアライメント工程４に進むか或いは光によ
るアライメント工程５に進むか選択される。この選択は
、搬入されるウェハＷ上の光反射率の程度や、＃化膜、
レジストの厚み等を考慮して行われる。次いで、ウェハ
Ｗは、選択された工程４又は５においてマスク２又はマ
スク３との位置合わせが行われる。ここでマスク２はｘ
ｍ、露光用のものを用い、マスク３は光露光用のものを
用いてもよいが、一般にＸ線露光用のマスク基板は光に
対しても透過性が良いので、光アライメント工程５にお
いてもマスク３をＸ線マスク２と共通して用いることが
できる。この場合アライメント機構を一層単純化するこ
とができる。
イメント室Ａに搬入されると、ステップＣ１において荷
電粒子によるアライメント工程４に進むか或いは光によ
るアライメント工程５に進むか選択される。この選択は
、搬入されるウェハＷ上の光反射率の程度や、＃化膜、
レジストの厚み等を考慮して行われる。次いで、ウェハ
Ｗは、選択された工程４又は５においてマスク２又はマ
スク３との位置合わせが行われる。ここでマスク２はｘ
ｍ、露光用のものを用い、マスク３は光露光用のものを
用いてもよいが、一般にＸ線露光用のマスク基板は光に
対しても透過性が良いので、光アライメント工程５にお
いてもマスク３をＸ線マスク２と共通して用いることが
できる。この場合アライメント機構を一層単純化するこ
とができる。
アライメント室Ａにおいて位置合わせが終了すると、ウ
ェハＷとマスク２又は３は、露光室Ｂに搬入され、ステ
ップＣ２においてＸ線による露光工程６か或いは光によ
る露光工程７が選択される。この選択は、転写されるマ
スクパターンの露光分解能やスループット等を考慮して
行われる。
ェハＷとマスク２又は３は、露光室Ｂに搬入され、ステ
ップＣ２においてＸ線による露光工程６か或いは光によ
る露光工程７が選択される。この選択は、転写されるマ
スクパターンの露光分解能やスループット等を考慮して
行われる。
露光工程６においては光源としてＸ線が用いられ、露光
工程７においては遠紫外線などが用いられる。またマス
ク２（又は３）とウエノ＼Ｗの配置位置は、機構の簡略
化のためにコンタクト（密着）方式やプロキシミテイ（
近接）方式が望ましい。尚、工程６，７のいずれにおい
ても、点光源からの発散光でマスクパターンをウエノ＼
Ｗに一括転写する方式や、又平行性の良い帯状にした光
源を用いてマスクとウェハが一体でその下を通過する走
査露光方式を用いることができる。
工程７においては遠紫外線などが用いられる。またマス
ク２（又は３）とウエノ＼Ｗの配置位置は、機構の簡略
化のためにコンタクト（密着）方式やプロキシミテイ（
近接）方式が望ましい。尚、工程６，７のいずれにおい
ても、点光源からの発散光でマスクパターンをウエノ＼
Ｗに一括転写する方式や、又平行性の良い帯状にした光
源を用いてマスクとウェハが一体でその下を通過する走
査露光方式を用いることができる。
次にステップＣ３において露光完了が確認されると、ウ
ェハＷは現像などの次の工程８に搬入される。
ェハＷは現像などの次の工程８に搬入される。
前記実施例では、アライメント室Ａを荷電粒子アライメ
ント工程４と光アライメント工程５とを選択可能とした
が、第２図及び第３図にそれぞれ示すように搬入される
ウェハＷ上の光反射率の程度や、酸化膜、レジスの厚み
等を考慮して、荷電粒子アライメント工程４のみ、光ア
ライメント工程５のみとしてもよい。この場合の半導体
転写装置は、第１図のそれに比べて安価となる。
ント工程４と光アライメント工程５とを選択可能とした
が、第２図及び第３図にそれぞれ示すように搬入される
ウェハＷ上の光反射率の程度や、酸化膜、レジスの厚み
等を考慮して、荷電粒子アライメント工程４のみ、光ア
ライメント工程５のみとしてもよい。この場合の半導体
転写装置は、第１図のそれに比べて安価となる。
以上説明したように、本発明は２つの露光方式の複合化
により、露光の微細化、スループ−／ トと、重ね合わ
せ精度等の総合性能の優れた露光法が実現する。
により、露光の微細化、スループ−／ トと、重ね合わ
せ精度等の総合性能の優れた露光法が実現する。
又紫外線を使ったプロキシミテイ露光装置とＸ線を使っ
たプロキシミテイ露光装置とを一台の装置とすることが
できるため、設置面積、コストの低減等を図ることがで
る。
たプロキシミテイ露光装置とを一台の装置とすることが
できるため、設置面積、コストの低減等を図ることがで
る。
第１図は本発明の一実施例に係る半導体転写工程の説明
図、第２図及び第３図はそれぞれ本発明の他の実施例の
説明図である。 ｉ−−一前工程 ２−ｍ−マスク ３−ｍ−マスク ４−一一荷電粒子拳アライメント工程 ５−−一層アライメント工程 ６−−−Ｘ線露光工程 ７−−−光露光工程 ８−ｍ−後工程 Ｗ −−−ウェハ Ｃ１−−−アライメント選択工程 ＣＺ−−一露光選択工程 ０３−ｍ−露光完了確認工程 Ａ、Ａ’、Ａ”−−−アライメント室 Ｂ −一一露光室
図、第２図及び第３図はそれぞれ本発明の他の実施例の
説明図である。 ｉ−−一前工程 ２−ｍ−マスク ３−ｍ−マスク ４−一一荷電粒子拳アライメント工程 ５−−一層アライメント工程 ６−−−Ｘ線露光工程 ７−−−光露光工程 ８−ｍ−後工程 Ｗ −−−ウェハ Ｃ１−−−アライメント選択工程 ＣＺ−−一露光選択工程 ０３−ｍ−露光完了確認工程 Ａ、Ａ’、Ａ”−−−アライメント室 Ｂ −一一露光室
Claims (3)
- （１） Ｘ線による露光と光による露光のいずれかを選
択して露光を行う工程を有する露光方法。 - （２）荷電粒子を用いた位置合わせ工程と、Ｘ線による
露光と光による露光のいずれかを選択して露光を行う工
程を有する転写方法。 - （３）光を用いた位置合わせ工程と、Ｘ線による露光と
光による露光のいずれかを選択して露光を行う工程を有
する転写方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59065261A JPS60208755A (ja) | 1984-04-03 | 1984-04-03 | 露光方法及び転写方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59065261A JPS60208755A (ja) | 1984-04-03 | 1984-04-03 | 露光方法及び転写方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60208755A true JPS60208755A (ja) | 1985-10-21 |
Family
ID=13281793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59065261A Pending JPS60208755A (ja) | 1984-04-03 | 1984-04-03 | 露光方法及び転写方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60208755A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49100972A (ja) * | 1972-07-17 | 1974-09-24 | ||
| JPS58125830A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-27 | Fujitsu Ltd | プラズマエツチング方法 |
| JPS5919324A (ja) * | 1982-07-24 | 1984-01-31 | Mitsubishi Electric Corp | 露光装置 |
-
1984
- 1984-04-03 JP JP59065261A patent/JPS60208755A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49100972A (ja) * | 1972-07-17 | 1974-09-24 | ||
| JPS58125830A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-27 | Fujitsu Ltd | プラズマエツチング方法 |
| JPS5919324A (ja) * | 1982-07-24 | 1984-01-31 | Mitsubishi Electric Corp | 露光装置 |
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