JPS60208762A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線。

可視光線、赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波
に感受性のある光受容部材に関する。

さらに詳しくは、レーザー光などの可干渉性光を用いる
のに適した光受容部材に関する。

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像、必要に応じて転写、定着などの処理
を行ない、画像を記録する方法がよく知られている。

中でも電子写真法を使用した画像形成法では、レーザー
としては小型で安価なＨｅ−Ｎｅシレー　ザーあるいは
半導体レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発光波長
を有する）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ビッカース硬度が高く、社会的には無公害である点で
、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開昭５６−
８３７４６号公報に開示されているシリコン原子を含む
非晶質材料（以後ｒＡ−ＳｉＪと略記する）から成る光
受容部材が注目されている。

百年ら、光受容層を単層構成のＡ−３ｉ層とすると、そ
の高光感度を保持しつつ、電子写真“　用として要求さ
れる１０１２ΩＣ腸以上の暗抵抗を確保するには、水素
原子やハロゲン原子或いはこれ等（ご加えてポロン原子
とを特定の量範囲で層中に制御された形で構造的に含有
させる必要性がある為に、層形成のコントロールを散布
に行う必要がある等、光受容部材の設計に於ける許容度
に可成りの制限がある。

この設計上の許容度を拡大出来る、詰り、ある程度低暗
抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様に
したものとしては１例えば、特開昭５４−１２１７４３
号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４
１７２号公報に記載されである様に光受容層を伝導特性
の異なる層を積層した二層以上の層構成として、光受容
層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５２
１７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８１
５９号、同５８１６０号、同５８１６１号の各公報に記
載されである様に支持体と光受容層の間、又は／及び光
受容層の上部表面に障壁層を設けた多層構造としたりし
て、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案されて
いる。

この様な提案によって、Ａ−５ｉ系先光受容材はその商
品化設計上の許容度に於いて、或いは製造上の管理の容
易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化に向け
ての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚に斑がある為に、レー
ザー光が可干渉性の？ｉ色光であるので、光受容層のレ
ーザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び
支持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面及び
層界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）より反射
して来る反射光の夫々が干渉を起す可能性がある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の要因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には、画像
の見悪くさは顕著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の波長領域が長波長
になるにつれ光受容層に於ける該レーザー光の吸収が減
少してくるので前記の干渉現象は顕著である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光ＩＱと上部界面１０２で反射した反射光Ｒ１，
下部界面ｌｏｔで反射した反射光Ｒ２を示している。

層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長をの層厚差で
不均一であると、反射光Ｒ１、Ｒ２が２ｎｄ＝ｍ入（ｍ
は整数、反射光は強め合光は弱め合う）の条件のどちら
に合うかによって、ある層の吸収光量および透過光量に
変化を生じる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すように、それぞれの干渉
による相乗的悪影響が生じる。その為に該干渉縞模様に
対応した干渉縞が転写部材上に転写、定着された可視画
５＠に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５０　ｏＡ〜±１００００人の凹
凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８
−１６２９７５号公報）アルミニウム支持体表面を黒色
アルマイト処理したり、或いは、樹脂中にカーボン、着
色顔料、染料を分散したりして光吸収層を設ける方法（
例えば特開昭５７−１６５８４５号公報）、アルミニウ
ム支持体表面を梨地状のアルマイト処理したり、サンド
ブラストにより砂目状の微細凹凸を設けたりして、支持
体表面に光散乱反射防止層を設ける方法（例えば特開昭
５７−１６５５４号公報）等が提案されている。

百年ら、これ等従来の方法では１画像上に現われる干渉
縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の太きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光散乱効果による
干渉縞模様の発現防止にはなっているが、光散乱として
は依然として正反射光成分が残存している為に、該正反
射光による干渉縞模様が残存することに加えて、支持体
表面での光散乱効果の為に照射スポ・ントに拡がりが生
じ、実質的な解像度低下の要因となっていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、完全吸収
は無理であって、支持体表面での反射光は残存する。又
、着色顔料分散樹脂層を設ける場合はＡ−３ｉ層を形成
する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成される光受
容層の層品質が著しく低下すること、樹脂層がＡ−３ｉ
層形成の際のプラズマによってダメージを受けて、本来
の吸収機能を低減させると共に、表面状態の悪化による
その後のＡ−３ｉ層の形成に悪影響を与えること等の不
都合さを有する。

支持体表面を不規則に荒す第３方法の場合には、第３図
に示す様に、例えば入射光ＩＱは、光受容層３０２の表
面でその一部が反射されて反射光Ｒ１となり、残りは、
光受容層３０２の内部に進入して透過光１１　となる。

透過光■１は、支持体３０２の表面に於いて、その一部
は、光散乱されて拡散光Ｋｌ　、に２　、　Ｋ３　・・
となり、残りが正反射されて反射光Ｒ２となり、その一
部が出射光Ｒ３となって外部に出て行く。従って、反射
光Ｒ１と干渉する成分である出射光Ｒ３か残留する為、
依然として干渉縞模様は完全に消すことか出来ない。

又、干渉を防止して光受容層内部での多用反射を防止す
る為に支持体３０１の表面の拡散性を増加させると、光
受容層内で光が拡散してハレーションを生ずる為解像度
が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則的に荒しても、第１
層４０２での表面での反射光Ｒ２，第２層での反射光Ｒ
１，支持体４０１面での正反射光Ｒ３の夫々が干渉して
、光受容部材の各層厚にしたがって干渉縞模様が生じる
。従って、多層構成の光受容部材においては、支持体４
０１表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止
することは不可能であった。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度かロフト間に於いてバラツ
キか多く、且つ同−口・ントに於いても粗面度に不均一
があって、製造管理上具合か悪かった。加えて、比較的
大きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる
大きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンの原因と
なっていた。

又、単に支持体表面５０１を規則的に荒した場合、第５
図に示すように、通常、支持体５０１表面の凹凸形状に
沿って、光受容層５０２が堆積するため、支持体５０１
の凹凸の傾斜面と光受容層５０２の凹凸の傾斜面とか平
行になる。

したがって、その部分では入射光は２ｎｄ１＝ｍ入また
は２ｎｄ１　＝　（ｍ＋％）λが成立ち、夫々明部また
は暗部となる。また、光受容層全体では光受容層め層厚
ｄ１．ｄ２　、ｄ３、ｄ４の夫々の差の中の最大が７１
以上である採入層厚の不均一性があるため明暗の縞模様
が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、単層構成の
光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光受
容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面での
反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容部材
の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は、画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解
消することができる光受容部材を提供することでもある
。

本発明のもう１つの別の目的は、電気的耐圧性及び光感
度が高く、電子写真特性に優れた光受容部材を提供する
ことでもある。

本発明の更にもう１つの目的は、濃度が高く、ハーフト
ーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る
ことが出来る電子写真用に適した光受容部材を提供する
ことでもある。

本発明の光受容部材は、シリコン原子とゲルマニウム原
子とを含む非晶質材料で構成された第１の層と、シリコ
ン原子を含む非晶質材料で構成され、光導電性を示す第
２の層とが支持体側より順に設けられた多層構成の光受
容層とを有する光受容部材に於いて、前記第１の層及ひ
前記第２の層の少なくとも一方に伝導性を支配する物質
が含有され、該物質が含有されている層領域に於いて、
該物質の分布状態が層厚方向に不均一であると共に前記
光受容層は酸素原子、炭素原子、窒素原子の中から選釈
される原子の少なくとも一種を含有し、且つショートレ
ンジ内に１対以上の非平行な界面を有し、該非平行な界
面が、層厚方向と垂直な面内の少なくとも一方向に多数
配列している事を特徴とする。

以下、本発明を図面に従って具体的に説明する。

第６図は、本発明の基本原理を説明するだめの説明図で
ある。

本発明は装置の要求解像力よりも微小な凹凸形状を有す
る支持体（不図示）上に、その凹凸の傾斜面に沿って多
層構成の光受容層を有し、該光受容層は第６図の一部に
拡大して示されるように、第２層６０２の層厚がｄ５か
らｄ６と連続的に変化している為に、界面６０３と界面
６０４とは互いに傾向きを有している。従って、この微
小部分（ショートレンジ）文に入射した可干渉性光は、
該微小部公文に於て干渉を起し、微小な干渉縞模様を生
ずる。

又、第７図に示す様に第１層７０１と第２層７０２の界
面７０３と第２層７０２の自由表面７０４とが非平行で
あると、第７図の（Ａ）に示す様に入射光ＩＱに対する
反射光Ｒ１と出射光Ｒ３とはその進行方向が互いに異る
為、界面７０３と７０４とが平行な場合（第７図のｒ　
（Ｅ）　Ｊ　）に較べて干渉の度合が減少する。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合（ｒ　（Ｂ）　Ｊ　）よりも非平行な
場合（ｒ　（Ａ）　Ｊ　）は干渉しても干渉縞模様の明
暗の差が無視し得る程度に小さくなる。その結果、微小
部分の入射光量は平均化される。

このことは、第６図に示す様に第２層６０２の層厚がマ
クロ的にも不均一（ｄ７＼ｄＢ）であっても同様に云え
る為、全層債域に於て入射光量が均一になる（第６図の
ｒ　（Ｄ）Ｊ参照）。

また、光受容層が多層構成である場合に於いて照射側か
ら第２層まで可干渉性光が透過した場合に就いて本発明
の効果を述べれば、第８図に示す様に、入射光ＩＱ　に
対して、反射光Ｒ１，Ｒ２、Ｒ３，Ｒ４、Ｒ５が存在す
る。

その為各々の層で第７図を似って前記に説明したことが
生ずる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為、本発明によれば、光受容層を構成する
層の数が増大するにつれ、より一層干渉効果を防止する
ことが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為、画像に現われることはない。又、仮に画
像に現われているとしても眼の分解能以下なので実質的
には何等支障を生じない。

本発明に於いて、凹凸の傾斜面は反射光を一方向へ確実
に揃える為に、鏡面仕上げとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさ交（凹凸形状の一周期
分）は、照射光のスポット径をＬとすれば、文≦Ｌであ
る。

又本発明の目的をより効果的に達成する為には微小部公
文に於ける層厚の差（ｄ５−ｄ６）は、照射光の波長を
入とすると、 入 ｄ５−ｄＢ　≧　− ｎ （ｎ：第２層６０２の屈折率） であるのが望ましい。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部公文の層
厚内（以後「微小カラムｊと称す）に於て、少なくとも
いずれか２つの層界面が非平行な関係にある様に各層の
層厚が微小カラム内に於て制御されるが、この条件を満
足するならば該微小カラム内にいずれか２つの層界ｍｊ
が平行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する層は、任意の２つの位置
に於ける層厚の差が −さ−（ｎ：層の屈折率） ｎ 以下である様に全領域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容層を構成するシリコン原子とゲルマ二つ容易に達
成する為に、層厚を光学的レベルで正確に制御できるこ
とからプラズマ気相法（ＰＣＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱
ＣＶＤ法が採用すれる。

支持体表面に設けられる凹凸は、７字形状の切刃を有す
るバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械の所定位
置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望に従って設
計されたプログラムに従って回転させながら規則的に所
定方向に移動させることにより、支持体表面を正確に切
削加工することで所望の凹凸形状、ピッチ、深さで形成
される。この様な切削加工法によって形成される凹凸が
作り出す逆Ｖ字形線状突起部は、円筒状支持体の中心軸
を中心にした鎖線構造を有する。逆Ｖ字形突起部の鎖線
構造は、二重　三重の多重螺線構造、又は交叉鎖線構造
とされても差支えない。

或いは、鎖線構造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入しても良い。

支持体表面に設けられる凹凸の凸部の縦断面形状は形成
される各層の微小カラム内に於ける層厚の管理された不
均一化と、支持体と該支持体上に直接設けられる層との
間の良好な密着性や所望の電気的接触性を確保する為に
逆Ｖ字形とされるが、好ましくは第９図に示される様に
実質的に二等辺三角形、直角三角形成いは不等辺三角形
とされるのが望ましい。これ等の形状の中殊に二等辺三
角形、直角三角形が望ましい。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を考慮した上
で、本発明の目的を結果的に達成出来る様に設定される
。

即ち、第１は光受容層を構成するＡ−５ｉ層は、層形成
される表面の状態に構造敏感であって、表面状態に応じ
て層品質は大きく変化する。

従って、Ａ−３ｉ層の層品質の低下を招来しない様に支
持体表面に設けられる凹凸のディメンジョンを設定する
必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレードのい
たみが早くなるという問題がある。

上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の四部のピッチは、好ましくは５００ｇｍ−
０，３ｐＬｍ、Ｊ：’Ｊ好ましくは２００　ｐＬｍ　〜
１７ｐｍ、最適には５゜ｐｍ〜５ｐ−ｍであるのが望ま
しい。

又、四部の最大の深さは、好ましくは０．１ルｍ〜５ル
ｍ、より好ましくは０．３ＪＬｍ〜３　、ｍ、最適には
０．６ｇｍ〜２ｐｍとされるのが望ましい。支持体表面
の凹部のピッチと最大深さが上記の範囲にある場合、四
部（又は線上突起部）の傾斜面の傾きは、好ましくは１
度〜２０度、より好ましくは３度〜１５度、最適には４
度〜１０度とされるのが望ましい。

又、この様な支持体上に堆積される各層の層厚の不均一
性に基〈層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくは０
．１ｇｍ〜２ｇｍ、より好ましくは０　、　Ｉ　ＩＬｍ
＝　１　、５　ｇｍ、最適には０．２ｇｍ−１ｐｍとさ
れるのが望ましい。

さらに本発明の光受容部材における光受容層はシリコン
原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成され
た第１の層とシリコン原子を含む非晶質材料で構成され
、光導電性を示す第２の層とが支持体側より順に設けら
れた多層構成となっているため、極めて優れた電気的、
光学的、光導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性
を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。

更に、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光
応答が速い。

以下１図面に従って、本発明の光受容部材に就て詳細に
説明する。

第１０図は、本発明の実施態様例の光受容部材の層構成
を説明するために模式的に示した模式的構成図である。

第１０図に示す光受容部材１００４は、光受容部材用と
しての支持体１００１の上に、光受容層１ｏｏｏを有し
、該光受容層ｔｏｏｏは自由表面１００５を一方の端面
に有している。

光受容層１ｏｏｏは支持体１００１側よりゲルマニウム
原子と、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原子
（Ｘ）とを含有するａ　−３ｉ（以後ｒａ−３ｉＧｅ　
（Ｈ，Ｘ）Ｊと略記する）で構成された第１の層（Ｇ）
１００２と。

必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原子（Ｘ）と
を含有するａ−Ｓｉ（以後ｒａ−Ｓｉ（Ｈ、Ｘ）Ｊと略
記する）で構成され、光導電性を有する第２の層（Ｓ）
１００３とが順に積層された層構造を有する。第１の層
（Ｇ）１００２中に含有されるゲルマニウム原子は、該
第１の層（Ｇ）１００２の層厚方向及び支持体の表面と
平行な面内方向に連続的であって、且つ均一な分布状態
となる様に前記第１の層（Ｇ）ＩＱＯＺ中に含有される
。

本発明の光受容部材１００４に於いては、少なくとも第
１の層（Ｇ）１００２又は／及び第２の層（Ｓ）１００
３に伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有されており、
該物−質（Ｃ）が含有される層に所望の伝導特性が与え
られている。

本発明に於いては、第１の層（Ｇ）１００２又は／及び
第２の層（Ｓ）１００３に含有される伝導特性を支配す
る物質（Ｃ）は、物質（Ｃ）が含有される層の全層領域
に含有されても良く、物質（Ｃ）が含有される層の一部
の層領域に偏在する様に含有されても良い。

しかし、いずれの場合に於いても、前記物質（Ｃ）の含
有される層領域（ＰＮ）に於いて、該物質の層厚方向の
分布状態は不均一とされる。詰り、例えば、第１の層（
Ｇ）の全層領域に前記物質（Ｃ）を含有させるのであれ
ば、第１の層（Ｇ）の支持体側の方に多く分布する様に
前記物質（Ｃ）が第１の層（Ｇ）中に含有される。

この様に層領域（ＰＮ）に於いて、前記物質接合を良好
にすることが出来る。

本発明に於いて伝導特性を支配する物質（Ｃ）を第１の
層（Ｇ）の一部の層領域に偏在する様に第１の層（Ｇ）
中に含有させる場合には、　＋ｉＯ記物質（Ｃ）の含有
される層領域（Ｐ　Ｎ）は、第１の層（Ｇ）の端部層領
域として設けられ、その都度、所望に応じて適宜法めら
れる。

本発明に於いては、第２の層（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）
を含有させる場合、好ましくは、少なくとも第１の層（
Ｇ）との接触界面を含む層領域中に前記物質（Ｃ）を含
有させるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）の両方に伝導特性を支
配する物質（Ｃ）を含有させる場合、第１の層（Ｇ）に
於ける前記物質（Ｃ）が含有されている層領域と、第２
の層（Ｓ）に於ける前記物質（Ｃ）が含有されている層
領域とが、互いに接触する様に設けるのが望ましい。

又、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）とに含有される前
記物質（Ｃ）は、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）とに
於いて同種類でも異種類であっても良く、又、その含有
量は各層に於いて、同じでも異っていても良い。

面乍ら、本発明に於いては、各層に含有される前記物質
（Ｃ）が両者に於いて同種類である場合には、第１の層
ＣＧ）中の含有量を充分多くするか、又は、電気的特性
の異なる種類の物質（Ｃ）を所望の各層に、夫々含有さ
せるのが好ましい。

本発明に於いては、少なくとも光受容層を構成する第１
の層（Ｇ）又は／及び第２の層（Ｓ）中に、伝導特性を
支配する物質（ｃ）を含有させることにより、該物質（
Ｃ）の含有される層領域〔第１の層（Ｇ）の又は／及び
第２の層（Ｓ）の一部又は全部の層領域のいずれでも良
い〕の伝導特性を所望に従って任意に制御することが出
来るものであるが、この様な物質（Ｃ）としては、所謂
、半導体分野で云われる不純物を挙げることが出来、本
発明に於いては、形成される光受容層を構成するａ−３
ｉ（Ｈ，Ｘ）又は／及びａ−５ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）に対
して、Ｐ型伝導特性を与えるＰ型不純物及びｎ型伝導特
性を与えるｎ型不純物を挙げることが出来る。

具体的には、ｐ型不純物としては周期律表第■族に属す
る原子（第■族原子）、例えば、Ｂ（硼素）、Ａ１１（
アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム
）、Ｔｌ（タリウム）等があり、殊に好適に用いられる
のは、Ｂ、Ｇａである。

ｎ型不純物としては、周期律表第Ｖ族に属する原子（第
■族原子）、例えば、Ｐ（燐）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ　
（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等であり、殊に、好
適に用いられるのは、Ｐ、Ａｓである。

本発明に於いて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於けるその含有量は、該層領域
（ＰＮ）に要求される伝導性、或いは、該層領域（ＰＮ
）が支持体に直に接触して設けられる場合には、その支
持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連
性に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＰＮ）に直に接触して設けられる他の
層領域や、故地の層領域との接触界面に於ける特性との
関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）の含
有量が適宜選択される。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）中に含有される伝導特
性を制御する物質（Ｃ）の含有量としては、好ましくは
０．０１〜５Ｘ１０４ａｔｏｍｉｃ　ＰＰｍ、より好適
には０．５〜ｌＸ１ｌＸ１０４ａｔｏ　ｐｐｍ、最適に
は、１〜５ＸＩＯ”ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされるのが
望ましい。

本発明に於いて、伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於ける該物質（Ｃ）の含有量を
、好ましくは３゜ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、より好適
には５゜ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適には１００１
００ａｔｏ　ｐｐｍ以上とすることによって、例えば該
含有させる物質（Ｃ）が前記のｐ型不純物の場合には、
光受容層の自由表面が■極性に帯電処理を受けた際に支
持体側からの光受容層中への電子の注入を効果的に阻止
することが出来、又、前記含有させる物質（Ｃ）が前記
のｎｆ！！！不純物の場合には、光受容層の自由表面が
ｅ極性に帯電処理を受けた際に支持体側から光受容層中
への正孔の注入を効果的に阻止することが出来る。

上記の様な場合には、前述した様に、前記層領域（Ｐ　
Ｎ）を除いた部分の層領域（Ｚ）には、層領域（ＰＮ）
に含有される伝導特性を支配する物質の伝導型の極性と
は別の伝導型の極性の伝導特性を支配する物質を含有さ
せても良いし、或いは、同極性の伝導型を有する伝導特
性を支配する物質を層領域（ＰＮ）に含有させる実際の
量よりも一段と少ない量にして含有させても良いもので
ある。

この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有される前記伝
導特性を支配する物質の含有量としては１層領域（ＰＮ
）に含有される前記物質（Ｃ）の極性や含有量に応じて
所望に従って適宜決定されるものであるが、好ましくは
、０．００１〜１００１０００ａｔｏ　ｐｐｍ、より好
適には０．０５〜５００ａｔｏｍｉｃｐｐｍ、最適には
０．１〜２００ａｔ　ｏｍｉ　ｃｐｐｍとされるのが望
ましい。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）及び層領域（Ｚ）に同
種の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合には
、層領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましくは３
０ａｔ　ｏｍｉ　ｃｐｐｍ以下とするのが望ましい。

本発明に於いては、光受容層に、一方の極性の伝導型を
有する伝導性を支配する物質を含有させた層領域と、他
方の極性の伝導型を有する伝導性を支配する物質を含有
させた層領域とを直に接触する様に設けて、該接触領域
に所謂空乏層を設けることもできる。

詰り、例えば、光受容層中に、前記のｐ型不純物を含有
する層領域と前記のｎ型不純物を含有する層領域とを直
に接触する様に設けて所謂ｐ−ｎ接合を形成して、空乏
層を設けることが出来る。

第１１図乃至第１９図には、本発明における光受容部材
の層領域（ＰＮ）中に含有される伝導性を支配する物質
（Ｃ）の層厚方向の分布状態の典型的例が示される。

第１１図乃至第１９図において、横軸は物質（Ｃ）の分
布濃度Ｃを、縦軸は第１の層（Ｇ）の層厚を示し、ｔＢ
は支持体側の第１の層（Ｇ）の端面の位置を、ｔ−１−
は支持体側とは反対側の層（Ｇ）の端面の位置を示す。

即ち、物質（Ｃ）の含有される第１の層（Ｇ）はｔＢ側
よりｔＴ側に向って層形成がなされる。

第１１図には、第１の層（Ｇ）に含有される物質（Ｃ）
の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第１１図に示される例では、物質（Ｃ）の含有される第
１の層（Ｇ）が形成される表面と該第１の層（Ｇ）の表
面とが接する界面位置ｔＢよりｔｌの位置までは、物質
（Ｃ）の分布濃度Ｃが０１なる一定の値を取り乍ら物質
（Ｃ）が形成される第１の層（Ｇ）に含有され、位置ｔ
１よりは濃度Ｃ２より界面位置ｔＴに至るまで徐々に連
続的に減少されている。界面位置ｔＴにおいては物質（
Ｃ）の分布濃度ＣはＣ２とされる。

第１２図に示される例においては、含有される物質（Ｃ
）の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔ７に至るまで濃度
Ｃ４から徐々に連続的に減少して位置ｔＴにおいて濃度
ｃ５となる様な分布状態を形成している。

第１３図の場合には、位置ｔＢより位置Ｌ２までは、物
質（Ｃ）の分布濃度Ｃは濃度ｃ６と一定値とされ、位置
ｔ２と位置ｔ−１−どの間において、徐々に連続的に減
少され、位置ｔＴにおいて、分布濃度Ｃは実質的に零と
されている（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場
合である）。

第１４図の場合には、物質（Ｃ）の分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂより位置ｔＴに至るまで、濃度Ｃ８より連続的に徐々
に減小され、位置しＴにおいて実質的に零とされている
。

第１５図に示す例に於ては、物質（Ｃ）の分布濃度Ｃは
、位置ｔＢと位置ｔＢ間においては濃度Ｃ９と一定値で
あり、位置ｔＴに於いては濃度ＣＩＯとされる。位置ｔ
３と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃは一次関数的に位
置ｔ３より位置ｔＴに至るまで減少されている。

第１６図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂより位置ｔ４までは濃度Ｃ１ｌの一定値を取り、位置
ｔ４より位置ｔＴまでは濃度Ｃ１２より濃度Ｃ１３まで
一次関数的に減少する分布状態とされている。

第１７図に示す例においては、位置ｔＢより位置ｔＴに
至るまで、物質（Ｃ）の分布農度Ｃは濃度Ｃ１４より実
質的に零に至る様に一次関数的に減少している。

第１８図においては、位置ｔＢより位置ｔ５に至るまで
は物質（Ｃ）の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ１５より濃度Ｃ１
６まで一次関数的に減少され。

位置ｔ５と位置ｔ７との間においては、濃度Ｃ１１３の
一定値とされた例が示されている。

第１９図に示される例において、物質（Ｃ）の分布濃度
Ｃは、位置ｔＢにおいて濃度Ｃ１７であり、位置ｔ６に
至るまではこの濃度ＣＩ？より初めはゆっくりと減少さ
れ、ｔＢの位置付近においては、急激に減少されて位置
ｔ６では濃度Ｃ１８とされる。

位置ｔ６と位置ｔ７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ７
で濃度Ｃ１９となり、位置ｔ７と位置ｔ８との間では、
極めてゆっくりと徐々に減少されて位置ｔ８において、
濃度Ｃ２０に至る。位置ｔ８と位置ｔＴとの間において
は濃度Ｃ２０より実質的に零になる様に図に示す如き形
状の曲線に従って減少されている。

以上、第１１図乃至第１９図により、層領域（ＰＮ）中
に含有される物質（Ｃ）の層厚方向の分布状態の典型例
の幾つかを説明した様に、本発明においては、支持体側
において、物質（Ｃ）の分布濃度Ｃの高い部分を有し、
界面ｔＴ側においては、前記分布濃度Ｃは支持体側に比
べて可成り低くされた部分を有する物質（Ｃ）の分布状
態が第１の層（Ｇ）又は第２の層（Ｓ）に設けられてい
るのが望ましい。

本発明における光受容部材を構成する光受容層を構成す
る第１の層（Ｇ）又は第２Ｆ！　（Ｓ）は好ましくは上
記した様に支持体側の方に物質（Ｃ）が比較的高濃度で
含有されている局在領域（Ａ）を有するのが望ましい。

本発明においては局在領域（Ａ）は、第１１図乃至第１
９図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置ｔＢより
５川以内に設けられるのが望ましいものである。

本発明に於ては、上記局在領域（Ａ）は、界面位置ｔＢ
より５ｐＬ厚までの全層領域（ＬＴ）とされる場合もあ
るし、又、層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もある。

本発明に於いては、第１の層（Ｇ）上に設けられる第２
の層（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は含有されておら
ず、この様な層構造に光受容層を形成することによって
、可視光領域をふくむ比較的短波長から比較的短波長迄
の全領域の波長の光に対して光感度が優れている光受容
部材として得るものである。

又、第１の層（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子の分布
状態は全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分布して
いるので、半導体レーザ等を使用した場合の、第２の層
（Ｓ）では殆ど吸収しきれない長波長側の光を第１の層
（Ｇ）に於いて、実質的に完全に吸収することが出来、
支持体面からの反射による干渉を防止することが出来る
。

又、本発明の光受容部材に於いては、第１の層（Ｇ）と
第２の層（Ｓ）とを構成する非晶質材料の夫々がシリコ
ン原子という共通の構成要素を有しているので積層界面
に於いて化学的な安定性の確保が充分酸されている。

本発明において、第１の層中に含有されるゲルマニウム
原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に達成さ
れる様に所望に従って適宜法められるが、好ましくは１
〜９．５Ｘ１０５ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、より好ましく
は１００〜８Ｘ１０５　ａｔ　ｏｍｉｃ　ｐｐｍ、最適
には５００〜７Ｘ１０５　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされ
るのが望ましいものである。

本発明に於いて第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）との層
厚は、本発明の目的を効果的に達成させる為の重要な因
子の１つであるので形成される光受容部材に所望の特性
が充分与えられる様に、光受容部材の設計の際に充分な
る注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）の層厚ＴＢは、好まし
くは３０人〜５０．、より好ましくは、４０人〜４０ル
、最適には、５０人〜３０弘とされるのが望ましい。

又、第２の層（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは０．５〜９
０．、より好ましくは１〜８０ル最適には２〜５０蓼と
されるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）の層厚ＴＢと第２の層（Ｓ）の層厚Ｔの
和（ＴＢ＋Ｔ）としては、両層領域に要求される特性と
光受容層全体に要求される特性との相互間の有機的関連
性に基いて、光受容部材の層設針の際に所望に従って、
適宜決定される。

本発明の光受容部材に於いては、上記の（Ｔ　Ｂ　＋　
Ｔ　）の数値範囲としては、好ましくは１−１００　ｇ
　、より好適には１〜８０ル、最適には２〜５０７ｐと
されるのが望ましい。

本発明のより好ましい実施態様例に於いては、上記の層
厚ＴＢ及び層厚Ｔとしては、好ましくはＴＢ／Ｔ≦１な
る関係を満足する際に、夫々に対して適宜適切な数値が
選択されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚ＴＢ及び層厚Ｔの数値の選択の
於いて、より好ましくは、ＴＢ／Ｔ≦０．９．最適には
ＴＢ／Ｔ≦０．８なる関係が満足される様に層厚ＴＢ及
び層厚Ｔの値が決定されるのが望ましいものである。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量がｌＸ１ｌＸ１０５ａｔｏ　ｐｐｍ
以上の場合には、第１の層（Ｇ）の層厚ＴＢとしては、
可成り薄くされるのが望ましく、好ましくは３０μ以下
、より好ましくは２５ル以下、最適には２０井以下とさ
れるのが望ましいものである。

本発明において、必要に応じて光受容層を構成する第１
の層（Ｇ）及び第２の層（Ｓ）中に含有されるハロゲン
原子（Ｘ）としては、具体的には、フッ素、塩素、臭素
、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なものと
して挙げることが出来る。

本発明において、ａ−３ｉ　Ｇｅ　（Ｈ、Ｘ）　テ構成
される第１の層（Ｇ）を形成するには例えばグロー放電
法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法
等の放電現象を利用する真空堆積法によって成される。

例えば、グロー放電法によッテ、ａ−３ｉ　Ｇｅ　（Ｈ
、Ｘ）で構成される第１の層（Ｇ）を形成するには、基
本的には、シリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給
用の原料ガスとゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し得る
Ｇｅ供給用の原料ガスと必要に応じて水素原子（Ｈ）導
入用の原料ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の
原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス
圧状態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ
、予め所定位置に設置されである所定の支持体表面上に
ａ−３ｉ　Ｇｅ　（Ｈ、Ｘ）から成る層を形成させれば
良い。又、スパッタリング法で形成する場合には、例え
ばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベース
とした混合ガスの雰囲気中でＳｔで構成されたターゲッ
トとＧｅで構成されたターゲットの二枚を使用して、又
はＳｉとＧｅの混合されたターゲットを使用してスパッ
タリングする際、必要に応じて水素原子（Ｈ）又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用
の堆積室に導入してやれば良い。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、ＳｉＨ４゜５ｉ２ＨＢ　、５ｉ３Ｈ
Ｂ　、５ｉ４Ｈ１ｏ等のガス状態の又ガス化し得る水素
化硅素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げ
られ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｔ供給効率
の良さ等の点でＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、が好ましいもの
として挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、ＧｅＨ
４、Ｇ’ｅ２　Ｈ６、Ｇｅ３　）１Ｂ　。

Ｇｅ４　ＨＩＯ，Ｇｅ５　Ｈ１２，ＧｅＢ　Ｈ１４，Ｇ
ｅ７Ｈ１ｆｌ、　Ｇｅ８　ＨｌＢ、　Ｇｅ１ｌ　Ｈ２０
等のガス状態の又はガス化し得る水素化ゲルマニウムが
有効に使用されるものとして挙げられ４殊に、層作成作
業時の取扱い易さ、Ｇｅ供給効率の良さ等の点で、Ｇ　
ｅ　Ｈ４、Ｇ　ｅ２　Ｈ６、Ｇ　ｅ３　ＨＢが好ましい
ものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得゛る、ハロゲン原子を
含む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明におい
ては挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ンガス、ＢｒＦ、ＣＩＦ。

Ｃ文Ｆ３　、ＢｒＦ５　、ＢｒＦ３　、ＨＦ３　。

ＩＦ７　、ＩＣＪｌｊ、ＩＢｒ等ノハロゲン間化合物を
挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えばＳ
ｉＦ４　、Ｓｉ２　ＦＢ　。

Ｓ　ｉ　Ｃｌ　４　、　Ｓ　ｉ　Ｂ　ｒ　４等のハロゲ
ン化（＋１８素が好ましいものとして挙げる事が出来る
。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光受容部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｉを供給し
得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも
、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−３ｉＧｅか
ら成る第１の層（Ｇ）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の層（
Ｇ）を作成する場合、基本的には、例えばＳｉ供給用の
原料ガスとなるハロゲン化硅素とＧｅ供給用の原料ガス
となる水素化ゲルマニウムとＡｒ、Ｈ２，Ｈｅ等のガス
等を所定の混合比とガス流量になる様にして第１の層（
Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー放電を生起して
これ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによって
、所望の支持体上に第１の層（Ｇ）を形成し得るもので
あるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易になる様
に計る為にこれ等のガスに更に水素カス又は水素原子を
含む硅素化合物のガスも所望量混合して層形成しても良
い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

反応性スパッタリング法或いはイオンブレーティング法
に依ってａ−３ｉ　Ｇｅ　（Ｈ、Ｘ）から成′る第１の
層望域（Ｇ）を形成するには、例えばスパッタリング法
の場合にはＳｉから成るターゲットとＧｅから成るター
ゲットの二枚を、或いはＳｉとＧｅから成るターゲット
を使用し　て、これを所望のガスプラズマ雰囲気中で　
スパッタリングし、イオンブレーティング法の場合には
、例えば、多結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶
ゲルマニウム又は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源と
して蒸着ポートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或
いはエレクトロンビーム法ＣＥＢ法）等によって加熱蒸
発させ飛翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過
させる事で行う事が出来る。

この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を導入す
るには、前記の／＼ロゲン化合物又は前記のハロゲン原
子を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ダス
のプラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２，或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

本発明においては、／＼ロゲン原子導入用の原料ガスと
して上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅
素化合物が有効なものとして使用されるものであるが、
その他に、ＨＦ。

Ｈｅ文、ＨＢｒ、ＨＩ等のハロゲン化水素。

ＳｉＨ２Ｆ２　、Ｓ　ｉＨ２Ｉ２　、ＳｉＨ２Ｃ立２゜
５ｉｌ（Ｃ！Ｌ３．５ｉＨ２Ｂｒ２，５ｉＨＢｒ３等の
ハロゲン置換水素化硅素、及びＧｅＨＦ３゜ＧｅＢ２　
Ｆ２　、ＧｅＢ３　Ｆ、ＧｅＨＣｌ３　。

ＧｅＢ２　Ｃｕ２　、ＧｅＢ３　Ｃ見、ＧｅＨＢｒ３゜
ＧｅＢ２　Ｂ　Ｆ２　、ＧｅＢ３　Ｂｒ、ＧｅＨＩ３　
。

ＧｅＢ２　Ｉ２　、ＧｅＢ３　Ｉ等の水素化ｌ＼ロゲン
化ゲルマニウム等の水素原子を構成要素の１つとするハ
ロゲン化物、ＧｅＦ４　、ＧｅＣｊＬ４　。

ＧｅＢｒ４　、Ｇｅ　Ｉ４　、ＧｅＦ２　、ＧｅＣｕ２
゜ＧｅＢ　Ｆ２．、　Ｇｅ　Ｉ２　等（７）ハロゲン化
ゲルマニウム、等々のガス状態の或いはガス化し得る物
質も有効な第１の層（Ｇ）形成用の出発物質ととして挙
げる事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、第
１の層（Ｇ）形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同
時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素
原子も導入されるので、本発明においては好適なハロゲ
ン導入用の原料として使用される。

水素原子を第１の層（Ｇ）中に構造的に導入するには、
上記の他にＨ２，或いはＳｉＨ４゜５ｉ２ＨＢ　、５ｉ
３ＨＢ　、Ｓｉ４Ｈ１ｇ等の水素化硅素をＧｅを供給す
る為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と、或いは
、ＧｅＨ４。

Ｇｅ２　Ｈ６、Ｇｅ３　ＨＢ　、Ｇｅ４　Ｈｌｏ、Ｇｅ
５Ｈ１２・Ｇ　ｅ８　Ｈ１４，Ｇｅ７　ＨｌＢ、　Ｇｅ
Ｂ　ＨｌＢ・Ｇｅ１ｌ）１２０等の水素化ゲルマニウム
とＳｉを供給する為のシリコン又はシリコン化合物と、
を堆積室中に共存させて放電を生起させる事でも行う事
が出来る。

本発明の好ましい例において　形成される光受容層を構
成する第１の層ＣＧ）中に含有される水素原子（Ｈ）の
量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン
原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ｔＬ＜は０．０１〜４０
ａｔ　ｏｍｉ　ｃ％、より好適には０．０５〜３０ａ　
ｔ　ｏ　ｍ　ｉ　ｃ％、最適には０．１〜２５ａｔ　ｏ
ｍｉ　ｃ％とされるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）又は／及
びハロゲン原子ＣＸ’）の量を制御するには１例えば支
持体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原
子（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装
置系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良い
。

本発明に於いて、ａ−５ｔ（Ｈ，Ｘ）で構成される第２
の層（Ｓ）を形成するには、前記した第１の層（Ｇ）形
成用の出発物質（Ｉ）の中より、Ｇｅ供給用の原料ガス
となる出発物質を除いた出発物質（第２のｅ（Ｓ）形成
用の出発物質（■）〕を使用して、第１の層（Ｇ）を形
成する場合と、同様の方法と条件に従って行うことが出
来る。

即ち、本発明において、ａ−３ｔ（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第２の層（Ｓ）を形成するには例えばグロー放電法、
スパッタリング法、或１／’ｔ±イオンブレーティング
法等の放電現象を利用する真空堆積法によって成される
。例えば、グロー放電法によってａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で
構成される第２の層（Ｓ）を形成するには、基本的には
前記したシリコン原子（Ｓｔ）を供給し得るＳｔ供給用
の原料ガスと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用
の又は／及び！−ロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを
、内部が減圧器こし得る堆積室内に導入して、該堆積室
内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設置されで
ある所定の支持体表面上にａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）カ１らな
る層を形成させれば良い、又、ス／＜ツタＩＪング法で
形成する場合には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又
はこれ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でＳ
Ｌで構成されたターゲットをスパッタリングする際、水
素゛原子ｔ　ｖｔ　％　−ｃｑ　１１　／　ｘ　ｖｔ　
、ｙ　Ｍ　）Ｊ　ｙ　雌−７−（Ｙ　）遮λ「１のガス
をスパッタリング用の堆積室に導入しておけば良い。

本発明に於いて、形成される光受容層を構成する第２の
層（Ｓ）中に含有される水素原子（Ｈ）の量又はｌ＼ロ
ゲン原子（Ｘ）の量又１ｉ水素原子とＩ＼ロゲン原子の
量の和（Ｈ＋Ｘ）ｊよ、好ましくは１〜４０ａｔ　ｏｍ
ｉ　ｃ％、より好適には５〜３０ａｔｏｍｉｃ％、最適
にｉｔ　５〜２５　ａｔ　ｏｍｉ　ｃ％とされるのが望
ましくゝ。

本発明の光受容部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体と光受容層との間の密着性の改良を
図る目的の為に、光受容層中には、酸素原子、炭素原子
、窒素原子の中から選択される少なくとも一種の原子が
層厚方向には均一、又は不均一な分布状態で含有される
。光受容層中に含有されるこの様な原子（ＯＣＮ）は、
光受容層の全層領域に含有されても良いし、或いは、光
受容層の一部の層領域のみに含有させることで偏在させ
ても良い。

原子（ＯＣＮ）の分布状態は分布濃度Ｃ（ＯＣＮ）が、
光受容層の支持体の表面と平行な面内に於いては均一で
あることが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる原子（ＯＣＮ）
の含有されている層領域（ＯＣＮ）は、光感度と暗抵抗
の向上を主たる目的とする場合には、光受容層の全層領
域を占める様に設けられ、支持体と光受容層との間の密
着性の強化を図るのを主たる目的とする場合には、光受
容層の支持体側端部層領域を占める様に設けられる。

前者の場合、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（Ｏ
ＣＮ）の含有量は、高光感度を維持する為に比較的少な
くされ、後者の場合には、支持体との密着性の強化を確
実に図る為に比較的多くされるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる層領域（ＯＣＮ
）に含有される原子（ＯＣＮ）の含有量は、層領域（Ｏ
ＣＮ）自体に要求される特性、或いは該層領域（ＯＣＮ
）が支持体に直に接触して設けられる場合には、該支持
体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連性
に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＯＣＮ）に直に接触して他の層領域が
設けられる場合には、故地の層領域の特性や、故地の層
領域との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、
原子（ＯＣＮ）の含有量が適宜選択される。

層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子 （ＯＣＮ）の量は、形成される光受容部材に要求される
特性に応じて所望に従って適宜状められるが、好ましく
は０．００１〜５０ａｔ　ｏｍｉＣ％、より好ましくは
、０．００２〜４０ａｔ　ｏ　ｍ　ｉ　ｃ％、最適には
０．００３〜３０ａｔｏ　ｍ　ｉ　ｃ％とされるのが望
ましい。

本発明に於いて、層領域（ＯＣＮ）が光受容層の全域を
占めるか、或いは、光受容層の全域を占めなくとも、層
領域（ＯＣＮ）の層厚ＴＯの光受容層の層厚Ｔに占める
割合が充分多い場合には、層領域（ＯＣＮ）に含有され
る原子（ＯＣＮ）の含有量の上限は、前記の値より充分
少なくされるのが望ましい。

本発明の場合には、層領域（ＯＣＮ）の層厚ＴＱが光受
容層の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上となる
様な場合には、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（
ＯＣＮ）の上限としては、好ましくは３０ａｔ　ｏｍｉ
　ｃ％以下、より好ましくは２０ａｔｏｍｉｃ％以下、
最適にはｌＯａｔｏｍｉｃ％以下とされるのが望ましい
。

本発明の好適な実施態様例によれば、原子（ＯＣＮ）は
、支持体上に直接設けられる前記の第１の層には、少な
くとも含有されるのが望ましい。詰り、光受容層の支持
体側端部層領域に原子（ＯＣＮ）を含有させることで、
支持体と光受容層との間の密着性の強化を計ることが出
来る。

更に、窒素原子の場合には、例えば、硼素原子との共存
下に於いて、暗抵抗の向上と高光感度の確保が一層出来
るので、光受容層に所望量含有されることが望ましい。

又、これ等の原子（ＯＣＮ）は、光受容層中に複数種含
有させても良い。即ち、例えば、第１の層中には、酸素
原子を含有させ、第２の層中には、窒素原子を含有させ
たり、或いは、同一層領域中に例えば酸素原子と窒素原
子とを共存させる形で含有させても良い。

第２２図乃至第３０図には、本発明における光受容部材
の層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（ＯＣＮ）の層
厚方向の分布状態が不均一な場合の典型的例が示される
。

第２２図乃至第３０図において、横軸は原子（ＯＣＮ）
の分布濃度Ｃを、縦軸は、層領域（ＯＣＮ）の層厚を示
し、ｔＢは支持体側の層領域（ＯＣＮ）の端面の位置を
、ｔＴは支持体側とは反対側の層領域（ＯＣＮ）の端面
の位置を示す。即ち、原子（ＯＣＮ）の含有される層領
域（ＯＣＮ）はｔＢ側よりｔｌ側に向って層形成がなさ
れる。

第２２図には、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（
ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態が不均一な場合の第１の
典型例が示される。

第２２図に示される例では、原子（ＯＣＮ）の含有され
る層領域（ＯＣＮ）が形成される表面と該層領域（ＯＣ
Ｎ）の表面とが接する界面位置ｔＢよりｔｌの位置まで
は、原子（ｏ　ｃ　Ｎ）の分布濃度Ｃが０１なる一定の
値を取り乍ら原子（ＯＣＮ）が形成される層領域（ｏ　
ｃ　Ｎ）に含有され、位置ｔｌよりは濃度Ｃ２より界面
位置ＥＴに至るまで徐々に連続的に減少されている。界
面位置ｔＴにおいては原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃
度Ｃ３とされる。

第２３図に示される例においては、含有される原子（Ｏ
ＣＮ）の分布濃度Ｃは位置ＴＢより位置ｔＴに至るまで
濃度Ｃ４から徐々に連続的に減少して位置ｔＴにおいて
濃度Ｃ５となる様な分布状態を形成している。

第２４図の場合には、位置ｔＢより位置ｔ２までは原子
（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６と一定値とされ、位
置ｔ２と位置ｔ−１−どの間において、徐々に連続的に
減少され、位置ｔＴにおいて、分布濃度Ｃは実質的に零
とされている（ここで実質的に零とは検出限界量未満の
場合である）。

第２５図の場合には、原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは位
置ＴＢより位置ｔＴに至るまで、濃度Ｃ８より連続的に
徐々に減少され、位置ｔＴにおいて、実質的に零とされ
ている。

第２６図に示す例においては、原子（ＯＣＮ）の分布濃
度Ｃは位置ＴＢと位置ｔＢ間においては濃度Ｃ９と一定
値であり１位置計３よりｔ７に至るまで、濃度Ｃ９より
実質的に零に至・る様に一次関数的に減少している。

第２７図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂより位置ｔ４までは濃度Ｃ１ｌの一定値を取り、位置
ｔ４より位置ｔＴまでは濃度ＣＩ２より濃度Ｃ１３まで
は一次関数的に減少して位置ｔＴにおいて１分布濃度Ｃ
は実質的に零とされる。

第２８図に示す例においては、位置ＴＢより位置ｔＴに
至るまで、原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ１４よ
り実質的に零に至る様に一次関数的に減少している。

第２９図におい−ては、位置ｔＢより位置ｔ５に至るま
では原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは。

濃度ＣＩ５よりＣ１Ｂまで連続的に徐々に減少され、位
置ｔ５と位置ｔＴとの間においては、濃度Ｃ１［１の一
定値とされた例が示されている。

第３０図に示される例においては、原子（ＯＣＮ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔＢにおいては濃） 度ＣＩ？であり１位置計６に至るまではこの濃度ＣＩ？
より初めは緩やかに減少され、ｔ６の位置付近において
は、急激に減少されて位置ｔ６では濃度Ｃ１８とされる
。

位置計６と位置ｔ７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ７
で濃度Ｃ１９となり、位置ｔ７と位置し８との間では、
極めてゆっくりと徐々に減少されて位置計８において、
濃度Ｃ２０に至る。位置ｔ８と位置ｔＴの間においては
、濃度Ｃ２０より実質的に零になる様に図に示す如き形
状の曲線に従って減少されている。

以上、第２２図乃至第３０図により１層領域（ＯＣＮ）
中に含有される原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態が
不均一な場合の典型例の幾〈つかを説明した様に、本発
明においては、支持体側において、原子（ＯＣＮ）の分
布濃度Ｃの高い部分を有し、界面ｔ７側においては、前
記分布濃度Ｃは支持体側に較べて可成り低くされた部分
を有する原子（ＯＣＮ）の分布状態が層領域（ＯＣＮ）
に設けられている。

原子（ＯＣＮ）の含有される層領域（ＯＣＮ）は、上記
した様に支持体側の方に原子（ＯＣＮ）が比較的高濃度
で含有されている局在領域（Ｂ）を有するものとして設
けられるのが望ましく、この場合には、支持体と光受容
層との間の密着性をより一層向上させることが出来る。

上記局在領域（Ｂ）は、第２２図乃至第３０図に示す記
号を用いて説明すれば、界面位置ｔＢより５ル以内に設
けられるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域（Ｂ）は、界面位置ｔ
Ｂより５ル厚までの全領域（ＬＴ）とされる場合もある
し、又、層領域（Ｌ、　Ｔ　）の一部とされる場合もあ
る。

局在領域（Ｂ）を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される光受容層に要求される特性に
従って適宜法められる。

局在領域ＣＢ）はその中に含有される原子（ＯＣＮ）の
層厚方向の分布状態として原子（ＯＣＮ）分布濃度Ｃの
最大値Ｃｍａｘが、好ましくは５００ａｔｏｍｉｃ　ｐ
ｐｍ以上、より好適には８００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以
上。

最適には１００１０００ａｔｏ　ｐＰｍ以上とされる様
な分布状態となり得る様に層形成されるのが望ましい。

即ち、本発明においては、原子（ＯＣＮ）の含有される
層領域（ＯＣＮ）は、支持体側からの層厚で５終以内（
ｔＢから５ル厚の層領域）に分布濃度Ｃの最大値Ｃｍ　
ａ　ｘが存在する様に形成されるのが望ましい。

本発明において、層領域（ＯＣＮ）が光受容層の一部の
層領域を占める様に設けられる場合には層領域（ＯＣＮ
）と他の層領域との界面において、屈折率が緩やかに変
化する様に、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態を形
成するのが望ましい。

この様にすることで、光受容層に入射される光が層接触
界面で反射されるのを阻止し、干渉縞模様の発現をより
効果的に防止することが出来る。

又、層領域（ＯＣＮ）中での原子（ＯＣＮ）の分布濃度
Ｃの変化線は滑らかな屈折率変化を与える点で、連続し
て緩やかに変化しているのが望ましい。

この点から、例えば第２２図乃至第２５図。

第２８図及び第３０図に示される分布状態となる様に、
原子（ＯＣＮ）を層領域（ＯＣＮ）中に含有されるのが
望ましい。

本発明に於いて、光受容層に原子（ＯＣＮ）の含有され
た層領域（ＯＣＮ）を設けるには、光受容層の形成の際
に原子（ＯＣＮ）導入用の出発物質を前記した光受容層
形成用の出発物質と共に使用して、形成される層中にそ
の量を制御し乍ら含有してやればよい。

層領域（ＯＣＮ）を形成するのにグロー放電法を用いる
場合には、前記した光受容層形成用の出発物質の中から
所望に従って選択されたものに原子（ｏｃＮ）導入用の
出発物質が加えられる。その様な原子（ＯＣＮ）導入用
の出発物質としては、少なくとも原子（ＯＣＮ）を構成
原子とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化
したものの中の大概のものが使用される。

具体的には、例えば酸素（０２）、オゾン（０３）、−
酸化窒素（Ｎｏ）、二酸化窒素（Ｎ０２）、−二酸化窒
素（Ｎ２０）、三二酩化窒素（Ｎ２０３）、四二酸化窒
素（Ｎ２０４）、五二酸化窒素（Ｎ２０５）、三日酸化
窒素（ＮＯ３）。

シリコン原子（Ｓｉ）と酸素原子（０）と水素原子（Ｈ
）とを構成原子とする、例えば、ジシロキサン（Ｈ３Ｓ
　１Ｏ３ｉＨ３）、）リシロキサン（Ｈ３Ｓ　ｉ　Ｏ３
１Ｈ２０ｓ　１Ｈ３）等の低級シロキサン、メタン（Ｃ
Ｈ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、プロパン（Ｃ３Ｈｅ）、
ｎ−ブタｙ　（ｎ−Ｃ４Ｈ１０）、ペンタ７（Ｃ５ＨＬ
２）等の炭素数１〜５の飽和炭化水素、エチレン（Ｃ２
Ｈ４）、プロピレン（Ｃ３Ｈｅ　）、ブテン−１（Ｃ４
Ｈ８）。

ブテン−２（Ｃ４Ｈ８）、インブチレン（Ｃ４Ｈ８）、
ペンテン（Ｃ５Ｈ１ｏ）等０）　’ＪＲ素数２〜５のエ
チレン系炭化水素、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、メチルア
セチレン（Ｃ３Ｈ４）、ブチン（Ｃ４Ｈ６）等の炭素数
２〜４のアセチレン系炭化水素、窒素（Ｎ２）、アンモ
ニア（ＮＨ３）、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）、アジ化
水素（ＨＮ３Ｎ）３　、アジ化アンモニウム（ＨＨ４Ｎ
３）、三弗化窒素（Ｆ３Ｎ）、四弗化窒素（Ｆ４Ｎ）等
々を挙げることが出来る。

スパッタリング法の場合には、Ｍ子（ＯＣＮ）導入用の
出発物質としては、グロー放電法の際に列挙した前記の
ガス化可能な出発物質の外に、固体化出発物質として、
５ｉ０２゜Ｓｉ３Ｎ４．カーボンブラック等を挙げるこ
とが出来る。これ等は、Ｓｔ等のターゲットと共にスパ
ッタリング用のターゲットとしての形で使用される。

本発明に於いて、光受容層の形成の際に、原子（ＯＣＮ
）の含有される層領域（ＯＣＮ）を設ける場合、該層領
域（ＯＣＮ）に含有される原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃ
を層厚方向に変化させて所望の層厚方向の分布状態（ｄ
ｅｐｆｈｐｒｏｆｉｌｅ）を有する層領域（ＯＣＮ）を
形成するには、グロー放電の場合には、分布濃度Ｃを変
化させるべき原子（ＯＣＮ）導入用の出発物質のガスを
、そのガス流量を所望の変化率曲線に従って適宜変化さ
せ乍ら、堆積室内に導入することによって成される。

例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられて
いる何らかの方法により、ガス流星系の途中に設けられ
た所定のニードルパルプの開口を暫時変化させる操作を
行えば良い。このとき、流量の変化率は線型である必要
はなく、例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計さ
れた変化率曲線に従って流量を制御し、所望の含有率曲
線を得ることもできる。

層領域（ＯＣＮ）をスパッタリング法によって形成する
場合、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布濃度Ｃを層厚方
向で変化させて。

原子（ＯＣＮ）の層厚方向の所望の分布状態（ｄｅｐｆ
ｈ　ｐｒｏｆｉ　ｌｅ）を形成するにには、第一には、
グロー放電法による場合と同様に、原子導入用の出発物
質をガス状態で使用し、該ガスを堆積質中へ導入する際
のガス流量を所望に従って適宜変化させることによって
成される。第二にはスパッタリング用のターゲットを、
例えばＳｉと５ｉ０２との混合されたターゲットを使用
するのであれば、Ｓｉと５ｉ０２との混合比をターゲッ
トの層厚方向に於いて、予め変化させておくことによっ
て成される。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、ＡｆＬ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａ
ｕ、Ｎｂ、Ｔａ。

Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げ
られる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。

ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリ
デン、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィル
ム又はシート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用さ
れる。

これ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその
一方の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に
他の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ、ＡＭ
、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｎｂ。

Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｎ２Ｏ３゜５ｎ０２　
、　ＩＴＯ（Ｉ　ｎ２０３＋５ｎ０２）等から成る薄膜
を設けることによって導電性が付与され、或いはポリエ
ステルフィルム等の合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣ
ｒ、ＡＵ。

Ａｇ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ。

Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ等の金属の薄膜を真
空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等でその表面
に設け、又は前記金属でその表面をラミネート処理して
、その表面に導電性が付与される。支持体の形状として
は、円筒状、ベルト状、板状等任意の形状とし得、所望
によって、その形状は決定されるが、例えば、第１０図
の光受容部材１００４を電子写真用光受容部材として使
用するのであれば連続高速複写の場合には、無端ベルト
状又は円筒状とするのが望ましい。支持体の厚さは、所
望通りの光受容部材が形成される様に適宜決定されるが
、光受容部材として可撓性が要求される場合には、支持
体としての機能が充分発揮される範囲内であれば可能な
限り薄くされる。百年ら、この様な場合支持体の製造上
及び取扱い上、機械的強度等の点から、好ましくは１０
ｇ以上とされる。

次に本発明の光受容部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第２０図に光受容部材の製造装置の一例を示す。

図中２００２〜２００６のガスボンベには、本発明の光
受容部材を形成する為の原料ガスが密封されており、そ
の−例としてたとえば２００２は、ＳｉＨ４ガス（純度
９９．９９９％。

以下５ｆＨ４と略す）ボンベ、２００３はＧｅＨ４ガス
（純度９９．９９９％、以下ＧｅＨ４と略す）ボンベ、
２００４はＮｏガス（純度９９．９９％、以下Ｎｏと略
す）ボンベ、２００５はＨ２で挑釈されたＢ２Ｈ６ガス
（純度９９．９９９％以下Ｂ　２　Ｈ６／Ｈ２と略す）
ボンベ、２００６はＨ２カス（純度９９．９９９％）ボ
ンベである。

これらのガスを反応室２００１に流入させるにはガスボ
ンベ２００２〜２００６のバルブ２０２２〜２０２６、
リークバルブ２０３５が閉じられていることを確認し、
又、流入バルブ２０１２〜２０１６、流出バルブ２０１
７〜２０２１、補助バルブ２０３２．２０３３が開かれ
ていることを確認して、先ずメインバルブ２０３４を開
いて反応室２００１、及び各ガス配管内を排気する。次
に真空計２０３６の読みが約５ＸｌＯ−６ｔｏｒｒにな
った時点で補助バルブ２０３２，２０３３、流出バルブ
２０１７〜２０２１を閉じる。

次にシリンダー状基体２０３７上に光受容層を形成する
場合の１例をあげると、ガスボンベ２００２よりＳｉＨ
４ガス、ガスポンベ２００３よりＧｅＨ４ガス、ガスポ
ンベ２００４よりＮｏガス、ガスボンベ２００５よりＢ
２Ｈ６／Ｈ２ガス、２０．０６よりＨ２ガスをバルブ２
０２２．２０２３，２０２４，２０２５　。

２０２６を開いて出口圧ゲージ２０２７　。

２０２８．２０２９，２０３０．２０３１の圧をＩ　Ｋ
　ｇ　／　ｃ　ｍ２に調整し、流入バルブ２０１２．２
０１３，２０１４，２０１５゜２０１６を徐々に開けて
、マスフロコントローラ２００７，２００８，２００９
，２０１０゜２０１１内に夫々流入させる。引き続いて
流出バルブ２０１７，２０１８，２０１９，２０２０．
２０２１、補助バルブ２０３２．２０３３を徐々に開い
て夫々のカスを反応室２００１に流入させる。このとき
のＳｉＨ４ガス流量、ＧｅＨ４ガス流量、Ｎｏガス流量
、Ｂ２Ｈｓ／Ｈ２カス流量とＨ２ガス流量の比が所望の
値になるように流出バルブ２０１７，２０１８，２０１
９．２０２０．２０２１を調整し、また。

反応室２００１内の圧力が所望の値になるように真空計
２０３６の読みを見ながらメインバルブ２０３４の開口
を調整する。そして、基体２０３７の温度が加熱ヒータ
ー２０３８により５０〜４００℃の範囲の温度に設定さ
れていることを確認された後、電源２０４０を所望の電
力に設定して反応室２００１内にグロー放電を生起させ
、同時にあらかじめ設計された変化率曲線に従ってＧｅ
１４４ガスの流量を手動あるいは外部駆動モータ等の方
法によってパルプ２０１８の開口を漸次変化させる操作
を行って形成される層中に含有されるゲルマニウム原子
の分布Ａ度を制御する。

上記の様にして所望時間グロー放電を維持して、所望層
厚に、基体２０３７上に第１の層（Ｇ）を形成する。所
望層厚に第１の層（Ｇ）が形成された段階に於て、流出
バルブ２０１８を完全に閉じること及び必要に応じて放
電条件を変える以外は、同様な条件と手順に従って所望
時間グロー放電を維持することで第１の層ＣＧ）上にゲ
ルマニウム原子の実質的に含有されない第２の層（Ｓ）
を形成することが出来る。また、第１の層（Ｓ）及び第
２の層（Ｇ）の各層には、流出バルブ２０１９あるいは
２０２０を適宜開閉することで酸素あるいは硼素を含有
させたり、含有させなかったり、あるいは各層の一部の
層領域にだけ酸素あるいは硼素を含有させることも出来
る。

なお、酸素に代えて層中に窒素あるいは炭素を含有させ
る場合には、ガスポンベ２００４のＮＯガスを例えばＮ
Ｈ３ガスあるいはＣＨ４カス等に代えて、層形成を行な
えばよい。また、使用するガスの種類を増やす場合には
所望のガスボンベを増設して、同様に層形成を行なえば
よい。層形成を行っている間は層形成の均一化を計るた
め基体２０３７はモーター２０３９により一定速度で回
転させてやるのが望ましい。

以下実施例について説明する。

実施例１ 旋盤で、Ａｌ支持体を第１表のＮｏ、ｌＯｌの表面性に
加工した。

次に、第２０図の堆積装置を使用し、第２表に示す条件
で種々の操作手順にしたがって、Ａ−３ｉ系電子写真用
光受容部材を前述のＡｎ支持体上に堆積した。

このようにして作製したＡ−５ｉ系主電子写真用光受容
材の層厚分布を電子顕微鏡で測定したところ、平均層厚
差は、第１の層の中央と両端で０．１ｐＬｍ、第２の層
の中央と両端で２層で０．０２＃Ｌｍ、第２の層でか；
泳４ＪＬ　ｍで八 あった。

以上のような電子写真用の光受容部材について、第３９
図に示す装Ｍ（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポット
径８０＃Ｌｍ）で、画像露光を行い、それを現像、転写
して画像を得た。

画像には、干渉縞模様は観察されず、実用に十分なもの
であった・ 実施例２ 実施例１と同様に、旋盤で、Ａ文支持体を第１表のＮｏ
、１０２の表面性に加工した。

次に、第２０図の鵠堆積装置を使用し、第３表に示す条
件で、実施例１と同様な操作手順にしたがって、Ａ−５
ｔ茶系電子写真光受容部材を前述のＡｎ支持体上に堆積
した。

このようにして作製したＡ−３ｔ系主電子写真用光受容
材の層厚分布を電子顕微鏡で測定したところ、平均層厚
差は、第１の層の中央と両端で０．１ルｍ、第２の層の
中央と両端で２μｍであり、また、微小部分の層厚差は
第１の層で０．０３１Ｌｍ、第２の層で０　、３　ＪＬ
ｍであったり 以上のような、電子写真用の光受容部材について、第３
９図に示す装置（レーザー光の波長７８０　ｎ　ｍ　、
スポット径８０ＩＬｍ）で画像露光を行い、それを現像
、転写して画像を得た０画像には干渉縞模様は観測され
ず、実用に十分なものであった。

実施例３ 実施例１と同様に、旋盤で、Ａ文支持体を第１表のＮｏ
、１０３の表面性に加工した。

次に、第２０図の纒堆積装置を使用し、第４表に示す条
件で、実施例１と同様な操作手順にしたがって、Ａ−３
ｉ系主電子写真用光受容材を前述のＡｎ支持体上に堆積
した。

このようにして作製したＡ−３ｔ系電子互真用光受容部
材の層厚分布を電子顕微鏡で測定したところ、平均層厚
差は第１の層の中央と両端で０．６ｐｍ、第２の層の中
央と両端で２ｐｍであり、また、微小部分の層厚差は第
１の層で０．１ｇｍ、第２の層で０．３ｇｍであった。

以上のような電子写真用の光受容部材について、第３９
図に示す装置（レーザー光の波長７８０　ｎ　ｍ　、ス
ポット径８０ｐｍ）で画像露光を行い、それを現像、転
写して画像を得た。画像には干渉縞模様は観測されず、
実用に十分なものであった。

実施例４ 実施例１と同様に旋盤でＡ文支持体を第１表のＮｏ、１
０４の表面性に加工した。

次に、第２０図の鴨堆積装置を使用し、第５表に示す条
件で、実施例１と同様な操作手順にしたがって、Ａ−３
ｉ系主電子写真用光受容材を前述のＡｎ支持体上に堆積
した。

このようにして作製したＡ−３ｉ系の電子写真用光受容
部材の層厚分布を電子顕微鏡で測定２μｍであり、又、
微小部分の層厚差は第１の層で０．１５ｇｍ、第２の層
で０．３ｐｍであった・ 以上のような電子写真用の光受容部材について、第３９
図に示す装置（レーザー光の波長７８０　ｎ　ｍ　、ス
ポット径８０ｐＬｍ）で画像露光を行い、それを現像、
転写して画像を得た。画像には干渉縞模様は観察されず
、実用に十分なものであった。

実施例５ 実施例３に於て使用したＣＨ４ガスをＮＨ３ガスに変え
た以外は実施例３と同様の条件と手順に従ってａ−３ｒ
系電子写真用光受部材を作製した。

このようにして作製した電子写真用光受容部材について
、第３９図に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８
０ｎｍ、スボッｉ−径８０ルｍ）で画像露光を行ない、
それを現像、転写して画像を得た。像には干渉縞模様は
観測されず、実用に十分なものであった。

実施例６ 実施例４に於て使用したＮＯガスをＣＨ４ガスに変えた
以外は実施例４と同様の条件と手順に従ってａ−３ｉ系
電子写真用光受部材を作製した。

このようにして作製した電子写真用光受容部材について
、第３９図に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８
０　ｎ　ｍ　、’スポット径８０ｇｍ）で画像露光を行
ない、それを現像、転写して画像を得た。像には干渉縞
模様はｎ測されず、実用に十分なものであった。

実施例７ ＡＩ支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（ｒ）８０ｍｍ
）を第７表に示す条件で、第２１図（Ｐ：ピッチ、Ｄ：
深　さ）に示すように旋盤で加工した。

次に、第６表に示す条件で、第２０図の堆積装置で種々
の操作手順に従って電子写真用光受容部材を作製した（
試料Ｎｏ、７０１〜７０４）。

なお、硼素含有層は、Ｂ２Ｈ６／Ｈ２の流量を第３１図
のようになるようにして、また窒素含有層は、ＮＨ３の
流量を第３５図のようになるように、各々Ｂ２Ｈ６／Ｈ
２およびＮＨ３のマスフロコントローラー２０１０．２
００９をコンピュータ（ＨＰ　９８４５　Ｂ）により制
御して形成した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第７表の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第３９図に示
す画像露光装置（レーザ・、光の波長７８０ｎｍ、スポ
ット径８０ｐｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。

画像には干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもので
あった。

実施例８ 実施例７に於て使用したＮＨ３ガスをＮＯガスに変えた
以外は実施例７と同様の条件と手順に従ってａ−３ｉ系
電子写真用光受部劇を作製した（試料Ｎｏ、８０１〜８
０４）。

これらの電子写真用光受容部材について、第３９図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポッ
ト径８０ｋｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転写
して画像を得た。

試料Ｎｏ、８０１〜８０４のいずれの画像にも干渉ｗ４
４ｔｉ様は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例９ 実施例７に於て使用したＮＨ３ガスをＣＨ４ガスに変え
た以外は実施例７と同様の条件と手順に従ってａ−Ｓｉ
系電子写真用光受部材を作製した（試料Ｎｏ、９０１〜
９０４）。

これらの電子写真用光受容部材について、ｆ５３９図に
示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポ
ット径８０ｇｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。

試料Ｎｏ、９０１〜９０４のいずれの画像にも干渉縞模
様は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例ｉ。

Ａｎ支持体（長さくＬ）　３５７　ｍｍ　、径（ｒ）８
０ｍｍ）を第９表に示す条件で、第２１図（Ｐ：ピッチ
、Ｄ：深さ）に示すように旋盤で加工した。

次に、第８表に示す条件で、第２０図の堆積装置で種々
の操作手順に従って電子写真用光受容部材を作製した。

（試料Ｎｏ、１００１〜１００４） なお、硼素含有層は、Ｂ２Ｈ６／Ｈ２の流量を第３２図
のようになるように、また炭素含有層は、ＣＨ４の流量
を第３６図のようになるように、各々Ｂ　２　Ｈ６／　
Ｈ２およびＣＨ４のマスフロコントローラー２０１０．
２００９をコンピュータ（ＨＰ９８４５Ｂ）により制御
して形成した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第９表の結果を得た。

これらの電子写真用の光受容部材について、第３９図に
示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポ
ット径８０ｐｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。画像には干渉縞模様は観察されず、
実用に十分なものであった・ 実施例１１ 実施例１０に於て使用したＣＨ４ガスをＮ。

ガスに変えた以外は実施例１Ｏと同様の条件と手順に従
ってａ−３ｔ系電子写真用光受部材を作製した（試料Ｎ
ｏ、１１０１−１１０４）。

このようにして作成した電子写真用光受容部材について
、第３９図に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８
０ｎｍ、スポット径８０ｐｍ）で画像露光を行ない、そ
れを現像、転写して画像を得た。試料Ｎｏ、１１０１〜
１１０４のいずれの画像にも干渉縞模様は観測されず、
実用に十分なものであった。

実施例１２ 実施例１Ｏに於て使用したＣＨ４ガスをＮＨ３ガスに変
えた以外は実施例１０と同様の条件と手順に従ってａ−
３ｔ系電子写真用光受部材を作製した（試料Ｎｏ、１２
０１−１２０４）。

これらの電子写真用光受容部材について、第３９図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０　ｎ　ｍ　、
スポット径８０ＩＬｍ）で画像露光を行ない、それを現
像、転写して画像を得た。

試料Ｎｏ、１２０１〜１２０４のいずれの画像にも干渉
縞模様は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例１３ Ａｉ支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（ｒ）８０ｍｍ
）を第１１表に示す条件で、第２１図（Ｐ：ピッチ、Ｄ
：深さ）に示すように旋盤で加工した。

次に、第１０表に示す条件で、第２０図の堆積装置で種
々の操作手順に従って電子写真用光受容部材を作製した
（試料Ｎｏ　、１３Ｑｌ〜１３０４）。

なお、硼素含有層は、Ｂ２Ｈ６／Ｈ２の流量を第３３図
のようになるように、また酸素含有層は、Ｎｏの流量を
第３７図のようになるように、各々Ｂ２Ｈ６／Ｈ２およ
びＮＯのマスフロコントローラー２０１０．２００９を
コンピュータ（ＨＰ９８４５Ｂ）により制御して形成し
た。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第１１表の結果を得た。

これらの電子写真用の光受容部材について、第３９図に
示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポ
ット径８０ルｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。画像には干渉縞模様は観察されず、
実用に十分なものであった。

実施例１４ 実施例１３に於て使用したＮＯガスをＮＨ３ガスに変え
た以外は実施例１３と同様の条件と手順に従ってａ−３
ｔ系電子写真用光受部材を作製した（試料Ｎｏ、１４０
１〜１４０４）。

このようにして作成した電子写真用光受容部材について
、第３９図に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８
０ｎｍ、スポット径８０ｐＬｍ）で画像露光を行ない、
それを現像、転写して画像を得た。試料Ｎｏ、１４０１
〜１４０４のいずれの画像にも干渉縞模様は観測されず
、実用に十分なものであった。

実施例１５ 実施例１３に於て使用したＮＯカスをＣＨ４ガスに変え
た以外は実施例１３と同様の条件と手順に従ってａ−３
ｉ系電子写真用光受部材を作製した（試料Ｎｏ、１５０
１−１５０４）。

これら−の電子写真用光受容部材について、第３９図に
示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポ
ット径８０ｐＬｍ）で画像露光を行ない、それを現像、
転写して画像を得た。

試料Ｎｏ、１５０１−１５０４のいずれの画像にも干渉
縞模様は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例１６ Ａｉ支持体（長さくＬ）　３５７　ｍｍ　、径（ｒ）８
０ｍｍ）を第１３表に示す条件で、第２１図（Ｐ：ピッ
チ、Ｄ：深さ）に示すように旋盤で加工した。

次に、第１２表に示す条件で、第２０図の堆積装置で種
々の操作手順に従って電子写真用光受容部材を作製した
（試料Ｎｏ、１６０１〜１６０４）。

なお、硼素含有層は、Ｂ　２　Ｈｓ　／　Ｈ２の流量を
第３４図のようになるように、また窒素含石層は、ＮＨ
３の流量を第３８図のようになるように、各々Ｂ　２　
Ｈ６／　Ｈ２およびＮＨ３のでスフロコントローラー２
０１０．２００９をコンピュータ（ＨＰ９８４５Ｂ）に
より制御して形成した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第１３表の結果を得た。

これらの電子写真用の光受容部材について、第３９図に
示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポ
ット径８０ルｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。画像には干渉縞模様は観察されず、
実用に十分なものであった。

実施例１７ 実施例１６に於て使用したＮＨ３ガスをＮＯガスに変え
た以外は実施例１６と同様の条件と手順に従ってａ−５
ｔ系電子写真用光受部材を作製した（試料ＮＧ、１７０
１〜ｌ　７０４）。

これらの電子写真用光受容部材について、第３９図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポッ
ト径８０　ｐｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。

試料Ｎｏ、１７０１　Ｎ１７０４のいずれの画像にも干
渉縞模様は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例１８ 実施例１６に於て使用したＮＨ３ガスをＣＨ４ガスに変
えた以外は実施例１６と同様の条件と手順に従ってａ−
３ｉ系電子写真用光受部材を作製した（試料Ｎｏ、１８
０１〜１８０４）。

このようにして作成した電子写真用光受容部材について
、第３９図に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８
０ｎｍ、スポット径８０ルｍ）で画像露光を行ない、そ
れを現像、転写して画像を得た。試料Ｎｏ、１８０１−
１８０４のいずれの画像にも干渉縞模様は観測されず、
実用に十分なものであった・ 実施例１９ 実施例１から実施例１８までについて、Ｈ２で３０００
ｖｏｌ　ｐｐｍに稀釈した８２Ｈ６ガスのりにＨ２で３
０００ｖｏｌ　ｐｐｍに稀釈したＰＨ３ガスを使用して
、電子写真用光受容部材を作製した。

（試料Ｎｏ　、１９０１〜１９５０） なお、他の作成条件は、実施例１から実施例１８までと
同様にした。

これらの電子写真用の光受容部材について、第３９図に
示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポ
ット径８０ルｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。画像には干渉縞模様は観察されず、
実用に十分なものであった・

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。 第２図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の説明図で
ある。 第３図は散乱光による干渉縞の説明図である。 第４図は、多層の光受容部材の場合の散乱光による干渉
縞の説明図である。 第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞の説明図である。 第６図は光受容部材の各層の界面が非平行な場合に干渉
縞が現われないことの説明図である。 第７図は、光受容部材の各層の界面が平行である場合と
非平行である場合の反射光強度の比較の説明図である。 第８図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現
われないことの説明図である。 第９図はそれぞれ代表的な支持体の表面状態の説明図で
ある。 第１Ｏ図は、光受容部材の層構成の説明図である。 第１１図から第１９図は、夫々層領域（ＰＮ）中に含有
される伝導性を支配する物質（Ｃ）の分布状１ル１を説
明する為の説明図である。 第２０図は実施例で用いた光受容層の堆積装置の説明図
である。 第２１図は、実施例で用いたＡ文支持体の表面状想１の
説明図である。 第２２図から第３０図は、夫々層領域（ＯＣＮ）中の原
子（ＯＣＮ）の分布状態を説明する為の説明図である。 第３１図から第３４図は、夫々本発明の実施例に於ける
８２Ｈ６／Ｈ２ガスの流量の変化率線を示す説明図であ
る。 ｔ５３５図から第３８図は、夫々本発明の実施例に於け
るガス流量比の変化率曲線を示す説明図である。 第３９図は、実施例で使用した画像露光装置の説明図で
ある。 １０００・・・・・・・・・・・・・・・・・・光受容
層ｔｏｏｔ・・・・・・・・・・・・・・・・・・Ａｎ
支持体１００２・・・・・・・・・・・・・・・・・・
第１の層１００３・・・・・・・・・・・・・・・・・
・第２の層１００４・・・・・・・・・・・・・・・・
・・光受容部材１００５・・・・・・・・・・・・・・
・・・・光受容部材の自由表面３９０１・・・・・・・
・・・・・・・・・・・電子写真用光受容部材３９０２
・・・・・・・・・・・・・・・・・・半導体レーザー
３９０３・・・・・・・・・・・・・・・・・・ｆθレ
ンズ３９０４・・・・・・・・・・・・・・・・・・ポ
リゴンミラー３９０５・・・・・・・・・・・・・・・
・・・露光装置の平面図３９０６・・・・・・・・・・
・・・・・・・・露光装置の側面図第、５３ ０１ （Ｃ） Ｒ （Ｃ） Ｃ υ Ｃ Ｃ ７７″ス羞１償ヒ ｙ−’ス湊を文。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）シリコン原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質
   材料で構成された第１の層と、シリコン原子を含む非晶
   質材料で構成され、光導電性を示す第２の層とが支持体
   側より順に設けられた多層構成の光受容層を有する光受
   容部材に於いて、前記第１の層及び前記第２の層の少な
   くとも一方に伝導性を支配する物質が含イ■され、該物
   質が含有されている層領域に於いて、該物質の分布状態
   が層厚方向に不均一であると共に、前記光受容層は、酸
   素原子、炭素原子、窒素原子の中から選択される原子の
   少なくとも一種を含有し、且つショートレンジ内に１対
   以上の非平行な界面を有し、該非平行な界面が層厚方向
   と垂直な面内の少なくとも一方向に多数配列している事
   を特徴とする光受容部材。 （２）前記光受容層が酸素原子、炭素原子、窒素原子の
   中から選択される少くとも一種の原子を層厚方向に均一
   な分布状態で含有する特許請求の範囲第１項に記載の光
   受容部材。 （３）前記光受容層が酸素原子、炭素原子、窒素原子の
   中から選択される少くとも一種の原子を層厚方向に不均
   一な分布状態で含有する特許請求の範囲第１項に記載の
   光受容部材。 （４）前記配列が規則的である特許請求の範囲第１項に
   記載の光受容部材。 （５）前記配列が周期的である特許請求の範囲第１項に
   記載の光受容部材。 （６）前記ショートレンジが０．３〜５００にである特
   許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。 （７）前記非平行な界面は前記支持体の表面に設けられ
   た規則的に配列している凹凸に基づいて形成されている
   特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。 （８）前記凹凸が逆Ｖ字形線状突起によって形成されて
   いる特許請求の範囲第７項に記載の光受容部材。 （８）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質的に二
   等辺三角形である特許請求の範囲第８項に記載の光受容
   部材。 （１０）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質的に
   直角三角形である特許請求の範囲第８項に記載の光受容
   部材。 （１１）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質的に
   不等辺三角形である特許請求の範囲第８項に記載の光受
   容部材。 （１２）前記支持体が円筒状である特許請求の範囲第１
   項に記載の光受容部材。 （１３）逆Ｖ字形線状突起が前記支持体の面内に於いて
   螺線構造を有する特許請求の範囲第１２項に記載の光受
   容部材。 （１４）前記螺線構造が多重螺線構造である特許請求の
   範囲第１３項に記載の光受容部材。 （１５）前記逆Ｖ字形線状突起がその稜線方向に於いて
   区分されている特許請求の範囲第８項に記載の光受容部
   材。 （１６）前記逆Ｖ字形線状突起の稜線方向が円筒状支持
   体の中心軸に沿っている特許請求の範囲第１２項に記載
   の光受容部材。 （１７）前記凹凸は傾斜面を有する特許請求の範囲第７
   項に記載の光受容部材。 （１８）前記傾斜面が鏡面仕上げされている特許請の範
   囲第１７項に記載の光受容部材。 （１８）光受容層の自由表面には、支持体表面に設けら
   れた凹凸と同一のピッチで配列された凹凸が形成されて
   いる特許請求の範囲第７項に記載の光受容部材。