JPS60212829A - 垂直磁気記憶体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は垂直磁気記録再生に用いられる垂直磁気記憶体
の製造方法に関する。

（従来技術とその問題点） 従来、一般のフロ、ビディスク装置、磁気ディスク装置
、砒気テープ装ｆｔ　Ｙ、ｉどの磁気記憶装置（ば基板
上に形成された出気記憶俸にリンク型磁気ヘッドによっ
て媒体の面内（長手）方向に砒化することにより記録を
行なっている。しかし長手磁化による記録は記録波長が
小さくγＳるに従い、即ち記録密度の増加に伴い、謀坏
内の反研界が増大して残留母化の減衰と回転を生じ、再
生出力が著るしく減少するという欠点が存狂する。そこ
でこの問題点解決の１こめ、短波長にｆぼる程反磁界が
小さくなる性質をもつ垂直記録方式が提案され、この垂
直記録に適した磁気記憶謀僅としては膜面に垂直な方向
１こ磁化容易軸をもつＣ０−０ｒスバ、り膜が提案され
ている（特開昭５２−１３４７０６号公報）。

そして最近ではＣｏ−０ｒ垂直磁気記録媒俸の下１こ高
透母率を有するパーマロイ膜（軟磁性膜）を形成し、よ
り高密度記録を達成しつつある、それに伴い、この２層
の膜を連仕的１こ両面にス／″？ツタ法により作製する
製造方法が試みられている（東北大通研シンポジウム予
稿集［垂直磁気記録Ｊ　１９８２年３月参照）。量産性
を考慮した場合、このＣ０−０ｒ膜とＮｉ−Ｆｅ膜の両
面連続スパッタ法はフロッピディスクｌことって非常に
車装な製造方法である。

その従来例を第１図（フロッピディスクの断面構造を示
す。）、第２図（連続スパッタ装置の原理図）及び第３
図（フロッピディスクのパーマロイ膜の磁化容易軸方向
を示す。）に示す。これらの図を用いて従来例を、説明
する。第１図は樹脂基板（ポリエステル、ポリイミド等
）ｌの上に、パーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）膜２をスパッタ
し、その上にＣｏ−０ｒ垂直磁気記録媒俸３をスパッタ
した垂直磁気記憶体の断面構造上すっている。

この第１図の断面構造を連続的に作製する連続スパッタ
装置の原理図を第２図に示す。

第２図醗こおいて、樹脂基板１４が送り出しロール４よ
り送り出され、巻き取りロール１３に巻き取られる。そ
の間に、まずパーマロイターゲット７により片面にパー
マロイ膜２が成膜され、次に０ｏ−Ｏｒフタ−ット８に
よりＣｏ−０ｒ垂直磁気記録謀俸３が形成される。そし
て、次に樹脂テープ１４の反対面にパーマロイターゲッ
ト９１こよりパーマロイ膜２が成膜され、次ｌこＣｏ−
０ｒクーゲッｌ−１０）こより、Ｃｏ−０ｒ垂直磁気記
録謀俸３が形成される７ここで５，１２は基板ホルダー
、６．１１は遮蔽板である。この様船こして作製し１こ
チー１を同心円の輪状に打ち抜くことｔこよりフロッピ
ディスクが出来上る。この様にして作製されたフロッピ
ディスクのパーマロイ膜（第３図の１５）の磁化容易軸
方向を観測すると矢印１６の方向になっている。この）
０ツピテイスクを記録再生すると再生出力のエンベロー
プは５０％近い変動を示す。この様ｆこ従来の連続スパ
ッタ装置に！こより作製し１こ。Ｃｏ−０ｒ膜とパーマ
ロイ膜からなる２層媒俸はスパッタ時に樹脂基板の走行
方向に平行又は直交してパーマロイ膜の磁化容易軸が形
成され、再生出力のエンベロープが非常に劣化するとい
う欠点を有してい１こ。

（本発明の目的） 本発明の目的は上述の欠点を除去した垂直磁気記憶体の
製造方法を提供することｊこある。

（本発明の構成） 本発明の製造方法は基板上にアモルファス軟磁性膜を成
膜する工程と、その上に垂直磁気記録膜を成膜する工程
と、その後同心円輪状に打ち抜いてフロッピディスクに
する工程と、その後に前記同心円の中心から半径方向に
放射状に発散する磁場中でアニールする工程とを含むこ
とを特徴とする。

（本発明の作用・原理） 従来のパーマロイ膜のかわりζこアモルファス軟磁性膜
を用いること、さらζこフロッピディスク形状をこ打ち
抜いた後にフロッピディスクの同心円の中心より半径方
向に放射状ζこ発散する磁場中でアニールをかけ、半径
方向に放射する形に磁化容易軸をつける。

この様ζこすることにより、フロッピディスクのアモル
ファス膜の円周方向の透磁率を一様１こ高い値ｌこ保た
せることができ、さらに再生出力のエンベロープを一定
にすることが出来る。

パーマロイ膜では成膜された後１こ、前記と同様の放射
状磁場によりアニールをかけてもパーマロイの磁化容易
軸は放射状ζこなり番ごくい。従ってフロ、ビディスク
の円周方向の透出率（ゴ変動し、再生出力のエンベロー
プは劣化したままで改善されない。しかし非晶質である
アモルファス軟磁性膜を用いるＣとにより、放射状の磁
化容易軸を形成することが出来るため１こ、アモルファ
ス軟磁性膜の円周方向は硼化困難軸方向となり、透出率
を一定１こ高い値１こ保つことができ、再生出力のエン
ベ０−ブを一定にすることが出来る。

以下本発明を第４〜７図を用いて説明する。

（実施例） 実施例の方法により作製した圭直研気記憶体の断面構造
を第４図ζこ、その製造装置を第５図に、放射状出湯中
アニールの説明を第６図１こ、放射状磁場中アニールに
より作製されたフロッピディスクのアモルファス軟磁性
膜のＳ化容易軸方向の状態を第７図にそれぞれ示す。

本実施例の方法により製造される垂直磁気記憶体の断面
構造は第４図に示す様に樹脂基板１としてポリエステル
の上にアモルファス軟磁性膜１９　。

２０としてＣｏ−Ｚｒ膜が被覆され、該アモルファス軟
磁性膜上にＣｏ−０ｒ垂直磁気記録線膜３が被覆されて
いる。

次憂こ第５図を用いて本実施例の製造方法を説明する。

第５図会こおいて、送り出しロール４より送り出された
樹脂基板１４（ポリエステル）は最終的に巻き取りロー
ル１３４こ巻き取られるが、その途中におい°Ｃます基
板ホールダ５の位置ｔこおいてアモルファス合金ターゲ
ット１７ｆこより樹脂基板の片面にＣ。

−Ｚｒ　アモルファス軟磁性膜が成膜され、次にＣ。

−Ｏｒ　夕一ゲ、ト８Ｉこより、遮蔽板６を通して０Ｏ
−Ｏｒ　垂直磁気記録膜がアモルファス軟磁性膜の上に
成膜される。次に樹脂基板１４が基板ホールダ１２の位
１１＃こ来たとき、アモルファス合金ターゲ。

ト１８１こより樹脂基板の反対側の面にＣｏ−Ｚｒアモ
ルファス軟磁性膜が成膜され、次の０ｏ＝Ｏｒターケ、
、？ｉｏ＋こより、該アモルファス軟磁性膜の上にＣｏ
−０ｒ垂直磁気記録膜が成膜される。Ｃの様ｌこして作
製したテープ状の垂直磁気記憶体俸を、同心円の輪状に
打ち抜いた後に、第６図（ａ）　、　（ｂ）に示される
様ζこ、前記同心円の中心より放射状に発散する磁場を
形成するための磁石２４〜３１の間に垂直磁気記憶体お
をセットし、１００〜２５０℃の温度において２〜３時
間以上アニールする。以上の製造工桿によりフロッピデ
ィスクが出来上る。この様に作製されたフロアビディス
ク２１の磁化容易軸の方向２２は第７図に示す様に同心
円の中心から放射状の方向となっている。

（発明の効果） 以上の実施例の製造方法により製作した垂直磁気記憶体
俸の再生出力のエンベロー１は一様醗こなり、円周方向
の透磁率μは高い値を一定蚤こ保つことができる。

なお、第５図では基板上してポリエステルの樹脂材料を
用いた場合ｌこついて例示したが、基板はこのような樹
脂フィルムに限られるわけでなく、ＡＩ合金板等を同心
円状ディスクｉこ切り田し表面を研磨したものの如く、
固形ディスク基板を用いてもよい。このような固形ディ
スク基板を用いる場合も、アモルファス軟磁性膜１９の
次に０ｏＯｒ膜３か形成され、その反対面に同じくアモ
ルファス軟＠８．膜２０の欠に０ｏＯｒ膜３が形成され
その後で、このディスク面ｌこ平行な回転磁場中でアニ
ールするこ七φこより、望ましい垂直磁気記憶体が得ら
れる。さらにアモルファス膜の材料はＣｏ−Ｚｒに限ら
れすＣｏ−Ｚｒ−Ｎ・し他の材料が使用できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の垂直磁気記憶体の断面を示す概略図、第
２図は、従来の連続スパッタ装置の構成図、第３因は従
来の垂直磁気記憶体のパーマロイ膜の磁化容易軸方向を
示す図、、第４図は本発明の実施側による垂直磁気記憶
体の断面を示す概略図、第５図は本実施例の連続スパッ
タ装置の構成図、第６図（ａ）　、　（ｂ）は本実施例
ζこより成膜された状態の垂直磁気記憶体をアニールす
る場合の磁石と垂直磁気記憶体の配置状態を示す図、第
７図に本実施例のフロッピディスクのアモルファス軟磁
性膜の磁化容易軸方向を示す図。 １は樹脂基板、２はパーマロイ膜、３ｆまＣｏ−０ｒ垂
直磁気記録膜、４は送り出しロール、５　、１．２ｆ；
Ｊ基板ホールダ、７．９Ｌｔパーマロイターゲツト、８
　、１０ｆ；Ｊ　Ｃｏ−０ｒターゲツト、６．１］ｉ！
遮蔽板、１３は巻き取りロール、１４は樹脂基板、１６
はパーマロイ膜の磁化容易軸方向、１７　、１８はアモ
ルファスルファス軟磁性族の磁化容易軸方向を示す。 第３図 １６ 第６図（ａ） ４

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板の上に軟磁性膜と垂直磁気記録膜とを岐覆して構成
   する垂直磁気記憶体の製造方法において、前記基板上に
   前記軟磁性膜としてアモルファス軟磁性膜を被覆する工
   程と、該アモルファス軟磁性膜の上器こ倦続動壬前記垂
   直磁気記録膜を仮世する工程と、成膜された該基板を同
   心円の輪状に打ち抜く工程と、成膜後の前記基板に前記
   同心円の中心から半径方向１こ放射状に発散する磁場中
   でアニールする工程とを含むこ占を％倣とする半直磁気
   記憶帰の製造方法。