JPS6120225A - 垂直磁気記憶体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は垂直磁気記録再生に用いられる垂直磁気記憶体
の製造方法に関する。

（従来技術とその問題点） 従来、一般のフロッピディスク装置、磁気ディスク装置
、磁気テープ装置などの磁気記憶装置は基板上に形成さ
れた磁気記憶体にリング型磁気へラドによって媒体の面
内（長手）方向に磁化することにより記録ヲ行なってい
る。しかし長手磁化による記録は記録波長が小さくなる
に従い、即ち記録密度の増加に伴い、媒体内の反磁界が
増大して残留磁化の減衰と回転を生じ、再生出力が著る
しく減少するという欠点が存在する。そこでこの問題点
解決のため、短波長になる根皮磁界が小さくなる性質を
もつ垂直記録方式が提案され、この垂直記録に適した磁
気記憶媒体としては膜面に垂直な方向に磁化容易軸をも
つＣｏ−Ｃｒスパッタ膜が提案されている（Ｉｆ！Ｉ開
昭５２−１３４７０６号公報参照）そして最近ではＣｏ
−Ｃｒ垂直磁気記録媒体の下に高透磁率を有するパーマ
ロイ（軟磁性ｆｉ）膜を形成し、より高密度記録を達成
しつつある。

それに伴い、この２層の膜を連続的に両面にスパッタ法
により作製する製造方法が試みられている（東北犬通研
シンポジウム「垂直磁気記録」１９８２年３月参照）。

°量産性を考慮した場合、このＣｏ−Ｃｒ膜とＮ　ｉ　
−Ｆ　ｅ膜の両面連続スパッタ法はフロッピディスクに
とって非常に重要な製造方法である。

その従来例を第１図（フロッピディスクの概略図）第２
図（連続スパッタ装置の原理図）及び第３図（フロッピ
ディスクのパーマロイ族の磁化容易軸方向）に示す。こ
れらの図を用いて従来例を、説明する。第１図において
、樹脂基板（ポリエステル、ポリイミド等）ｌの上に、
パーマロイ（Ｎｊ　−Ｆｅ）膜２をスパッタし、その上
にＣｏ−Ｃｒ垂直磁気記録媒体をスパッタした断面構造
となっている。

この第１図の断面構造を連続的に作製する連続スパッタ
装置の原理図を第２図に示す。

第２図において、樹脂基板１４が送シ出しロール４より
送り出され、巻き取りロール１３に巻き取られる。その
間に、まず遮蔽板を介して設置されたパーマロイターゲ
ット７により片面にパーマロイ膜が成膜され、次にＣｏ
−Ｃｒターゲット８によりＣｏ−Ｃｒ垂直磁気記録媒体
が形成される。そして、次に樹脂テープ１４の反対面に
同様に遮蔽板１１を介して設置されたパーマロイターゲ
ット９によりパーマロイ膜が成膜され、次にＣｏ−Ｃｒ
ターゲット１０により、Ｃｏ−Ｃｒターゲットにより、
Ｃｏ　−Ｃｒ垂直磁気記憶体が形成される。５．１２は
基板ホルダである。この様にして作製したテープを同心
円状に打ち抜くことによりフロッピディスクが出来上る
。

この様にして作製されたフロッピディスクのパーマロイ
膜（第３図の１５）の磁化容易軸方向を観測すると矢印
１６の方向になっている。このフロッピディスクを記録
再生すると再生出力のエンベロー１は５０％近い変動を
示す。この様に従来の連続スパッタ装置により作成した
Ｃｏ−Ｃｒ膜とパーマロイ膜の２層媒体はスパッタ時の
樹脂基板の走行方向に平行又は直角にパーマロイ膜の磁
化容易軸が形成され、再生出力のエンベロープが非常に
劣化するという欠点を有していた。

（本発明の目的） 本発明の目的は上述の欠点を除去した垂直磁気記憶体の
製造方法を提供することにある。

（本発明の構成） 本発明により作製される垂直磁気記憶体は樹脂基板上に
アモルファス軟磁性膜を被覆し、このアモルファス軟磁
性膜の上に垂直磁気記録膜を成膜した構造を有し、該ア
モルファス軟磁性膜が放射状の磁化容易軸を持つ構造と
なっている。すなわち本発明の製造方法は樹脂基板上に
アモルファス軟磁性膜を成膜する工程と、その上に垂直
磁気記録膜全成膜する工程と、円輪状に打ち抜いてフロ
ッピディスク形状に整形する工程と、前記フロッピディ
スク形状の中心より放射状に発する磁場中でアニールす
る工程と、前記フロッピディスクの平面に平行な面にお
いて回転する磁場中でアニールする工程とを含むことを
含むことを特徴とする。

（本発明の作用・原理） 従来のパーマロイ膜のかわりにアモルファス軟出性膜を
用い、さらに７０ツピデイスク形状に打ち抜いた後にフ
ロッピディスクの平面に平行な面において、７０ツピデ
イスクの中心より放射状に発する向心磁場中でアニール
をかけた後、次にフロッピディスクの平面に平行な面に
おいて回転する磁場中でアニールを行なう。これによっ
てアモルファス軟磁性膜に放射状の磁気異方性を付与し
、かつそのＨｋ　ｌ小さくすることができる。

この様な方法により、フロッピディスクのアモルファス
軟磁性膜の円周方向の透磁率を一様に高い値に保たせる
ことができ、さらに再生出力のエンベロープを一定にす
ることが出来る。

パーマロイ膜では成膜された後に、前記と同様の放射状
磁場によりアニールを行なっても、パーマロイの磁化容
易軸は放射状になりにくい。従ってフロッピディスクの
円周方向の透磁率は変動し、再生出力のエンベロープは
劣化したままで改善されない。しかし非晶質であるアモ
ルファス軟磁性膜を用いることによシ放射状に一軸磁気
異方性を形成することが出来るために、アモルファス軟
磁性膜の円周方向は磁化困難軸方向となり、しかも回転
磁場中アニールによりＨｋを小さくできるために、透磁
率を一定に高い値に保つことができる。

以下本発明を第４〜８図を用いて説明する。

（実施例） 本実施例を図面を用いて説明する。断面構造を第４図に
、そのスパッタ装置の原理図を第５図に、放射状−軸磁
場中アニールの原理図を第６図に、放射状−軸磁場中ア
ニール後のアモルファス軟磁性膜の磁化容易軸方向を第
７図に、回転磁場中アニールの原理図を第８図にそれぞ
れ示す。

本実施例のフロッピディスクの断面構造は第４図に示す
様に樹脂基板１の上にアモルファス軟磁性膜１９．２０
（ここではＣｏ−ＺｒＰモルファスを膜を用いた）が被
覆され、該アモルファス軟磁性膜上にＣｏ−Ｃｒ垂直磁
気記録膜３が被覆されている。

次に第４図と第５図を用いて本実施例の製造方法を説明
する。第５図において、送シ出しロール４より送り出さ
れた樹脂チーブ１４は最終的に巻き取りロール１３に巻
き取られるが、その途中においてまず基板ホールダ５の
位置において合金ターゲット１７により樹脂テープの片
面にアモルファス軟磁性膜が成膜され、次に垂直記録媒
体用合金ターゲット３４により遮蔽板６を通して、垂直
磁気記録膜がアモルファス軟磁性膜の上に成膜される。

次に樹脂チー１１４が基板ホールタ１２の位置に来たと
き、合金ターゲラ）］８により樹脂テーク゛の反対側の
面にアモルファス軟磁性が成膜式れ、次の垂直記録媒体
用合金ターゲラ）３５により、該アモルファス軟磁性膜
の上に垂直磁気記録膜が成膜される。この様にして作製
したテープ状の垂直磁気記憶体を、同心円によって構成
される円輪状（フロッピディスク）に打ち抜いた後に、
第６図（ａ）、（ｂ）に示される様に放射状に磁場を形
成するための磁石（ここではＳｍＣｏ合金の永久磁石管
用いた）。　２４．２８．２５．２９．２６．３０．２
７．３１゜の間に、このフロッピディスク２３をセット
し、１００〜２５０℃の温度において、１〜３時間以上
アニールを行なう。その放射状磁場中アニール後のフロ
ッピディスク２１のアモルファス軟磁性膜１９，２０゜
の磁化容易軸方向は第７図に示される様に矢印２２の方
向になっている。次に第８図（ａｌ、（ｂ）に示される
様に一方向？Ｉｆｔ場を形成するための磁石（ＳｍＣ。

合金の永久磁石を用いた。）２２．２３によりフロッピ
ディスクの平面と平行になる磁場を与え、その磁石３２
．３３を又はフロッピディスクを回転することにより相
対的な回転ａ場を形成し、その回転磁場中において２〜
３時間以上アニールする。

以上の製造工程によりフロッピディスクが出来る。

この様に作製された７０ツピテイスク２】のアモルファ
ス軟磁性膜の磁気異方性はフロッピディスクの中心より
放射状に磁化容易軸を有し、しかも磁化困難軸（円周方
向）のＨｋが小さく、透磁率は高い。

（発明の効果） 以上のように本発明の製造方法により製作した垂直磁気
記憶体の再生出力のエンベロープは一様になり、アモル
ファス軟磁性膜の円周方向（Ｓ化困難方向）のＨｋは小
さく、一定に保つことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の垂直磁気記憶体の概略図、第２図は従来
の連続スパッタ装置の原理図、第３図は従来のフロッピ
垂直磁気記憶体のパーマロイ膜の鐵化容易方向を示す図
、第４図は本実施例の垂直磁気記憶体の概略図、第５図
は本実施例の連続スパッタ装置の原理図、第６図（ａｌ
、（ｂ）は本実施例によｐ成膜されたままの状態のフロ
ッピディスクをアニールする場合の磁石の配置状態を示
す図、第７図は放射状磁場中アニール後のアモルファス
軟磁性膜の磁化容易軸方向を示す図、第８図は（ａ）、
（ｂ）は回転磁場中アニールの原理図である。 １は樹脂基板、２はパーマロイ膜、３はＣｏ−Ｃｒ垂直
磁気記録膜、４は送シ出しロール、　　５，１２゜は基
板ホールダ、　　７．’Ｊｔ−ｔパーマロイターゲット
、８．１０ＨＣｏ−Ｃｒターゲット、　６，１１は遮蔽
板１３は巻き取りロール、１４は樹脂基板、１５は７０
ツピデイスク、１６はパーマロイ膜の磁化容易方向、１
７．１８は合金ターゲット、　１９．２０はアモルファ
ス軟磁性膜、２３．２１　ｔ’ｆフロッピティスク、（
２４，２８）（２５，２９，）（２６，３０）（２７，
３１）（３２，３３）は磁石（ＳｍＣｏ等）、３４．３
５は垂直記録媒体用合金ターゲットをそれぞれ示す。 オ　１　図 第３図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 樹脂基板の上に軟磁性膜と垂直磁気記録膜とを被覆する
   工程を有する垂直磁気記憶体の製造方法において、樹脂
   基板上に軟磁性膜としてアルモファス軟磁性膜を被覆す
   る工程と、該アモルファス軟磁性膜の上に垂直磁気記録
   膜を被覆する工程と、成膜された該樹脂基板を円輪状に
   打ち抜く工程と、この後該樹脂基板を樹脂基板に平行な
   面内で、基板の中心から半径方向に放射状に形成した一
   軸磁場中でアニールする工程と該樹脂基板を樹脂基板と
   平行な面内で回転する磁場中でアニールする工程とを含
   むことを特徴とする垂直磁気記憶体の製造方法。