JPS60212830A - 垂直磁気記憶体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は垂直磁気記録再生に用いられる垂直磁気記憶体
の製造方法ｌこ関する。

（従来技術とその問題点） 従来、一般のフロッピディスク装置、磁気ディスク装置
、磁気テープ装置などの磁気記憶装置ｆは基板上ｔこ形
成された磁気記憶体ｌこリング型磁気ヘッドによって媒
体の面内（長手）方向ｔこ硼化することにより記録を行
なっている。しかし長手砒化憂こよる記録は記録波長が
小さくなるに従い、即ち記録密度の増加ζこ伴い、謀俸
内の反磁界が増大して残留磁化の減哀と回転を生じ、再
生出力が著るしく減少するという欠点が存在する。そこ
でこの問題点解決のため、短波長になる稈反研界が小さ
くなる性質をもつ垂直記録方式が提案され、この垂直記
録に適した磁気記憶装置としては膜面Ｉこ垂直な方向に
感化容易軸をもつＣｏ−０ｒスパツタ膜が提案されてい
る（特開昭５２−１３４７０６号公報参照）。そして最
近で（まＣｏ−０ｒ垂＠磁気記録謀俸の下に高透磁率を
有するパーマロイ膜（軟磁性膜）を形成し、より高密度
記録を達成しつつある。

それに伴い、Ｃの２膚の膜を連続的に両面にスパッタ法
により作製する製造方法が試みられている。

（東北大通研ンンボジウム予稿集「垂直磁気記録」１９
８２年３月参照）。量産性を考慮した場合、このＣｏ−
０ｒ膜とＮｉ−Ｆｅ膜の両面連続スパッタ法は７０ツピ
デイスクにとって非常に収装な製造方法である。

その従来例を第１図（フロッピディスクの断面構造）、
第２図（連続スパッタ装置の原理図）及び第３図（フロ
ッピディスクのパーマロイ膜の砒化容易軸方向）ｌこ示
す。これらの図を用いて従来例を説明する。第１図に２
いて示した如く、垂直記憶体は樹脂基板（ポリエステル
、ポリイミド等）ｌの上に、パーマロイ（１’Ｊｉ−Ｆ
ｅ）膜２をスバ、りし、その上にＣｏ−０ｒ垂Ｎ磁気記
録謀俸をスパッタした断面構造となっている。

この第１図の断面構造を連続的に作製する連続スパッタ
装置の原理図を第２図ｔこ示す。

第２図において、樹脂基板１４が送り出しロール４より
送り出され、巻き取りロール１３ｉこ巻き収られる。そ
の間に、まずパーマロイターゲット７Ｉこより片面にパ
ーマロイ膜２が底膜され、次に０ｏ−Ｏｒメタ−ット８
により０ｏ−Ｏｒ垂直磁気記録謀体３が形成される。そ
して、次に樹脂テープ１４の反対面にパーマロイターゲ
ット９によりパーマロイ膜２が成膜され、次ｔこＣｏ−
０ｒターゲツトＩＯ＋こより、Ｃｏ−Ｃｒ垂直磁気記録
謀俸３が形成される。

なお、５，１２は基本ホルダ、６，１１は遮蔽板である
。この様にして作製したテープを同心円の輪状−こ打ち
抜くことｊこよりフロッピディスクが出来上る。この様
にして作製されたフロッピディスクのパーマロイ膜２（
第３囚の１５）の磁化容易軸方向を観測すると央部１６
の方向になっている。このフロ、ビティスクを記録再生
すると再生出力のエンベロープは５０％近い変動を示す
。この様に従来の連続スパッタ装置により作成したＣｏ
−０ｒ膜とパーマ０イ膜の２層謀俸はスパッタ時の償１
脂基板の走行方向に平行又は直交してパーマロイ膜の磁
化容易軸が形成され、再生出力のエンベロープが非常４
こ劣化するという欠点を有していた。

（本発明の目的） 本発明の目的は上述の欠、つ、を除去した垂Ａｍ気記憶
俸の製造方法を提供することイこある。

（本発明の１１［） 本発明の製造方法は基板上ｌこアモルファス軟磁性膜を
成膜する工程♂、その上に垂直磁気記録膜を成膜する工
程と、その後前記基板の平面１こ平行な面内において回
転する磁場中でアニールする工程とを含むことを特徴と
する。

（本発明の作用・原理） 従来のパーマロイ膜のかわり暑こアモルファス軟磁性膜
を用い、かつＭ、膜プロセス終了後のディスクに対しそ
の平面１こ平行を面内において回転するｉ埴生でアニー
ルをかけ、アモルファス軟磁性膜が等方向す磁気異方性
を有する採にすることにまり、前記アモルファス膜の円
周方向の透磁率を一様に高い値に保たせることができ、
さらシこ再生出力のエンベロープを一定昏こすることが
出来る。パーマロイ膜ではｔＪＸ、膜された後着こ、前
記と同様の放射状磁場によりアニールをかけてもパーマ
ロイの磁化容易軸は放射状になりＥこクク、従ってこれ
を用いた従来のディスクではその円周方向の透磁率が変
動し、再生出力のエンベロープは劣化したま才で改善さ
れない。

以下本発明を第４図〜第６図を用いて説明する。

（実施例） 本実施例の断面構造を第４図に、そのスパッタ装置の原
理図を第５図に、（ロ）転破埴生アニールのゆ〕、ψ） 原理図を第６１ＪｉＣ，それぞれ示す。

本実施例の方法で作製した垂［６磁気記憶体の断面構造
は第４採に示す様に基板ｌ（ポリエステル）の上にＣｏ
−Ｚｒアモルファス軟磁軟膜性膜１９２０が被８ｔされ
、該アモルファス軟磁性膜上にＧｏ−Ｃｒ垂＠母気記録
妹膜３が被覆されている。

次ｆこ第４図と第５図を用いて基板として樹脂基板（前
記ポリエステルフィルム）を用いた場合を例にして本実
施例の製造方法を説明す６゜第５図Ｉこおいて、送り出
しロール４より送り出された樹脂基板１４は最終的に巻
き取りロール１３に巻き取られるが、その途中ｌこおい
てます基板ホールダ５の位置１こおいてアモルファス合
金ターゲット１７より樹脂基板の片面Ｉこアモルファス
軟磁性膜２０（Ｃｏ−Ｚｒ）が成膜され、次にＣｏ−０
ｒターゲツト８により遮蔽枚６を通してＣｏ−０ｒ垂直
磁気記録膜３がアモルファス軟磁性膜の上に成膜される
。次ｌこ樹脂基板１４が基板ホールダ１２の位置ζこ来
たとき、アモルファス合金ターゲット１８ｉこより樹脂
基板の反対側の面にアモルファス軟磁性膜１９　（Ｃｏ
−Ｚｒ　）　１．ｓ成膜され、次の（３ｏ−Ｏｒフタ−
ット１０により、該ア（ン モルファス軟磁性腺上にＣｏ−０ｒ垂直磁気記録膜３が
成膜される。この様にして作製したテープ状の垂直磁気
記録媒体を、同心円の輪状ディスクｔこ打ち抜いた後着
こ、第６図に示される採に一方向磁場を形成するための
磁石２２．２３＋こより垂直磁気記憶体の平面と平行に
なる磁場を与え、その磁石２２゜２３を回転することζ
こより回転磁場を作製し、その回転磁場中ｔこ該垂直磁
気記憶体を１００〜２５０℃の温度範囲において２〜３
時間以上アニールする。

以上の製造工程により〕０ツピデイスクが出来上る。こ
の様に作製されたフロッピディスク２１のアモルファス
軟磁性膜１９　、２０の磁気異方性は等方向になる。

（発明の効果） 以上の実施例の製造方法により製作した垂直磁気記録媒
体の再生出力のエンベロープは一様になり、円周方向の
透磁率μ（ゴ高い値を一定に保つことができる。

なお、第５図では基板としてポリエステルの樹脂材料を
用いた場合ｔこついて例示したが、基板はこのような樹
脂フィルムｌこ限られるわけでなく、１合金板等を則心
円状ディスクに切り出し表面を研磨したもののクロ＜、
固形ディスク基板を用いてもよい。このようＩＳ固形デ
ィスク基板を用いる場合も、アモルファス軟磁性膜１９
の次にＣｏＣｒ膜３が形成され、その反対面に同じくア
モルファス軟磁性膜２０の次に０ｏＯｒＪＩＩ４３が形
成されその後で、このディスク面に平行な回転ａｔ磁場
中アニールすることにより、望ましい垂直磁気症ｔま体
が傅られる。ま１こアモルファス膜の材料はＣｏ−Ｚｒ
１こ限られす、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂψ材料が使用できる。

本実施例ではテープ状の媒体を同・０円の輪状に打抜い
た後に磁場中アニールを行なったがフロ。

ビディスク形状にする前に磁場中アニールをすることも
できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の垂直磁気記憶体の概略図、第２図は、従
来の）！！！続スパッタ装置の構成図、第３図は従来の
フロッピ垂直磁気記憶体のパーマロイ膜の磁化容易軸方
向を示す図、第４図（１本発明の実施例の方法４こより
作製された垂直磁気記憶体の概略図、第５図（ば不実施
例の連続スパッタ装置の構成図、第６図（ａ！　、　（
ｂ）は不実施例１こより成膜された垂直磁気記憶体をア
ニールする場合の磁石の配置状態をそれぞれ示す。 １は樹脂基板、２はパーマロイ願、３（まＣｏ−０ｒ垂
＠磁気記録膜、４は送り出しＯ−ル、５　、１２ｆ１基
板ホールダ、７，９はパーマロイターゲット、８．１０
はＣｏ　Ｏｒツタ−ット、６．１１＋！遮蔽板、１３は
巻き取りロール、１４は樹脂基板、１５はフロ。 ビディスク、１６はパーマロイ膜の磁化容易軸方向、１
７　、１８はアモルファス合金ターゲット、１９　、２
０はアモルファス軟磁性膜、２？　、　２３は磁石、２
１（ま垂直磁気記憶体を示す。 第３図 １６ 第６図 （ａ）２２ ／

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板の上をこ軟磁性膜と垂直磁気記録膜とを被覆して構
   成する垂直磁気記憶体の製造方法１こおいて、前記基板
   上ｌこ前記軟磁性膜としてアモルファス軟磁性膜を被覆
   する工程上、該アモルファス軟磁性膜の上φこ優嫡ゐ冬
   前記垂直磁気記録膜を被覆する工程と、成膜後の前記基
   板を、前記基板面に平行な面内で回転する磁場中でアニ
   ールする工程とを含むことを特徴とする垂直磁気記憶体
   の製造方法。