JPS60213067A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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Publication number
JPS60213067A
JPS60213067A JP59069343A JP6934384A JPS60213067A JP S60213067 A JPS60213067 A JP S60213067A JP 59069343 A JP59069343 A JP 59069343A JP 6934384 A JP6934384 A JP 6934384A JP S60213067 A JPS60213067 A JP S60213067A
Authority
JP
Japan
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inp
type
diffusion
layer
carrier concentration
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59069343A
Other languages
English (en)
Inventor
Minoru Kubo
実 久保
Katsuya Hasegawa
克也 長谷川
Nobuyasu Hase
長谷　亘康
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication of JPS60213067A publication Critical patent/JPS60213067A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
    • H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
    • H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H10F30/22—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes
    • H10F30/223—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes the potential barrier being a PIN barrier

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  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体装置とくに光通信部品などに適シたｐ
ｉｎフォトダイオードの製造方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点 従来のＩｎＰ系ｐｉｎフォトダイオードの製造方法は、
まず第１図に示すようにｎ型ＩｎＰ基板１上に、低キャ
リア濃度ＩｎＰ層２、低キヤリア濃度ＩｎＧａＡｇ　３
をエピタキシャル成長し、マスク４で受光部５を覆い他
を選択的にメサエッチングを行う。次にマスクを除去し
、第２図に示すように、受光部６とＩｎＧａＡｓエツチ
ング側面６及び暗電流低減のためにバンドギャップが大
きいＩｎＰ周辺部７にもｐ型拡散を行い、表面のｐｎ接
合をＩｎＰ上に形成した。しかしこの製造方法で１ｊＩ
ｎＰとＩｎＧａＡｓ中でのｐ型不純物の拡散速度が大き
く異なるため、拡散深さの制御が難しいという欠点があ
った。
発明の目的 本発明は、ＩｎＰ系ｐｉｎフォトダイオードの製造方法
で、ｐ型拡散の制御を容易にすることを目的としている
。
発明の構成 本発明は、ＩｎＰ基板上に、低キャリア濃度ＩｎＰ層、
低キヤリア濃度Ｉ　ｎＧａＡｓ　、ｐ型ＩｎＧａＡｓの
多層エピタキシャル膜を形成し、受光部を残し選択的に
メサエッチングを行なった後に、低キヤリア濃度Ｉ　ｎ
ＧａＡｓメサエッチング側面及びその周辺のＩｎＰＪｉ
ｉＫｐ型拡散を、拡散速度の大きいＩｎＰ中での拡散条
件で施し、その制御を容易にする事を可能にしている。
実施例の説明 本発明を図にもとづいて説明する。まず第３図に示すよ
うに、ｎ型ＩｎＰ基板１上に低キャリア濃度ＩｎＰ層２
、低キヤリア濃度ＩｎＧａＡｓ層３、ｐ型ＩｎＧａＡｓ
層８の多層エピタキシャル膜を形成する。
次に第４図の様に、受光部６をマスク４で覆い他を選択
的にメサエッチングする。さらに第６図に示すように、
ＩｎＰ表面にｐｎ接合を形成するだめのマスク９を形成
しｐ型拡散を行う。ｐ型不純物、例えばＺｎはＳＯＯ℃
の拡散条件で、Ｉｎｐ中ではＩｎＧａＡｓ中の２〜３倍
程度拡散速度が大きいので、ＩｎＰ表面でのｐｎ接合の
拡散深さの制御の条件はＩｎＰ中の拡散条件を用いる。
その後マスク４，９を除去し、電極１０を形成すると、
第６図に示すようなｐｉｎフォトダイオードが得られる
。
なお、ＩｎＧａＡｇ層３の代わりにＩｎＧａＡｓＰ層を
用いてもよいし、基板１としては半絶縁性基板上にｎ型
ＩｎＰ層を形成したものでもよい。
発明の効果 以上のように本発明は、ＩｎＰ系ｐｉｎフォトダイオー
ドの受光部のｐ型拡散をｐ型層のエピタキシャル成長で
置き換え、ＩｎＰ層への拡散条件でｐｎ接合を受光部と
同−表面内ＩｎＰ上に形成したものであり、従って受光
部への拡散深さの条件に依らずＩｎＰ中への拡散深さの
制御のみを考慮すればよく、拡散の制御が容易になるも
のである。また、暗電流は、ＩｎＰ上のｐｎ接合が表面
に露出しているので、ＩｎＧａＡｓ上のｐｎ接合が露出
している場合より小さくなるものである。
【図面の簡単な説明】
第１図、第２図は、従来のｐｉｎフォトダイオードの製
造方法を示した工程断面図、第３図〜第６図は本発明の
一実施例の製造方法を示した工程断面図である。 １・・・・・・ｎ型ＩｎＰ基板、２・・・・・・低キャ
リア濃度ＩｎＰ層、３・・・・・・低キヤリア濃度Ｉｎ
ＧａＡｓ層、４・・・・・・マスク、６・・・・・・Ｉ
ｎＧａＡｓエツチング側面、７・・・・・・ＩｎＰ上周
辺部、８・・・・・・ｐ型Ｉ　ｎにａＡｓ　Ｏ代理人の
氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第１図 第２図 、ダ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ｎ型又は半絶縁性ＩｎＰ上に、低キャリア濃度ＩｎＰ第
    １層、低キヤリア濃度ＩｎＧａＡｓ又はＩｎＧａＡｓＰ
    よりなる第２層、ｐ型ＩｎＧａＡｓよりなる第３層のメ
    サエッチングする工程と、前記メサエッチングにより残
    った前記第２層のエツチング側面及びその周辺の前記第
    １層にｐ型拡散を行う工程とを有し、ＩｎＰ系■−■族
    化合物半導体によるｐｉｎフォトダイオードを形成する
    ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
JP59069343A 1984-04-06 1984-04-06 半導体装置の製造方法 Pending JPS60213067A (ja)

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JP (1) JPS60213067A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5316956A (en) * 1992-02-07 1994-05-31 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method for manufacturing semiconductor light-receiving elements
WO2010041756A1 (ja) * 2008-10-10 2010-04-15 独立行政法人産業技術総合研究所 光検出素子

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US8530933B2 (en) 2008-10-10 2013-09-10 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology Photo transistor
JP5386764B2 (ja) * 2008-10-10 2014-01-15 独立行政法人産業技術総合研究所 光検出素子

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