JPS60214573A - 反射型光結合半導体装置の樹脂成形方法 - Google Patents
反射型光結合半導体装置の樹脂成形方法Info
- Publication number
- JPS60214573A JPS60214573A JP59070046A JP7004684A JPS60214573A JP S60214573 A JPS60214573 A JP S60214573A JP 59070046 A JP59070046 A JP 59070046A JP 7004684 A JP7004684 A JP 7004684A JP S60214573 A JPS60214573 A JP S60214573A
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- JP
- Japan
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- resin
- metal lead
- molding
- metal
- resin molding
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F55/00—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は反射型光結合半導体装置の樹脂成形方法に係
り、特にマークリーダ、煙感知器、物体の計数などに用
いられる反射型センサの樹脂成型に適用する。
り、特にマークリーダ、煙感知器、物体の計数などに用
いられる反射型センサの樹脂成型に適用する。
従来の反射型光結合半導体装置の樹脂成形された形状を
第１図に示す、。図において、（１）は例えばエポキシ
樹脂で成形された外囲器ケース、（２ａ）。
第１図に示す、。図において、（１）は例えばエポキシ
樹脂で成形された外囲器ケース、（２ａ）。
（２ｂ） 、 （２ｃ） 、 （２ａ）いずれも金属リ
ードで、鉄または銅系の合金板で例えば厚さ０．２ ｍ
のものがエツチングまたはプレス加工；二より形成され
ている。
ードで、鉄または銅系の合金板で例えば厚さ０．２ ｍ
のものがエツチングまたはプレス加工；二より形成され
ている。
また１発光と受光の機能をもつ側の面には銀めつき処理
等が施されている。そして、この金属リードは第２図お
よび＄３図に示される成形金型（３）の上型Ｃ３１）と
下型０３の間に、上、下型の各対向する突起（３１ａ）
と（３２ａ）、（３２ｂ） 、また、（３１ｂ）と（３
２Ｃ） 。
等が施されている。そして、この金属リードは第２図お
よび＄３図に示される成形金型（３）の上型Ｃ３１）と
下型０３の間に、上、下型の各対向する突起（３１ａ）
と（３２ａ）、（３２ｂ） 、また、（３１ｂ）と（３
２Ｃ） 。
（３２ｄ）によって圧接されて樹脂成形が施される。
次いで、金型な開いて取出された成形体は第４図に示さ
れるよう：二、金属リードの発光と受光の機能をもたせ
る側の面（図の上面）には金属９−ドの周縁に枠型の成
形樹脂（１ａ）が形成され、また。
れるよう：二、金属リードの発光と受光の機能をもたせ
る側の面（図の上面）には金属９−ドの周縁に枠型の成
形樹脂（１ａ）が形成され、また。
反対側の面（下面）には第５図１＝示すように、前記金
型円柱状の突起（３２ａ） 、 （３２ｂ） 、 （３
２ｃ） 、 （３２ｄ）に＾ よって形成される凹部（４ａ） 、 （４ｂ） 、 （
４ｃ） 、 （４ｄ）にある樹脂ブロック部（１ｂ）が
形成される。
型円柱状の突起（３２ａ） 、 （３２ｂ） 、 （３
２ｃ） 、 （３２ｄ）に＾ よって形成される凹部（４ａ） 、 （４ｂ） 、 （
４ｃ） 、 （４ｄ）にある樹脂ブロック部（１ｂ）が
形成される。
次に第５図に示す裏返し状態：二保持し凹部（４ａ）
。
。
（４ｂ） 、 （４ｃ） 、 （４ｄ）に樹脂を注入し
、１２５℃にて約１６時間加熱を施し固化させる。
、１２５℃にて約１６時間加熱を施し固化させる。
次に第４図に示す正常位にもどし、枠型の成形樹脂部（
１ａ）に囲まれた開底に露出している金属リード（２ａ
） 、 （２ｃ）のチップベッド部迄二発光素子、受光
素子（いずれも破線にて図示）を、また、これらの電極
をボンディングワイヤにて対向する金属リード（２ｂ）
、 （２ｄ）に導出する。
１ａ）に囲まれた開底に露出している金属リード（２ａ
） 、 （２ｃ）のチップベッド部迄二発光素子、受光
素子（いずれも破線にて図示）を、また、これらの電極
をボンディングワイヤにて対向する金属リード（２ｂ）
、 （２ｄ）に導出する。
次に上記枠型の成形樹脂部（１ａ）の回内に一例の赤外
透光性のエポキシ樹脂を注入し、１２５℃にて約１６時
間加熱を施して固化させる。
透光性のエポキシ樹脂を注入し、１２５℃にて約１６時
間加熱を施して固化させる。
斜上の従来の樹脂成形ケースでは、金属リードで受発光
の機能をもたせる部分の表裏両面を樹脂成形時に成形金
型が直接接触する構造にすることにより形成した。この
ため、核部の金属リード表面に生じやすい成形樹脂の回
りこみによる樹脂パリは防止できた。しかし、表裏面と
も開放のため片面検出の一般タイブの製品、例えば反射
型センサに使用する場合には、裏面側の開放部分（４ａ
） 。
の機能をもたせる部分の表裏両面を樹脂成形時に成形金
型が直接接触する構造にすることにより形成した。この
ため、核部の金属リード表面に生じやすい成形樹脂の回
りこみによる樹脂パリは防止できた。しかし、表裏面と
も開放のため片面検出の一般タイブの製品、例えば反射
型センサに使用する場合には、裏面側の開放部分（４ａ
） 。
（４ｂ） 、 （４ｃ） 、 （４ｄ）に遮光性の樹脂
を充填する必要があった。これは、使用時に外部光の回
わりこみによる誤動作を防止するためと、湿度等の侵入
による製品の信頼性低下を防止し、併せて製品の外観形
状を良好にするためであり、長時間の加熱を要するので
製造上の障害となっていた。
を充填する必要があった。これは、使用時に外部光の回
わりこみによる誤動作を防止するためと、湿度等の侵入
による製品の信頼性低下を防止し、併せて製品の外観形
状を良好にするためであり、長時間の加熱を要するので
製造上の障害となっていた。
この発明は上記従来の問題点に鑑み、金属リードに樹脂
パリを発生することなく樹脂成形すると同時に凹部を埋
める工程を不要とする樹脂成形の改良方法を提供する。
パリを発生することなく樹脂成形すると同時に凹部を埋
める工程を不要とする樹脂成形の改良方法を提供する。
この発明にかかる反射型光結合半導体装置の樹脂成形方
法は、金属リードに直接樹脂成形して外囲器ケースを形
成するにあたり、金属リードにおける発光と受光の機能
をもたせる側の面には樹脂成型金型の一方の型を直接に
接触させ、前記金属リードの他方の面には金属リード支
持部材を介して前記樹脂成型金型の他方の型を接触させ
て成型を施すことを特徴とするものである。
法は、金属リードに直接樹脂成形して外囲器ケースを形
成するにあたり、金属リードにおける発光と受光の機能
をもたせる側の面には樹脂成型金型の一方の型を直接に
接触させ、前記金属リードの他方の面には金属リード支
持部材を介して前記樹脂成型金型の他方の型を接触させ
て成型を施すことを特徴とするものである。
次に、この発明を１実施例につき図面を参照して詳細に
説明する。なお、実施例の説明にあたり、背景技術で説
明したところと変わらない部分については図面に同じ符
号を付して示し説明を省略する。
説明する。なお、実施例の説明にあたり、背景技術で説
明したところと変わらない部分については図面に同じ符
号を付して示し説明を省略する。
一実施例の反射型光結合半導体装置を示す第６図におい
て、これを発光と受光の機能が設けられる側については
従来と変わらないが、樹脂成形直後に上記の側と反対側
の面に従来化じていた凹部が金属リード支持部材（１３
ａ） ＝ （１３ｂ） −（１３ｃ） ｔ （１３ｄ）
で充填されて第９図にも示されるようになっている。こ
の金属リート支持部材は樹脂成形によって予め形成され
、金型（ロ）の下型ａ２に第７図および第８図に示され
る支持部材保持部（１２ａ） 、 （１２ｇ）・・・に
よって保持される。そして、上下型間に挿入された金属
リードは上型６１）の突起部（３１ａ） 、 （３１ｂ
）と、下型０りに保持された金属リート支持部材（１３
ａ） 。
て、これを発光と受光の機能が設けられる側については
従来と変わらないが、樹脂成形直後に上記の側と反対側
の面に従来化じていた凹部が金属リード支持部材（１３
ａ） ＝ （１３ｂ） −（１３ｃ） ｔ （１３ｄ）
で充填されて第９図にも示されるようになっている。こ
の金属リート支持部材は樹脂成形によって予め形成され
、金型（ロ）の下型ａ２に第７図および第８図に示され
る支持部材保持部（１２ａ） 、 （１２ｇ）・・・に
よって保持される。そして、上下型間に挿入された金属
リードは上型６１）の突起部（３１ａ） 、 （３１ｂ
）と、下型０りに保持された金属リート支持部材（１３
ａ） 。
（１３ｂ） 、 （１３ｃ） 、 （１３ｄ）によって
挟圧され、樹脂成形が施されて上部に枠型の成形樹脂部
（１ａ）、下部に金属リード支持部材を含み一体の樹脂
ブロック部（１４ａ）が、一体に金属リートの一部を樹
脂成形して外囲器ケース（１４）を形成する。
挟圧され、樹脂成形が施されて上部に枠型の成形樹脂部
（１ａ）、下部に金属リード支持部材を含み一体の樹脂
ブロック部（１４ａ）が、一体に金属リートの一部を樹
脂成形して外囲器ケース（１４）を形成する。
なお、金属リード支持部材を発光側（１３ａ）、（１３
ｂ）と、受光側（１３ｃ）、（１３ｄ）とで色分けして
すると、製品の取扱い（二便宜がある。
ｂ）と、受光側（１３ｃ）、（１３ｄ）とで色分けして
すると、製品の取扱い（二便宜がある。
この発明によれば、樹脂成形に発生しやすい樹脂パリの
防止については従来と全く変らない上、従来裏面側（二
相ずる凹部な樹脂で充填する工程が必須であったものを
省略することができた。この樹脂充填は高温で長時間を
要する工程であることは既に述べたが、製造工程の短縮
、省力に大きな効果がある。また、仕上り表面も従来の
樹脂注入に比し、充填量の過不足なく達成できるので遥
かに美麗である。
防止については従来と全く変らない上、従来裏面側（二
相ずる凹部な樹脂で充填する工程が必須であったものを
省略することができた。この樹脂充填は高温で長時間を
要する工程であることは既に述べたが、製造工程の短縮
、省力に大きな効果がある。また、仕上り表面も従来の
樹脂注入に比し、充填量の過不足なく達成できるので遥
かに美麗である。
さらに、金属リード支持部材を発光側と受光側とで色分
けして用いることができ、各々の側を製品について識別
できる利点もある。
けして用いることができ、各々の側を製品について識別
できる利点もある。
第１図ないし第５図は従来の反射型光結合半導体装置の
樹脂成形方法（＝かかり、第１図は外観を示す上面図、
第２図および第３図は樹脂成形工程を説明する断面図、
第４図は製品、の上面を示す斜視図、第５図は製品の下
面を示す斜視図、第６図以降は実施例の反射型光結合半
導体装置の樹脂成形方法にかかり、第６図は外観を示す
上面図、第７図および第８図は樹脂成形工程を説明する
断面図、第９図は製品の下面を示す斜視図である。 ２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ 金属リード ｌａ、１４，１４ａ 外囲器ケース １１ 、１２ 、３１ 樹脂成形金型（１２は下型、３
１は上型） １３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ 金属リード支持部材
代理人 弁理士 井 上 −男 −−ウＣ１ 第 ４ 図 第 ５ 図 第 ６ 図 第７図 １３Ｃｔ、３（１ 第 ８ 図 ｔ−ｔｒ
樹脂成形方法（＝かかり、第１図は外観を示す上面図、
第２図および第３図は樹脂成形工程を説明する断面図、
第４図は製品、の上面を示す斜視図、第５図は製品の下
面を示す斜視図、第６図以降は実施例の反射型光結合半
導体装置の樹脂成形方法にかかり、第６図は外観を示す
上面図、第７図および第８図は樹脂成形工程を説明する
断面図、第９図は製品の下面を示す斜視図である。 ２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ 金属リード ｌａ、１４，１４ａ 外囲器ケース １１ 、１２ 、３１ 樹脂成形金型（１２は下型、３
１は上型） １３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ 金属リード支持部材
代理人 弁理士 井 上 −男 −−ウＣ１ 第 ４ 図 第 ５ 図 第 ６ 図 第７図 １３Ｃｔ、３（１ 第 ８ 図 ｔ−ｔｒ
Claims (1)
- 金属リードに直接樹脂成形して外囲器ケースを形成する
反射型光結合半導体装置の樹脂成形（二あたり、金属リ
ードにおける受光と発光の機能をもたせる側の面には樹
脂成型金型の一方の型を直接に接触させ、前記金属リー
トの他方の面には金属リート支持部材を介して前記樹脂
成型金型の他方の型を接触させて成型を施すことを特徴
とする反射型光結合半導体装置の樹脂成形方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59070046A JPS60214573A (ja) | 1984-04-10 | 1984-04-10 | 反射型光結合半導体装置の樹脂成形方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59070046A JPS60214573A (ja) | 1984-04-10 | 1984-04-10 | 反射型光結合半導体装置の樹脂成形方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60214573A true JPS60214573A (ja) | 1985-10-26 |
Family
ID=13420235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59070046A Pending JPS60214573A (ja) | 1984-04-10 | 1984-04-10 | 反射型光結合半導体装置の樹脂成形方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60214573A (ja) |
-
1984
- 1984-04-10 JP JP59070046A patent/JPS60214573A/ja active Pending
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