JPS60227456A - 半導体装置用リ−ドフレ−ム - Google Patents
半導体装置用リ−ドフレ−ムInfo
- Publication number
- JPS60227456A JPS60227456A JP59084566A JP8456684A JPS60227456A JP S60227456 A JPS60227456 A JP S60227456A JP 59084566 A JP59084566 A JP 59084566A JP 8456684 A JP8456684 A JP 8456684A JP S60227456 A JPS60227456 A JP S60227456A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- metal sheet
- metal plate
- cost
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/456—Materials
- H10W70/457—Materials of metallic layers on leadframes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/0198—Manufacture or treatment batch processes
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
＋１） 発明の技術分野
本発明は半導体装置に用いるリードフレームで、ポンデ
ィングに必要な金縞膜の形成に関するものである。
ィングに必要な金縞膜の形成に関するものである。
（２）従来技術
従来からリードフレームはワイヤーボンディング可能な
ように封止されるエリア内のインナーリード先端部に金
Ｐ１４膜が形成されているもので多くは部分的に湿式メ
ッキ法にて形成されていた。該湿式メッキ法で金Ｍ膜を
部分的に形成する場合は、メッキ性の良い金（Ａｕ ）
６るいは銀（Ａｇ）が使用されているもので、部分的に
メッキするために必要ない所はマスキングする必要がｓ
ｂリードフレームパターン毎に該マスクが必要でめった
。
ように封止されるエリア内のインナーリード先端部に金
Ｐ１４膜が形成されているもので多くは部分的に湿式メ
ッキ法にて形成されていた。該湿式メッキ法で金Ｍ膜を
部分的に形成する場合は、メッキ性の良い金（Ａｕ ）
６るいは銀（Ａｇ）が使用されているもので、部分的に
メッキするために必要ない所はマスキングする必要がｓ
ｂリードフレームパターン毎に該マスクが必要でめった
。
また、高価なＡｕやＡｇを部分的にメッキするために通
常はリードフレームパターンに加工された後にメッキ加
工がされていた。従って価格は高くまたリードフレーム
のファインパターンに加工されたものをメッキ加工する
ためにリード変形が発生していた。また、アルミニウム
（ＡＩ）を帯状にクラッドすることは従来からサーディ
ツプ用として用いられているものであるが、これは帯状
の金属板の中央に該金属板の長手方向に帯状の金属箔を
クラッドするもので外部リードを中央Ａ１部をはさむ方
向で出すもの以外には使用できないもので４方向に外部
リードが出るものあるいは金属板長手方向に平行方向の
外部リードのめるものには使用不可能でめった。
常はリードフレームパターンに加工された後にメッキ加
工がされていた。従って価格は高くまたリードフレーム
のファインパターンに加工されたものをメッキ加工する
ためにリード変形が発生していた。また、アルミニウム
（ＡＩ）を帯状にクラッドすることは従来からサーディ
ツプ用として用いられているものであるが、これは帯状
の金属板の中央に該金属板の長手方向に帯状の金属箔を
クラッドするもので外部リードを中央Ａ１部をはさむ方
向で出すもの以外には使用できないもので４方向に外部
リードが出るものあるいは金属板長手方向に平行方向の
外部リードのめるものには使用不可能でめった。
（３）発明の目的
本発明の目的は上記の欠点をなくすべく低コストで、リ
ード変形のない安定した半導体装置用のリードフレーム
を提供するものである。
ード変形のない安定した半導体装置用のリードフレーム
を提供するものである。
（４）発明の構成
本発明は部分的に形成する金輌膜をＡＪｉるいはＡ１合
金を用いて、また、形成方法は帯状の金属板にＡＪある
いはＡ１合金箔（以下ＡＪ箔と記す）をクラッド法にて
形成するものである。
金を用いて、また、形成方法は帯状の金属板にＡＪある
いはＡ１合金箔（以下ＡＪ箔と記す）をクラッド法にて
形成するものである。
従来から部分ＡＪクラッドはＡＪ箔が正確に位置決めで
きないため不可能とされて来たが、本発明では、Ａｌ箔
片をスポット溶接法にて仮付けして位置決めして、その
後にクラッドすることで部分ＡＪクラッドを可能にした
。またＡＪｍを形成した後にプレス加工してリードフレ
ームを形成するものでアリ、リードフレームパターン形
成後にメッキ加工が不必要となった。リードフレームパ
ターン形成の際には部分的にクラッドされているＡＪ膜
の位置が検出できるようにＡＩクラッドされた金属板に
は部分Ａｌ膜のピッチに合わせてガイドホールをあける
ことで可能である。
きないため不可能とされて来たが、本発明では、Ａｌ箔
片をスポット溶接法にて仮付けして位置決めして、その
後にクラッドすることで部分ＡＪクラッドを可能にした
。またＡＪｍを形成した後にプレス加工してリードフレ
ームを形成するものでアリ、リードフレームパターン形
成後にメッキ加工が不必要となった。リードフレームパ
ターン形成の際には部分的にクラッドされているＡＪ膜
の位置が検出できるようにＡＩクラッドされた金属板に
は部分Ａｌ膜のピッチに合わせてガイドホールをあける
ことで可能である。
（５） 発明の作用・幼果
本発明によれば従来湿式メッキにてＡｕやＡｇを形成し
ていた方法に比べて長い金属板にＡＪ箔を部分的にクラ
ッドするために、量産性に優れ、また、Ａｌ箔紮用いる
ためによシ低愉格なリードフレームが得られた。さらに
、リードフレームを形成する前の帯状の金属板にＡｌ膜
を形成するためにリードフレームパターン形成後はメッ
キ加工がないのでリード変形の発生がなくなった。
ていた方法に比べて長い金属板にＡＪ箔を部分的にクラ
ッドするために、量産性に優れ、また、Ａｌ箔紮用いる
ためによシ低愉格なリードフレームが得られた。さらに
、リードフレームを形成する前の帯状の金属板にＡｌ膜
を形成するためにリードフレームパターン形成後はメッ
キ加工がないのでリード変形の発生がなくなった。
（６）実施例
第１図（ａ）のようにまず帯状の金属板ｌを４２チＮｉ
−Ｆｅ合金０．２５に圧延した材料を用いて、所要幅寸
法にスリットしたものを準備した。次に所要ピッチにガ
イドホール３をあけて、該ガイドホール４に合わせてｈ
ａ大きにした厚さ１０μのＡ！箔４ｔ−金属板１にスポ
ット溶接５を行い、ＡＪ箔４を金属板１に仮付けした（
ｂ）。その後（Ｃ）に示すようにクラッド圧延ロー２５
．６を通してクラッドを行った。
−Ｆｅ合金０．２５に圧延した材料を用いて、所要幅寸
法にスリットしたものを準備した。次に所要ピッチにガ
イドホール３をあけて、該ガイドホール４に合わせてｈ
ａ大きにした厚さ１０μのＡ！箔４ｔ−金属板１にスポ
ット溶接５を行い、ＡＪ箔４を金属板１に仮付けした（
ｂ）。その後（Ｃ）に示すようにクラッド圧延ロー２５
．６を通してクラッドを行った。
これＫよシ、帯状の金属板の所定位置に部分ＡＪ膜が形
成された。この後ガイドホール３に合わせてプレス加工
を竹い第２図に示すようにインナーリード７の先端部ボ
ンディング位置にＡＪ膜８が形成されているリードフレ
ーム９が得られた。
成された。この後ガイドホール３に合わせてプレス加工
を竹い第２図に示すようにインナーリード７の先端部ボ
ンディング位置にＡＪ膜８が形成されているリードフレ
ーム９が得られた。
本実施例はプラスチック封止型のリードフレームの例を
示したが、これ以外にもサーディツプに用いるリードフ
レームも同様に可能である。また、金属板もＦｉ−Ｎｅ
合金以外のもの例えばＣｕ合金でも同様に実施できるも
のでおる。
示したが、これ以外にもサーディツプに用いるリードフ
レームも同様に可能である。また、金属板もＦｉ−Ｎｅ
合金以外のもの例えばＣｕ合金でも同様に実施できるも
のでおる。
（７） まとめ
以上説明した遥りＡＪ箔を帯状の金属板にスポット溶接
という簡単な作業で位置決めして部分ＡＩクラッドを行
うことによシ、従来の湿式メッキ作業に比べて安価でリ
ードフレームの変形のない半導体装置用リードフレーム
が機能を損なうことなく提供することが可能となった。
という簡単な作業で位置決めして部分ＡＩクラッドを行
うことによシ、従来の湿式メッキ作業に比べて安価でリ
ードフレームの変形のない半導体装置用リードフレーム
が機能を損なうことなく提供することが可能となった。
さらに、Ａ−１？Ｌ’３をスポット溶接する工程が所要
幅のＡ ／ ｒ６テープから所要長さにカットしてガイ
ドホールに合わせて金属板上に載せて、スポット浴接す
るように自動化することによシ、より安定して、量産性
に優れるリードフレームがより安く提供できる。
幅のＡ ／ ｒ６テープから所要長さにカットしてガイ
ドホールに合わせて金属板上に載せて、スポット浴接す
るように自動化することによシ、より安定して、量産性
に優れるリードフレームがより安く提供できる。
第１図は本発明の実施例に用いた部分ＡＩクラッド金金
板板製造を示す図である。第２図は第１図の金属板をプ
レス加工して得られた本発明のリードフレーム図である
。 尚、図において、１・・・・・・金属板、２・・・・・
・金属板コイル、３・・・・・・ガイドホール、４・・
・・・・Ａノ箔、５・・・・・・スポット溶接跡、６・
・・・・・クラッド圧延ローラ、７・・・・・・インナ
ーリード、８・・団・ＡＪ膜、９・・・・・・リードフ
レームでおる。 ｓ Ｃ１）ノ （Ｃ） 第 Ｉ 図 第２図
板板製造を示す図である。第２図は第１図の金属板をプ
レス加工して得られた本発明のリードフレーム図である
。 尚、図において、１・・・・・・金属板、２・・・・・
・金属板コイル、３・・・・・・ガイドホール、４・・
・・・・Ａノ箔、５・・・・・・スポット溶接跡、６・
・・・・・クラッド圧延ローラ、７・・・・・・インナ
ーリード、８・・団・ＡＪ膜、９・・・・・・リードフ
レームでおる。 ｓ Ｃ１）ノ （Ｃ） 第 Ｉ 図 第２図
Claims (1)
- 帯状の金属板をプレス加工してなるリードフレームにお
いて、該金属板の片面に部分的にアルミニウムあるいは
アルミニウム合金箔がスポット溶接法にて仮付けされ、
その後に該アルミニウムあるいはアルミニウム合金箔を
クラッドｊＪＯ工され、さらにプレス加工によシ所賛パ
ターンに形成されてできていることを特徴とする半導体
装置用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59084566A JPS60227456A (ja) | 1984-04-26 | 1984-04-26 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59084566A JPS60227456A (ja) | 1984-04-26 | 1984-04-26 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60227456A true JPS60227456A (ja) | 1985-11-12 |
Family
ID=13834206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59084566A Pending JPS60227456A (ja) | 1984-04-26 | 1984-04-26 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60227456A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63180225U (ja) * | 1987-05-13 | 1988-11-21 | ||
| JPH02280981A (ja) * | 1989-04-21 | 1990-11-16 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | スポット状部分クラッド材の製造方法 |
| US5295296A (en) * | 1990-02-06 | 1994-03-22 | Citizen Watch Co., Ltd. | Method and apparatus for working a clad material |
-
1984
- 1984-04-26 JP JP59084566A patent/JPS60227456A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63180225U (ja) * | 1987-05-13 | 1988-11-21 | ||
| JPH02280981A (ja) * | 1989-04-21 | 1990-11-16 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | スポット状部分クラッド材の製造方法 |
| US5295296A (en) * | 1990-02-06 | 1994-03-22 | Citizen Watch Co., Ltd. | Method and apparatus for working a clad material |
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