JPS60254739A - 接触突起を有する超小型電子回路 - Google Patents
接触突起を有する超小型電子回路Info
- Publication number
- JPS60254739A JPS60254739A JP60108074A JP10807485A JPS60254739A JP S60254739 A JPS60254739 A JP S60254739A JP 60108074 A JP60108074 A JP 60108074A JP 10807485 A JP10807485 A JP 10807485A JP S60254739 A JPS60254739 A JP S60254739A
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- JP
- Japan
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- contact
- palladium
- projections
- microelectronic circuit
- substrate
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
- H10W72/251—Materials
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、金属ワイヤより溶かした球状部分を熱圧着処
理または超音波処理によって接触区域に固着することに
より超小型電子回路の接触区域 −に機械的に形成され
た接触突起を有する超小型電子回路に関するものである
。
理または超音波処理によって接触区域に固着することに
より超小型電子回路の接触区域 −に機械的に形成され
た接触突起を有する超小型電子回路に関するものである
。
このような超小型電子回路は１９８２年１０月２８日に
公告されたドイツ国特許出願第８１０１３７１号より知
られている。このドイツ国特許出願には、接触突起（接
触球またはバンプ（ｂｕｍｐ） とも呼ばれる）を例え
ば集積回路のような超小型電子回路に機械的に形成する
方法が記載されている。これ等の接触突起は、基板上の
導体または金属リードフレームとの電気接触をつくるの
に役立つもので、この場合には接続線を用いる必要がな
い。この接触突起は、ワイヤーの一端を溶かして球を形
成し、この球を超小型回路の接触区域に押しつけ、これ
を接触区域に接続し、その後でワイヤを球近くの弱めら
れた場所で切り離すことによって得られる。
公告されたドイツ国特許出願第８１０１３７１号より知
られている。このドイツ国特許出願には、接触突起（接
触球またはバンプ（ｂｕｍｐ） とも呼ばれる）を例え
ば集積回路のような超小型電子回路に機械的に形成する
方法が記載されている。これ等の接触突起は、基板上の
導体または金属リードフレームとの電気接触をつくるの
に役立つもので、この場合には接続線を用いる必要がな
い。この接触突起は、ワイヤーの一端を溶かして球を形
成し、この球を超小型回路の接触区域に押しつけ、これ
を接触区域に接続し、その後でワイヤを球近くの弱めら
れた場所で切り離すことによって得られる。
機械的に設けられた接触突起は金より成るのが普通であ
る。この金の突起は多くの場合満足を与えるが、他の場
合には欠点もある。例えば値段が比較的高い。溶かして
球をつくるワイヤの必要強度との関係で、ワイヤの直径
は少なくとも３０μｍとなり、したがって接触突起の最
小直径＋：ａＯ〜８０μｍである。接続突起が小さけれ
ば、′より数多くの接触区域を得ることができる。更に
、金の接触突起を設けた基板は支持体の導体に極めて注
意深く固着せねばならない。接触突起が導体にハンダ付
けされる場合には、通常の鉛−錫ハンダを用いるのが普
通であろう。この場合には金が錫に可溶であるというこ
とを考えねばならない。別の固着技法即ち接着は金の接
着突起とは簡単に行うことが出来ない。
る。この金の突起は多くの場合満足を与えるが、他の場
合には欠点もある。例えば値段が比較的高い。溶かして
球をつくるワイヤの必要強度との関係で、ワイヤの直径
は少なくとも３０μｍとなり、したがって接触突起の最
小直径＋：ａＯ〜８０μｍである。接続突起が小さけれ
ば、′より数多くの接触区域を得ることができる。更に
、金の接触突起を設けた基板は支持体の導体に極めて注
意深く固着せねばならない。接触突起が導体にハンダ付
けされる場合には、通常の鉛−錫ハンダを用いるのが普
通であろう。この場合には金が錫に可溶であるというこ
とを考えねばならない。別の固着技法即ち接着は金の接
着突起とは簡単に行うことが出来ない。
機械的に設け°られる接続突起に他の材料を使用するこ
とも既に提案されている。例えばアルミニウムを使用す
ることができる。この場合には球に溶かずのが容易では
ない。更にこの場合接触突起の直径は比較的大きくなる
。その上アルミニウムは、急速に酸化するため接触突起
を有する基板を支持体の導体に固着する作業が困難であ
るという欠点を有する。
とも既に提案されている。例えばアルミニウムを使用す
ることができる。この場合には球に溶かずのが容易では
ない。更にこの場合接触突起の直径は比較的大きくなる
。その上アルミニウムは、急速に酸化するため接触突起
を有する基板を支持体の導体に固着する作業が困難であ
るという欠点を有する。
更１９接触突起の林料として銅を用いるこ・とチ埠案さ
れている。銅の使用によってやはり比較的大きな直径を
有する接触突起しか得られ１４いということの外に、銅
は酸化するという欠点を有する。
れている。銅の使用によってやはり比較的大きな直径を
有する接触突起しか得られ１４いということの外に、銅
は酸化するという欠点を有する。
その上、銅の接触突起の硬度は比較的大きいので、基板
を傷つけないように極めて注意深く基板上に設けねばな
らない。
を傷つけないように極めて注意深く基板上に設けねばな
らない。
本発明の目的は、３前述の欠点の生じることのない、機
械的に形成された接触突起を有する超小型電子回路を得
ることにある。本発明は、接触突起を構成する材料をパ
ラジウムとすることにより前記の目的を達成したもので
ある。
械的に形成された接触突起を有する超小型電子回路を得
ることにある。本発明は、接触突起を構成する材料をパ
ラジウムとすることにより前記の目的を達成したもので
ある。
驚くべきことには、パラジウムの接触突起は普通の材料
にくらべて数多くの利点を有することがわかった。例え
ば、・極めて細いパラジウムワイヤの強さは、小さな直
径を有する球部分を得ることができるのに十分である。
にくらべて数多くの利点を有することがわかった。例え
ば、・極めて細いパラジウムワイヤの強さは、小さな直
径を有する球部分を得ることができるのに十分である。
更に、パラジウムの値段は手ごろである。パラジウム突
起の支持体上の錫被覆導体へのハンダ付けも、パラジウ
ムが錫に可溶性でないため何等問題ない。更にまた、パ
ラジウムの接触突起は支持体上の導体に接着する場合何
等の問題がないことがわかった。パラジウムの接触突起
は酸化せず、硬度は過度に大きくないので、これ等の突
起は基板上に簡単に設けることができる。
起の支持体上の錫被覆導体へのハンダ付けも、パラジウ
ムが錫に可溶性でないため何等問題ない。更にまた、パ
ラジウムの接触突起は支持体上の導体に接着する場合何
等の問題がないことがわかった。パラジウムの接触突起
は酸化せず、硬度は過度に大きくないので、これ等の突
起は基板上に簡単に設けることができる。
接触突起は少なくとも技術的に純粋なパラジウム、好ま
しくは９９．９９％の純度のパラジウムより成るのが好
適である。特に、極めて純粋なパラジウムでは、この材
料の接触突起としての大きな利点がはっきりと現れる。
しくは９９．９９％の純度のパラジウムより成るのが好
適である。特に、極めて純粋なパラジウムでは、この材
料の接触突起としての大きな利点がはっきりと現れる。
パラジウムの大きな利点は、約１２μｍの大さでもこの
材料のワイヤはこの目的に使用するのに十分な強さであ
るということである。したがって、このワイヤから３０
μｍの直径の接触突起を得ることが可能で、これに対し
金の場合にはこの直径は６０”８０μｍである。その結
果、単位長当り著しく多数の接触突起を得ることができ
る。
材料のワイヤはこの目的に使用するのに十分な強さであ
るということである。したがって、このワイヤから３０
μｍの直径の接触突起を得ることが可能で、これに対し
金の場合にはこの直径は６０”８０μｍである。その結
果、単位長当り著しく多数の接触突起を得ることができ
る。
接触突起が小さな直径を有することができるので、接触
区域に対し多数の接触部を得ることができる。接触突起
を、基板の周囲の近くの１つのパターンとそれより内側
に位置する１つまたはそれ以上のパターンに形成すると
、特に多数の接続部を得ることができる。
区域に対し多数の接触部を得ることができる。接触突起
を、基板の周囲の近くの１つのパターンとそれより内側
に位置する１つまたはそれ以上のパターンに形成すると
、特に多数の接続部を得ることができる。
以下本発明を図面を参照してより詳しく説明する。
第１図は例えばシリコンの半導体装置を示す。
素子１には、普通の半導体製造技法によって回路例えば
集積回路が形成される。接触区域が半導体素子１上にあ
る。接触突起２が前記の接触区域に設けられる。これ等
の接触突起は、金属ワイヤより溶かされ次いで熱圧着処
理または超音波処理によって半導体素子１上に固着され
た球状部分より形成される。前記のドイツ国特許出願に
は接触−突起を設けるこのような方法が例示されている
。この接触突起２は、半導体素子１の回路の電気接点と
しての役をする。
集積回路が形成される。接触区域が半導体素子１上にあ
る。接触突起２が前記の接触区域に設けられる。これ等
の接触突起は、金属ワイヤより溶かされ次いで熱圧着処
理または超音波処理によって半導体素子１上に固着され
た球状部分より形成される。前記のドイツ国特許出願に
は接触−突起を設けるこのような方法が例示されている
。この接触突起２は、半導体素子１の回路の電気接点と
しての役をする。
本発明によれば、接触突起を構成する材料はパラジウム
である。この材料は、前に広く説明した利点を有する。
である。この材料は、前に広く説明した利点を有する。
この接触突起は技術的に純粋なパラジウム、好ましくは
９９．９９％の純度を有するパラジウムより成るのが好
適である。パラジウムを用いることの利点の１つは、前
述したように、接触突起の直径を小さく即ち約３０μｍ
にできこのため単位長さ当りに数多くの接触突起を得る
ことができるということである。
９９．９９％の純度を有するパラジウムより成るのが好
適である。パラジウムを用いることの利点の１つは、前
述したように、接触突起の直径を小さく即ち約３０μｍ
にできこのため単位長さ当りに数多くの接触突起を得る
ことができるということである。
第２図は単導体素子３に偶数の多数の接触突起を用いた
ものを示す。パラジウムの接触突起４はこの半導体素子
の１つの外側パターンに機械的に設けられ、一方パラジ
ウムの接触突起５は更に内側に位置するパターンで存在
する。更に、２．３の接続導体６が線図的に示されてい
る。これ等の接続導体は例えば絶縁材料の皮膜上に設け
てもよい。代わりにこれ等の接続導体を支持基板上に形
成してもよい。パラジウム突起４と５の直径が小さいた
めに半導体素子３で多数の電気接続部を得ることかでき
るが、それにも拘わらず接続導体を比較的簡単に接触突
起４，５に接続することができる。
ものを示す。パラジウムの接触突起４はこの半導体素子
の１つの外側パターンに機械的に設けられ、一方パラジ
ウムの接触突起５は更に内側に位置するパターンで存在
する。更に、２．３の接続導体６が線図的に示されてい
る。これ等の接続導体は例えば絶縁材料の皮膜上に設け
てもよい。代わりにこれ等の接続導体を支持基板上に形
成してもよい。パラジウム突起４と５の直径が小さいた
めに半導体素子３で多数の電気接続部を得ることかでき
るが、それにも拘わらず接続導体を比較的簡単に接触突
起４，５に接続することができる。
第１図は機械的に形成された多数の接触突起をそなえた
半導体素子の斜視図、 第２図は接触突起が２つのパターンで形成された半導体
素子の平面図である。 １．３・・・半導体素子 ２．４．５・・・接触突起 ６・・・接続導体 第１頁の続き ０発 明 者 マチウス・アドリアヌ オラス・テレジ
アス・ウニ イブルク
半導体素子の斜視図、 第２図は接触突起が２つのパターンで形成された半導体
素子の平面図である。 １．３・・・半導体素子 ２．４．５・・・接触突起 ６・・・接続導体 第１頁の続き ０発 明 者 マチウス・アドリアヌ オラス・テレジ
アス・ウニ イブルク
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 金属ワイヤより溶かした球状部分を熱圧着処理ま
たは超音波処理によって接触区域に固着することにより
超小型電子回路の接触区域に機械的に形成された接触突
起を有する超小型電子回路において、接触突起を構成す
る材料がパラジウムであることを特徴とする超小型電子
回路。 ２、 接触突起は少なくとも技術的に純粋なパラジウム
、好ましくは９９．９９％の純度を有するパラジウムよ
り成る特許請求の範囲第１項記載の超小型電子回路。 ３、 接触突起は３０μｍ台の直径を有する特許請求の
範囲第１項または第２項記載の超小型電子回路。 ４、 接触突起は基板の周囲近くの１つのパターンとそ
れより内側に位置する１つまたはそれ以上あパターンに
形成された特許請求の範囲第１項、第２項または第３項
記載の超小型電子回路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8401619A NL8401619A (nl) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | Elektronisch microcircuit voorzien van kontaktverhogingen. |
| NL8401619 | 1984-05-21 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60254739A true JPS60254739A (ja) | 1985-12-16 |
| JPH0476497B2 JPH0476497B2 (ja) | 1992-12-03 |
Family
ID=19843977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60108074A Granted JPS60254739A (ja) | 1984-05-21 | 1985-05-20 | 接触突起を有する超小型電子回路 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0165626B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60254739A (ja) |
| KR (1) | KR850008042A (ja) |
| DE (1) | DE3574526D1 (ja) |
| HK (1) | HK87691A (ja) |
| NL (1) | NL8401619A (ja) |
| SG (1) | SG87790G (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5776824A (en) | 1995-12-22 | 1998-07-07 | Micron Technology, Inc. | Method for producing laminated film/metal structures for known good die ("KG") applications |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3978517A (en) * | 1975-04-04 | 1976-08-31 | Motorola, Inc. | Titanium-silver-palladium metallization system and process therefor |
| DE8122540U1 (de) * | 1981-07-31 | 1983-01-13 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | "informationskarte mit integriertem baustein" |
-
1984
- 1984-05-21 NL NL8401619A patent/NL8401619A/nl not_active Application Discontinuation
-
1985
- 1985-05-10 EP EP85200739A patent/EP0165626B1/en not_active Expired
- 1985-05-10 DE DE8585200739T patent/DE3574526D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1985-05-14 KR KR1019850003274A patent/KR850008042A/ko not_active Ceased
- 1985-05-20 JP JP60108074A patent/JPS60254739A/ja active Granted
-
1990
- 1990-10-25 SG SG877/90A patent/SG87790G/en unknown
-
1991
- 1991-11-07 HK HK876/91A patent/HK87691A/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3574526D1 (de) | 1990-01-04 |
| EP0165626B1 (en) | 1989-11-29 |
| SG87790G (en) | 1990-12-21 |
| NL8401619A (nl) | 1985-12-16 |
| HK87691A (en) | 1991-11-15 |
| KR850008042A (ko) | 1985-12-11 |
| EP0165626A1 (en) | 1985-12-27 |
| JPH0476497B2 (ja) | 1992-12-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |