JPS60257550A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS60257550A
JPS60257550A JP59115879A JP11587984A JPS60257550A JP S60257550 A JPS60257550 A JP S60257550A JP 59115879 A JP59115879 A JP 59115879A JP 11587984 A JP11587984 A JP 11587984A JP S60257550 A JPS60257550 A JP S60257550A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding pad
insulating film
semiconductor device
residue
etching
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59115879A
Other languages
English (en)
Inventor
Satoru Kishida
悟 岸田
Kazuhiro Sakashita
和広 坂下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP59115879A priority Critical patent/JPS60257550A/ja
Publication of JPS60257550A publication Critical patent/JPS60257550A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
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    • H10W72/983—Reinforcing structures, e.g. collars

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は半導体基板の主面上に形成された絶縁膜の表
面の所要部分上に形成された第１のポンディングパッド
とこの第１のポンディングパッドに重ね合わされるよう
に形成された第２のポンディングパッドとを有する半導
体装置に関するものである。
〔従来技術〕
第１図は従来の半導体装置の一例のポンディングパッド
の部分を示す要部断面図である。
図において、（１）は半導体基板、（２）は半導体基板
（１）の主面上に形成された絶縁膜、（３）は絶縁膜（
２）の表面の所要部分上に形成された第１の配線膜の一
部分である第１のポンディングパッド、（４）は第１の
ポンディングパッド（３）を含む上記第１の配線膜の表
面上および絶縁膜（２）の表面上にわたって形成された
眉間絶縁膜、（５）は層間絶縁膜（４）の第１のポンデ
ィングパッド（３）の上の部分に設けられた第１のコン
タクトホール、（６）は眉間絶縁膜（４）の表面の所要
部分上に形成された第２の配線膜の一部分であシ第１の
コンタクトホール（５）を通して第１のポンディングパ
ッド（３）の表面上に重ね合わされた第２のポンディン
グパッド、（７）は第２のポンディングパッド（６）を
含む上記第２の配線膜の表面上および′層間絶縁膜（４
）の表面上にわたって形成された表面保護用絶縁膜、（
８）は表面保護用絶縁膜（７）の第２のポンディングパ
ッド（６）の上の部分に設けられた第２のコンタクトホ
ールである。
ところで、この従来例では、第２のポンディングパッド
（６）の表面の第１のコンタクトホール（５）に面する
端面に対応する部分に段差ができるので、第２のポンデ
ィングパッド（６）の表面にボンディングワイヤ（図示
せず）を接続するときに、第２のポンディングパッド（
６）の上記段差の部分にクラックが発生しやすいという
欠点があった。
そこで、かかる欠点を除去するために、層間絶縁膜が第
１のポンディングパッドの表面上に形成されていないよ
うにすることによって、第１のポンディングパッドの表
面上に形成される第２のポンディングパッドの表面が平
坦になるようにした先行技術による半導体装置が提案さ
れている。
第２図はこの先行技術による半導体装置のポンディング
パッドの部分を示す要部断面図である。
図において、第１図に示した符号と同一符号は同等部分
を示す。（５ａ）は層間絶縁膜（４）の第１のポＩ　ン
デイングパツド（３）の上の部分およびこれに接す１　
る部分を取シ除いて設けられ第１のポンディングパッド
（３）の周縁より外側に周縁を有する第１のコンタクト
ホール、（６ａ）は第１のボンディングパラ）”　（３
１Ｏ表面上に形成され第１のポンディングパッド（３）
の周縁と同一位置に周縁を有する第２のポンディングパ
ッドである。
この先行技術による半導体装置では、第１のコンタクト
ホール（５ａ）の周縁が第１のポンディングパッド（３
）の周縁より外側にあるので、第１のポンディングパッ
ド（３）の表面上に眉間絶縁膜（４）が形成されていな
い。従って、第２のポンディングパッド（６ａ）の表面
が平坦になるので、第２のポンディングパッド（６ａ）
の表面にボンディングワイヤ（図示せず）を接続すると
きに、第１図に示した従来例のように、第２のポンディ
ングパッド（６ａ）にクラックが発生するおそれがない
。
しかし、第２のポンディングパッド（６ａ）の周縁が第
１のポンディングパッド（３）の周縁と同一位置にある
ので、第２のポンディングパッド（６ａ）　ト第１のポ
ンディングパッド（３）との間にパターンずれが生じた
場合には、第２のポンディングパッド（６ａ）の形成時
のエツチングによって第１リボンデイングパツド（３）
の一部がエツチングされて移動可能な残留物になる。こ
の第１のポンディングパッド（３）のエツチングにより
生じた移動可能な残留物が、層間絶縁膜（４）の表面上
に形成されている第２の配線膜の第２のポンディングパ
ッド（６ａ　）　ノｍ　分収外に付着して製品歩留りを
低下させるという欠点があった。
〔発明の概要〕
この発明は、上述の欠点を除去するためになされたもの
で、第１のポンディングパッドをこれに重ね合わせる第
２のボンディングパットテ覆うようにすることによって
、第２のポンディングパッドの形成時のエツチングによ
る第１のポンディングパッドの移動可能な残留物が発生
するのを防止して製品歩留シを向上させることができる
半導体装置を提供するものである。
〔発明の実施例〕
第３図はこの発明の一実施例の半導体装置のポンディン
グパッドの部分を示す要部断面図である。
図において、第１図および第２図に示した符号と同一符
号は同等部分を示す。（６ａ）は第１のポンディングパ
ッド（３）を覆うように形成された第２のポンディング
パッドである。
この実施例では、第２のポンディングパッド（６ｂ）が
第１のポンディングパッド（３ンを覆うように形成され
ているので、第２のポンディングパッド（６ｂ）の形成
時のエツチングによる第１のポンディングパッド（３）
の移動可能な残留物が発生するのを防止することができ
、残留物の配線膜への付着がなくなり、製品歩留りの向
上を図ることができる。
〔発明の効果〕
以上、説明したように、この発明の半導体装置では、第
１のポンディングパッドをこれに重ね合わせる第２のポ
ンディングパッドで覆うようにしたので、第２のポンデ
ィングパッドの形成時のエツチングによる第１のポンデ
ィングパッドの移動可能な残留物が発生するのを防止す
ることができ、残留物の配線膜への付着がなくなり、製
品歩留りの向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の半導体装置の一例のポンディングパッド
の部分を示す要部断面、第２図は先行技術による半導体
装置のポンディングパッドの部分を示す要部断面図、第
３図はこの発明の一実施例の半導体装置のポンディング
パッドの部分を示す要部断面図である。 図において、（１）は半導体基板、（２）は絶縁膜、（
３）は第１のポンディングパッド、（６ｂ）は第１のポ
ンディングパッド（３）を覆うように形成された第２の
ポンディングパッドである。 なお、図中同一符号はそれぞれ同一または相当部分を示
す。 代理人　大岩増雄 第１図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）半導体基板の主面上に形成された絶縁膜の表面の
    所要部分上に形成された第１のポンディングパッドと、
    この第１のポンディングパッドに重ね合わされるように
    形成された第２のポンディングパッドとを有するものに
    おいて、上記第１のポンディングパッドを上記第２のポ
    ンディングパッドで覆うようにしたことを特徴とする半
    導体装置。
JP59115879A 1984-06-04 1984-06-04 半導体装置 Pending JPS60257550A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59115879A JPS60257550A (ja) 1984-06-04 1984-06-04 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59115879A JPS60257550A (ja) 1984-06-04 1984-06-04 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60257550A true JPS60257550A (ja) 1985-12-19

Family

ID=14673432

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59115879A Pending JPS60257550A (ja) 1984-06-04 1984-06-04 半導体装置

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JP (1) JPS60257550A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02251158A (ja) * 1989-03-24 1990-10-08 Nec Corp 半導体装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5315759A (en) * 1976-07-28 1978-02-14 Hitachi Ltd Electronic parts
JPS5619639A (en) * 1979-07-27 1981-02-24 Hitachi Ltd Semiconductor device

Patent Citations (2)

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JPS5315759A (en) * 1976-07-28 1978-02-14 Hitachi Ltd Electronic parts
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH02251158A (ja) * 1989-03-24 1990-10-08 Nec Corp 半導体装置

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