JPS60260220A - Ｒｆ可変減衰回路 - Google Patents
Ｒｆ可変減衰回路Info
- Publication number
- JPS60260220A JPS60260220A JP59117495A JP11749584A JPS60260220A JP S60260220 A JPS60260220 A JP S60260220A JP 59117495 A JP59117495 A JP 59117495A JP 11749584 A JP11749584 A JP 11749584A JP S60260220 A JPS60260220 A JP S60260220A
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- JP
- Japan
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- diodes
- pin
- capacitor
- agc
- terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/24—Frequency- independent attenuators
- H03H7/25—Frequency- independent attenuators comprising an element controlled by an electric or magnetic variable
- H03H7/253—Frequency- independent attenuators comprising an element controlled by an electric or magnetic variable the element being a diode
- H03H7/255—Frequency- independent attenuators comprising an element controlled by an electric or magnetic variable the element being a diode the element being a PIN diode
Landscapes
- Attenuators (AREA)
- Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明はダブルス−パーヘテロダイン方式のコンバータ
や電子同調チューナの入力回路、さらにはブースターや
アンテナ回路系においてよく用いられるＰＩＮダイオー
ドを用いたＲＦ可変減衰回路に関するものである。
や電子同調チューナの入力回路、さらにはブースターや
アンテナ回路系においてよく用いられるＰＩＮダイオー
ドを用いたＲＦ可変減衰回路に関するものである。
一般に使用されている広帯域のＲＦ可変減衰回路として
はπ型、Ｌ型、逆り型等種々の形態の可変臓衰器があり
、これは通常ＰＩＮダイオードを用いて構成されること
が多く、その動作は入力信号レベルに応じてＡＧＣ端子
にＡＧＣ電圧が印加されこれに基いて減衰量が可変制御
され常時適正しさルのＲＦ倍信号出力されるものである
。
はπ型、Ｌ型、逆り型等種々の形態の可変臓衰器があり
、これは通常ＰＩＮダイオードを用いて構成されること
が多く、その動作は入力信号レベルに応じてＡＧＣ端子
にＡＧＣ電圧が印加されこれに基いて減衰量が可変制御
され常時適正しさルのＲＦ倍信号出力されるものである
。
〈従来技術〉
一例として第４図に従来から使用されているπ型ＲＦ可
変減衰回路を示す。ここては入力端子ｌ及び出力端子２
間の信号線路に３個の直流阻止用コンデンサ３．４．５
とＰＩＮダイオード６とを直列に挿入し、またコンデン
サ３とダイオード５との直列回路に並列に２個のＰＩＮ
ダイオード６．７を直列接続し、この両ダイオード６．
７の中間接続点は接地用コンデンサ８を介して接地し、
寸だダイオード６の陽極には電源端子１４よりバイアス
用抵抗１０を介して正電源電圧子Ｂ’５７印加し、一方
ダイ・オード７の陰極はバイアス用抵抗＋０ｆＩ：介し
て接地している。さらにまた上記ＰＩＮダイオード５の
陽極にはＡＧＣ端子１５よりピーキングコイル１１を介
し−［ＡＧＣ電圧ＶＡＧＣを印加してい・る。なお第４
図において１２．１８はともに接地用コンデンサである
。
変減衰回路を示す。ここては入力端子ｌ及び出力端子２
間の信号線路に３個の直流阻止用コンデンサ３．４．５
とＰＩＮダイオード６とを直列に挿入し、またコンデン
サ３とダイオード５との直列回路に並列に２個のＰＩＮ
ダイオード６．７を直列接続し、この両ダイオード６．
７の中間接続点は接地用コンデンサ８を介して接地し、
寸だダイオード６の陽極には電源端子１４よりバイアス
用抵抗１０を介して正電源電圧子Ｂ’５７印加し、一方
ダイ・オード７の陰極はバイアス用抵抗＋０ｆＩ：介し
て接地している。さらにまた上記ＰＩＮダイオード５の
陽極にはＡＧＣ端子１５よりピーキングコイル１１を介
し−［ＡＧＣ電圧ＶＡＧＣを印加してい・る。なお第４
図において１２．１８はともに接地用コンデンサである
。
上記のように構′成された従来の可変減衰回路では、３
個のＰＩＮダイオード５．６．７によってπ型抵抗回路
網が形成され、い捷最犬利得時にはＡＧＣ端子１５に比
較的太き々正電圧が印加され、このときＰＩＮダイオー
ド５の内部抵抗値ｖ５は数Ωになるのに対し、他のＰＩ
Ｎダイオード６．７の各内部抵抗値Ｖ６．Ｖ７は数百０
となり、この場合入力端子１から供給されたＲＦ入力信
号は殆んど減衰されずに出力端子２に出力される。
個のＰＩＮダイオード５．６．７によってπ型抵抗回路
網が形成され、い捷最犬利得時にはＡＧＣ端子１５に比
較的太き々正電圧が印加され、このときＰＩＮダイオー
ド５の内部抵抗値ｖ５は数Ωになるのに対し、他のＰＩ
Ｎダイオード６．７の各内部抵抗値Ｖ６．Ｖ７は数百０
となり、この場合入力端子１から供給されたＲＦ入力信
号は殆んど減衰されずに出力端子２に出力される。
逆に最小利得時にはＡＧＣ端子１５に印加されるＡＧＣ
電圧は零ボルトとなり、このときＰＩＮダイオード５の
内部抵抗値■５は数にΩになるのに対し、他のＰＩＮダ
イオード６．７の内部抵抗−値Ｖ６．ｖ７は数十Ωとな
９、従ってこの場合入力端子ＩＫ供給されたＲＦ入力信
号は３個のＰＩＮダイオード５．６．７によって形成さ
れるπ型抵抗回路網によって３０ｄＢ以上減衰されるこ
とになる。
電圧は零ボルトとなり、このときＰＩＮダイオード５の
内部抵抗値■５は数にΩになるのに対し、他のＰＩＮダ
イオード６．７の内部抵抗−値Ｖ６．ｖ７は数十Ωとな
９、従ってこの場合入力端子ＩＫ供給されたＲＦ入力信
号は３個のＰＩＮダイオード５．６．７によって形成さ
れるπ型抵抗回路網によって３０ｄＢ以上減衰されるこ
とになる。
こうして上記のＲＦ可変減衰回路では、ＡＧＣ端子Ｉ５
に印加されるＡＧＣ電圧ＶＡＧＣの大きさに応じてＰＩ
Ｎダイオード５の導通度が可変制御され、この結果Ｒ、
Ｆ入力信号が所定量だけ減衰されるものである。
に印加されるＡＧＣ電圧ＶＡＧＣの大きさに応じてＰＩ
Ｎダイオード５の導通度が可変制御され、この結果Ｒ、
Ｆ入力信号が所定量だけ減衰されるものである。
ところが上記のような従来のＲＦ可変減衰回路では、特
に最小利得時にＰＩＮダイオード５自身の接合容量Ｃ５
が通常＋ｐＦ＠後あり、これがダイオード５自身の内部
抵抗ｖ５と並列に挿入されて並列インピーダンス回路網
を形成し、このため伝送信号の周波数が高くなるにつれ
てこの回路網のインピーダンスが著しく減少し、この結
果ＲＦ減衰量が低下してしまう欠点があった。本出願人
の実験によれば、例えば］ ＯＯＭＨｚ の周波数附近
においては８０ｄＢ以上の減衰量が得られるのに対し、
周波数が５００ ＭＨｚ 近辺になると１５ｄＢ前後し
か得られなかった。
に最小利得時にＰＩＮダイオード５自身の接合容量Ｃ５
が通常＋ｐＦ＠後あり、これがダイオード５自身の内部
抵抗ｖ５と並列に挿入されて並列インピーダンス回路網
を形成し、このため伝送信号の周波数が高くなるにつれ
てこの回路網のインピーダンスが著しく減少し、この結
果ＲＦ減衰量が低下してしまう欠点があった。本出願人
の実験によれば、例えば］ ＯＯＭＨｚ の周波数附近
においては８０ｄＢ以上の減衰量が得られるのに対し、
周波数が５００ ＭＨｚ 近辺になると１５ｄＢ前後し
か得られなかった。
〈目 的〉
本発明は上記のような従来回路の欠点に鑑みなされたも
のであり、周波数によって減衰量が余り変化することの
ないように広帯域に亘って減衰特性を改善したＲＦ可変
減衰回路を提供するものである。
のであり、周波数によって減衰量が余り変化することの
ないように広帯域に亘って減衰特性を改善したＲＦ可変
減衰回路を提供するものである。
〈実施例〉
以下図面に示す本発明の実施例に従って説明する。第１
図は本発明の１実施例の回路図を示し、ここでは入力端
子１６及び出力端子１７間の信号線路に２個の直流阻止
用コンテ゛ンサ１８．１９と２個のＰＩＮダイオード２
０．２１とを直列に挿入し、この両ダイオード２０．２
１の中間接続点は小容量のコンデンサ２２を介して接地
し、ダイオード２０の陽極にはＡＧＣ端子２３よりピー
キングコイル２４を介してＡＧＣ電圧ＶＡＧＣ’に印加
し、一方ダイオード２１の陰極には第３０ＰＩＮダイオ
ード２５の陰極を接続するとともにバイアス抵抗２６を
介して接地し、またこのダイオード２５の陽極にはバイ
アス抵抗２７を介して正電源電圧を印加してなるもので
ある。なお２８．２９はともに接地用コンデンサである
。
図は本発明の１実施例の回路図を示し、ここでは入力端
子１６及び出力端子１７間の信号線路に２個の直流阻止
用コンテ゛ンサ１８．１９と２個のＰＩＮダイオード２
０．２１とを直列に挿入し、この両ダイオード２０．２
１の中間接続点は小容量のコンデンサ２２を介して接地
し、ダイオード２０の陽極にはＡＧＣ端子２３よりピー
キングコイル２４を介してＡＧＣ電圧ＶＡＧＣ’に印加
し、一方ダイオード２１の陰極には第３０ＰＩＮダイオ
ード２５の陰極を接続するとともにバイアス抵抗２６を
介して接地し、またこのダイオード２５の陽極にはバイ
アス抵抗２７を介して正電源電圧を印加してなるもので
ある。なお２８．２９はともに接地用コンデンサである
。
上記のように構成されたＲＦ可変減衰回路では、３個の
ＰＩＮダイオード２０．２１．２５によってＬ型抵抗回
路網が形成され、い１最大利得時にはＡＧＣ端子２３に
比較的大きな正電圧が印加され、このときＰＩＮダイオ
ード２０，２＋の内部抵抗値Ｖ２０．Ｖ２＋はともに数
Ωとなるのに対し、ＰＩＮダイオード２５の内部抵抗値
Ｖ２５は数百Ωとなり、この場合入力端子１６から入力
されたＲＦ倍信号殆んど減衰されずにコンデンサ１８、
ダイオード２０．２１及びコンデンサ１９を介して出力
端子１７に出力される。
ＰＩＮダイオード２０．２１．２５によってＬ型抵抗回
路網が形成され、い１最大利得時にはＡＧＣ端子２３に
比較的大きな正電圧が印加され、このときＰＩＮダイオ
ード２０，２＋の内部抵抗値Ｖ２０．Ｖ２＋はともに数
Ωとなるのに対し、ＰＩＮダイオード２５の内部抵抗値
Ｖ２５は数百Ωとなり、この場合入力端子１６から入力
されたＲＦ倍信号殆んど減衰されずにコンデンサ１８、
ダイオード２０．２１及びコンデンサ１９を介して出力
端子１７に出力される。
逆に最小利得時にはＡＧＣ端子１６に印加されるＡＧＣ
電圧は零ポリトとなり、どのときＰＩＮダイオード２０
．２１の内部抵抗値ｖ２ｏ、ｖ２１はともに数にΩにな
るのに対しＰ Ｉ’Ｎダイオード２５の内部抵抗値は数
十〇となり、この場合入力端子１６に供給されたＲＦ倍
信号３個のＰＩＮダイオード２０．２１．２５によって
形成されるＬ型抵抗回路網によって８０ｄＢ以上減衰さ
れることになる。
電圧は零ポリトとなり、どのときＰＩＮダイオード２０
．２１の内部抵抗値ｖ２ｏ、ｖ２１はともに数にΩにな
るのに対しＰ Ｉ’Ｎダイオード２５の内部抵抗値は数
十〇となり、この場合入力端子１６に供給されたＲＦ倍
信号３個のＰＩＮダイオード２０．２１．２５によって
形成されるＬ型抵抗回路網によって８０ｄＢ以上減衰さ
れることになる。
こうして本実施例のＲＦ可変減衰回路においては、ＡＧ
’Ｃ端子２３に印加されるＡＧＣ電圧の大きさに応じて
２個のＰＩＮダイオード２０．２１の導通度が制御され
、その結果入力端子１６に供給されたＲＦ入力信号が所
定量だけ減衰され出力端子１７に導出される。
’Ｃ端子２３に印加されるＡＧＣ電圧の大きさに応じて
２個のＰＩＮダイオード２０．２１の導通度が制御され
、その結果入力端子１６に供給されたＲＦ入力信号が所
定量だけ減衰され出力端子１７に導出される。
ところで上記のようなＲＦ可変減衰回路においては、特
に最小利得時の抵抗回路網の簡易等価回路は第３図（ａ
）に示す如くなり、この場合可変減衰回路網はＰＩＮダ
イオード２０．２■の内部抵抗Ｖ２０ 、 Ｖ２＋及び
接合容量Ｃ２０、Ｃ２＋と小容量コンテ゛ンサ２２の容
量値Ｃ２２とによって形成される。
に最小利得時の抵抗回路網の簡易等価回路は第３図（ａ
）に示す如くなり、この場合可変減衰回路網はＰＩＮダ
イオード２０．２■の内部抵抗Ｖ２０ 、 Ｖ２＋及び
接合容量Ｃ２０、Ｃ２＋と小容量コンテ゛ンサ２２の容
量値Ｃ２２とによって形成される。
この第３図（ａ）に示す等価回路は周知の通り第３図（
ｂ）、第３図（ｃ）に示す如くＹ→Δ等価変換でき、−
この場合変換後のＹｂについてのみ記すと３ で表わされる。
ｂ）、第３図（ｃ）に示す如くＹ→Δ等価変換でき、−
この場合変換後のＹｂについてのみ記すと３ で表わされる。
上式を参照すればＰＩＮダイオード２０．２１の接合容
量Ｃ２０，Ｃ２＋はコンデンサ２２の容量成分Ｃ２２に
より打消されて実質的′に減少されることが理解される
であろう。
量Ｃ２０，Ｃ２＋はコンデンサ２２の容量成分Ｃ２２に
より打消されて実質的′に減少されることが理解される
であろう。
以上の結果、本実施例のようにＰＩＮダイオード２０．
２１の中間接続点を小容量コンデンサ２２を介して接地
することにより、特に最小利得時におけるＰＩＮダイオ
ード２０．２１の接合容量成分による高域周波数での特
性の劣化を改善することができる。
２１の中間接続点を小容量コンデンサ２２を介して接地
することにより、特に最小利得時におけるＰＩＮダイオ
ード２０．２１の接合容量成分による高域周波数での特
性の劣化を改善することができる。
本出願人は実験により第１図に示す実施例の回路におい
て最小利得時に５０ＭＨｚ〜５００ ＭＨｚの広帯域に
亘って一様に３０ｄＢ以上の減衰を得ることが確認でき
た。
て最小利得時に５０ＭＨｚ〜５００ ＭＨｚの広帯域に
亘って一様に３０ｄＢ以上の減衰を得ることが確認でき
た。
第２図は本発明の他の実施例を示すものであり、ここで
第１図に示す実施例と同一部分には同一符号全附記して
いる。ここでは特にトランジスタ３０、 ←抵抗８１，
８２及びコンデンサ３３からなるバラ、ファ用の増幅回
路を追加して構成したものであシ、ＡＧＣ端子２３より
抵抗３１を介してトランジスタ８０のベースにＡＧＣ電
圧ＶＡＧＣを印加することにより、このトランジスタ３
０の導通度を制御し、これによってＰＩＮダイオード２
０の陽極にピーキングコイル２４を介してＡＧＣ電圧Ｖ
ＡＧＣに応じた直流電圧を供給するようにしたものであ
る。
第１図に示す実施例と同一部分には同一符号全附記して
いる。ここでは特にトランジスタ３０、 ←抵抗８１，
８２及びコンデンサ３３からなるバラ、ファ用の増幅回
路を追加して構成したものであシ、ＡＧＣ端子２３より
抵抗３１を介してトランジスタ８０のベースにＡＧＣ電
圧ＶＡＧＣを印加することにより、このトランジスタ３
０の導通度を制御し、これによってＰＩＮダイオード２
０の陽極にピーキングコイル２４を介してＡＧＣ電圧Ｖ
ＡＧＣに応じた直流電圧を供給するようにしたものであ
る。
本実施例のＲＦ信号の減衰動作は既述した第１図の実施
例の動作と略同−であるため、その詳細については省略
するが、この場合比較的小さなＡＧＣ電圧ＶＡＧＣの変
化に対しても有効に可変減衰動作を行なわせることが可
能となる。
例の動作と略同−であるため、その詳細については省略
するが、この場合比較的小さなＡＧＣ電圧ＶＡＧＣの変
化に対しても有効に可変減衰動作を行なわせることが可
能となる。
〈効 果〉
本発明によれば、上記のように信号線路にＰＩＮダイオ
ードを挿入しＡＧＣ電圧に基いてそのダイオードの導通
度を可変制御しこれによりＲＦ入力信号を適正量だけ減
衰するＲＦ可変減衰回路において、特に２個のＰＩＮダ
イオード全使用し、両ダイオードの中間接続点を小容量
コンデンサを介して接地することにより、ＰＩＮダイオ
ードの接合容量による高域成分の特性劣化現象を改善す
ることができ、例えば５０ＭＨ２〜５００ＭＨ２の広帯
域に亘って積大損出８０ｄＢ以上の減衰特性を得ること
が可能となる。
ードを挿入しＡＧＣ電圧に基いてそのダイオードの導通
度を可変制御しこれによりＲＦ入力信号を適正量だけ減
衰するＲＦ可変減衰回路において、特に２個のＰＩＮダ
イオード全使用し、両ダイオードの中間接続点を小容量
コンデンサを介して接地することにより、ＰＩＮダイオ
ードの接合容量による高域成分の特性劣化現象を改善す
ることができ、例えば５０ＭＨ２〜５００ＭＨ２の広帯
域に亘って積大損出８０ｄＢ以上の減衰特性を得ること
が可能となる。
第１図は本発明の１実施例の回路図、第２図は本発明の
他の実施例の向路図、第３図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は
第１図に示す実施例の簡易等価回路図、第４図は従来回
路の回路図である。 ２０．２１１２５・・・ＰＩＮダイオード、２２・・・
小容量コンデンサ、２３・・・ＡＧＣ端子、２４・・・
ピーキングコイル、２６．２７・・・バイアス抵抗代理
人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）ＶＡＧＣ＋８ 第１Ｉ！ＩＩ （ａ） （ｂ’） （Ｃ） 第３図 ／−１
他の実施例の向路図、第３図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は
第１図に示す実施例の簡易等価回路図、第４図は従来回
路の回路図である。 ２０．２１１２５・・・ＰＩＮダイオード、２２・・・
小容量コンデンサ、２３・・・ＡＧＣ端子、２４・・・
ピーキングコイル、２６．２７・・・バイアス抵抗代理
人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）ＶＡＧＣ＋８ 第１Ｉ！ＩＩ （ａ） （ｂ’） （Ｃ） 第３図 ／−１
Claims (1)
- ｌ 信号線路に２個のＰＩＮダイオードを直列に挿入し
この両ダイオードの中間接続点を小容量コンデンサを介
して接地し、前記ＰＩＮダイオードの直列回路の一端に
第３のＰＩＮダイオードとともにバイアス抵抗を接続し
てこの第３のＰＩＮダイオードに固定バイアス電源を印
加し、且つ前記ＰＩＮダイオードの直列回路の他端に制
御信号を供給してなり、この制御信号に基いてＰＩＮダ
イオードの導通度を制御することによってＲＦ入力信号
の減衰することを特徴とするＲＦ可変減衰回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59117495A JPS60260220A (ja) | 1984-06-06 | 1984-06-06 | Ｒｆ可変減衰回路 |
| US06/741,596 US4668882A (en) | 1984-06-06 | 1985-06-05 | Radio frequency signal variable attenuation circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59117495A JPS60260220A (ja) | 1984-06-06 | 1984-06-06 | Ｒｆ可変減衰回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60260220A true JPS60260220A (ja) | 1985-12-23 |
| JPH0152930B2 JPH0152930B2 (ja) | 1989-11-10 |
Family
ID=14713143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59117495A Granted JPS60260220A (ja) | 1984-06-06 | 1984-06-06 | Ｒｆ可変減衰回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4668882A (ja) |
| JP (1) | JPS60260220A (ja) |
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| JP3107071U (ja) * | 2004-08-06 | 2005-01-27 | アルプス電気株式会社 | 可変減衰回路 |
| JP4732032B2 (ja) * | 2005-06-30 | 2011-07-27 | 株式会社ゼネラル リサーチ オブ エレクトロニックス | 可変抵抗回路 |
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Also Published As
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