JPS60260392A - 透光性導電膜の光加工方法 - Google Patents

透光性導電膜の光加工方法

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JPS60260392A
JPS60260392A JP59117538A JP11753884A JPS60260392A JP S60260392 A JPS60260392 A JP S60260392A JP 59117538 A JP59117538 A JP 59117538A JP 11753884 A JP11753884 A JP 11753884A JP S60260392 A JPS60260392 A JP S60260392A
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conductive film
transparent conductive
optical processing
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wavelength
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Shunpei Yamazaki
舜平 山崎
Susumu Nagayama
永山　進
Kenji Ito
健二 伊藤
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Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
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Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
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    • H10F77/244—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. transparent conductive oxide [TCO] layers
    • H—ELECTRICITY
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    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 本発明は太陽電池、液晶表示パネル等に用いられる透光
性導電膜の光による選択前゛工法に関する。
「従来技術」 透光性導電膜の光加工に関しては、レーザ加工技術とし
てＹＡＧレーザ光（波長１．０５μ）が主として用いら
れている。
この波長によるレーザ加工方法においては、そ、の光学
的エネルギが１．２３ｅＶであるため、透光性導電膜（
以下ＣＴＦという）である一般な３〜４ｅＶの光学的エ
ネルギバンド中を有する酸化スズ、酸化インジューム（
ｆＴｏを含む）に対して十分な光吸収性を有していない
。このためレーザ加工の際、Ｑスイッチパルス光は平均
０．５〜ＩＮ（光径５０μ、焦点距離４０ｎｍ、パルス
周波数３ＫＨ２，パルス巾ＧＯｎ秒の場合）の強い光エ
ネルギを加えて加工しなければならない。その結果、こ
のレーザ光によりＣＴＦの加工は行い得るが、同時にそ
の下側に設けられた基板例えばガラス基板に対してマイ
クロクランクを発生させてしまった。
ｒ発明の解決しようとする問題Ｊ このＹＡＧレーザを用いた加工での下地基板の微小クラ
ンクは、レーザ光の円周と類似の形状を有し、「鱗」状
に作られてしまった。
更に、レーザ光が照射された領域のＣＴＦは十分気化せ
ず、微粉末状でその開講または開孔に残存していた。
このためこれらを除去し、かつＣＴＦを溶去しない溶液
（弗化水素系溶液）によりエツチングをマスクを用いる
必要はないが行わなければならなかった。
ｒ問題を解決するだめの手段」 本発明は、上記の問題を解決するものであり、その照射
光の波長を４００ｎｍ以下（エネルギ的には３．１ｅＶ
以上）の波長のパルスレーザを照射し、それによってＣ
ＴＦでの光エネルギの吸収効率をＹＡＧレーザ（１，０
６μ）の１００倍以上に高めたものである。
なくしてＣＴＦの選択除去が可能となり、さらに減圧下
にてパルスレーザ光を照射するならば照射後の照射部の
弗酸等による除去が不要となり、アルコール、アセトン
等の洗浄液による超音波洗浄で十分となった。
「実施例１」 基板として厚さ１．１ｍｍのガラス基板（１）を用いて
、この上面に弗素またはアンチモンが添加されている酸
化スズのＣＴＩ’　（２）を０．３　μの厚さに第１図
（Ａ）に示す如く形成させた。
かかる被加工面を有する基板に対しエキシマレーザ（Ｑ
ｕｅｓｔｅｃ　Ｉｎｃ、製）を用いた。
パルス光はＫｒＦを用いた２４８ｎｍとした。
パルス巾２０ｎ秒、繰り返し周波数５０Ｈｚ　、平均出
力１７Ｗ／１６　Ｘ　２０ｍｍとした。するとこの酸化
スズは１つのパルス光の照射で被照射面（３）が完全に
白濁化され、ＣＴＦが微粉末になった。これをアセトン
水溶液にて超音波洗浄（周波数２９ＫＨｚ）を約１〜１
０分にてこのＣＴＦを除去した。下地のソーダガラスは
まったく損傷を受けていなかった。
「実施例２」１ 水素または弗素が添加された非単結晶半導体（主成分珪
素）上にＩＴＯ（酸化スズが５重量％添加された酸化イ
ンジューム）を１０００人の厚さに電子ビーム蒸着法に
よって形成し被加工面とした。
さらにこの面を下面とし、真空下（真空度１Ｏ−５ｔｏ
ｒｒ以下）として４００ｎｍ以下の波長のパルス光を加
えた。波長は３５１ｒ＋ｍ　（ＸｅＦ）とした。パルス
巾２Ｏｎ秒、平均出力２０Ｗ／１６　Ｘ　２０ｍｍ”と
した。すると被加工面のＩＴＯは昇華し下地の半導体は
損傷することなくこの開講により残った１７０間を絶縁
化することができた。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の作製方法を示す。 特許出願人 ） 涜 羊１　（’ｆ’＋

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、基板上の透光性導電膜に４００ｎｍ以下の波長のパ
    ルスレーザ光を選択的に照射して除去することを特徴と
    した透光性導電膜の光加工方法。 ２、特許請求の範囲第１項において、透光性導電膜は１
    μ以下の厚さを有する酸化スズまたは酸化インジューム
    を主成分としたことを特徴とした透光性導電膜の光加工
    方法。 ３、特許請求の範囲第１項において、４００ｎｍ以下の
    波長のし〜ザ光はエキシマレーザが用いられたことを特
    徴とした透光性導電膜の光加工方法。 ４、特許請求の範囲第１項において、パルス光の照射を
    減圧下において行うことを特徴とした透光性導電膜の光
    加工方法。
JP59117538A 1984-06-08 1984-06-08 透光性導電膜の光加工方法 Granted JPS60260392A (ja)

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US06/740,764 US4713518A (en) 1984-06-08 1985-06-03 Electronic device manufacturing methods
US07/298,263 US4874920A (en) 1984-06-08 1989-01-13 Electronic device manufacturing methods
US07/333,912 US4970368A (en) 1984-06-08 1989-04-06 Laser scribing method
US07/333,911 US4970369A (en) 1984-06-08 1989-04-06 Electronic device manufacturing methods

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JPH0356556B2 JPH0356556B2 (ja) 1991-08-28

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JPH0356556B2 (ja) 1991-08-28

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