JPS60263902A - 塩化カリウム用反射防止膜 - Google Patents
塩化カリウム用反射防止膜Info
- Publication number
- JPS60263902A JPS60263902A JP59119919A JP11991984A JPS60263902A JP S60263902 A JPS60263902 A JP S60263902A JP 59119919 A JP59119919 A JP 59119919A JP 11991984 A JP11991984 A JP 11991984A JP S60263902 A JPS60263902 A JP S60263902A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- as2s3
- kci
- protective film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 title claims 2
- UKUVVAMSXXBMRX-UHFFFAOYSA-N 2,4,5-trithia-1,3-diarsabicyclo[1.1.1]pentane Chemical compound S1[As]2S[As]1S2 UKUVVAMSXXBMRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 229940052288 arsenic trisulfide Drugs 0.000 claims abstract description 19
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- MZQZQKZKTGRQCG-UHFFFAOYSA-J thorium tetrafluoride Chemical compound F[Th](F)(F)F MZQZQKZKTGRQCG-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims abstract description 14
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 claims abstract description 9
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 claims abstract description 9
- XASAPYQVQBKMIN-UHFFFAOYSA-K ytterbium(iii) fluoride Chemical compound F[Yb](F)F XASAPYQVQBKMIN-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims abstract description 9
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 15
- 239000005387 chalcogenide glass Substances 0.000 abstract description 9
- FPHIOHCCQGUGKU-UHFFFAOYSA-L difluorolead Chemical compound F[Pb]F FPHIOHCCQGUGKU-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract description 8
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 229910052958 orpiment Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 2
- 229910004366 ThF4 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910009520 YbF3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 70
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WBFMCDAQUDITAS-UHFFFAOYSA-N arsenic triselenide Chemical compound [Se]=[As][Se][As]=[Se] WBFMCDAQUDITAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- CQXADFVORZEARL-UHFFFAOYSA-N Rilmenidine Chemical compound C1CC1C(C1CC1)NC1=NCCO1 CQXADFVORZEARL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000003471 anti-radiation Effects 0.000 description 1
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- HWSZZLVAJGOAAY-UHFFFAOYSA-L lead(II) chloride Chemical compound Cl[Pb]Cl HWSZZLVAJGOAAY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/02—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of crystals, e.g. rock-salt, semi-conductors
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
- G02B1/11—Anti-reflection coatings
- G02B1/113—Anti-reflection coatings using inorganic layer materials only
- G02B1/115—Multilayers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
朽jikて低吸収であって且つ0.6328μm波長の
1(e−8旬レーザ光に対しても良好なる透過性を有し
、−:m’らに耐環境性に優れた塩化カリウム用反射防
止膜に関する。
1(e−8旬レーザ光に対しても良好なる透過性を有し
、−:m’らに耐環境性に優れた塩化カリウム用反射防
止膜に関する。
従来例の構成とその問題点
従来、炭酸ガスレーザ用透明光学部品の素材にりセレン
化亜鉛(ZnSe) 、砒化ガリウム(QaAs)。
化亜鉛(ZnSe) 、砒化ガリウム(QaAs)。
塩化カリウム(KCI)等が挙げられる。
KCIにあっては、他の素材と比べ1086μm波長、
0.6328μm波長において透明で光学歪が小さく、
毒性がなく、安価であるという多くの利点を持つ反面、
潮解性という大きな欠点を有している。そのため湿度の
多い環境での長時間使用に酬えられないという欠点を持
つ。一方KCI用反射防止膜として最も簡単な構造とし
てNaF単層膜が考えられた。NaFの屈折率は1.2
3とKCIの屈折率の平方根(〆1..’4’5’ =
1..204 )に非常に近いために光学的膜厚nd
−λ/4 = 2.65μmを蒸着すれば反射率として
は0.05%と理想に近い光学特性が期待出来るが、こ
のNaF膜自身潮解性を有しているため耐水性という点
では満足なものでなく実用性が無いと判断せざるを得な
い。
0.6328μm波長において透明で光学歪が小さく、
毒性がなく、安価であるという多くの利点を持つ反面、
潮解性という大きな欠点を有している。そのため湿度の
多い環境での長時間使用に酬えられないという欠点を持
つ。一方KCI用反射防止膜として最も簡単な構造とし
てNaF単層膜が考えられた。NaFの屈折率は1.2
3とKCIの屈折率の平方根(〆1..’4’5’ =
1..204 )に非常に近いために光学的膜厚nd
−λ/4 = 2.65μmを蒸着すれば反射率として
は0.05%と理想に近い光学特性が期待出来るが、こ
のNaF膜自身潮解性を有しているため耐水性という点
では満足なものでなく実用性が無いと判断せざるを得な
い。
単層で反射防止膜の条件を満足する物質はNaF以外に
は無く、このため二層、三層構造の反射防止膜が検討さ
れている。KCI用反射防止膜材料と9ド満足しなけれ
ばならない条件は、水に溶けに」 くく、波長106μm 、 0.6328μmにおいて
透明で、彫版との密着性が良く、さらに薄膜状態におい
て、)1:゛ V1ンホールの出来にくいアモルファス構造を示す籠、
・ 妬質が選ばれなければならない。そこで有望な材、1′ 料としては三硫化砒素(AS2S3) +三セレン化砒
素(As2Se3)を代表とするカルコゲナイドガラス
や四弗化トリウム(ThF4)等が挙げられる。これら
を利用した二層、三層反射防止膜の構造については以下
の様なものが考えられる。
は無く、このため二層、三層構造の反射防止膜が検討さ
れている。KCI用反射防止膜材料と9ド満足しなけれ
ばならない条件は、水に溶けに」 くく、波長106μm 、 0.6328μmにおいて
透明で、彫版との密着性が良く、さらに薄膜状態におい
て、)1:゛ V1ンホールの出来にくいアモルファス構造を示す籠、
・ 妬質が選ばれなければならない。そこで有望な材、1′ 料としては三硫化砒素(AS2S3) +三セレン化砒
素(As2Se3)を代表とするカルコゲナイドガラス
や四弗化トリウム(ThF4)等が挙げられる。これら
を利用した二層、三層反射防止膜の構造については以下
の様なものが考えられる。
イ)KC1zGATs/AszS3
0) KCl7As2s3/ThF4
ハ) KCI/A32S3/PbFz
=) KC17A8zs3/PbF2//ASzS3イ
)の構造のものは、いずれもカルコゲナイドノ、ラスよ
り構成されているので耐湿性にすぐれかつ波長106μ
mでの吸収率が少ないという利点を有しティるが、GA
TS (Ge2gAs2+Te29Sez2)は波長0
.6328μmのHe−1’Je光を透過しないという
欠点を有す13口)はいずれもアモルファス構造を示す
物質で耐湿性にすぐれ、最外層のT h F4は機械的
強度が強いためりIJ−ユング時にきずがつきにくいフ
いう利点を有しているが、吸収の少ない蒸着膜1が得に
くいという欠点を有している。・・)の構造゛t′は吸
収は少なくすることが出来るが、最外層のP b F2
の結晶性が強く薄膜状態ではピンホールが妬じ易く、さ
らにそれ自身耐湿性に少々劣るため区射防止膜としては
満足な耐湿性を示さない。
)の構造のものは、いずれもカルコゲナイドノ、ラスよ
り構成されているので耐湿性にすぐれかつ波長106μ
mでの吸収率が少ないという利点を有しティるが、GA
TS (Ge2gAs2+Te29Sez2)は波長0
.6328μmのHe−1’Je光を透過しないという
欠点を有す13口)はいずれもアモルファス構造を示す
物質で耐湿性にすぐれ、最外層のT h F4は機械的
強度が強いためりIJ−ユング時にきずがつきにくいフ
いう利点を有しているが、吸収の少ない蒸着膜1が得に
くいという欠点を有している。・・)の構造゛t′は吸
収は少なくすることが出来るが、最外層のP b F2
の結晶性が強く薄膜状態ではピンホールが妬じ易く、さ
らにそれ自身耐湿性に少々劣るため区射防止膜としては
満足な耐湿性を示さない。
!叫はPbF2の耐湿性に劣る欠点をピンホールの出来
にくいカルコゲナイドガラスであるA S 2 S 3
で保護しているため耐湿性にすぐれ、吸収も少ないため
に以上述べたイ)から二)の例の中で一番すぐれている
。しかしながら、カルコゲナイドガラスは高温で一般に
酸化されやすく、特にH20分子あるいはOH−イオン
の存在はその作用に著しく影響を及ぼす。このカルコゲ
ナイドガラスの酸化現象は10.6μm光での光吸収を
増加させるだめ、改良が望まれている。ところが、KC
lは吸湿性が高く、表面に吸着したH20分子やOHイ
オンを完全に除却する事が困難である。このためKCI
の反射防止膜においてばKCI基板と接する第1層目の
カルコゲナイドガラスのH20分子あるいはoH−イオ
ンによる酸化による吸収増という劣化が問題となってい
る。
にくいカルコゲナイドガラスであるA S 2 S 3
で保護しているため耐湿性にすぐれ、吸収も少ないため
に以上述べたイ)から二)の例の中で一番すぐれている
。しかしながら、カルコゲナイドガラスは高温で一般に
酸化されやすく、特にH20分子あるいはOH−イオン
の存在はその作用に著しく影響を及ぼす。このカルコゲ
ナイドガラスの酸化現象は10.6μm光での光吸収を
増加させるだめ、改良が望まれている。ところが、KC
lは吸湿性が高く、表面に吸着したH20分子やOHイ
オンを完全に除却する事が困難である。このためKCI
の反射防止膜においてばKCI基板と接する第1層目の
カルコゲナイドガラスのH20分子あるいはoH−イオ
ンによる酸化による吸収増という劣化が問題となってい
る。
発明の目的
本発明は従来例のAS2S3 /PbF2/AS2S3
で代表憔1れる反射防止膜の持つ多くの利点、すなわち
ミP6μm波長の炭酸カスレーザ光に対して低吸収、耐
湿性に優れ、かっHe−Neレーザ光に対して透襲であ
る等の第1」点をそこなうことなく、その欠点弗 壬あるKCI基板と接する第1層目のAS2S3カルコ
i・ 止膜を捉供することを目的とする。
で代表憔1れる反射防止膜の持つ多くの利点、すなわち
ミP6μm波長の炭酸カスレーザ光に対して低吸収、耐
湿性に優れ、かっHe−Neレーザ光に対して透襲であ
る等の第1」点をそこなうことなく、その欠点弗 壬あるKCI基板と接する第1層目のAS2S3カルコ
i・ 止膜を捉供することを目的とする。
発明の構成
本発明はKCI基板上に、弗化バリウム、三弗化イッテ
ルビウムまたは四弗化トリウムのいずれがの膜を形成し
、そ゛の上に三硫化ヒ素膜、フ、化鉛膜および三硫化ヒ
素膜を順次形成し7た四層構造よ機成るKCI用反射防
止膜である。
ルビウムまたは四弗化トリウムのいずれがの膜を形成し
、そ゛の上に三硫化ヒ素膜、フ、化鉛膜および三硫化ヒ
素膜を順次形成し7た四層構造よ機成るKCI用反射防
止膜である。
実施例の説明
以下本発明の実施例について図面とともに詳細に説明す
る。
る。
第1図は本発明による反射防止膜の構造を示す断面図で
ある。図において、5は両面が超精密に光学何層された
屈折率n8が145なるKCI基板である。このKCI
基板1上には、まず化学的に安定でかつKCI基板5の
屈折率n+ = 1..45に近い屈折率を有する弗化
・・リウム(BaF2) nl−1,40、三弗化イッ
テルビウム(YbF3) nl ”= 1.38 ある
いは四弗田トリウム(ThF4) nl = 1.35
のうち一つからなβ物質膜を保護膜1として形成する
。形成する光学的膜厚nl d、は、BaFz膜の場合
は0.140μm 。
ある。図において、5は両面が超精密に光学何層された
屈折率n8が145なるKCI基板である。このKCI
基板1上には、まず化学的に安定でかつKCI基板5の
屈折率n+ = 1..45に近い屈折率を有する弗化
・・リウム(BaF2) nl−1,40、三弗化イッ
テルビウム(YbF3) nl ”= 1.38 ある
いは四弗田トリウム(ThF4) nl = 1.35
のうち一つからなβ物質膜を保護膜1として形成する
。形成する光学的膜厚nl d、は、BaFz膜の場合
は0.140μm 。
YbF3膜の場合は0.138 μm 、 T h F
4膜の場合は0135μmである。2は光吸収が少なく
水に不溶な屈折率n2が2.31なる高屈折率物質であ
る第1の三硫化ヒ素(AS2S3)膜で、光学的膜厚n
2d2−2494μmである。3は光吸収が少なく屈折
率n3妬1.67なる低屈折率物質であるフッ化鉛(P
bF2)1F、光学的膜厚n3d3 = 1.336
pmである。 4は屈折率n4が231の第2のAs2
S3膜で光学的膜厚@:rr4 d4 = 0.994
11mである。保護膜1はKCI基板と1カルコゲナイ
ドガラスであるAS2S3膜2の耐環橢性の悪さを保護
するもので、屈折率がKCI基板の屈折率1.45に近
いものが好ましい。
4膜の場合は0135μmである。2は光吸収が少なく
水に不溶な屈折率n2が2.31なる高屈折率物質であ
る第1の三硫化ヒ素(AS2S3)膜で、光学的膜厚n
2d2−2494μmである。3は光吸収が少なく屈折
率n3妬1.67なる低屈折率物質であるフッ化鉛(P
bF2)1F、光学的膜厚n3d3 = 1.336
pmである。 4は屈折率n4が231の第2のAs2
S3膜で光学的膜厚@:rr4 d4 = 0.994
11mである。保護膜1はKCI基板と1カルコゲナイ
ドガラスであるAS2S3膜2の耐環橢性の悪さを保護
するもので、屈折率がKCI基板の屈折率1.45に近
いものが好ましい。
第2図は保護膜1として屈折率が1.40のBaF2膜
を使用した場合と、屈折率が1.35のThF4膜を使
用した場合の各膜の蒸着膜厚による波長 10.6μm
での反射率の変化を示す特性図である。
を使用した場合と、屈折率が1.35のThF4膜を使
用した場合の各膜の蒸着膜厚による波長 10.6μm
での反射率の変化を示す特性図である。
AS2S3膜2 、 PbFz膜3およびAS2S3膜
4の厚さはそれぞれ2.494μm 、 1.336μ
mおよび0.994. l1mである。図中6は保護膜
1がBaF2膜の場合、7は保護膜1がT h F4膜
の場合の曲線である。図かられかるように、いずれの保
護膜も膜厚を設定値d、−〇、1μmの2倍厚くしても
KCIの屈折率に近いため反射率は高々0.02%に成
るだけで非常に膜厚制御に対する制約がゆ゛るいことが
判る。また、膜厚d1をd1=0.5μmと設定値の5
倍厚くしても、BaF2では反射率が0.02係であり
、ThF4でも0.08’%であるので、反射防止膜と
しての全反射率に対して小さい増加であり、実用的には
5倍厚くしても差徴主ない。
4の厚さはそれぞれ2.494μm 、 1.336μ
mおよび0.994. l1mである。図中6は保護膜
1がBaF2膜の場合、7は保護膜1がT h F4膜
の場合の曲線である。図かられかるように、いずれの保
護膜も膜厚を設定値d、−〇、1μmの2倍厚くしても
KCIの屈折率に近いため反射率は高々0.02%に成
るだけで非常に膜厚制御に対する制約がゆ゛るいことが
判る。また、膜厚d1をd1=0.5μmと設定値の5
倍厚くしても、BaF2では反射率が0.02係であり
、ThF4でも0.08’%であるので、反射防止膜と
しての全反射率に対して小さい増加であり、実用的には
5倍厚くしても差徴主ない。
、車3図は保護膜1として光学的膜厚n1dl−利40
μmのBaF2を設け、AS2S3/PbF2/ASz
Saの3層膜の膜厚を第2図の実施例と同一にした場合
8.各膜厚をそれぞれ3%増とした場合9およ汀:3%
減とした場合100反射率の波長依存性を袖す。これに
よれば波長10.6μmでの反射率は膜′−を3係増減
した場合でも0.4%程度と成るので両面反射防止膜付
の場合でも全反射率は0.8 %と小さく実用上問題は
ない。
μmのBaF2を設け、AS2S3/PbF2/ASz
Saの3層膜の膜厚を第2図の実施例と同一にした場合
8.各膜厚をそれぞれ3%増とした場合9およ汀:3%
減とした場合100反射率の波長依存性を袖す。これに
よれば波長10.6μmでの反射率は膜′−を3係増減
した場合でも0.4%程度と成るので両面反射防止膜付
の場合でも全反射率は0.8 %と小さく実用上問題は
ない。
これらの図からも明らかな様に本発明によるKCI用反
射防止膜の第1層目を構成しているBaF2膜 + Y
bFaあるいはThF4保護膜の膜厚としてはd、=0
.1μm〜05μmと膜厚制御に対する制約がゆるく、
製作が容易である。さらに第2層目からの光学的膜厚と
しては、第3図に示しだ±3チの範囲内、即ち第1のA
S2S3膜がn2 d2 = 2.419μm〜2.5
69μm 、 PbFz膜がn3d3 = 1.296
〜1.376μm 。
射防止膜の第1層目を構成しているBaF2膜 + Y
bFaあるいはThF4保護膜の膜厚としてはd、=0
.1μm〜05μmと膜厚制御に対する制約がゆるく、
製作が容易である。さらに第2層目からの光学的膜厚と
しては、第3図に示しだ±3チの範囲内、即ち第1のA
S2S3膜がn2 d2 = 2.419μm〜2.5
69μm 、 PbFz膜がn3d3 = 1.296
〜1.376μm 。
第2のAS2S3膜が+14d4 =、0.964μm
−1,024μm の範囲であることが好適である。
−1,024μm の範囲であることが好適である。
第4図に、本発明で得られた試料の透過率スペクトルを
示した。波長8μmから13μmの波長領域での実測値
は計算値と良く一致している1、次に本発明によシ製作
した出力結合鏡を500Wレ一ザ発振器に実装し、レー
ザ光の連続照射試験1土行った結果について述べる。出
力結合鏡は加速車験の意味もかねて、断熱性の良い治具
に装着し\t、o o o時間経過後に出力結合鏡を取
り出しレーザ光照射前後での透過率スペクトを測定した
。
示した。波長8μmから13μmの波長領域での実測値
は計算値と良く一致している1、次に本発明によシ製作
した出力結合鏡を500Wレ一ザ発振器に実装し、レー
ザ光の連続照射試験1土行った結果について述べる。出
力結合鏡は加速車験の意味もかねて、断熱性の良い治具
に装着し\t、o o o時間経過後に出力結合鏡を取
り出しレーザ光照射前後での透過率スペクトを測定した
。
1](1その結果、第5図11 、12に示す様にレー
ザ光鴇1射前11と1,000時間照射後12の間で従
来の反h+1防止膜(As2S3/PbFz/As25
3)を使用しレーザ光を800時間照射したもの13に
見られる酸化による吸収増加14は見られず、保護膜を
附加することによシ従来のカルコゲナイドガラスを用い
た反射防止膜よシも゛耐環境性にすぐれ十分実用に耐え
ることが判明した。
ザ光鴇1射前11と1,000時間照射後12の間で従
来の反h+1防止膜(As2S3/PbFz/As25
3)を使用しレーザ光を800時間照射したもの13に
見られる酸化による吸収増加14は見られず、保護膜を
附加することによシ従来のカルコゲナイドガラスを用い
た反射防止膜よシも゛耐環境性にすぐれ十分実用に耐え
ることが判明した。
発明の効果
以上のように、本発明は塩化カリウム基板の表面にBa
F2 、 YbF3まだはT h F4のいずれかの保
護膜を形成し、その上にAS2S3 / PbF2/
A32S33層膜を形成した塩化カリウム用反射防止膜
で、以下のような効果を有するものである。
F2 、 YbF3まだはT h F4のいずれかの保
護膜を形成し、その上にAS2S3 / PbF2/
A32S33層膜を形成した塩化カリウム用反射防止膜
で、以下のような効果を有するものである。
(1) KCIとカルコゲナイドガラスを、化学的に安
定でかつ機械的にも強いThF4. YbF3.あるい
はBaFzを使用して直接触れない構成をとシカルコゲ
ナイドガラス膜を化学的に保護しているため耐環境性に
すぐれている。
定でかつ機械的にも強いThF4. YbF3.あるい
はBaFzを使用して直接触れない構成をとシカルコゲ
ナイドガラス膜を化学的に保護しているため耐環境性に
すぐれている。
(2) 波長0.6328/jmのHe −N eレー
ザ光に対して□透明であるのでビームアライメントが容
易である。
ザ光に対して□透明であるのでビームアライメントが容
易である。
(3) ThF4. YbF3.あるいはBaF2保護
膜は、光学的膜厚が設定値より2〜5倍増加しても波長
106μmにおいて反射率は高々002係〜0.08
’%増加するだけで非常に膜厚制御に対する制約がゆる
く製作が容易である。
膜は、光学的膜厚が設定値より2〜5倍増加しても波長
106μmにおいて反射率は高々002係〜0.08
’%増加するだけで非常に膜厚制御に対する制約がゆる
く製作が容易である。
第1図は本発明の実施例におけるKCI用反射防止膜の
断面図、第2図乃至第5図はそれぞれ本発明の実施例に
おけるKCI用反射防止膜の光学的特性図である。 1−・・・・・・ 保護膜 2 ・・・・・・・・AS2S3膜 3・・・・・・・・・・・・ PbFz膜4・・・・・
・・A S 2 S 3膜5 ・・ KCI基板 特許出願人 工業技術院長 川 1)裕 部第1 図 第2図 膜厚d+ (pm) 第3図 彼畏入(pm) 第4図 波長入(pm) 第5図 テ及長(アm) −波数(C靜)
断面図、第2図乃至第5図はそれぞれ本発明の実施例に
おけるKCI用反射防止膜の光学的特性図である。 1−・・・・・・ 保護膜 2 ・・・・・・・・AS2S3膜 3・・・・・・・・・・・・ PbFz膜4・・・・・
・・A S 2 S 3膜5 ・・ KCI基板 特許出願人 工業技術院長 川 1)裕 部第1 図 第2図 膜厚d+ (pm) 第3図 彼畏入(pm) 第4図 波長入(pm) 第5図 テ及長(アm) −波数(C靜)
Claims (1)
- (1)塩化カリウム基板の少なくとも一表面上に弗化バ
リウム、三弗化イッテルビウムまたは四弗化トリウムの
いずれかの膜を形成し、その上に三硫化ヒ素膜、フ、化
鉛膜および三硫化ヒ素膜を順次形成したことを特徴とす
る塩化な旦之。 11 ム用反射防止膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59119919A JPS60263902A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | 塩化カリウム用反射防止膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59119919A JPS60263902A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | 塩化カリウム用反射防止膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60263902A true JPS60263902A (ja) | 1985-12-27 |
| JPS6161641B2 JPS6161641B2 (ja) | 1986-12-26 |
Family
ID=14773422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59119919A Granted JPS60263902A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | 塩化カリウム用反射防止膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60263902A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6381401A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-04-12 | Horiba Ltd | 高出力co↓2レ−ザ光用光学部品 |
| JPH01230001A (ja) * | 1988-03-10 | 1989-09-13 | Hisankabutsu Glass Kenkyu Kaihatsu Kk | カルコゲナイドガラスの反射防止膜 |
| JPH03237401A (ja) * | 1990-02-15 | 1991-10-23 | Hisankabutsu Glass Kenkyu Kaihatsu Kk | カルコゲナイドガラスの反射防止膜 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0596926U (ja) * | 1992-05-28 | 1993-12-27 | 三洋電機株式会社 | 駆動力伝達機構 |
-
1984
- 1984-06-13 JP JP59119919A patent/JPS60263902A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6381401A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-04-12 | Horiba Ltd | 高出力co↓2レ−ザ光用光学部品 |
| JPH01230001A (ja) * | 1988-03-10 | 1989-09-13 | Hisankabutsu Glass Kenkyu Kaihatsu Kk | カルコゲナイドガラスの反射防止膜 |
| JPH03237401A (ja) * | 1990-02-15 | 1991-10-23 | Hisankabutsu Glass Kenkyu Kaihatsu Kk | カルコゲナイドガラスの反射防止膜 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6161641B2 (ja) | 1986-12-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7826704B2 (en) | Low-emissivity glass | |
| JP6902775B2 (ja) | プラスチック基材ndフィルタ及び眼鏡用プラスチック基材ndフィルタ | |
| US4578527A (en) | Articles having improved reflectance suppression | |
| JPH04133004A (ja) | 紫外赤外線カットフィルタ | |
| JPS60263902A (ja) | 塩化カリウム用反射防止膜 | |
| JPS60125801A (ja) | 赤外透過材用反射防止膜 | |
| US4483899A (en) | Infrared reflection-preventing film | |
| JP2000111702A (ja) | 反射防止膜 | |
| US4533593A (en) | Antireflection coating for potassium chloride | |
| JPS6028057B2 (ja) | 光記録装置 | |
| US3493289A (en) | Coated optical devices | |
| JPH0561601B2 (ja) | ||
| JPS59137901A (ja) | 反射防止膜 | |
| JPS60263901A (ja) | 塩化カリウム用反射防止膜 | |
| JPS6115102A (ja) | 塩化カリウム用反射防止膜 | |
| JPS6161642B2 (ja) | ||
| TWI761774B (zh) | 光學薄膜、光學鏡片、鏡頭模組及電子裝置 | |
| JP2915513B2 (ja) | 反射防止膜 | |
| JPH0152721B2 (ja) | ||
| JPS58221804A (ja) | セレン化亜鉛用反射防止膜 | |
| JPS6214801B2 (ja) | ||
| JPS6235641B2 (ja) | ||
| JPS6212881B2 (ja) | ||
| JPS6187104A (ja) | 反射防止膜 | |
| JPS6030877Y2 (ja) | 非晶質半導体可逆光記憶素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |