JPS602664A - 薄膜製造装置 - Google Patents
薄膜製造装置Info
- Publication number
- JPS602664A JPS602664A JP58108764A JP10876483A JPS602664A JP S602664 A JPS602664 A JP S602664A JP 58108764 A JP58108764 A JP 58108764A JP 10876483 A JP10876483 A JP 10876483A JP S602664 A JPS602664 A JP S602664A
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- Japan
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- thin film
- film
- mask
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁気テープやシートを真空中で゛製造したシ、
あるいはセラミック基板上に電子材料用の多層薄膜を製
造する場合等に用いられる薄膜製造装置に関するもので
ある。
あるいはセラミック基板上に電子材料用の多層薄膜を製
造する場合等に用いられる薄膜製造装置に関するもので
ある。
従来例の構成とその問題点
２１°−二ノ
近年、磁気記録密度の向上に対する要求１て伴ない、金
属や合金の薄膜を真空中で製造し、記録媒体とするよう
になっている。この場合、蒸着又はスパッタリングなど
の方法で、真空槽中で多層の異種物質を積層させる方法
が採られているが、この方法は連続生産に有用な方法で
ある。しかし多層化した薄膜の中の特定の一種類の薄膜
のみの特性（膜厚とか電気的、結晶的、磁気的特性）を
調べることは、他の薄膜層と区別することがｌｆｔかし
く困難であった。又、区別で・きたとしても単体として
の薄膜特性の性質は失なわれており、製造時の条件を調
べるなどの目的には不都合であった。
属や合金の薄膜を真空中で製造し、記録媒体とするよう
になっている。この場合、蒸着又はスパッタリングなど
の方法で、真空槽中で多層の異種物質を積層させる方法
が採られているが、この方法は連続生産に有用な方法で
ある。しかし多層化した薄膜の中の特定の一種類の薄膜
のみの特性（膜厚とか電気的、結晶的、磁気的特性）を
調べることは、他の薄膜層と区別することがｌｆｔかし
く困難であった。又、区別で・きたとしても単体として
の薄膜特性の性質は失なわれており、製造時の条件を調
べるなどの目的には不都合であった。
従来の連続スパッタリング装置の概略を第１図に示す。
図において真空槽３はロータリーポンプ１と拡散ポンプ
２で適度の真空に保たれ、送り出しロール４に用意した
高分子フィルム６はガイドローラ６．６′やクーリング
キャン７を経て矢印１１方向に移動し巻き耶りローラ８
に巻き取られて行く。この際薄膜材料源１２はスパッタ
リングや蒸着法によって高分子フィルム５上に積層し薄
３ ・・−ジ 膜形成フィルム６′ヲ形成するが、高分子フィルム５の
余分な場所、又はクーリングキャン７の余分な場所への
薄膜耐着を防止するためにマスク９を設置する。このマ
スク９の効果を第２図を用いて説明する。薄膜材料源１
２側から高分子フィルム５を眺めた図が第２図で、マス
ク９の中央に開口部１ｏが設けられ、その裏側に高分子
フィルム６が流れ、ａの側からａ′方向へ流れている。
２で適度の真空に保たれ、送り出しロール４に用意した
高分子フィルム６はガイドローラ６．６′やクーリング
キャン７を経て矢印１１方向に移動し巻き耶りローラ８
に巻き取られて行く。この際薄膜材料源１２はスパッタ
リングや蒸着法によって高分子フィルム５上に積層し薄
３ ・・−ジ 膜形成フィルム６′ヲ形成するが、高分子フィルム５の
余分な場所、又はクーリングキャン７の余分な場所への
薄膜耐着を防止するためにマスク９を設置する。このマ
スク９の効果を第２図を用いて説明する。薄膜材料源１
２側から高分子フィルム５を眺めた図が第２図で、マス
ク９の中央に開口部１ｏが設けられ、その裏側に高分子
フィルム６が流れ、ａの側からａ′方向へ流れている。
開口部１ｏを通過した薄膜材料は高分子フィルム６上に
積層し薄膜層６０を形成してａ′の側へ流れ出ていく
薄膜層６００幅は開口部１ｏの幅に等しく、高分子フィ
ルム５の中央線ａ−ａ’に対しても対称の位置にある。
積層し薄膜層６０を形成してａ′の側へ流れ出ていく
薄膜層６００幅は開口部１ｏの幅に等しく、高分子フィ
ルム５の中央線ａ−ａ’に対しても対称の位置にある。
この状態で第２．第３の薄膜を順次スパッタリングして
も、でき上った積層膜は薄膜層６ｏの位置から変わらず
、単一の薄膜層が高分子フィルム６上に表われている場
所はどこにも無い。
も、でき上った積層膜は薄膜層６ｏの位置から変わらず
、単一の薄膜層が高分子フィルム６上に表われている場
所はどこにも無い。
従って単体としての薄膜特性を調べることは不可能であ
り、製造時の条件を調べるには不都合であった〇 １１開ＢＲ６０−２６６４（２） 発明の目的 本発明は上記の欠点を解消する目的で行なわれたもので
ちゃ、多層薄膜の中の任意の単体薄膜の特性が任意の場
所で検査できるようにした薄膜製造装置を提供すること
を目的とする。
り、製造時の条件を調べるには不都合であった〇 １１開ＢＲ６０−２６６４（２） 発明の目的 本発明は上記の欠点を解消する目的で行なわれたもので
ちゃ、多層薄膜の中の任意の単体薄膜の特性が任意の場
所で検査できるようにした薄膜製造装置を提供すること
を目的とする。
発明の構成
本発明は上記目的を達成するもので、真空槽内にフィル
ム媒体を巻き付ける円筒状キャンと、前記キャンに対向
して設けられた少なくとも１個の蒸発源とを具備し、前
記キャンと蒸発源との間に開孔部を有するマスクが設置
されてお９、前記開口部とフィルム媒体との相対的位置
を各薄膜の形成時に異ならしめたものである。
ム媒体を巻き付ける円筒状キャンと、前記キャンに対向
して設けられた少なくとも１個の蒸発源とを具備し、前
記キャンと蒸発源との間に開孔部を有するマスクが設置
されてお９、前記開口部とフィルム媒体との相対的位置
を各薄膜の形成時に異ならしめたものである。
実施例の説明
本発明の実施例を図面を用いて説明する。本実施例は基
本構成は第１図に示すものであシ、そのマスク部分に特
徴を有する。
本構成は第１図に示すものであシ、そのマスク部分に特
徴を有する。
本発明の第１の実施午１を第１図、第３図、第４１シを
用いて説明する。実験は第１図の形状の装置を用い、試
料ベースフィルム５に５０μｍ厚、 幅６ｔ・−ジ ４００ ｒｒｒｙｎのポリエステルを送シ出しロール４
に約２０ ｍ設置した。スパッタリング時のマスク９は
第３図に示す形状のものを使用した。本マスクの特徴は
フィルム６の中央線ａ−ａ’に対し、マスク９の外端４
１と４２は等しい距離にあるが、開口部２０の上端２１
と中央線ａ−ａ’間の距離に比べ、下端２２と中央ａａ
−ａ’間の距離の方碕かくしである（もちろんこの逆
であっても良い）ことにある。すなわち開口部２ｏのフ
ィルム６の幅方向の長さは３４０ｍとし、フィルム中央
線ａ−ａ′から開口部上端２１までの幅は１８０ Ｎｎ
ｓ下端２２までは１６．０ｍｍになるようにした。す
なわち開口部５の幅方向の長さ３４０ｍの位置をフィル
ム中央から１０ｒｒａｎ一方端にずらしである。この装
置により第１層の薄膜材料として鉄を約０．１μｍスパ
ッタリングで形成した。第３図では３゜に相当する場所
に薄膜が積層され 、／方向に走行していき、第１図の
巻き取シロール８に巻き取られた。次に巻き取シロール
８のロールを取りはずし、前記鉄薄膜３０が形成された
面にスパッタが６、−ジ 行われるように再び送シ出しロール４に設置し直し、同
様のスパッタリング手順で、第２層の薄膜Ｃ６−−Ｎ
ｉ合金を０．２μｍの厚さで作成した。この時鉄の薄膜
形成時とフィルムは上下逆になる。
用いて説明する。実験は第１図の形状の装置を用い、試
料ベースフィルム５に５０μｍ厚、 幅６ｔ・−ジ ４００ ｒｒｒｙｎのポリエステルを送シ出しロール４
に約２０ ｍ設置した。スパッタリング時のマスク９は
第３図に示す形状のものを使用した。本マスクの特徴は
フィルム６の中央線ａ−ａ’に対し、マスク９の外端４
１と４２は等しい距離にあるが、開口部２０の上端２１
と中央線ａ−ａ’間の距離に比べ、下端２２と中央ａａ
−ａ’間の距離の方碕かくしである（もちろんこの逆
であっても良い）ことにある。すなわち開口部２ｏのフ
ィルム６の幅方向の長さは３４０ｍとし、フィルム中央
線ａ−ａ′から開口部上端２１までの幅は１８０ Ｎｎ
ｓ下端２２までは１６．０ｍｍになるようにした。す
なわち開口部５の幅方向の長さ３４０ｍの位置をフィル
ム中央から１０ｒｒａｎ一方端にずらしである。この装
置により第１層の薄膜材料として鉄を約０．１μｍスパ
ッタリングで形成した。第３図では３゜に相当する場所
に薄膜が積層され 、／方向に走行していき、第１図の
巻き取シロール８に巻き取られた。次に巻き取シロール
８のロールを取りはずし、前記鉄薄膜３０が形成された
面にスパッタが６、−ジ 行われるように再び送シ出しロール４に設置し直し、同
様のスパッタリング手順で、第２層の薄膜Ｃ６−−Ｎ
ｉ合金を０．２μｍの厚さで作成した。この時鉄の薄膜
形成時とフィルムは上下逆になる。
第４図はこの時のスパッタ膜のフィルム上の位置を示す
。あらかじめ積層した鉄薄膜３ｏはａの方向からａ′の
方向に走行する。第２層のＣｏ Ｎ ｉ 薄膜７０は開
口部２ｏ全通してフィルム６上に積層される。この時、
フィルム上端１１とＣｏＮｉ膜上端７１までの間は２０
ｔｒｒｍで何も薄膜は積層してぃな己。ＣｏＮｉ膜７ｏ
の上端子１と第１層の鉄薄膜３ｏの上端３１までの間は
２０ｍとなシ、この部分はＣｏ Ｎ ｉの単層のみが積
層している。第１層の鉄薄膜３０の上端３１と、第２層
のＣ０Ｎｉ膜７゜の下端７２の間は３２０喘となり、目
的とした電子材料の２層構造部分が得られた。又、第２
層のＣｏ Ｎ ｉ膜７０の下端７２と第１層の鉄薄膜３
０の下端３２の間も２０論幅の単体の鉄薄膜層が得られ
た。
。あらかじめ積層した鉄薄膜３ｏはａの方向からａ′の
方向に走行する。第２層のＣｏ Ｎ ｉ 薄膜７０は開
口部２ｏ全通してフィルム６上に積層される。この時、
フィルム上端１１とＣｏＮｉ膜上端７１までの間は２０
ｔｒｒｍで何も薄膜は積層してぃな己。ＣｏＮｉ膜７ｏ
の上端子１と第１層の鉄薄膜３ｏの上端３１までの間は
２０ｍとなシ、この部分はＣｏ Ｎ ｉの単層のみが積
層している。第１層の鉄薄膜３０の上端３１と、第２層
のＣ０Ｎｉ膜７゜の下端７２の間は３２０喘となり、目
的とした電子材料の２層構造部分が得られた。又、第２
層のＣｏ Ｎ ｉ膜７０の下端７２と第１層の鉄薄膜３
０の下端３２の間も２０論幅の単体の鉄薄膜層が得られ
た。
本発明の第２の実施例であるマスクの構成図を７ ｌ−
バク 第６図を示す。
バク 第６図を示す。
本実施例も第１の実施例と同様に２層薄膜を作成する場
合について説明する。
合について説明する。
本実施例の特徴は、第１の鉄の薄膜層用のマスク１９と
、第２層のＣｏ Ｎ ｉ薄膜層用のマスク２９を二つの
蒸発源にそれぞれ対向させて、スパッタリング槽内に設
置した。マスク１９の開口部６゜とマスク２９の開口部
６１とは、フィルム５の中央線ａ −ａ’に対してたが
いにずれた位置に配置した。この結果、第１の鉄薄膜３
０と第２のＣｏＮｉ薄膜７０は重なった部分が鉄薄膜３
ｏの上端３１とＣｏＮｉ薄膜７０の下端７２間に作成さ
れ、単体の鉄薄膜層はＣｏ Ｎ ｉ薄膜７０の下端７２
と鉄薄膜３０の下端３２間に得ることができ、単体のＣ
ｏＮｉ薄膜層はＣｏＮｉ薄膜７ｏの上端７１と鉄薄膜３
０の上端３１間に得られた。２つのスパッタガンが同時
に動作するので１回のフィルム走行で２層膜と各々の単
層膜が得られた。
、第２層のＣｏ Ｎ ｉ薄膜層用のマスク２９を二つの
蒸発源にそれぞれ対向させて、スパッタリング槽内に設
置した。マスク１９の開口部６゜とマスク２９の開口部
６１とは、フィルム５の中央線ａ −ａ’に対してたが
いにずれた位置に配置した。この結果、第１の鉄薄膜３
０と第２のＣｏＮｉ薄膜７０は重なった部分が鉄薄膜３
ｏの上端３１とＣｏＮｉ薄膜７０の下端７２間に作成さ
れ、単体の鉄薄膜層はＣｏ Ｎ ｉ薄膜７０の下端７２
と鉄薄膜３０の下端３２間に得ることができ、単体のＣ
ｏＮｉ薄膜層はＣｏＮｉ薄膜７ｏの上端７１と鉄薄膜３
０の上端３１間に得られた。２つのスパッタガンが同時
に動作するので１回のフィルム走行で２層膜と各々の単
層膜が得られた。
本発明の第３の実施例であるマスクの構成を第６図に示
す。
す。
本実施例の特徴は、開口部の幅を意図的に変化させるよ
うにしたものである。
うにしたものである。
図に示すようにフィルム６の上にマスク９の製造時間経
過として得ることができ、良好な多層膜を得る条件が時
間と伴に得られることにある。
過として得ることができ、良好な多層膜を得る条件が時
間と伴に得られることにある。
本発明の構成を開口部の固定したマスクの設置で説明し
てきたが、開口部の幅を意図的に変化させることでも同
様の効果が生ずる。この効果を第６図を用いて説明する
。フィルム１の上にマスク２の開口部２ｏを通して薄膜
を積層するのであるが、開口部２０の少とも一方の端２
２の部分を可動シャッター８０でおおうようにする。こ
の場合はシャッター８０の利用によシ、開口部２ｏの下
端２２がシャッター８ｏの上端８１に変わることになり
、実質的にマスク９の開口部２０をずらしたことと等価
になり、前実施例と同等の効果が生ずることになる。こ
の可動シャッター８０をマスク開口部２ｏの上端部又は
上下両端部に設置したシ、このマスクを２つ、３つと同
一真空槽内に並べる方法も考えることができることはも
ちろんで９ ・′−ジ ある。
てきたが、開口部の幅を意図的に変化させることでも同
様の効果が生ずる。この効果を第６図を用いて説明する
。フィルム１の上にマスク２の開口部２ｏを通して薄膜
を積層するのであるが、開口部２０の少とも一方の端２
２の部分を可動シャッター８０でおおうようにする。こ
の場合はシャッター８０の利用によシ、開口部２ｏの下
端２２がシャッター８ｏの上端８１に変わることになり
、実質的にマスク９の開口部２０をずらしたことと等価
になり、前実施例と同等の効果が生ずることになる。こ
の可動シャッター８０をマスク開口部２ｏの上端部又は
上下両端部に設置したシ、このマスクを２つ、３つと同
一真空槽内に並べる方法も考えることができることはも
ちろんで９ ・′−ジ ある。
なお上記実施例はスパッタリング装置の場合を中心に述
べたが、本発明はこれに限定されるものでなく、真空蒸
着、イオンブレーティング等の他の薄膜製造装置におい
ても適用できる。
べたが、本発明はこれに限定されるものでなく、真空蒸
着、イオンブレーティング等の他の薄膜製造装置におい
ても適用できる。
発明の効果
以上のように本発明は真空槽内にフィルム媒体を巻き付
ける円筒状キャンと、前記キャンに対向して設けられた
少なくとも１個の蒸発源とを具備し、前記キャンと蒸発
源との間に開孔部を有するマスクが設置されておシ、前
記開口部とフィルム媒体の相対的位置を各薄膜の形成時
に異ならしめた薄膜製造装置であシ、多層薄膜作成時に
、各単体薄膜の特性を任意の場所で検査できる利点を有
する。
ける円筒状キャンと、前記キャンに対向して設けられた
少なくとも１個の蒸発源とを具備し、前記キャンと蒸発
源との間に開孔部を有するマスクが設置されておシ、前
記開口部とフィルム媒体の相対的位置を各薄膜の形成時
に異ならしめた薄膜製造装置であシ、多層薄膜作成時に
、各単体薄膜の特性を任意の場所で検査できる利点を有
する。
第１図は連続薄膜生成用の薄膜製造装置の概略構成図、
第２図は従来のマスクの平面図、第３図は本発明の第１
の実施例であるマスクを使用して第１層の薄膜を積層し
た状態を示す平面図、第４１０ ページ 図は上記第１の実施例でさらに第２層の薄膜を積層した
状態を示す平面図、第６図及び第６図は本発明の他の実
施例であるマスクの構成を示す平面図である。 １・・・・・・ロータリーポンプ、２・・・・・・抗散
ポンプ、３・・・・・・真空槽、４・・・・・・送り出
しロール、５・・・・・・フィルム、６．６’・・・・
・・カイトロール、７・・・・・・クーリングキャン、
８・・・・・・巻取リロー／ｌ／、９，１９．２９・・
・・・・遮へいマスク、１２・・・・・・薄膜材料源、
１０゜２０．６０，６ｆｆ・・・・・・開孔部、３ｏ・
・・・・・第１層の薄膜層、７０・・・・・・第２層の
薄膜層、８ｏ・・・・・・可動遮蔽板。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第３
図 図 ノ 第６図
第２図は従来のマスクの平面図、第３図は本発明の第１
の実施例であるマスクを使用して第１層の薄膜を積層し
た状態を示す平面図、第４１０ ページ 図は上記第１の実施例でさらに第２層の薄膜を積層した
状態を示す平面図、第６図及び第６図は本発明の他の実
施例であるマスクの構成を示す平面図である。 １・・・・・・ロータリーポンプ、２・・・・・・抗散
ポンプ、３・・・・・・真空槽、４・・・・・・送り出
しロール、５・・・・・・フィルム、６．６’・・・・
・・カイトロール、７・・・・・・クーリングキャン、
８・・・・・・巻取リロー／ｌ／、９，１９．２９・・
・・・・遮へいマスク、１２・・・・・・薄膜材料源、
１０゜２０．６０，６ｆｆ・・・・・・開孔部、３ｏ・
・・・・・第１層の薄膜層、７０・・・・・・第２層の
薄膜層、８ｏ・・・・・・可動遮蔽板。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第３
図 図 ノ 第６図
Claims (1)
- 真空槽内にフィルム媒体を巻き付ける円筒状キャンと、
前記キャンに対向して設けられた少なくとも１個の蒸発
源とを具備し、前記キャンと蒸発源との間に開口部を有
するマスクが設置されており、前記マスクの開口部を通
してフィルム媒体上に複数層の薄膜を形成するに際し、
各薄膜形成時に前記マスク開口部の、フィルム媒体に対
する相対的位置を異ならしめるようにしたことを特徴と
する薄膜製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58108764A JPS602664A (ja) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | 薄膜製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58108764A JPS602664A (ja) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | 薄膜製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS602664A true JPS602664A (ja) | 1985-01-08 |
| JPS6217028B2 JPS6217028B2 (ja) | 1987-04-15 |
Family
ID=14492895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58108764A Granted JPS602664A (ja) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | 薄膜製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS602664A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018179263A1 (ja) * | 2017-03-30 | 2018-10-04 | シャープ株式会社 | 表示装置の製造方法、蒸着用マスク及びアクティブマトリクス基板 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58168564U (ja) * | 1982-05-06 | 1983-11-10 | 日本真空技術株式会社 | 連続薄膜形成装置における膜厚監視装置 |
-
1983
- 1983-06-16 JP JP58108764A patent/JPS602664A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58168564U (ja) * | 1982-05-06 | 1983-11-10 | 日本真空技術株式会社 | 連続薄膜形成装置における膜厚監視装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018179263A1 (ja) * | 2017-03-30 | 2018-10-04 | シャープ株式会社 | 表示装置の製造方法、蒸着用マスク及びアクティブマトリクス基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6217028B2 (ja) | 1987-04-15 |
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