JPS6027143A - 連続熱処理装置 - Google Patents
連続熱処理装置Info
- Publication number
- JPS6027143A JPS6027143A JP58137105A JP13710583A JPS6027143A JP S6027143 A JPS6027143 A JP S6027143A JP 58137105 A JP58137105 A JP 58137105A JP 13710583 A JP13710583 A JP 13710583A JP S6027143 A JPS6027143 A JP S6027143A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- preliminary
- main chamber
- heat treatment
- partition plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0451—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H10P72/0452—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterised by the layout of the process chambers
- H10P72/0456—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterised by the layout of the process chambers in-line arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
- H10P72/0434—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
Landscapes
- Heat Treatments In General, Especially Conveying And Cooling (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体基板なＬｆ）熱処理に用いるインライ
ン形の連続熱処理装置の改良に関するものである。
ン形の連続熱処理装置の改良に関するものである。
第１図は従来の連続熱処理装置の構成例を示す断面図で
、（］）は石英管などのチャンバ、（２）は加熱用ヒー
タ、（３）はチャンバｆｔ３内の雰囲気を作るためのガ
スの導入口、（４）は半導体基板などの被処理体の搬送
系、（５）は被処理体を搬送系（４）へ搬入する搬入部
、（６）は熱処理後の被処理体を搬出する搬出部、（７
）は被処理体である。
、（］）は石英管などのチャンバ、（２）は加熱用ヒー
タ、（３）はチャンバｆｔ３内の雰囲気を作るためのガ
スの導入口、（４）は半導体基板などの被処理体の搬送
系、（５）は被処理体を搬送系（４）へ搬入する搬入部
、（６）は熱処理後の被処理体を搬出する搬出部、（７
）は被処理体である。
この装置では、搬入部（５）から搬入された被処理体（
７）は搬送系（４）によって順次チャンバ（１１内へ送
られて熱処理される。搬送系（４）は通常ウオーキング
・ビーム法などで作られている。チャンバｆｔ３内に送
られた被処理体（７）はガス導入口（３）から導入され
る反応性または不活性ガスの雰囲気中で熱処理された後
、チャンバ（１１を出て搬出部（６）へ送られる。
７）は搬送系（４）によって順次チャンバ（１１内へ送
られて熱処理される。搬送系（４）は通常ウオーキング
・ビーム法などで作られている。チャンバｆｔ３内に送
られた被処理体（７）はガス導入口（３）から導入され
る反応性または不活性ガスの雰囲気中で熱処理された後
、チャンバ（１１を出て搬出部（６）へ送られる。
従来の装置は以上のように構成され、チャンバ（１１の
両端は直接外気に開放されているので、ガス導入口（３
）から導入される雰囲気ガスに対して、チャンバＩ１１
の両端から外気が廻り込み雰囲気が乱され易く、また、
塩化水素などの活性ガスをチャンバ（１）に導入したよ
うな場合には、この活性排ガスが外気中に流出し、環境
を劣化させ、これを回復させるには多大の労力が必俄で
あるなどの問題があった。
両端は直接外気に開放されているので、ガス導入口（３
）から導入される雰囲気ガスに対して、チャンバＩ１１
の両端から外気が廻り込み雰囲気が乱され易く、また、
塩化水素などの活性ガスをチャンバ（１）に導入したよ
うな場合には、この活性排ガスが外気中に流出し、環境
を劣化させ、これを回復させるには多大の労力が必俄で
あるなどの問題があった。
この発明は以上のような点に鑑みてなされたもので、チ
ャンバの両端部に予備チャンバを設けて、チャンバ内の
雰囲気が直接外気と接しないようにし、かつ、この予備
チャンバ内の雰囲気ガスを排気できるようにすることに
よって、本体チャンバ内の雰囲気が外気によって乱され
ることがなく、処理用活性ガスによって外気環境に悪影
響を与えない、すぐれた連続熱処理装置を提供するもの
である。
ャンバの両端部に予備チャンバを設けて、チャンバ内の
雰囲気が直接外気と接しないようにし、かつ、この予備
チャンバ内の雰囲気ガスを排気できるようにすることに
よって、本体チャンバ内の雰囲気が外気によって乱され
ることがなく、処理用活性ガスによって外気環境に悪影
響を与えない、すぐれた連続熱処理装置を提供するもの
である。
第２図はこの発明の一実施例の構成を示す断面図で、第
１図の従来例と同一符号は同等部分を示し、その説明は
省略する、（８）は搬入部側の第１の予備チャンバ、（
９）は搬出部側の第２の予備チャンバ、（ｌＯ）は第１
の予備チャンバ（８）と外気との接触を遮断する第１の
仕切板、（ＩＩ）はチャンバｆｉ＋と第１の予備チャン
バ（８）とを仕切る第２の仕切板、（１２）は第２の予
備チャンバ（９）と外気とを仕切る第３の仕切板、（１
３）はチャンバ（１）と第２の予備チャンバ（９）とを
仕切る第４の仕切板、（１４）は第２の仕切板（＋＋ｉ
に設けられた通孔、（１５）は第４の仕切板（１３１に
設けられた通孔、（１６）および（１′７）はそれぞれ
第１の予備チャンバ（８）および第２の予備チャンバ（
９）内のガスを排気する排気口である。
１図の従来例と同一符号は同等部分を示し、その説明は
省略する、（８）は搬入部側の第１の予備チャンバ、（
９）は搬出部側の第２の予備チャンバ、（ｌＯ）は第１
の予備チャンバ（８）と外気との接触を遮断する第１の
仕切板、（ＩＩ）はチャンバｆｉ＋と第１の予備チャン
バ（８）とを仕切る第２の仕切板、（１２）は第２の予
備チャンバ（９）と外気とを仕切る第３の仕切板、（１
３）はチャンバ（１）と第２の予備チャンバ（９）とを
仕切る第４の仕切板、（１４）は第２の仕切板（＋＋ｉ
に設けられた通孔、（１５）は第４の仕切板（１３１に
設けられた通孔、（１６）および（１′７）はそれぞれ
第１の予備チャンバ（８）および第２の予備チャンバ（
９）内のガスを排気する排気口である。
第３図Ａ〜Ｄはこの実施例装置の動作過程の一例を示す
部分断面図で、ます、第１の仕切板（１ｏ）を開き、搬
入部（５）（第３図には図示省略）によって被処理体（
７）を第１の予備チャンバ（８）に導入する（第５図Ａ
）。次に、第１の仕切板（ｌＯ）を閉じ、第２の仕切板
（１１）に設けられた通孔（１４）からチャンバ（１）
内の雰囲気ガスを第１の予備チャンバ（８）へ導入し、
第１の予備チャンバ（８）に存在していた気体を排気口
（国から排気する（第３図Ｂ）０次に、第２の仕切板（
１１）を開き、搬送系（４）によって第１の予備チャン
バ（８）内の被処理体（７）をチャンバ＋１１内へ導入
する（第３図Ｃ）。つづいて、第２の仕切板（川を閉じ
て第１の仕切板（１０）を開いて、次の被処理体（７）
を導入する（第３図Ｄ）。これは第３図Ａの状態と同じ
で、このような操作を繰返して連続熱処理が行われる。
部分断面図で、ます、第１の仕切板（１ｏ）を開き、搬
入部（５）（第３図には図示省略）によって被処理体（
７）を第１の予備チャンバ（８）に導入する（第５図Ａ
）。次に、第１の仕切板（ｌＯ）を閉じ、第２の仕切板
（１１）に設けられた通孔（１４）からチャンバ（１）
内の雰囲気ガスを第１の予備チャンバ（８）へ導入し、
第１の予備チャンバ（８）に存在していた気体を排気口
（国から排気する（第３図Ｂ）０次に、第２の仕切板（
１１）を開き、搬送系（４）によって第１の予備チャン
バ（８）内の被処理体（７）をチャンバ＋１１内へ導入
する（第３図Ｃ）。つづいて、第２の仕切板（川を閉じ
て第１の仕切板（１０）を開いて、次の被処理体（７）
を導入する（第３図Ｄ）。これは第３図Ａの状態と同じ
で、このような操作を繰返して連続熱処理が行われる。
このような連続処理は搬出部側の第２の予備チャンバ（
９）についても同時に行なうことによって、チャンバｔ
ｌｌ内の雰囲気を殆んど乱すことなく連続熱処理が可能
となる。
９）についても同時に行なうことによって、チャンバｔ
ｌｌ内の雰囲気を殆んど乱すことなく連続熱処理が可能
となる。
なお、上記実施例では予備チャンバ（８１、（９１内へ
のガスの導入をチャンバ（１１からのガスのみに依存し
たが、他の導入口を設け、外部から他のガスを導入する
ようにしてもよい。また、チャンバ【１）内が水素のよ
うに外気との反応が激しい雰囲気の場合には第２の仕切
板（１１）および第４の仕切板０３）にそれぞれ設けら
れた通孔（Ｉ４）およびθのをなくして予備チャンバ＋
８＋ 、 （９）へは他の導入口から不活性ガスを導入
するようにしてもよい。
のガスの導入をチャンバ（１１からのガスのみに依存し
たが、他の導入口を設け、外部から他のガスを導入する
ようにしてもよい。また、チャンバ【１）内が水素のよ
うに外気との反応が激しい雰囲気の場合には第２の仕切
板（１１）および第４の仕切板０３）にそれぞれ設けら
れた通孔（Ｉ４）およびθのをなくして予備チャンバ＋
８＋ 、 （９）へは他の導入口から不活性ガスを導入
するようにしてもよい。
以上説明したように、この発明になる連続熱処理装置で
は熱処理用主チャンバの入口および出口に予備チャンバ
を設け、入口側予備チャンバの入口、出口側予備チャン
バの出口および両予備チャンバと王チャンバとの間にそ
れぞれ仕切板を設けたので、これらの仕切板を適轟に操
作することによって、主チヤンバ内の雰囲気を乱すこと
なく、順次被処理体を搬入、搬出しつつ連続して熱処理
を施すことができる。
は熱処理用主チャンバの入口および出口に予備チャンバ
を設け、入口側予備チャンバの入口、出口側予備チャン
バの出口および両予備チャンバと王チャンバとの間にそ
れぞれ仕切板を設けたので、これらの仕切板を適轟に操
作することによって、主チヤンバ内の雰囲気を乱すこと
なく、順次被処理体を搬入、搬出しつつ連続して熱処理
を施すことができる。
第１図は従来の連続熱処理装置の構成例を示す断面図、
第２図はこの発明の一実施例の構成を示す断面図、第３
図はこの実施例装置の動作過程の一例を示す部分断面図
である。 図において、（１）は主チャンバ、（２）は加熱用ヒー
タ、（３）はガス導入口、（４）は被処理体の搬送系、
（７）は被処理体、（８）は第１の予備チャンバ、（９
）は第２の予備チャンバ、ｉ＋ｏ） 、 （Ｉｌｌ、
（＋２１および（１３）はそれぞれ第１．第２．第３お
よび第４の仕切板、Ｑ４）は第２の仕切板（１１）の通
孔、（１６）は第４の仕切板（Ｉ３）の通孔、（１６）
は第１の予備チャンバ（８）の排気口、０７）は第２の
予備チャンバ（９）の排気口である。 なお、図中同一符号は同一または和尚部分を示す。 代理人 大岩増雄 第１図 第２は１ 第３１聞
第２図はこの発明の一実施例の構成を示す断面図、第３
図はこの実施例装置の動作過程の一例を示す部分断面図
である。 図において、（１）は主チャンバ、（２）は加熱用ヒー
タ、（３）はガス導入口、（４）は被処理体の搬送系、
（７）は被処理体、（８）は第１の予備チャンバ、（９
）は第２の予備チャンバ、ｉ＋ｏ） 、 （Ｉｌｌ、
（＋２１および（１３）はそれぞれ第１．第２．第３お
よび第４の仕切板、Ｑ４）は第２の仕切板（１１）の通
孔、（１６）は第４の仕切板（Ｉ３）の通孔、（１６）
は第１の予備チャンバ（８）の排気口、０７）は第２の
予備チャンバ（９）の排気口である。 なお、図中同一符号は同一または和尚部分を示す。 代理人 大岩増雄 第１図 第２は１ 第３１聞
Claims (3)
- （１）被処理体を順次搬送する搬送系の一部を取囲ｔｒ
王チャンバ内において上記処理体にＰ９Ｔｓ雰囲気の下
に熱処理を施すものにおいて、上記主チャンバの入口側
および出口側にそれぞれ上記主チャンバに連接して上記
搬送系の他の一部を取凹むように設けられた第１および
第２の予備チャンバ、上記第１の予備チャンバへの上記
搬送系に沿う入口に設けられ上記第１の予備チャンバ内
と外気とを仕切る第１の仕切板、上記王チャンバと上記
第］の予備チャンバとの間に設けられ両者を仕切る第２
の仕切板、上記第２の予備チャンバからの上記搬送系に
沿う出口に設けられ上記第２の予備チャンバと外気とを
仕切る第３の仕切板、及び上記主チャンバと単２の予備
チャンバとの間に設けられ両者を仕切る８＃！４の仕切
板を備え、上記第１および第２の仕切板を又互に開閉し
て上記被処理体を上記第１の予備チャンバを介して主チ
ャンバへ搬入し、上記第３および第４の仕切板を交互に
開閉して上記被処理体を上記主チャンバから上記第２の
予備チャンバを介して搬出するようにしたことを特徴と
する連続熱処理装置。 - （２）第１および第２の予備チャンバにはそれぞれ排気
口を、第２゛および第４の仕切板にけそれぞれ主チャン
バに通じる通孔を備え、上記第２または第４の仕切板を
開くときにはこれに先立って上記通孔を通じて上記主チ
ヤンバ内の雰囲気ガスを導入してそれぞれ上記第１また
は第２の予備チャンバ内に存在した気体をそれぞれの上
記排気口から排出するようにしたことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の連続熱処理装置。 - （３）第１および第２の予備チャンバにはいずれも排気
口および外部からのガス導入口を備え、第２または第４
の仕切板を開くときには、これに先立って上記ガス導入
口から主チヤンバ内の雰囲気に怒影響のない気体を導入
してそれぞれ上記第１またけ第２の予備チャンバ内に存
在した気体をそれぞれの上記排気口から排出するように
したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の連続
熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58137105A JPS6027143A (ja) | 1983-07-25 | 1983-07-25 | 連続熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58137105A JPS6027143A (ja) | 1983-07-25 | 1983-07-25 | 連続熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6027143A true JPS6027143A (ja) | 1985-02-12 |
Family
ID=15190965
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58137105A Pending JPS6027143A (ja) | 1983-07-25 | 1983-07-25 | 連続熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6027143A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5482971A (en) * | 1977-12-14 | 1979-07-02 | Mitsubishi Electric Corp | Heat diffusion furnace of semiconductor producing device |
| JPS5628637A (en) * | 1979-08-16 | 1981-03-20 | Shunpei Yamazaki | Film making method |
-
1983
- 1983-07-25 JP JP58137105A patent/JPS6027143A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5482971A (en) * | 1977-12-14 | 1979-07-02 | Mitsubishi Electric Corp | Heat diffusion furnace of semiconductor producing device |
| JPS5628637A (en) * | 1979-08-16 | 1981-03-20 | Shunpei Yamazaki | Film making method |
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