JPS6027147A - 半導体装置とその製造方法 - Google Patents
半導体装置とその製造方法Info
- Publication number
- JPS6027147A JPS6027147A JP13419683A JP13419683A JPS6027147A JP S6027147 A JPS6027147 A JP S6027147A JP 13419683 A JP13419683 A JP 13419683A JP 13419683 A JP13419683 A JP 13419683A JP S6027147 A JPS6027147 A JP S6027147A
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- JP
- Japan
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- semiconductor device
- wiring
- manufacturing
- metal film
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- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の配線構造とその製造方法に関する
。
。
従来、半導体装置におけるＳｔ配紳は第１図に示す如六
断面構造となっていた、すなわち、ｓｊ基板１の表面に
は拡散層２が形成され、Ｓｉ基板１の表面に形成された
絶縁膜３を介して形成されたＳｉ配線４とは絶縁膜３に
開けられたコンタタト穴を通して接続されて成るのが通
例であった。
断面構造となっていた、すなわち、ｓｊ基板１の表面に
は拡散層２が形成され、Ｓｉ基板１の表面に形成された
絶縁膜３を介して形成されたＳｉ配線４とは絶縁膜３に
開けられたコンタタト穴を通して接続されて成るのが通
例であった。
しかし上記従来技術によると、Ｓｔ配紳の配線抵抗が大
であること及び上部金属配線とのコンタクト抵抗が大で
あるという欠点があった。
であること及び上部金属配線とのコンタクト抵抗が大で
あるという欠点があった。
上記従来技術の欠点をなくするための本発明の基本的な
構成は、半導体装置に於てｓｊ配線層の少なくとも側面
を含む表面にはＣ！７４． Ｗ、ＭＯ，Ｔｉ等の金属膜
が形成されて成ること、及び半導体装置の製造法に於て
前記金属膜をメッキ処理で形成すること、及び半導体装
置に於て前記金属膜上にはＡ１層が形成されて成ること
を特徴とする。１、以丁、実施例により本発明を詳述す
る。
構成は、半導体装置に於てｓｊ配線層の少なくとも側面
を含む表面にはＣ！７４． Ｗ、ＭＯ，Ｔｉ等の金属膜
が形成されて成ること、及び半導体装置の製造法に於て
前記金属膜をメッキ処理で形成すること、及び半導体装
置に於て前記金属膜上にはＡ１層が形成されて成ること
を特徴とする。１、以丁、実施例により本発明を詳述す
る。
第２図は本発明の一実施例を示す半導体装置に於ける配
線構造を示す断面図である。Ｓｉ基板１１の表面ＶＣは
拡散層１２、絶縁膜１３が形成され、該絶縁膜１３上Ｖ
ｃけＳｉ配線１４が形成さノ］、該Ｓｉ配＃は拡散層１
２と絶縁膜１３に開けられたコンタクト穴を通して接続
されると共に、該Ｓｉ配、Ｉｉ！１４の表面ＶｃけＣｕ
等の金属メッキ液に浸漬して形成したα等の金属膜１５
がＳｉ配線１４の側面に迄形成されて成る。
線構造を示す断面図である。Ｓｉ基板１１の表面ＶＣは
拡散層１２、絶縁膜１３が形成され、該絶縁膜１３上Ｖ
ｃけＳｉ配線１４が形成さノ］、該Ｓｉ配＃は拡散層１
２と絶縁膜１３に開けられたコンタクト穴を通して接続
されると共に、該Ｓｉ配、Ｉｉ！１４の表面ＶｃけＣｕ
等の金属メッキ液に浸漬して形成したα等の金属膜１５
がＳｉ配線１４の側面に迄形成されて成る。
本発明の如く、Ｓｉ配線の側面に迄金属膜を形成するこ
とにより、Ｓｉ配線の配線抵抗が極めて小さくできると
共に、上記Ａｌ配線等とのコンタクト部でのコンタクト
抵抗も小さくできる効果がある。
とにより、Ｓｉ配線の配線抵抗が極めて小さくできると
共に、上記Ａｌ配線等とのコンタクト部でのコンタクト
抵抗も小さくできる効果がある。
本発明けＳ＜配線上の金属膜形成にとどまらず、更に、
Ａ１層等の配線全面又は部分的に形成しても良い。
Ａ１層等の配線全面又は部分的に形成しても良い。
第１図は従来技術による半導体装置の凹面図、第２図は
本発明の一実施例を示す半導体装置の断面図である。 １．１１・・・・・・Ｓｉ基板 ２．１２・・・・・・拡散層 ５．１３・・・・・・絶絹・膜 ４．１４・・・・・・Ｓｉ配線層 １５・・・・・・金属膜 以上 出願人 株式会社 諏訪精工舎
本発明の一実施例を示す半導体装置の断面図である。 １．１１・・・・・・Ｓｉ基板 ２．１２・・・・・・拡散層 ５．１３・・・・・・絶絹・膜 ４．１４・・・・・・Ｓｉ配線層 １５・・・・・・金属膜 以上 出願人 株式会社 諏訪精工舎
Claims (3)
- （１） Ｂｉ配線層の少なくとも側面を含む表面にはａ
ｎ、Ｎ（、ＭＯ，Ｗ、Ｔｉ等の金属膜が形成されて成る
ことを特徴とする半導体装置。 - （２） Ｅ３ｉ配線層の少なくとも側面を含む表面をメ
ッキ液に浸漬し、ａｕ、 Ｎｉ、ＭＯ，Ｗ、Ｔｉ等の金
属膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法
。 - （３） Ｓｉ配線層表面に形成されたＣｑｔ、 Ｎｉ
、 Ｍｏ 。 Ｗ 、 Ｔｉ等の金属膜上にけＡ１層が形成されて成る
ことを特徴とする判導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13419683A JPS6027147A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | 半導体装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13419683A JPS6027147A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | 半導体装置とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6027147A true JPS6027147A (ja) | 1985-02-12 |
Family
ID=15122674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13419683A Pending JPS6027147A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | 半導体装置とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6027147A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100728945B1 (ko) * | 2001-06-27 | 2007-06-15 | 주식회사 하이닉스반도체 | 금속라인의 형성방법 |
-
1983
- 1983-07-22 JP JP13419683A patent/JPS6027147A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100728945B1 (ko) * | 2001-06-27 | 2007-06-15 | 주식회사 하이닉스반도체 | 금속라인의 형성방법 |
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