JPS602773B2 - ホトレジスト膜の除去方法 - Google Patents
ホトレジスト膜の除去方法Info
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- JPS602773B2 JPS602773B2 JP55111233A JP11123380A JPS602773B2 JP S602773 B2 JPS602773 B2 JP S602773B2 JP 55111233 A JP55111233 A JP 55111233A JP 11123380 A JP11123380 A JP 11123380A JP S602773 B2 JPS602773 B2 JP S602773B2
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- substrate
- gas
- reaction tube
- reaction
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/427—Stripping or agents therefor using plasma means only
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体基板等の被処理基板上に被着したホトレ
ジスト膜の除去方法に関するものである。
ジスト膜の除去方法に関するものである。
半導体集積回路（ＩＣ）等の半導体装贋をシリコン（Ｓ
Ｉ）等の半導体基板上に形成する場合、例えばＳｉ基板
上に二酸化シリコン（Ｓｉ０２）等の絶縁膜を形成した
のち、該酸化膜上にホトレジスト膜を被着し、該ホトレ
ジスト膜を所定のパターンに露光、現像し、該パターン
ニングしたホトレジスト膜をマスクとして、下層の酸化
膜を所定のパターンにエッチングして成形し、その後パ
ターニングした酸化膜をマスクとしてＳｉ基板に特定の
素子形成用不純物を導入して半導体装置とする工程がと
られている。
Ｉ）等の半導体基板上に形成する場合、例えばＳｉ基板
上に二酸化シリコン（Ｓｉ０２）等の絶縁膜を形成した
のち、該酸化膜上にホトレジスト膜を被着し、該ホトレ
ジスト膜を所定のパターンに露光、現像し、該パターン
ニングしたホトレジスト膜をマスクとして、下層の酸化
膜を所定のパターンにエッチングして成形し、その後パ
ターニングした酸化膜をマスクとしてＳｉ基板に特定の
素子形成用不純物を導入して半導体装置とする工程がと
られている。
ここで、前記ホトレジスト膜は、前記酸化膜の選択エッ
チング後次工程へ移る前に除去する必要がある。かかる
ホトレジスト膜の除去手段の一つとして前記ホトレジス
ト膜を有する半導体基板を反応管に挿入し、次いで反応
管内に導入された反応ガスを高周波電力により励起して
ガスプラズマを発生させ、発生したガスプラズマの照射
によってホトレジスト膜を灰化処理するガスプラズマ処
理法が用いられている。このプラスマ処理法は、従来の
ようにホトレジスト膜を除去する際に硫黄（日２Ｓ０４
）等の処理液を用いる必要がなく、したがって該処理液
を用いるための作業上の危険性が伴なわない。
チング後次工程へ移る前に除去する必要がある。かかる
ホトレジスト膜の除去手段の一つとして前記ホトレジス
ト膜を有する半導体基板を反応管に挿入し、次いで反応
管内に導入された反応ガスを高周波電力により励起して
ガスプラズマを発生させ、発生したガスプラズマの照射
によってホトレジスト膜を灰化処理するガスプラズマ処
理法が用いられている。このプラスマ処理法は、従来の
ようにホトレジスト膜を除去する際に硫黄（日２Ｓ０４
）等の処理液を用いる必要がなく、したがって該処理液
を用いるための作業上の危険性が伴なわない。
更に除去処理後の廃液処理の問題も除去され、また微細
なパターンを形成し得る等の利点があるので、半導体製
造工程において広く用いられている。
なパターンを形成し得る等の利点があるので、半導体製
造工程において広く用いられている。
ここで前記反応管内へ導入された灰化処理用のガスを効
率良く励起するために、最近は、高周波電源の周波数を
高くする額向にあり、例えばマイクロ波発振器が用いら
れている。
率良く励起するために、最近は、高周波電源の周波数を
高くする額向にあり、例えばマイクロ波発振器が用いら
れている。
従来このようにマイクロ波発振器を用いて被処理基板上
に被着したホトレジスト膜を除去する場合、前記被処理
基板を反応容器内へ挿入したのち一旦容器内を真空に排
気してからガスプラズマを発生させるための酸素（０２
）ガスを導入し、次いで反応容器内へマイクロ波を照射
して酸素ガスプラズマを生じさせ、この酸素ガスプラズ
マによって被処理基板上のホトレジスト膜を灰化除去し
ていた。
に被着したホトレジスト膜を除去する場合、前記被処理
基板を反応容器内へ挿入したのち一旦容器内を真空に排
気してからガスプラズマを発生させるための酸素（０２
）ガスを導入し、次いで反応容器内へマイクロ波を照射
して酸素ガスプラズマを生じさせ、この酸素ガスプラズ
マによって被処理基板上のホトレジスト膜を灰化除去し
ていた。
しかし上記のように反応容器内を真空に排気するには反
応容器の強度を増加させる必要があり、また真空に排気
するためのポンプ等の設備を必要とする等の問題点があ
る。
応容器の強度を増加させる必要があり、また真空に排気
するためのポンプ等の設備を必要とする等の問題点があ
る。
本発明は上述した欠点を除去し、反応容器内を真空に排
気せずに反応ガスの酸素ガスを導入して被処理基板上の
ホトレジストを有効に灰化除去する方法を提供すること
を目的とするものである。
気せずに反応ガスの酸素ガスを導入して被処理基板上の
ホトレジストを有効に灰化除去する方法を提供すること
を目的とするものである。
かかる目的を達成するためのホトレジスト膜の除去方法
は、反応管中に、ホトレジスト膜を被着した被処理基板
を挿入し、次いで前記反応管内を排気することなく前記
反応管内に酸化性ガスを導入し、次いでマイクロ波を照
射して前記被処理基板を加熱し、前記ホトレジスト膜を
灰化して除去することを特徴とするものである。以下図
面を用いながら本発明の一実施例につき詳細に説明する
。
は、反応管中に、ホトレジスト膜を被着した被処理基板
を挿入し、次いで前記反応管内を排気することなく前記
反応管内に酸化性ガスを導入し、次いでマイクロ波を照
射して前記被処理基板を加熱し、前記ホトレジスト膜を
灰化して除去することを特徴とするものである。以下図
面を用いながら本発明の一実施例につき詳細に説明する
。
第１図は、本発明のホトレジスト膜の除去方法を実施す
るための処理装置の概略図である。
るための処理装置の概略図である。
同図におし、１て、表面に除去処理されるべきホトレジ
スト膜が被着された被処理（シＩＪコン（Ｓｉ））基板
２を収容する石英よりなる反応管であり、前記Ｓｉ基板
２は石英の基板ホルダー３上に互いに主面を対向して立
てて配置されている。前記反応管１には、その上部に例
えば酸素（０２）ガスを導入するガス導入管４と、使用
したガスを排出する排出管５が配設されている。前記反
応管の一端は封止され、他端は基板ホルダーを出し入れ
するために開放されており、その他端部は例えば石英製
のキャップ６によって密閉可能される。該キャップ６は
蟹体７に取りつけられるようになっている。また前記反
応管の上部において、高周波を発振して基板を加熱させ
るためのマイクロ波発振器８が蓮体の長手方向のほぼ中
央部に設置されている。更に該反応管１は支持台９によ
って塗体７に取りつせられている。本発明によれば、こ
のようなしジスト膜除去装置において、ホトレジスト膜
（東京応化製商品名ＯＭＲ）を厚さ１〔山肌〕に被着し
た直径４寸のシリコン（Ｓｉ）基板２を２９女、基板ホ
ルダー３に設置したのち、キャップ６を開いて該基板ホ
ルダー３を反応管１内へ挿入する。
スト膜が被着された被処理（シＩＪコン（Ｓｉ））基板
２を収容する石英よりなる反応管であり、前記Ｓｉ基板
２は石英の基板ホルダー３上に互いに主面を対向して立
てて配置されている。前記反応管１には、その上部に例
えば酸素（０２）ガスを導入するガス導入管４と、使用
したガスを排出する排出管５が配設されている。前記反
応管の一端は封止され、他端は基板ホルダーを出し入れ
するために開放されており、その他端部は例えば石英製
のキャップ６によって密閉可能される。該キャップ６は
蟹体７に取りつけられるようになっている。また前記反
応管の上部において、高周波を発振して基板を加熱させ
るためのマイクロ波発振器８が蓮体の長手方向のほぼ中
央部に設置されている。更に該反応管１は支持台９によ
って塗体７に取りつせられている。本発明によれば、こ
のようなしジスト膜除去装置において、ホトレジスト膜
（東京応化製商品名ＯＭＲ）を厚さ１〔山肌〕に被着し
た直径４寸のシリコン（Ｓｉ）基板２を２９女、基板ホ
ルダー３に設置したのち、キャップ６を開いて該基板ホ
ルダー３を反応管１内へ挿入する。
その後ガス導入替りより０２ガスを１０〔そ／分〕の流
量で導入しながら２．４５〔ＧＫｚ〕の周波数のマイク
ロ波発振器８を出力６００〔Ｗ〕で動作させて反応管内
にマイクロ波を照射する。この結果被処理基板は１〜２
分後に約４００ＣＯ〕の温度に到達し、３０分間経過す
ることで当該非処理基板上に被着したホトレジスト膜は
灰化して除去される。この場合ホトレジスト膜の主成分
は炭素（Ｃ）であるのでマイクロ波の照射によって基板
が急速に加熱されたときにあらかじへガス導入管より導
入管より導入されている０２ガスと第１式にに示すよう
な反応が生じてＣ＋。２一Ｃ。
量で導入しながら２．４５〔ＧＫｚ〕の周波数のマイク
ロ波発振器８を出力６００〔Ｗ〕で動作させて反応管内
にマイクロ波を照射する。この結果被処理基板は１〜２
分後に約４００ＣＯ〕の温度に到達し、３０分間経過す
ることで当該非処理基板上に被着したホトレジスト膜は
灰化して除去される。この場合ホトレジスト膜の主成分
は炭素（Ｃ）であるのでマイクロ波の照射によって基板
が急速に加熱されたときにあらかじへガス導入管より導
入管より導入されている０２ガスと第１式にに示すよう
な反応が生じてＣ＋。２一Ｃ。
２ ．．．．．．（１）ホトレ
ジスト膜が灰化されて除去される。
ジスト膜が灰化されて除去される。
この様にして生成された炭素ガス（Ｃ０２）はガス排出
管５より外部へ排出される。以上述べたような方法で基
板上に彼着したホトレジスト膜を灰化除去すれば、従来
の方法のように反応管内を真空に排気する必要がないの
で装置が簡単で安価なものとなりまたマイクロ波の照射
によって基板の表面が急速に加熱されて彼処理基板上に
被看されたホトレジスト膜が短時間で炭化、除去される
ので、基板表面が酸素ガスプラスマの衝撃によって損傷
を受けることが少なくなり、形成される半導体素子の特
性が向上する利点を生じる。
管５より外部へ排出される。以上述べたような方法で基
板上に彼着したホトレジスト膜を灰化除去すれば、従来
の方法のように反応管内を真空に排気する必要がないの
で装置が簡単で安価なものとなりまたマイクロ波の照射
によって基板の表面が急速に加熱されて彼処理基板上に
被看されたホトレジスト膜が短時間で炭化、除去される
ので、基板表面が酸素ガスプラスマの衝撃によって損傷
を受けることが少なくなり、形成される半導体素子の特
性が向上する利点を生じる。
図面の簡単な説明第１図は本発明のホトレジスト膜の除
去方法を説明するための概略図である。
去方法を説明するための概略図である。
図において１は反応管、２は基板、３は基板ホルダー、
４はガス導入管、５はガス排出管、６はキャップ、７は
隆体、８はマイクロ波発振器を示す。
４はガス導入管、５はガス排出管、６はキャップ、７は
隆体、８はマイクロ波発振器を示す。
弟１図
Claims (1)
- １ 反応管内に、ホトレジスト膜を被着した被処理基板
を挿入し、次いで前記反応管内を減圧することなく前記
反応管内に酸素ガスを導入し、次いでマイクロ波を被処
理基板に照射しながら前記酸素ガスとレジスト膜との反
応でホトレジスト膜を灰化して除去することを特徴とす
るホトレジスト膜の除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55111233A JPS602773B2 (ja) | 1980-08-13 | 1980-08-13 | ホトレジスト膜の除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55111233A JPS602773B2 (ja) | 1980-08-13 | 1980-08-13 | ホトレジスト膜の除去方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5735323A JPS5735323A (en) | 1982-02-25 |
| JPS602773B2 true JPS602773B2 (ja) | 1985-01-23 |
Family
ID=14555929
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55111233A Expired JPS602773B2 (ja) | 1980-08-13 | 1980-08-13 | ホトレジスト膜の除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS602773B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5956730A (ja) * | 1982-09-24 | 1984-04-02 | Fujitsu Ltd | レジスト膜の除去方法 |
| JPS63250125A (ja) * | 1987-04-06 | 1988-10-18 | Nec Yamagata Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US5262279A (en) * | 1990-12-21 | 1993-11-16 | Intel Corporation | Dry process for stripping photoresist from a polyimide surface |
| JP2836491B2 (ja) * | 1994-08-02 | 1998-12-14 | 鹿島建設株式会社 | 構造物支持装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS565574B2 (ja) * | 1973-05-07 | 1981-02-05 |
-
1980
- 1980-08-13 JP JP55111233A patent/JPS602773B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5735323A (en) | 1982-02-25 |
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