JPS6032203A - 透明薄膜のパタ−ニング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、工ＴＱ（インジクム、スズ、酸化物）や５ｎ
ｏ２など透明薄膜のパターニング方法に関わり、特にリ
フトオフ法の改善に関するものである。

最近市場に出まわりつつある液晶表示パネルでは、ガラ
スなど透明基板上に雷、極？配線の一部として透明導電
薄膜をしばしば用いている。それら透明導電膜は主にＩ
ＴＱや５ｎ０２が使われているが、とｉらをバターニン
グする際、レジストとの密着性が悪いため、サイドエッ
チが生じやす＜　戦＃、ｉ＋Ｉに、または寸法精朋よく
行なうことが困難となっている。

この問題全解決する一方法としてリフト・オフ法がある
。−リフトオフ法は、例えば基板上にレジストをバター
ニングし、工Ｔｏをスバンタ等で堆積した後、レジスト
を除去することにより工ＴＯをバターニングするもので
ある。■ＴＯのエツチング工程が不要なため工程が少な
くなると共に、寸法ｆ＊度が向上する利点がある。一方
、レジスト上の工ＴＯを除去するのに、アセトン等の有
機溶剤、濃硝酸等の強酸、寸たは専用レジストはく離削
などの液体でレジストを溶かすことによって行なうので
、はがれた工ＴＯの再付着という問題がある。

本発明は、従来のりストオフ法の再付着を防止するため
になさ′ｊ″したものである。本発明は、特に基板が透
明なときに適用され、リフトオフ時の下地膜（例えばレ
ジスト）に不透明もしくは光を吸収する膜を用いること
により、■Ｔｏ等透明薄膜の堆積後表面にコートしたネ
ガレジストｅ基板裏面側から露光して必要な部分のみの
透明薄膜をレジストでカバーシ、リットオフすべ＠透明
薄膜のほとんどを除去した後、リフトオンするものであ
る。そのため、リフトオフした透明薄膜の再付着をほと
んどなくすことができ、かつリフトオフ法の微細加工性
の利点をも有している。

以下に図面に沿って本発明を詳述する。

第１図（ａ）〜（ｅ）は、本発明の一実施例を説明する
ための工程断面図である。第１図（ａ）は、ガラス。

石英、サファイヤ等の透明基板１上に不透明な第１薄膜
１０をバターニングした断面である。第１薄膜１０はＭ
等の金属、非晶質５１（ａ−ｓｌ）や多結晶８１等の半
導体、元吸収剤を入れたレジストなどが用いられる。そ
の後、第１ｊ９（ｂ）のように、■ＴＱ、５ｉＱ２など
の透明薄膜２０．２１をスバンク、蒸着等で堆積する。

望ましくは、この堆積は方向性のある堆積（ステップカ
バー性の悪い堆積）であり、透明薄膜２０．２１のｌ１
４厚は第１薄膜１０のそれより薄くする。第１図（Ｃ）
の断面は、ネガレジストを表面にコートした後、基板１
の裏側から紫外線等の光を照射して現像したときのもの
である。第１薄嘆１０上のレジストは露光きれないので
、現像により除去されてしまい基板１の直上の透明薄膜
２１の上にはレジスト５１が残る。

第１図（ｄ）は、露出した第１薄１模１０上の透明薄膜
２０をエッチして除去した断面を示し、第１図＜ｅ＞は
、第１薄膜１０をも除去したものである。

以上の様に、第１薄膜１０上の透明薄膜２０はエッチで
除去されてしまうので、再付着の心配は全くなく、かつ
透明薄膜２１のバターニング精度はリフトオフ法と同じ
に昧てる。第１薄膜１０として通常のレジストを使用し
ても、基板１の裏側からの透過光の強度が第１薄膜１０
の存在によって弱められるので、条件を選ぶことによっ
て本発明を適用できる。

第２図（ａ）〜（ｆ）は本発明の他の実施例の工程断面
である。本実施例では、第１薄膜は上層の不透明′４暎
１０と下層薄１摸１１より成っている。第２図（ａ）は
、上層の不透明薄膜１０をバターニングした断面を示し
、第２図（ｂ）は上層薄膜１０をマスクとして下層Ｉｉ
！４１１をオーバーエッチした断面である。

オーバーエッチによって土１ｄ　薄ｍ　１ｏにオーバー
・・ングが生じる。第２図（Ｃ）は、透明薄膜２０．２
１を下層薄膜１１の厚み以下に堆積し７’（断面を示す
。

上層薄膜１００オーバーハングによって透明薄膜２０と
２１は完全に分離できる。

第２図（ｄ）では、ネガレジストをコートした断面を示
し、基板１の裏側から光を照射、現像をイＩなうと残し
たい透明薄１ｌＡ２１上のみネガレジストが残±（第２
図（ｅ））。その後、第２図（ｂｌの様に、透明薄膜２
０をエッチ除去し、上層薄膜１０、レジスト６１を除去
する。必要に応じて下層薄膜１１を除去してもよいし、
上層薄膜１０を除去しないで他の目的（例えば配線の一
部）に使用でき・る。

上層薄膜１０には金属、半導体、レジスト等が使用でき
、下Ｍ薄膜１１には５ｉＯｚ膜、背化嘆、レジスト等上
Ｊ！Ｍ１ｏをマスクにしてエッチ可能な膜が使用できる
。第２図の例と逆に下層薄膜１１に不透明にすることも
可能である。第２図の例では、透明薄膜２０．２１が完
全に分離できリフトオフ時やすいと共に、残された透明
薄＠２１の端部にテーバ−がつけやすく次工程後のフ゛
ロセスに有利な利点を有している。

以上の様に、本発明は透明基板上の透明薄膜のパターニ
ングに有効な方法で、透明薄膜として他の材料、ψりえ
ば酸化膜や窒化１摸、薄いａ　’−Ｓｌ　９多結晶Ｓｉ
　、薄い金楓偵等にも適用できる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明のバターニング法の一実
施例に沿った工程断面図、 第２図（ａ）〜＜＋＞には本発明の他の実施例に沿った
工程断面図である。 １・・・透明基板　１０・・・不透明４嘆　１１・・・
下層第１薄嗅　２０，２１・・・透明薄ｋｉ５０゜５１
・・・ネガレジスト 以　上 出願人　株式会社　第二イ６工曾 第１図（α） Ｉ 第１図（ｂ） ｌ 第１図（ｅ） 第２図（α） ／ｌ ｆ ｆ

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）透明絶縁基板上に不透明もしくは光を吸収する第
   １薄膜を堆積し、所望の形状にバターニングし、前記基
   板表面の一部を露出する工程と、前記露出した基板上及
   び第１薄膜上に透明薄膜を堆積する工程と、前記透明薄
   膜上にネガレジストをコートする工程と、前記基板裏側
   より元を照射して第１薄膜上以外の部分の前記レジスト
   を感光させて現像処理によって残す工程と、露出した第
   １薄膜上の前記透明薄１戻を除去する工程と、前記ネガ
   レジストを除去する工程とから成る透明薄膜のパターニ
   ング方法。
2. （２）前記第１薄膜が少なくとも２層より構成され、２
   Ｎの４咳のうち少なくとも一部が不透明もしくは光を吸
   収する薄膜であり、かつ２層の薄膜をバターニングする
   除、上層の薄膜をバターニング後、上層薄膜をマスクの
   一部として用いて下１幀薄膜ヲオーバーエッチしてバタ
   ーニングし、上層薄膜をオーバーハング状にすることを
   特徴とする特許請求の範囲第１項記載の透明薄膜のバタ
   ーニング方法。