JPS6033254A - 高イオン導電性白榴石系セラミツクスの製造方法 - Google Patents
高イオン導電性白榴石系セラミツクスの製造方法Info
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- JPS6033254A JPS6033254A JP58143313A JP14331383A JPS6033254A JP S6033254 A JPS6033254 A JP S6033254A JP 58143313 A JP58143313 A JP 58143313A JP 14331383 A JP14331383 A JP 14331383A JP S6033254 A JPS6033254 A JP S6033254A
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高イオン導電性の白榴石系セラミックスの製
造方法に関する。
造方法に関する。
一般にセラミックス体を構成する結晶が眉間空隙又は空
孔を有する場合、アルカリ陽イオンが層、間空隙又は空
孔を移動しやすい為に、該セラミックス体は、高いイオ
ン導電性を示す。この様な結晶の代表例としては、β−
A1203.α−AgI等が挙げられ、これ等は、固体
電解質として化学ポテンシアルセンサ、電池等に広く利
用されている。実用上の観点からは、この様なセラミッ
クス体は、イオン導電性に優れていることに加えて、熱
的及9〆又は化学的に安定であること、機械的強度が大
きいこと、成形加工性及び焼結性に優れていること等の
性質を具備する必要がある。しかるに、β−Ad2(:
)3 は、熱的及び化学的に安定しており且つ機械的強
度も優れてはいるものの、成形焼結時の温度が1600
°C以上と極めて高く、又高硬度である為焼結体の加工
性に劣るのが難点である。
孔を有する場合、アルカリ陽イオンが層、間空隙又は空
孔を移動しやすい為に、該セラミックス体は、高いイオ
ン導電性を示す。この様な結晶の代表例としては、β−
A1203.α−AgI等が挙げられ、これ等は、固体
電解質として化学ポテンシアルセンサ、電池等に広く利
用されている。実用上の観点からは、この様なセラミッ
クス体は、イオン導電性に優れていることに加えて、熱
的及9〆又は化学的に安定であること、機械的強度が大
きいこと、成形加工性及び焼結性に優れていること等の
性質を具備する必要がある。しかるに、β−Ad2(:
)3 は、熱的及び化学的に安定しており且つ機械的強
度も優れてはいるものの、成形焼結時の温度が1600
°C以上と極めて高く、又高硬度である為焼結体の加工
性に劣るのが難点である。
一方、α−AgI等のハロゲン化銀糸の固体電解質は、
イオン導電性の点では極めて優れているものの、熱的及
び化学的安定性に劣り、機械的強度も低い。従って、現
今の厳しい技術的要求に応えて多様な機能性電子部品を
開発する為には、熱的及び化学的に安定で、低温度での
焼結が可能であって、加工性に優れ、機械的強度も大で
ある高イオン導電性セラミックスの出現が望まれている
。
イオン導電性の点では極めて優れているものの、熱的及
び化学的安定性に劣り、機械的強度も低い。従って、現
今の厳しい技術的要求に応えて多様な機能性電子部品を
開発する為には、熱的及び化学的に安定で、低温度での
焼結が可能であって、加工性に優れ、機械的強度も大で
ある高イオン導電性セラミックスの出現が望まれている
。
本発明者は、上記の如き現況を踏まえて種々研究を重ね
た結果、特定組成のS 102−A1203−に20系
の非晶体を加圧成形し、焼結することにより得られる白
榴石固溶体(KAl) 1−XS i2+X06が前記
の要件を良く充足する高イオン導電性セラミックスとな
ることを見出し、本発明を完成するにいたった。即ち、
本発明は、SiO2,Al2O3及びに20を基本成分
とし、St/Si 十An 十Kにより表わされる原子
比0.5乃至0.6の範囲内にあり且つAIVKにより
表わされる原子比が0.9乃至1.1の範囲内にある非
晶体成形物を焼結することにより白榴石固溶体C(KA
A’ )1−XS i2+X06) (但し0(X≦百
)の結晶を主成分とする高イオン導電性白榴石系セラミ
ックスを形成させることを特徴とするセラミックスの製
造方法に係る。
た結果、特定組成のS 102−A1203−に20系
の非晶体を加圧成形し、焼結することにより得られる白
榴石固溶体(KAl) 1−XS i2+X06が前記
の要件を良く充足する高イオン導電性セラミックスとな
ることを見出し、本発明を完成するにいたった。即ち、
本発明は、SiO2,Al2O3及びに20を基本成分
とし、St/Si 十An 十Kにより表わされる原子
比0.5乃至0.6の範囲内にあり且つAIVKにより
表わされる原子比が0.9乃至1.1の範囲内にある非
晶体成形物を焼結することにより白榴石固溶体C(KA
A’ )1−XS i2+X06) (但し0(X≦百
)の結晶を主成分とする高イオン導電性白榴石系セラミ
ックスを形成させることを特徴とするセラミックスの製
造方法に係る。
本発明において形成される白榴石固溶体は純粋な白榴石
(KAlS i 206)中のKAn02成分の一部が
S r 02により置換された形態を有している。を九
このSiO2置換量が大きい程、白榴石固溶体結晶骨格
内のに+カチオンが不足して空孔が大量に形成されてい
る為、K+カチオンの移動が容易となって固溶体が高イ
オン導電性を示し、延いては該固溶体により構成される
セラミックスも高イオン導電性を発現する。
(KAlS i 206)中のKAn02成分の一部が
S r 02により置換された形態を有している。を九
このSiO2置換量が大きい程、白榴石固溶体結晶骨格
内のに+カチオンが不足して空孔が大量に形成されてい
る為、K+カチオンの移動が容易となって固溶体が高イ
オン導電性を示し、延いては該固溶体により構成される
セラミックスも高イオン導電性を発現する。
本発明方法は、例えば、以下の様にして実施される。
先ず、メチルシリケート(CH30)4St 、エチル
タノール、エタノール等の水溶性低級アルキルアルコー
ルに溶解させ、均質溶液とした後、これに硝酸カリウム
水溶液と水とを加えて、均質溶液とする。溶媒がメタノ
ールの場合、硝酸アルミニウムの濃度は、Al2O3と
して0.8〜0.95y/10mJ程度、硝酸カリウム
水溶液の濃度は、5%程度とすることが好ましく、エチ
ルシリケートと硝酸アルミニウムアルコール溶液の合量
に対してメタノールを約2倍量加えることにより、硝酸
カリウム水溶液の添加によっても均質溶液が得られる。
タノール、エタノール等の水溶性低級アルキルアルコー
ルに溶解させ、均質溶液とした後、これに硝酸カリウム
水溶液と水とを加えて、均質溶液とする。溶媒がメタノ
ールの場合、硝酸アルミニウムの濃度は、Al2O3と
して0.8〜0.95y/10mJ程度、硝酸カリウム
水溶液の濃度は、5%程度とすることが好ましく、エチ
ルシリケートと硝酸アルミニウムアルコール溶液の合量
に対してメタノールを約2倍量加えることにより、硝酸
カリウム水溶液の添加によっても均質溶液が得られる。
エチルシリケート、硝酸アルミニウムアルコール溶液及
び硝酸カリウム水溶液の混合比は、最終的に形成される
均質溶液中のSt/Si + A# + K により示
される原子比が0.5以上で且つ0.6以下となり、又
Al/Kにより示される原子比が0.9以上で且つ1.
1以下となる量とする。次いで、上記の如くして得られ
たSi、A#及びに源を含む均質溶液を撹拌しつつ、ア
ルカリ性となるまでアンモニア水を滴下し、ゲルを形成
させる。得られたゲル化物を80〜120°C程度に加
熱して脱水乾燥させた後、結晶化しない様に留意しつつ
650〜850°Cで加熱することにより残存硝酸アン
モニウムを分解除去する。或いは、メチルシリケート、
エチルシリケートの如きアルキルシリケート、アルミニ
ウムイソプロピレートの如きアルミニウムアルコレート
及びカリウム−tert−ブチレートの如きカリウムア
ルコレートをブチルアルコール等のアルコールに溶解さ
せ、塩酸及び水を添加することによりゲルを形成させた
後、上記と同様の脱水乾燥及び加熱を行なっても良い。
び硝酸カリウム水溶液の混合比は、最終的に形成される
均質溶液中のSt/Si + A# + K により示
される原子比が0.5以上で且つ0.6以下となり、又
Al/Kにより示される原子比が0.9以上で且つ1.
1以下となる量とする。次いで、上記の如くして得られ
たSi、A#及びに源を含む均質溶液を撹拌しつつ、ア
ルカリ性となるまでアンモニア水を滴下し、ゲルを形成
させる。得られたゲル化物を80〜120°C程度に加
熱して脱水乾燥させた後、結晶化しない様に留意しつつ
650〜850°Cで加熱することにより残存硝酸アン
モニウムを分解除去する。或いは、メチルシリケート、
エチルシリケートの如きアルキルシリケート、アルミニ
ウムイソプロピレートの如きアルミニウムアルコレート
及びカリウム−tert−ブチレートの如きカリウムア
ルコレートをブチルアルコール等のアルコールに溶解さ
せ、塩酸及び水を添加することによりゲルを形成させた
後、上記と同様の脱水乾燥及び加熱を行なっても良い。
加熱後の残留物は、SiO□−A1203−に20系の
無水の均質な非晶体であり、瞬間的にゲル化が行なわれ
たために、Si。
無水の均質な非晶体であり、瞬間的にゲル化が行なわれ
たために、Si。
Al及びKの各元素は、原子のオーダーで均質に混り合
っている。かくして得られた無水の非晶体をボールミル
等により微粉砕し、加圧成形法、泥漿鋳込み成形法、テ
ープ成形法等の公知の方法により成形した後、1100
〜1400°C程度で3〜24時間程時間熱することに
より、焼結結晶化が完了し、高イオン導電性のセラミッ
クス体が得られる。
っている。かくして得られた無水の非晶体をボールミル
等により微粉砕し、加圧成形法、泥漿鋳込み成形法、テ
ープ成形法等の公知の方法により成形した後、1100
〜1400°C程度で3〜24時間程時間熱することに
より、焼結結晶化が完了し、高イオン導電性のセラミッ
クス体が得られる。
焼結前の均質な非晶体においては、A13+とSt’十
とは無秩序状態にあるが、非晶体を構成するそれぞれの
組成物の液相温度以下で非晶体を加熱し、結晶化させる
と A l 3+とSt’十とが配列して白榴石の結晶
溝造が形成される。この際、非晶体中のSi含有率(δ
)を前記特定範囲内としておくと、KAn02の一部が
SiO2により置換されて、適量のSiO□を含有する
白榴石固溶体が得られる。
とは無秩序状態にあるが、非晶体を構成するそれぞれの
組成物の液相温度以下で非晶体を加熱し、結晶化させる
と A l 3+とSt’十とが配列して白榴石の結晶
溝造が形成される。この際、非晶体中のSi含有率(δ
)を前記特定範囲内としておくと、KAn02の一部が
SiO2により置換されて、適量のSiO□を含有する
白榴石固溶体が得られる。
メこの様な白榴石固溶体中のに十カチオンは部分的に欠
けており、結晶中に空孔が形成されているので、白榴石
結晶のイオン導電率に比して極めて高いイオン導電率を
有する材料となる。
けており、結晶中に空孔が形成されているので、白榴石
結晶のイオン導電率に比して極めて高いイオン導電率を
有する材料となる。
以下実施例及び比較例を示し、本発明の特徴とするとこ
ろをより一層明らかにする。
ろをより一層明らかにする。
実施例1
エチルシリケート83.39’と硝酸アルミニウムAl
(NO3)3・9H2069,8yとをメタノール40
0m1 に均一に溶解させた後、5%硝酸カリウム水溶
液416.5m/を加え、均一溶液を形成させた。
(NO3)3・9H2069,8yとをメタノール40
0m1 に均一に溶解させた後、5%硝酸カリウム水溶
液416.5m/を加え、均一溶液を形成させた。
次いで、該均一溶液を撹拌しつつアルカリ性となるまで
アンモニア水を加え、ゲル化させた。得られたゲル化物
を110°Cで約40時間加熱して脱水乾燥させた後、
800°Cで1時間加熱して硝酸アンモニウムの分解を
行なった。得られたS i /S i+An−)Kのモ
ル比が0.505の無水の非晶体をボールミルにより約
50μm以下に微粉砕した後、直径20mmX厚さ4m
mの大きさに1.2 ton/cm2の圧力で加圧成形
し、1300℃で10時間焼成して、本発明の高イオン
導電性白榴石系セラミックスを得た。
アンモニア水を加え、ゲル化させた。得られたゲル化物
を110°Cで約40時間加熱して脱水乾燥させた後、
800°Cで1時間加熱して硝酸アンモニウムの分解を
行なった。得られたS i /S i+An−)Kのモ
ル比が0.505の無水の非晶体をボールミルにより約
50μm以下に微粉砕した後、直径20mmX厚さ4m
mの大きさに1.2 ton/cm2の圧力で加圧成形
し、1300℃で10時間焼成して、本発明の高イオン
導電性白榴石系セラミックスを得た。
第1表に焼成前の非晶体の組成を示し、第2表に焼結体
の物性を示す。第1表中δとあるのは、St/Si +
An 十にで示される原子比を表わす。又、第1図に絶
対温度の逆数に対する導電率の依存性を曲線Aとして示
す。
の物性を示す。第1表中δとあるのは、St/Si +
An 十にで示される原子比を表わす。又、第1図に絶
対温度の逆数に対する導電率の依存性を曲線Aとして示
す。
実施例2〜5
硝酸アルミニウムと硝酸カリウムの量を第1表に示す様
に変更した以外は実施例1と同様の手法で本発明の高イ
オン導電性セラミックスを得た。
に変更した以外は実施例1と同様の手法で本発明の高イ
オン導電性セラミックスを得た。
第2表に物性を示し、第1図に絶対温度の逆数に対する
導電率の依存性を曲線B(実施例2)及び曲線C(実施
例4)として示す。
導電率の依存性を曲線B(実施例2)及び曲線C(実施
例4)として示す。
比較例1〜2
硝酸アルミニウムと硝酸カリウムの量を第1表に示す様
に変更した以外は実施例1と同様の手法でセラミックス
を得た。第2表に物性を示し、第1図に絶対温度の逆数
に対する導電率の依存性を示す。尚、比較例1及び2で
得られるセラミックス中の白榴石結晶は、いずれも理論
組成(KAnS 1206) を有しているので、第1
図においてほぼ同一曲線りを呈しており、又第2表に示
す如く、結晶転移温度(α=β)も620°Cと一定で
ある。
に変更した以外は実施例1と同様の手法でセラミックス
を得た。第2表に物性を示し、第1図に絶対温度の逆数
に対する導電率の依存性を示す。尚、比較例1及び2で
得られるセラミックス中の白榴石結晶は、いずれも理論
組成(KAnS 1206) を有しているので、第1
図においてほぼ同一曲線りを呈しており、又第2表に示
す如く、結晶転移温度(α=β)も620°Cと一定で
ある。
第 1 表
第 2 表
第1図及び第2表に示す結果から、本発明セラミックス
は、導電性、機械的強度及び耐熱性の点において、比較
例のセラミックスよりも奢るしく優れていることが明ら
かである。
は、導電性、機械的強度及び耐熱性の点において、比較
例のセラミックスよりも奢るしく優れていることが明ら
かである。
第1図は、本発明実施例及び比較例により得られたセラ
ミックスの絶対温度の逆数に対する導電率の依存性を示
すグラフである。 (以上) 第1図 103/T(K)
ミックスの絶対温度の逆数に対する導電率の依存性を示
すグラフである。 (以上) 第1図 103/T(K)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■ 5in21A1203及びに20を基本成分とし、
St/Si + AA’ + K により表わされる原
子比が0.5乃至0.6の範囲内にあり且つkl/Kに
より表わされる原子比が0.9乃至1.1の範囲内にあ
る非晶体成形物を焼結することにより白榴石間溶体〔(
KAl)1−XSi2+xO6〕(但しO(X≦1)の
結晶を主成分とする高イオン導電性白榴石系セラミック
スを形成させることを特徴とするセラミックスの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58143313A JPS6033254A (ja) | 1983-08-04 | 1983-08-04 | 高イオン導電性白榴石系セラミツクスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58143313A JPS6033254A (ja) | 1983-08-04 | 1983-08-04 | 高イオン導電性白榴石系セラミツクスの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6033254A true JPS6033254A (ja) | 1985-02-20 |
Family
ID=15335863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58143313A Pending JPS6033254A (ja) | 1983-08-04 | 1983-08-04 | 高イオン導電性白榴石系セラミツクスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6033254A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4763136A (en) * | 1986-04-08 | 1988-08-09 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Planar thermal head and display device incorporating the same |
| JPH04104692U (ja) * | 1991-02-21 | 1992-09-09 | 共同印刷株式会社 | 看板用印刷物 |
| WO1995011866A1 (en) * | 1993-10-29 | 1995-05-04 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Chemically derived leucite |
-
1983
- 1983-08-04 JP JP58143313A patent/JPS6033254A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4763136A (en) * | 1986-04-08 | 1988-08-09 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Planar thermal head and display device incorporating the same |
| JPH04104692U (ja) * | 1991-02-21 | 1992-09-09 | 共同印刷株式会社 | 看板用印刷物 |
| WO1995011866A1 (en) * | 1993-10-29 | 1995-05-04 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Chemically derived leucite |
| US5622551A (en) * | 1993-10-29 | 1997-04-22 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Chemically derived leucite |
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