JPS603378B2 - カルコン誘導体及びその製造方法 - Google Patents
カルコン誘導体及びその製造方法Info
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Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、感光性樹脂の製造原料として有用なカルコン
誘導体及びその製造方法に関するものである。
誘導体及びその製造方法に関するものである。
これまで感光性樹脂としては、ジアゾ基、アジド基、シ
ンナモイル基あるいはカルコン基を感光基として有する
ものが知られているが、これら感光基を導入する方法は
複雑であり、得られた感光性樹脂の精製などで問題点が
ある。
ンナモイル基あるいはカルコン基を感光基として有する
ものが知られているが、これら感光基を導入する方法は
複雑であり、得られた感光性樹脂の精製などで問題点が
ある。
本発明者は、感光基を高分子に導入する方法を種々検討
した結果、3′−ヒドロキシカルコン誘導体がその目的
に合致することを見出し、本発明を完成するに至った。
した結果、3′−ヒドロキシカルコン誘導体がその目的
に合致することを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、一般式(式中の×はハロゲン原子
、Rは禾置換のフェニル基あるいはニトロ基、シアノ基
又は低級アルキル基で置換されたフェニル基である)で
表わされる新規な3′−モノハロアセチルオキシカルコ
ン誘導体を提供するものである。
、Rは禾置換のフェニル基あるいはニトロ基、シアノ基
又は低級アルキル基で置換されたフェニル基である)で
表わされる新規な3′−モノハロアセチルオキシカルコ
ン誘導体を提供するものである。
この新規なカルコン議導体は、例えば反応式(式中のX
とRとは前記と同じ意味をもつ)に従って、3′−ヒド
ロキシカルコン誘導体とモノハロアセチルクロラィドを
脱塩化水素剤の存在下で反応させることにより製造する
ことが出来る。
とRとは前記と同じ意味をもつ)に従って、3′−ヒド
ロキシカルコン誘導体とモノハロアセチルクロラィドを
脱塩化水素剤の存在下で反応させることにより製造する
ことが出来る。
この方法において、出発原料として用いられる3′−ヒ
ドロキシカルコン誘導体の例としては、3′−ヒドロキ
シカルコン.4ーニトロ−3′−ヒドロキシカルコン、
4ーシアノー3′ーヒドロキシカルコン、4−メチル−
3′−ヒドロキシカルコン、4ーイソプロピルー3′ー
ヒドロキシカルコンなどを挙げることが出来る。
ドロキシカルコン誘導体の例としては、3′−ヒドロキ
シカルコン.4ーニトロ−3′−ヒドロキシカルコン、
4ーシアノー3′ーヒドロキシカルコン、4−メチル−
3′−ヒドロキシカルコン、4ーイソプロピルー3′ー
ヒドロキシカルコンなどを挙げることが出来る。
またモノハロアセチルクロライドとしては、モノクロル
アセチルクロライド、モノプロムアセチルクロライド、
モノヨードアセチルク。
アセチルクロライド、モノプロムアセチルクロライド、
モノヨードアセチルク。
ライドなどを挙げることが出来る。また本発明に使用さ
れる脱塩化水素剤として通常使用されるトリェチルアミ
ン、ピリジンなどのような有機化合物はハロアセチル基
と反応するため望ましくなく、無機化合物で有機溶剤に
不落性のものが望ましく、それらの例としては、炭酸カ
リウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウムなどが挙
げられる。
れる脱塩化水素剤として通常使用されるトリェチルアミ
ン、ピリジンなどのような有機化合物はハロアセチル基
と反応するため望ましくなく、無機化合物で有機溶剤に
不落性のものが望ましく、それらの例としては、炭酸カ
リウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウムなどが挙
げられる。
反応溶媒としては、モノハロアセチルクロラィドに不活
性な溶媒が使用される。
性な溶媒が使用される。
その例としては、ベンゼン、トルェン、キシレン、四塩
化炭素、四塩化ェタン、アセトニトリル、ジメチルアセ
トアミドなどが使用される。反応温度は20qoから1
00℃が望ましいがこれに限定されるものではない。こ
の際の3′−ヒドロキシカルコンとモノハロアセチルク
ロラィドのモル比は1:1〜1:3の範囲で選ばれるが
、これに限定されるものではない。また、使用される脱
塩化水素剤も3′−ヒドロキシカルコンと1:1以上に
なればよいが、通常1:1〜1:3が望ましい。反応生
成物は、常法により単離精製される。本発明によって得
られるカルコン誘導体はハロアセチル基の部分で活性が
高く、主鎖もしくは側鎖に第3級アミノ基などを有する
高分子とメンシュトキン反応により、無触媒で容易にし
かも穏和な条件で、例えば30qo〜60q○で加熱す
るだけで感光性樹脂が得られる。
化炭素、四塩化ェタン、アセトニトリル、ジメチルアセ
トアミドなどが使用される。反応温度は20qoから1
00℃が望ましいがこれに限定されるものではない。こ
の際の3′−ヒドロキシカルコンとモノハロアセチルク
ロラィドのモル比は1:1〜1:3の範囲で選ばれるが
、これに限定されるものではない。また、使用される脱
塩化水素剤も3′−ヒドロキシカルコンと1:1以上に
なればよいが、通常1:1〜1:3が望ましい。反応生
成物は、常法により単離精製される。本発明によって得
られるカルコン誘導体はハロアセチル基の部分で活性が
高く、主鎖もしくは側鎖に第3級アミノ基などを有する
高分子とメンシュトキン反応により、無触媒で容易にし
かも穏和な条件で、例えば30qo〜60q○で加熱す
るだけで感光性樹脂が得られる。
しかも従来感光性樹脂に用いられているケィ皮酸誘導体
よりも長波長部に吸収を有しているため、得られる感光
性樹脂の感度が高い。次に本発明を参考例、実施例に基
づき詳細に説明する。
よりも長波長部に吸収を有しているため、得られる感光
性樹脂の感度が高い。次に本発明を参考例、実施例に基
づき詳細に説明する。
参考例 13′ーヒドロキシー4−シアノカルコンの合
成1.8夕のpーシアノベンズアルデヒドと1.7夕の
3−ヒドロキシアセトフエノンを5泌のエタノールに分
散させ、これに10%の苛性ソーダ水溶液10叫を5℃
で燈拝しながら加える。
成1.8夕のpーシアノベンズアルデヒドと1.7夕の
3−ヒドロキシアセトフエノンを5泌のエタノールに分
散させ、これに10%の苛性ソーダ水溶液10叫を5℃
で燈拝しながら加える。
5℃で3び分間縄梓後、希塩酸中に注加すると淡黄色の
沈澱が得られる。
沈澱が得られる。
これを口葵し、50%アルコール溶液で洗浄する。これ
を含水エタノールから再結晶する。収量2.6夕(収率
84%)融点181〜18〆0。赤外線吸収スペクトル
により2240肌‐1にニトリルに基づく吸収、167
山肌‐1にカルボニル基による吸収、1610‐1に二
重結合に基づく吸収を確認した。元素分析も理論値と一
致した。参考例 2 3′ーヒドロキシ−4−イソプロピルカルコンの合成p
ーイソプロピルベンズアルデヒド7.4夕と3ーヒドロ
キシアセトフエノン6.8夕を15の‘のエタノーに分
散させ、これに苛性ソーダ4夕の30の【水溶液を除々
に加える。
を含水エタノールから再結晶する。収量2.6夕(収率
84%)融点181〜18〆0。赤外線吸収スペクトル
により2240肌‐1にニトリルに基づく吸収、167
山肌‐1にカルボニル基による吸収、1610‐1に二
重結合に基づく吸収を確認した。元素分析も理論値と一
致した。参考例 2 3′ーヒドロキシ−4−イソプロピルカルコンの合成p
ーイソプロピルベンズアルデヒド7.4夕と3ーヒドロ
キシアセトフエノン6.8夕を15の‘のエタノーに分
散させ、これに苛性ソーダ4夕の30の【水溶液を除々
に加える。
この混合液を8ぴ0で4時間蝿拝する。鷹梓終了後、冷
却し、希塩酸で酸性にする。油状生成物が得られる。一
昼夜、室温に放置すると結晶化する。これをジクロルメ
タンとへキサンの混合液で再結晶すると6.8夕の結晶
が得られる。赤外線吸収スペクトルにより、1670弧
‐1のカルボニルの吸収、1610弧−の二重結合の吸
収、3400肌‐1にフェノールの吸収を確認した。結
晶の融点は89.5〜9roであった。実施例 1 3−ニトロ−3′ーモノクロルアセチルオキシカルコン
の合成1夕の3ーニトロ−3′−ヒドロキシカルコンと
067夕のモノクロルアセチルクロライドを10泌の乾
燥ァセトニトリルに溶解し、これに0.84夕の炭酸ソ
ーダを加え、激しく鷹拝しながら80午0で4時間燈梓
する。
却し、希塩酸で酸性にする。油状生成物が得られる。一
昼夜、室温に放置すると結晶化する。これをジクロルメ
タンとへキサンの混合液で再結晶すると6.8夕の結晶
が得られる。赤外線吸収スペクトルにより、1670弧
‐1のカルボニルの吸収、1610弧−の二重結合の吸
収、3400肌‐1にフェノールの吸収を確認した。結
晶の融点は89.5〜9roであった。実施例 1 3−ニトロ−3′ーモノクロルアセチルオキシカルコン
の合成1夕の3ーニトロ−3′−ヒドロキシカルコンと
067夕のモノクロルアセチルクロライドを10泌の乾
燥ァセトニトリルに溶解し、これに0.84夕の炭酸ソ
ーダを加え、激しく鷹拝しながら80午0で4時間燈梓
する。
冷却後、シリカゲルカラムでジクロルメタンを溶離剤と
して、最初の溶離部分を集め、ェバポレーターで溶剤を
除去する。得られた結晶をベンゼンとへキサンの混合液
で再結晶すると1.3夕の結晶が得られる。融点132
〜133qo。紫外線吸収スペクトルにより29皿mの
吸収極大を確認した。また、赤外線吸収スペクトルによ
り1530肌‐1と1350肌‐1にニトロ基による吸
収、1610肌‐1に二重結合による吸収、1660肌
‐1にケトンのカルポニルによる吸収、1770伽‐1
にクロロアセチル基のカルポニルによる吸収を確認した
。この紫外線吸収スペクトルを第1図に示す。実施例
2 3′−モノクロルアセチルオキシカルコンの合成1夕の
3′−ヒドロキシカルコンと0.6夕のモノクロルァセ
チルクロラィドを50の‘の乾燥したベンゼンと1の‘
の乾燥したジメチルアセトアミドの混合液に溶解し、こ
れに0.5夕の炭酸カリウムを加え、7時間、瀦拝しな
がら還流する。
して、最初の溶離部分を集め、ェバポレーターで溶剤を
除去する。得られた結晶をベンゼンとへキサンの混合液
で再結晶すると1.3夕の結晶が得られる。融点132
〜133qo。紫外線吸収スペクトルにより29皿mの
吸収極大を確認した。また、赤外線吸収スペクトルによ
り1530肌‐1と1350肌‐1にニトロ基による吸
収、1610肌‐1に二重結合による吸収、1660肌
‐1にケトンのカルポニルによる吸収、1770伽‐1
にクロロアセチル基のカルポニルによる吸収を確認した
。この紫外線吸収スペクトルを第1図に示す。実施例
2 3′−モノクロルアセチルオキシカルコンの合成1夕の
3′−ヒドロキシカルコンと0.6夕のモノクロルァセ
チルクロラィドを50の‘の乾燥したベンゼンと1の‘
の乾燥したジメチルアセトアミドの混合液に溶解し、こ
れに0.5夕の炭酸カリウムを加え、7時間、瀦拝しな
がら還流する。
反応終了後、溶媒をロータリーヱバポレーターで除去し
、室温に放置すると結晶が得られる。これをベンゼンと
へキサンの混合液で再結晶すると融点滋〜86℃の結晶
が0.9タ得られる。赤外線吸収スペクトルにより17
80節‐1にクロロアセチル基のカルボニルによる吸収
、1610仇‐1にケトンのカルボニルによる吸収、1
610仇‐1に二重結合による吸収を確認した。また、
紫外線吸収スペクトルにより31仇皿に吸収極大を確認
した。実施例 3 4ーシアノ−3′ーモノクロロアセチルオキシカルコン
の合成1夕の2′ーヒドロキシ−4−シア/力ルコンと
0.45夕のモノクロロアセチルクロライドを40奴の
アセトニトリルと5泌のジメチルアセトアミドの乾燥混
合液に溶かし、これに0.85夕の炭酸ソーダを加え、
激しく凝拝しながら2時間還流する。
、室温に放置すると結晶が得られる。これをベンゼンと
へキサンの混合液で再結晶すると融点滋〜86℃の結晶
が0.9タ得られる。赤外線吸収スペクトルにより17
80節‐1にクロロアセチル基のカルボニルによる吸収
、1610仇‐1にケトンのカルボニルによる吸収、1
610仇‐1に二重結合による吸収を確認した。また、
紫外線吸収スペクトルにより31仇皿に吸収極大を確認
した。実施例 3 4ーシアノ−3′ーモノクロロアセチルオキシカルコン
の合成1夕の2′ーヒドロキシ−4−シア/力ルコンと
0.45夕のモノクロロアセチルクロライドを40奴の
アセトニトリルと5泌のジメチルアセトアミドの乾燥混
合液に溶かし、これに0.85夕の炭酸ソーダを加え、
激しく凝拝しながら2時間還流する。
反応終了後、シリカゲルカラムでジクロルメタンとベン
ゼンの1:1の混合液を溶離剤として用い、第2の溶離
成分を橋集する。ベンゼンとへキサンの混合液で再結晶
すると融点117〜118午○の結晶が1タ得られる。
赤外線吸収スペクトルにより2240伽‐1のニトリル
による吸収、1610肌‐1の二重結合による吸収を確
認した。また紫外線吸収スペクトルにより30仇mの吸
収極大を確認した。実施例 44ーイソブロピルー3′
ーモノクロロアセチルオキシカルコンの合成。
ゼンの1:1の混合液を溶離剤として用い、第2の溶離
成分を橋集する。ベンゼンとへキサンの混合液で再結晶
すると融点117〜118午○の結晶が1タ得られる。
赤外線吸収スペクトルにより2240伽‐1のニトリル
による吸収、1610肌‐1の二重結合による吸収を確
認した。また紫外線吸収スペクトルにより30仇mの吸
収極大を確認した。実施例 44ーイソブロピルー3′
ーモノクロロアセチルオキシカルコンの合成。
1.5夕の4−イソプロピル−3′ーヒドロキシカルコ
ンと1.56夕の炭酸カリウムを15叫の乾燥したアセ
トニトリルに分散し、室温で燈拝しながら0.96夕の
モノクロロアセチルクロライドを加える。
ンと1.56夕の炭酸カリウムを15叫の乾燥したアセ
トニトリルに分散し、室温で燈拝しながら0.96夕の
モノクロロアセチルクロライドを加える。
室温で4時間反応させた後、炉過し、炉液をロータリー
ェバポレーターで濃縮すると油状物が得られる。これを
ジクロルメタンに溶解させ、シリカゲルのカラムクロマ
トを通して、第1溶離部分を掩集する。得られた溶液を
ロ‐‐タリーェバポレーターで濃縮すると油状物が得ら
れる。これを室温に放置すると結晶化する。吸収1.3
夕。融点は滋〜86qo。赤外線吸収スペクトルにより
2950c机のイソブロピル基に基づく吸収、1780
伽‐1にモノクロロアセチル基に基づく吸収、1610
肌‐1に二重結合に基づく吸収を確認した。また紫外線
吸収スペクトルにより、32仇m‘こ吸収極大を確認し
た。実施例 54−シアノー3′ーモノクロロアセチル
オキシカルコンの合成1.3夕の4ーシアノ−3′ーヒ
ドロキシカルコンと0.88夕のモノクロルアセチルク
ロライドを15泌の乾燥したアセトニトリルに分散し、
これに炭酸ソーダ1.11夕を鷹拝しながら加える。
ェバポレーターで濃縮すると油状物が得られる。これを
ジクロルメタンに溶解させ、シリカゲルのカラムクロマ
トを通して、第1溶離部分を掩集する。得られた溶液を
ロ‐‐タリーェバポレーターで濃縮すると油状物が得ら
れる。これを室温に放置すると結晶化する。吸収1.3
夕。融点は滋〜86qo。赤外線吸収スペクトルにより
2950c机のイソブロピル基に基づく吸収、1780
伽‐1にモノクロロアセチル基に基づく吸収、1610
肌‐1に二重結合に基づく吸収を確認した。また紫外線
吸収スペクトルにより、32仇m‘こ吸収極大を確認し
た。実施例 54−シアノー3′ーモノクロロアセチル
オキシカルコンの合成1.3夕の4ーシアノ−3′ーヒ
ドロキシカルコンと0.88夕のモノクロルアセチルク
ロライドを15泌の乾燥したアセトニトリルに分散し、
これに炭酸ソーダ1.11夕を鷹拝しながら加える。
この混合液を激しく縄拝しながら4時間還流させる。反
応液を室温に冷却後、炉過し、炉液を減圧下に濃縮し、
得られた固体をベンゼンとへキサンの混合液で再結晶す
ると融点141.5〜142℃の結晶が1.1ク得られ
た。赤外線吸収スペクトルにより2240伽‐1にニト
リルの吸収、178比ネ‐1にクロロアセチル基に基づ
く吸収、1610伽‐1に二重結合に基づく吸収を確認
した。このようにして得られた4ーシアノ−3′ーモノ
クロロアセチルオキシカルコンの赤外線吸収スペクトル
を第2図に示す。また紫外線吸収スペクトルにより30
かmの吸収極大を確認した。
応液を室温に冷却後、炉過し、炉液を減圧下に濃縮し、
得られた固体をベンゼンとへキサンの混合液で再結晶す
ると融点141.5〜142℃の結晶が1.1ク得られ
た。赤外線吸収スペクトルにより2240伽‐1にニト
リルの吸収、178比ネ‐1にクロロアセチル基に基づ
く吸収、1610伽‐1に二重結合に基づく吸収を確認
した。このようにして得られた4ーシアノ−3′ーモノ
クロロアセチルオキシカルコンの赤外線吸収スペクトル
を第2図に示す。また紫外線吸収スペクトルにより30
かmの吸収極大を確認した。
第1図は本発明の3−ニトロ−3′−モノクロロアセチ
ルオキシカルコンの紫外線吸収スペクトルであり、第2
図は4ーシアノー3′ーモノクロロアセチルオキシカル
コンの赤外線吸収スペクトルである。 第 1 図 第 2 図
ルオキシカルコンの紫外線吸収スペクトルであり、第2
図は4ーシアノー3′ーモノクロロアセチルオキシカル
コンの赤外線吸収スペクトルである。 第 1 図 第 2 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中のXはハロゲン原子、Rは未置換のフエニル基あ
るいはニトロ基、シアノ基又は低級アルキル基で置換さ
れたフエニル基である)で表わされる3′−モノハロア
セチルオキシカルコン誘導体。 2 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中のRは未置換のフエニル基あるいはニトロ基、シ
アノ基又は低級アルキル基で置換されたフエニル基であ
る)で表わされる3′−ヒドロキシカルコン誘導体と、
一般式X−CH_2COCl (式中のXはハロゲン原子である) で表わされるモノハロアセチルクロライドを反応させる
ことを特徴とする、一般式(式中のXとRは前記と同じ
意味をもつ)で表わされる3′−モノハロアセチルオキ
シカルコン誘導体の製造方法。 3 固体脱塩化水素剤の存在下で反応させる特許請求の
範囲第2項記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19664381A JPS603378B2 (ja) | 1981-12-07 | 1981-12-07 | カルコン誘導体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19664381A JPS603378B2 (ja) | 1981-12-07 | 1981-12-07 | カルコン誘導体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5899439A JPS5899439A (ja) | 1983-06-13 |
| JPS603378B2 true JPS603378B2 (ja) | 1985-01-28 |
Family
ID=16361178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19664381A Expired JPS603378B2 (ja) | 1981-12-07 | 1981-12-07 | カルコン誘導体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS603378B2 (ja) |
-
1981
- 1981-12-07 JP JP19664381A patent/JPS603378B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5899439A (ja) | 1983-06-13 |
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