JPS6037784A - 電界効果型トランジスタ - Google Patents
電界効果型トランジスタInfo
- Publication number
- JPS6037784A JPS6037784A JP58147205A JP14720583A JPS6037784A JP S6037784 A JPS6037784 A JP S6037784A JP 58147205 A JP58147205 A JP 58147205A JP 14720583 A JP14720583 A JP 14720583A JP S6037784 A JPS6037784 A JP S6037784A
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- Japan
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- gate
- electrode
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/80—FETs having rectifying junction gate electrodes
- H10D30/87—FETs having Schottky gate electrodes, e.g. metal-semiconductor FETs [MESFET]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/80—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
- H10D62/82—Heterojunctions
- H10D62/824—Heterojunctions comprising only Group III-V materials heterojunctions, e.g. GaN/AlGaN heterojunctions
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業ヒのｙ、１川分野
本発明は１稚界グｊ１果型トうフジスタに関する。
従来例の構成とその問題点
ＩＩＩ −Ｖ族化合物半２ｎ体は、ＳｌやＣｙｅなどの
■旌単体元素の半導体に比べで高い移動度を有し、また
材木Ｓｔ的には容易にシヨ・リド牛−バリアゲート構造
が得られるため、（・７れ１こ高周波特性を持つＮＥＴ
材料として研究開発が進められている。更に、１１１−
Ｖ族化合物半導体てはＳｉやＧｅてイアにくかつ１こ半
絶縁性の結晶が容易に得られるため、集積苧バイスの材
料として注目を集めている・− 第１図はＩＩＩ −Ｖ族化合物半導体に」こる従来のシ
ョ・ソト士−パリアゲート型ＦＥＴの（’ｉ＋７１′、
□１ｔを示す。′″１′約１′基板（］）にに無添加の
ｉ型バ・ソファ層（２）を介して活性ｎ（３）を裁置し
、その−ににＦＥＴを構成するドレイン電極（４）、グ
ー１〜鋸極（５）、ソース電極（ハの各種電極が形成さ
れている。（６）はスペーサＳｉ３Ｎ４である。図中の
ゲート、ソース直列抵抗Ｒ８の存在はＦＥＴのチセネル
コンタクタンスｙ２７１を’ １４− Ｒｓ 、ｙｍ”
ｙｍと低下さぜる。まｔこゲート容ｆｉ ｃｃｓ と共
に偵う−（回路を形成して伝達速度も低下させる。１＜
５を小さくするｔこめには、活性層（３）の抵抗率が低
いものを使用すれば良いか、ＦＴＬ１’を動作させる場
合に必要なショ・リド士−バリアノｆ−ト〔以下、 Ｍ
ＥＳと称す〕の逆耐圧が抵抗率に比例するｆコめ、いず
れかが！、１性になる。従来では、ｎ ＝ Ｉ Ｘ １
０１７ｃｍ ”のｎ型ＧａＡｓを活性層としｔ、：場合
、ゲート耐圧は１５ボルトとなりＦＥＴ動作域としては
満足できる値きなるが、抵統率はρ５＝ ０．０２Ω−
ｃｍとなりブセネルコンタクタンスは本来の１４程度に
なってしまうことが計算によりイ）かる・活性１１？ｌ
の士Ｐリア濃度が一定で、Ｒｓが低減する試みとしては
リセス構造がよく用いられる。第１図もその例である。
■旌単体元素の半導体に比べで高い移動度を有し、また
材木Ｓｔ的には容易にシヨ・リド牛−バリアゲート構造
が得られるため、（・７れ１こ高周波特性を持つＮＥＴ
材料として研究開発が進められている。更に、１１１−
Ｖ族化合物半導体てはＳｉやＧｅてイアにくかつ１こ半
絶縁性の結晶が容易に得られるため、集積苧バイスの材
料として注目を集めている・− 第１図はＩＩＩ −Ｖ族化合物半導体に」こる従来のシ
ョ・ソト士−パリアゲート型ＦＥＴの（’ｉ＋７１′、
□１ｔを示す。′″１′約１′基板（］）にに無添加の
ｉ型バ・ソファ層（２）を介して活性ｎ（３）を裁置し
、その−ににＦＥＴを構成するドレイン電極（４）、グ
ー１〜鋸極（５）、ソース電極（ハの各種電極が形成さ
れている。（６）はスペーサＳｉ３Ｎ４である。図中の
ゲート、ソース直列抵抗Ｒ８の存在はＦＥＴのチセネル
コンタクタンスｙ２７１を’ １４− Ｒｓ 、ｙｍ”
ｙｍと低下さぜる。まｔこゲート容ｆｉ ｃｃｓ と共
に偵う−（回路を形成して伝達速度も低下させる。１＜
５を小さくするｔこめには、活性層（３）の抵抗率が低
いものを使用すれば良いか、ＦＴＬ１’を動作させる場
合に必要なショ・リド士−バリアノｆ−ト〔以下、 Ｍ
ＥＳと称す〕の逆耐圧が抵抗率に比例するｆコめ、いず
れかが！、１性になる。従来では、ｎ ＝ Ｉ Ｘ １
０１７ｃｍ ”のｎ型ＧａＡｓを活性層としｔ、：場合
、ゲート耐圧は１５ボルトとなりＦＥＴ動作域としては
満足できる値きなるが、抵統率はρ５＝ ０．０２Ω−
ｃｍとなりブセネルコンタクタンスは本来の１４程度に
なってしまうことが計算によりイ）かる・活性１１？ｌ
の士Ｐリア濃度が一定で、Ｒｓが低減する試みとしては
リセス構造がよく用いられる。第１図もその例である。
しかし、この構造はノｆ−ト１１１下の半導体層の工・
リチシクが不可欠でチ１フネル厚さ［の制御かう！ＩＣ
シい。特にノーマリオフ型ＭＥＳ−ＦＥＴは活性層（３
）が前記ｎ＝ｌＸ１０１７ｃｍ−３の＋セリア濃度の場
合、ｔ−８００λではノーマリオフ型となるが、９００
Ａを越えるとノーマリオン型となる。リセス構造を採用
する限り、このような微少量の工・リチシタ１１・制御
はプロセス上灯しく、再現性よくノーマリオフ特性を得
ることは、θツト間は言うに及ばず、Ｄット内、１ウ工
ハ面内でも困Ｉず゛「な問題であった。
リチシクが不可欠でチ１フネル厚さ［の制御かう！ＩＣ
シい。特にノーマリオフ型ＭＥＳ−ＦＥＴは活性層（３
）が前記ｎ＝ｌＸ１０１７ｃｍ−３の＋セリア濃度の場
合、ｔ−８００λではノーマリオフ型となるが、９００
Ａを越えるとノーマリオン型となる。リセス構造を採用
する限り、このような微少量の工・リチシタ１１・制御
はプロセス上灯しく、再現性よくノーマリオフ特性を得
ることは、θツト間は言うに及ばず、Ｄット内、１ウ工
ハ面内でも困Ｉず゛「な問題であった。
発明の目的
本発明は再現性よ＜ ＭＥＳ・ＦＥＴ特性を実現し、か
つ１セ、をほとんど零にし、従って９ｍ が高く、高速
動作が可能な’ｒ７を界効果型トラスジスタを提供する
ことを目的とする。
つ１セ、をほとんど零にし、従って９ｍ が高く、高速
動作が可能な’ｒ７を界効果型トラスジスタを提供する
ことを目的とする。
発明の構成
本発明の可算効果型トランジスタは、第１の１１（−Ｖ
族化合物半導体からＦＶ、る活性層と、この活性層とシ
ヨ・シト＋−バリア接合を形成するゲート電極と、前記
活性層上に削設されると共に第１のｌｒ［−Ｖ族化合物
半導体とは異なる第２のＩＩＩ −Ｖ族化合物半導体か
ら成るソースおよびドしイン電極とを設けｔこことを特
徴とする。
族化合物半導体からＦＶ、る活性層と、この活性層とシ
ヨ・シト＋−バリア接合を形成するゲート電極と、前記
活性層上に削設されると共に第１のｌｒ［−Ｖ族化合物
半導体とは異なる第２のＩＩＩ −Ｖ族化合物半導体か
ら成るソースおよびドしイン電極とを設けｔこことを特
徴とする。
実施例の説明
以下、本発明の一実施例を第２図に基づいて説明する。
第２図は本発明によるＦｉζＴの慴造図七分府層を示す
。半絶縁性１ｎＰ ｌｒ（：板θ（）上にｉ型１ｎＰバ
・ソファ層Ｏｎを１．０７／７＋１の厚さに設け、その
」二にｎｆｉ、１ＪＩｎ Ｏ，５３ＧａＯ，４７ＡＳ活
性Ｆ１（＋２を８００λ、ｎ生型Ｉ ｎＰ ｎ’ｌ ｆ
Ｅ Ｔ’ｌ （１１を２０００Ａそれぞれ成長する。成
長は膜１−（制御の容易なＭＢＥ法、ＮｔｏｃｖＤ法な
どを用いるが、本実施例ではＭＢＥ法により成長を行な
った。］、（仮温度は５００℃Ｇａセル温度１１００”
Ｃ，Ｉｎセル温度１２００℃、Ａｓ ｔ ＩＬ＋温度２
５０°ｃ、ｐ、ｃル潟度２５０ ”Ｃとし、ｎ型不に、
−ロ物。
。半絶縁性１ｎＰ ｌｒ（：板θ（）上にｉ型１ｎＰバ
・ソファ層Ｏｎを１．０７／７＋１の厚さに設け、その
」二にｎｆｉ、１ＪＩｎ Ｏ，５３ＧａＯ，４７ＡＳ活
性Ｆ１（＋２を８００λ、ｎ生型Ｉ ｎＰ ｎ’ｌ ｆ
Ｅ Ｔ’ｌ （１１を２０００Ａそれぞれ成長する。成
長は膜１−（制御の容易なＭＢＥ法、ＮｔｏｃｖＤ法な
どを用いるが、本実施例ではＭＢＥ法により成長を行な
った。］、（仮温度は５００℃Ｇａセル温度１１００”
Ｃ，Ｉｎセル温度１２００℃、Ａｓ ｔ ＩＬ＋温度２
５０°ｃ、ｐ、ｃル潟度２５０ ”Ｃとし、ｎ型不に、
−ロ物。
としてはＳｎを使い、セル温度は７８０℃としｔこ。パ
・ソファ層θυ、活性ＪｒＲ（ハ）、電極層０９の各層
の成長時間はそれぞれ１時間、６分、５分であった。ド
レイン・ソースへの哄＃襖赤なヌｔｆ！、流注入用］ン
タクトとじてはそれぞれＡｕＧｅＮｉ／Ａｕ膜＋１／ｌ
） ａ６を蒸着し−ｃ ｔｕ 極層（（艷と１−ミ・ツ
ク接触を吉るｔこめに合金化熱処理を行なう。グーｒ−
ｒｒｒ＜分はスペーサＳｉ３Ｎ４膜Ｏ乃に形成した開孔
部を力６して電極層（１３の工・ソチンクを行なう。エ
ツチング液としてはＩＣ７／Ｈ２０液を用いｔこ。この
工・リチンジ液によりＩｎｏ。ｓａ Ｇａ Ｏ，４７Ａ
ｓとＩｎＰとの選択工ｔリチシクが可能であるので、■
・リチンクは活性層（１′２とｎ工極盾（１ニルとの界
面で停止する。
・ソファ層θυ、活性ＪｒＲ（ハ）、電極層０９の各層
の成長時間はそれぞれ１時間、６分、５分であった。ド
レイン・ソースへの哄＃襖赤なヌｔｆ！、流注入用］ン
タクトとじてはそれぞれＡｕＧｅＮｉ／Ａｕ膜＋１／ｌ
） ａ６を蒸着し−ｃ ｔｕ 極層（（艷と１−ミ・ツ
ク接触を吉るｔこめに合金化熱処理を行なう。グーｒ−
ｒｒｒ＜分はスペーサＳｉ３Ｎ４膜Ｏ乃に形成した開孔
部を力６して電極層（１３の工・ソチンクを行なう。エ
ツチング液としてはＩＣ７／Ｈ２０液を用いｔこ。この
工・リチンジ液によりＩｎｏ。ｓａ Ｇａ Ｏ，４７Ａ
ｓとＩｎＰとの選択工ｔリチシクが可能であるので、■
・リチンクは活性層（１′２とｎ工極盾（１ニルとの界
面で停止する。
従ってゲートＱ（極（１９の直下のチセシネルＪ９さｔ
′はちょうど活性ｊＭ（Ｊ乃の膜厚に等しい。結晶成長
は膜厚の面内均一性および制御性に優れているＭＢＥ成
長でなされているためｔ’＝ ８００Ａが常にウェハー
のどの場所でも成りたち、そのｔこめ非常に再現性よく
ノーマリオフ特性が得られる。シヨ・シト＋−ゲート電
極００はＡｅ魚着およびフトオフ技術により形成する。
′はちょうど活性ｊＭ（Ｊ乃の膜厚に等しい。結晶成長
は膜厚の面内均一性および制御性に優れているＭＢＥ成
長でなされているためｔ’＝ ８００Ａが常にウェハー
のどの場所でも成りたち、そのｔこめ非常に再現性よく
ノーマリオフ特性が得られる。シヨ・シト＋−ゲート電
極００はＡｅ魚着およびフトオフ技術により形成する。
以上のようにして第２図のＭＥＳ−ＦＥＴが得られる。
であり・比抵抗は５ Ｘ １０−’Ω−Ｃｎｌ と低く
、従一つで、ゲート・ソース間の抵抗は電イ１ζＩｉへ
１ ｔ１３の＋１イド］−゛ソチンジによって生じｔこ
距１’ｊ：ｌ ｌの能ｆｉｊ！＋ ｌｒｉ ｎ型ＩｎＯ
，５３Ｇａ Ｏ，４７Ａｓ ＪｆＪ Ｑ２の抵抗分だ６
すとなり敬Ωの低］Ｌｌｌ、抗で１１ｆ来の第１図の例
に比べ２桁の改善がなされｆコ。
、従一つで、ゲート・ソース間の抵抗は電イ１ζＩｉへ
１ ｔ１３の＋１イド］−゛ソチンジによって生じｔこ
距１’ｊ：ｌ ｌの能ｆｉｊ！＋ ｌｒｉ ｎ型ＩｎＯ
，５３Ｇａ Ｏ，４７Ａｓ ＪｆＪ Ｑ２の抵抗分だ６
すとなり敬Ωの低］Ｌｌｌ、抗で１１ｆ来の第１図の例
に比べ２桁の改善がなされｆコ。
得られたＭＥＳ−ＦＥＴの静持性として、しきい値ケ−
ｌ−ｔｆｆ圧Ｖ丁＝ ０．１ポル１−（ド１ノイーＪ電
流２０ ／／Ａ） ］？／タクタンスＦ？ｍ＝ １５０
ｍ５／ｍ＋ｙｘ、 ；ｔ ｙ抵抗Ｒ□Ｎ＝１５０Ω伝播
遅延速度２０１）ｓ、’：従）１コより１０倍高速な；
Ｌモ子が？“７られた。
ｌ−ｔｆｆ圧Ｖ丁＝ ０．１ポル１−（ド１ノイーＪ電
流２０ ／／Ａ） ］？／タクタンスＦ？ｍ＝ １５０
ｍ５／ｍ＋ｙｘ、 ；ｔ ｙ抵抗Ｒ□Ｎ＝１５０Ω伝播
遅延速度２０１）ｓ、’：従）１コより１０倍高速な；
Ｌモ子が？“７られた。
なお、」二記実１’ｆ＋ｊ例において活性層Ｕツ市５（
弛Ｌ゛ｊ（１月１１ ｎ ｏ、ｓａ Ｇａ ｏ、４゜Δ
ｓ、ＩｎＰとして説明したが、これはＧａＡｓ。
弛Ｌ゛ｊ（１月１１ ｎ ｏ、ｓａ Ｇａ ｏ、４゜Δ
ｓ、ＩｎＰとして説明したが、これはＧａＡｓ。
（ｙａ １ ｘＡｌＸＡｅ、 Ｉｌｌ １−ＸＧａＸＡ
Ｓｉ −ｙ Ｐｙ 、 Ｉ ｎ ）−ｘ、Ｇ（Ｉ ＸＡ
ｈＰ 。
Ｓｉ −ｙ Ｐｙ 、 Ｉ ｎ ）−ｘ、Ｇ（Ｉ ＸＡ
ｈＰ 。
ＧａＳｂなど、どのようプλｌｌｌ −Ｖ ／へ化合物
半尊付＼でも可能である。まｒ、：Ｉ；Ｉ；、ｒの子ト
ネＩＩ／ ２１ＩＬ！もｎ ｌ’ ？ネルに限定される
ものではない。４３’ −１−ＩＹ、、ｆ！〕；もＡｌ
に限らずＣｒ−Ｐｔ、金屑シリリイドなどこの他のもの
でも可能である。ＦＥＴ特性もノーマリオフ！リリにｌ
；−１＊らずノーマリオン型でもよい。
半尊付＼でも可能である。まｒ、：Ｉ；Ｉ；、ｒの子ト
ネＩＩ／ ２１ＩＬ！もｎ ｌ’ ？ネルに限定される
ものではない。４３’ −１−ＩＹ、、ｆ！〕；もＡｌ
に限らずＣｒ−Ｐｔ、金屑シリリイドなどこの他のもの
でも可能である。ＦＥＴ特性もノーマリオフ！リリにｌ
；−１＊らずノーマリオン型でもよい。
発明の効集
以−ヒ説明の、Ｉ′うに本発明の１ａ界効果型トランジ
スタによる２−５活性Ｊ１”りよ、ソース７ｆて極とド
レイ７ン″１１にｌｊ−とを異なるＩｌｌ −Ｖ ｆｒ
’ｊ：化合物半専体で形成し１こ１こめ、高いイ［１，
ｌ：Ｉ’、 ］ヲタクタンスを有し、高７７動作の可能
なＩｔＪ界効果１−うシジスタを再現性よ＜ ｉ’、’
ｆることかできるものである。
スタによる２−５活性Ｊ１”りよ、ソース７ｆて極とド
レイ７ン″１１にｌｊ−とを異なるＩｌｌ −Ｖ ｆｒ
’ｊ：化合物半専体で形成し１こ１こめ、高いイ［１，
ｌ：Ｉ’、 ］ヲタクタンスを有し、高７７動作の可能
なＩｔＪ界効果１−うシジスタを再現性よ＜ ｉ’、’
ｆることかできるものである。
第１図は従）１４の電ル゛２効果トラｙジスタの断面図
、第２図は本発明の一実施例の電界効果１−５二ノジス
タの断面図でΔ′、る。 （１（Ｎ 半Ｔ：Ｑ ！ｌ！ｆ１．Ｔ ｎＰ基板、（Ｉ
ＩＩ −ｉ型１ｎＰバ・ソファｈニア、’Ｊ’Ａ −ｎ
２ＧＱ Ｉｎ６．５３Ｇｎ６，４７ＡＳ活性１１ｅｌ
［’第１の川−Ｖ族化合物半導体から成る活訃Ｊｒｉ
） 、 ｏ：ｉ・ｎ型１ｎＰ’ｊｒｉ極層（’、第２
（７） 川−Ｖ族化合物２１″導体７Ｊ１ら成ロソー
ス 及 乙〆 ト１ノ イ Ｉ ’ｆ（−ｆ ！ｊ’
ＲＪ 、 （１４） （ｌｆＱ −ΔｕＧｅＮ ｉ ／
Ａｕ １１４Ｊ 、（Ｉｎ） −’ｊ’ −） Ｗｉ、
ｔ；ｔｊｉ代理人 合 本 、％６ 弘 第１図 第２図
、第２図は本発明の一実施例の電界効果１−５二ノジス
タの断面図でΔ′、る。 （１（Ｎ 半Ｔ：Ｑ ！ｌ！ｆ１．Ｔ ｎＰ基板、（Ｉ
ＩＩ −ｉ型１ｎＰバ・ソファｈニア、’Ｊ’Ａ −ｎ
２ＧＱ Ｉｎ６．５３Ｇｎ６，４７ＡＳ活性１１ｅｌ
［’第１の川−Ｖ族化合物半導体から成る活訃Ｊｒｉ
） 、 ｏ：ｉ・ｎ型１ｎＰ’ｊｒｉ極層（’、第２
（７） 川−Ｖ族化合物２１″導体７Ｊ１ら成ロソー
ス 及 乙〆 ト１ノ イ Ｉ ’ｆ（−ｆ ！ｊ’
ＲＪ 、 （１４） （ｌｆＱ −ΔｕＧｅＮ ｉ ／
Ａｕ １１４Ｊ 、（Ｉｎ） −’ｊ’ −） Ｗｉ、
ｔ；ｔｊｉ代理人 合 本 、％６ 弘 第１図 第２図
Claims (1)
- １、第１σ月１１−ｖ族化合物半導体から成る活性層と
、この活性層とシヨ・リド士−バリ？接合を形成するゲ
ート鍵、（完と、前記活性層」二に配設される表共に第
１ （７） ＩＩＩ −Ｖ族化合物半導体とは異なる第
２のＩＩＩ −Ｖ Ｉｆ、（化合物半導体からなるソー
スおよびドしイン電ｆｌｔとを設けｔこ電、界効眼型ト
ランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58147205A JPS6037784A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 電界効果型トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58147205A JPS6037784A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 電界効果型トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6037784A true JPS6037784A (ja) | 1985-02-27 |
Family
ID=15424935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58147205A Pending JPS6037784A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 電界効果型トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6037784A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6254967A (ja) * | 1985-09-04 | 1987-03-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 電界効果トランジスタ |
| JPS63188973A (ja) * | 1987-01-30 | 1988-08-04 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPH04202205A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-23 | Chisso Corp | 艶消し塩化ビニル系樹脂組成物 |
| US5170230A (en) * | 1989-05-10 | 1992-12-08 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and production method thereof |
| EP0551110A3 (en) * | 1992-01-09 | 1994-09-07 | Mitsubishi Electric Corp | Compound semiconductor devices |
| WO2011155571A1 (ja) | 2010-06-09 | 2011-12-15 | 旭化成ケミカルズ株式会社 | 熱可塑性エラストマー組成物及びその成形品 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5661169A (en) * | 1979-10-25 | 1981-05-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | Preparation of compound semiconductor device |
| JPS5768073A (en) * | 1980-10-14 | 1982-04-26 | Nec Corp | Field effect transistor |
| JPS57112079A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-12 | Fujitsu Ltd | Field-effect semiconductor device |
-
1983
- 1983-08-10 JP JP58147205A patent/JPS6037784A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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| US5477066A (en) * | 1992-01-09 | 1995-12-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Heterojunction bipolar transistor |
| US5508535A (en) * | 1992-01-09 | 1996-04-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Compound semiconductor devices |
| WO2011155571A1 (ja) | 2010-06-09 | 2011-12-15 | 旭化成ケミカルズ株式会社 | 熱可塑性エラストマー組成物及びその成形品 |
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