JPS604165A - スルホニウム誘導体 - Google Patents
スルホニウム誘導体Info
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- JPS604165A JPS604165A JP58112460A JP11246083A JPS604165A JP S604165 A JPS604165 A JP S604165A JP 58112460 A JP58112460 A JP 58112460A JP 11246083 A JP11246083 A JP 11246083A JP S604165 A JPS604165 A JP S604165A
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- Japan
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- lower alkyl
- alkyl group
- hydrogen atom
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- Acyclic And Carbocyclic Compounds In Medicinal Compositions (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規なスルホニウム化合物及びその製造法に関
する。
する。
本発明のスルホニウム化合物は、下記一般式(I)で表
わされる。
わされる。
〔式中R□及びR2は同一または相異なって低級アル+
ル基を、R3は水素原子または低級アル+ル基は水素原
子またはカルボ+シル基を、R6は水素原子、低級アル
]+シ基、ハロゲン原子、水酸基、トリフルオロメチル
基、低級アシル基、低級アル士ル基、テトラシリルカル
バモイル基、カルボ士ジメチル基、3−(2−オ士ソー
4−ハイドロ+シテトラ八イドロフリル)オ+シ基また
は低級アルコ+ジカルボニルメチルカルバtイル基を示
す)を夫々示す。またR3及びR1,は互いに結合して
メチレン鎖となり、之等の結合する窒素原子と共に複素
環基を形成してもよい。ルはI−3の整数及びYは酸残
基を示す。〕 上記一般式(I)中R□、R2、R3、R4及びR6で
表わされる低級アル中ル基としては、炭素数1〜6のア
ルキル基例えばメチル、エチル、−5oヒル、イソ″5
Dピル、づチル、イソづチル、を−づチル、ペンチル、
へ十シル基等を例示できる。
ル基を、R3は水素原子または低級アル+ル基は水素原
子またはカルボ+シル基を、R6は水素原子、低級アル
]+シ基、ハロゲン原子、水酸基、トリフルオロメチル
基、低級アシル基、低級アル士ル基、テトラシリルカル
バモイル基、カルボ士ジメチル基、3−(2−オ士ソー
4−ハイドロ+シテトラ八イドロフリル)オ+シ基また
は低級アルコ+ジカルボニルメチルカルバtイル基を示
す)を夫々示す。またR3及びR1,は互いに結合して
メチレン鎖となり、之等の結合する窒素原子と共に複素
環基を形成してもよい。ルはI−3の整数及びYは酸残
基を示す。〕 上記一般式(I)中R□、R2、R3、R4及びR6で
表わされる低級アル中ル基としては、炭素数1〜6のア
ルキル基例えばメチル、エチル、−5oヒル、イソ″5
Dピル、づチル、イソづチル、を−づチル、ペンチル、
へ十シル基等を例示できる。
一般式(I)中R4で示されるシフ0アル+ル基として
は炭素数5〜7のシクロアル十ル基部ちシフ0ペンチル
、シクロへ+シル、シフ0へづチル基コ+シ基としては
炭素数1〜6のアル]+シ基、例えばメト士シ、エト+
シ、づDピルオ+シ、イソづロピルオ十シ、づト十シ、
を−づト士シ、ペンチルオ+シ、へ十シルオ+シ基等を
、ハロゲン原子としては弗素、塩素、臭素、沃素原子等
を、低級アシル基としては炭素数2〜6のアシル基、例
えばアセチル、″50ヒ才二ル、づチリル、ヒバロイル
、力″50イル基等を、低級アル]+ジカルボニルメチ
ルカルバtイル基としては炭素数4〜9のアルコ+ジカ
ルボニルメチルカルバ[イル基、例えばメト十ジカルボ
ニルメチルカルバ七イル、エト十ジカルボニルメチルカ
ルバモイル、′50ピルオ+ジカルボニルメチルカルバ
七イル、イソづ0ビルオ+ジカルボニルメチルカルバ七
イル、づト十ジカルボニルメチルカルバ七イル、を−づ
ト牛ジカルボニルメチルカルバtイル、へ+シ0十ジカ
ルボニルメチルカルバ七イル基等を夫々例示することが
できる。
は炭素数5〜7のシクロアル十ル基部ちシフ0ペンチル
、シクロへ+シル、シフ0へづチル基コ+シ基としては
炭素数1〜6のアル]+シ基、例えばメト士シ、エト+
シ、づDピルオ+シ、イソづロピルオ十シ、づト十シ、
を−づト士シ、ペンチルオ+シ、へ十シルオ+シ基等を
、ハロゲン原子としては弗素、塩素、臭素、沃素原子等
を、低級アシル基としては炭素数2〜6のアシル基、例
えばアセチル、″50ヒ才二ル、づチリル、ヒバロイル
、力″50イル基等を、低級アル]+ジカルボニルメチ
ルカルバtイル基としては炭素数4〜9のアルコ+ジカ
ルボニルメチルカルバ[イル基、例えばメト十ジカルボ
ニルメチルカルバ七イル、エト十ジカルボニルメチルカ
ルバモイル、′50ピルオ+ジカルボニルメチルカルバ
七イル、イソづ0ビルオ+ジカルボニルメチルカルバ七
イル、づト十ジカルボニルメチルカルバ七イル、を−づ
ト牛ジカルボニルメチルカルバtイル、へ+シ0十ジカ
ルボニルメチルカルバ七イル基等を夫々例示することが
できる。
一般式(I)中R3及びR4が互い圧結合して形成し得
るメチレジ鎖としては例えばエチレシ、トリメチレy、
テトラメチレジ、ベシタメチレシ、へ士すメチレン鎖等
を例示することができる。
るメチレジ鎖としては例えばエチレシ、トリメチレy、
テトラメチレジ、ベシタメチレシ、へ士すメチレン鎖等
を例示することができる。
一般式(I)中、Yで表わされる酸残基としては医薬品
として使用できるものであれば良く、具体的には次の無
機酸残基及び有機酸残基を例示できる。
として使用できるものであれば良く、具体的には次の無
機酸残基及び有機酸残基を例示できる。
無機酸残基・−・・・塩化水素、沃化水素、臭化水素、
四弗化硼素酸、過塩素酸、リシ酸等の酸残基。
四弗化硼素酸、過塩素酸、リシ酸等の酸残基。
有機酸残基・・・・・メタルスルホン酸、トルエyスル
ホシ酸、カシファースルホシe、1.5−4’ニア’2
1ノ、7ジスルホシ酸等の有機スルホン酸残基及び乳酸
、マレイン酸、マOン酸等のカルポジ酸残基。
ホシ酸、カシファースルホシe、1.5−4’ニア’2
1ノ、7ジスルホシ酸等の有機スルホン酸残基及び乳酸
、マレイン酸、マOン酸等のカルポジ酸残基。
本発明の上記一般式(I)で表わされるスルホニウム化
合物は、抗アレルギー作用等を有し、医薬品として有用
である。
合物は、抗アレルギー作用等を有し、医薬品として有用
である。
以下本発明化合物の製造法につき説明する。
本発明化合物は、例えば下記各種の方法により製造でき
る。
る。
一般式
(式中R□、R3、R4及びルは前記と同一の意味を示
す。) で表わされるスルファイド化合物と一般式%式%() (式中R2及びYは前記と同一の意味を示す。)で表わ
される化合物とを反応させる。
す。) で表わされるスルファイド化合物と一般式%式%() (式中R2及びYは前記と同一の意味を示す。)で表わ
される化合物とを反応させる。
本反応は溶媒中或いは無溶媒で、−30〜150℃、好
ましくは0〜100℃以下、反応時間的0.5〜72時
間で行なわれる。化合物(III)はスルファイド化合
物(II)に対し、過剰量使用しても良いが好ましくけ
理論量の約1〜4倍モル量使用するのが良い。溶媒とし
てはメタノール、エタノール、づDパノール等のアルコ
ール類;アセトニトリル、ニドOメタシ、ジメチルホル
ムアミド、ジメチルスルホ牛サイド等の極性溶媒;メチ
リンク0ライド、りOOホルム等のハ0ゲシ化炭化水素
類;べ、7ゼシ、トルエン、牛シレシ等の芳香族炭化水
素類;エチルエーテル、づ0じルエーテル等のエーテル
類;その他アセトシ、石油エーテル、酢酸エチル、水、
及びこれら溶媒の混合溶媒等を使用できる。反応は必要
に応じて密閉容器中で行なうことができる。
ましくは0〜100℃以下、反応時間的0.5〜72時
間で行なわれる。化合物(III)はスルファイド化合
物(II)に対し、過剰量使用しても良いが好ましくけ
理論量の約1〜4倍モル量使用するのが良い。溶媒とし
てはメタノール、エタノール、づDパノール等のアルコ
ール類;アセトニトリル、ニドOメタシ、ジメチルホル
ムアミド、ジメチルスルホ牛サイド等の極性溶媒;メチ
リンク0ライド、りOOホルム等のハ0ゲシ化炭化水素
類;べ、7ゼシ、トルエン、牛シレシ等の芳香族炭化水
素類;エチルエーテル、づ0じルエーテル等のエーテル
類;その他アセトシ、石油エーテル、酢酸エチル、水、
及びこれら溶媒の混合溶媒等を使用できる。反応は必要
に応じて密閉容器中で行なうことができる。
原料として用いられるスルファイド化合物(II)は、
例えば一般式 %式%() (式中R□及びルは前記と同一の意味を示し、hal−
はハロゲン原子を示す。) で表わされる化合物と、一般式 (式中R3及びR4は前記と同一の意味を示す。)で表
わされる化合物とを、好ましくは塩基性化合物、例えば
ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属、これらの水素
化物、これらの水酸化物又はこれらの炭酸塩或いはヒリ
ジシ、tルホリン、ごペリジシ、ピベラ、;シ、トリエ
チルアミン等の存在下、無溶媒又は適当な溶媒中0〜2
oo℃程度の温度下に反応させることにょシ合成される
。該スルファイド化合物(n)の合成の詳細は、後記参
考例において記述する。
例えば一般式 %式%() (式中R□及びルは前記と同一の意味を示し、hal−
はハロゲン原子を示す。) で表わされる化合物と、一般式 (式中R3及びR4は前記と同一の意味を示す。)で表
わされる化合物とを、好ましくは塩基性化合物、例えば
ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属、これらの水素
化物、これらの水酸化物又はこれらの炭酸塩或いはヒリ
ジシ、tルホリン、ごペリジシ、ピベラ、;シ、トリエ
チルアミン等の存在下、無溶媒又は適当な溶媒中0〜2
oo℃程度の温度下に反応させることにょシ合成される
。該スルファイド化合物(n)の合成の詳細は、後記参
考例において記述する。
一般式
(式中R1%R2、R3、Ra及びルは前記と同一の意
味を示し、Xはハロゲン原子を示す。)で表ゎされるス
ルホニウムハライドと、一般式%式%() (式中Zは銀原子又はアルカリ金属原子及びY□はXで
示されるハロゲン原子以外の酸残基を示す。) で表わされる化合物とを反応させる。
味を示し、Xはハロゲン原子を示す。)で表ゎされるス
ルホニウムハライドと、一般式%式%() (式中Zは銀原子又はアルカリ金属原子及びY□はXで
示されるハロゲン原子以外の酸残基を示す。) で表わされる化合物とを反応させる。
本方法は、スルホニウムハライド(■)(本発明の一般
式(I)で表わされる化合物中Yがハロゲン化水素酸残
基を示すもの)の塩交換反応を利用するものであシ、該
原料化合物は上記製造法Aに従い製造される。該スルホ
ニウムハライド(Vl)は、反応系より単離することな
く、反応混合物の形態でも本反応に有利に使用できる。
式(I)で表わされる化合物中Yがハロゲン化水素酸残
基を示すもの)の塩交換反応を利用するものであシ、該
原料化合物は上記製造法Aに従い製造される。該スルホ
ニウムハライド(Vl)は、反応系より単離することな
く、反応混合物の形態でも本反応に有利に使用できる。
勿論反応系より単離精製して用いることもできる。
他方の原料化合物とする化合物(■)としては、本発明
の一般式(I)中Yに対応する酸残基を提供し得る各酸
の銀塩又はアルカリ金属塩を使用できる。上記酸として
は例えば塩化水素、臭化水素、゛ヨウ化水素、過塩素酸
、四弗化硼素酸等の無機酸及びマレイン酸、マロン酸、
乳酸、カンファースルホン酸、メタシスルホシ酸、トシ
ル酸、ピクリルスルホシ酸、1.5−ナフタレンジスル
ホン酸等の有機酸を例示できる。またアルカリ金属とし
ては例えばナトリウム、カリウム、リチウム等を例示で
きる。
の一般式(I)中Yに対応する酸残基を提供し得る各酸
の銀塩又はアルカリ金属塩を使用できる。上記酸として
は例えば塩化水素、臭化水素、゛ヨウ化水素、過塩素酸
、四弗化硼素酸等の無機酸及びマレイン酸、マロン酸、
乳酸、カンファースルホン酸、メタシスルホシ酸、トシ
ル酸、ピクリルスルホシ酸、1.5−ナフタレンジスル
ホン酸等の有機酸を例示できる。またアルカリ金属とし
ては例えばナトリウム、カリウム、リチウム等を例示で
きる。
水塩交換反応は溶媒中、約−30〜150℃、好ましく
は約0〜100℃で行われる。化合物(■)はスルホニ
ウムハライド(VI)に対し、好ましくは理論量の約1
〜4倍量で使用される。溶媒としては前記製造法Aの反
応に使用されると同一の各種の溶媒をいずれも使用でき
る。
は約0〜100℃で行われる。化合物(■)はスルホニ
ウムハライド(VI)に対し、好ましくは理論量の約1
〜4倍量で使用される。溶媒としては前記製造法Aの反
応に使用されると同一の各種の溶媒をいずれも使用でき
る。
本方法も塩交換反応を利用するものであり、上記スルホ
ニウムパライト(Vl)に、酸化銀と一般式%式%() (式中yiは前記と同一の意味を示す。)で表わされる
化合物とを反応させる。
ニウムパライト(Vl)に、酸化銀と一般式%式%() (式中yiは前記と同一の意味を示す。)で表わされる
化合物とを反応させる。
原料として用いられるスルホニウムハライド(Vl)は
、製造法Bで示したものと同一であり、またBY□で表
わされる化合物(■)は、本発明の一般式(I)で表わ
される化合物中Yで示される酸残基を提供し得る遊離形
態の有機酸もしくは無機酸である。その具体例は、上記
製造法Bに示す通りである。
、製造法Bで示したものと同一であり、またBY□で表
わされる化合物(■)は、本発明の一般式(I)で表わ
される化合物中Yで示される酸残基を提供し得る遊離形
態の有機酸もしくは無機酸である。その具体例は、上記
製造法Bに示す通りである。
本反応において酸化銀は、原料とするスルホニウムハラ
イド(Vl)に対して通常等モル以上、好ましくは約1
−4倍モルの割合で用い得る。またff□で表わされる
酸の使用割合は、原料とするスルホニウムハライド(V
I)に対して等モル以上、好ましくは約1〜4倍℃ル比
とするのがよい。本反応は、通常溶媒中、約−30〜1
50℃、好ましくは約0〜100℃で行なわれる。溶媒
としては前記製造法Aのそれと同一でよい。
イド(Vl)に対して通常等モル以上、好ましくは約1
−4倍モルの割合で用い得る。またff□で表わされる
酸の使用割合は、原料とするスルホニウムハライド(V
I)に対して等モル以上、好ましくは約1〜4倍℃ル比
とするのがよい。本反応は、通常溶媒中、約−30〜1
50℃、好ましくは約0〜100℃で行なわれる。溶媒
としては前記製造法Aのそれと同一でよい。
上記製造法A−CK従い得られる本発明のスルホニウム
化合物は、反応終了後通常の分離方法に従って単離でき
る。該分離方法としては、−例えば再結晶法、抽出法、
濃縮法、カラムク0マドクラフイー等を採用できる。
化合物は、反応終了後通常の分離方法に従って単離でき
る。該分離方法としては、−例えば再結晶法、抽出法、
濃縮法、カラムク0マドクラフイー等を採用できる。
本発明化合物は、抗アレルf−作用を有するほかKも生
体の免疫能を光通する作用;制癌作用;免疫調節作用:
消炎鎮痛作用:肝機能改善作用;抗自己免疫作用:感染
防御作用:副作用として免疫抑制作用を有する例えばス
テ0イド剤、制癌剤等の有効成分化合物のこれら副作用
防止作用;免疫療法の補助作用;血小板凝集阻止作用;
生物成長調節作用等を有し、医薬品、農薬として有用で
ある。
体の免疫能を光通する作用;制癌作用;免疫調節作用:
消炎鎮痛作用:肝機能改善作用;抗自己免疫作用:感染
防御作用:副作用として免疫抑制作用を有する例えばス
テ0イド剤、制癌剤等の有効成分化合物のこれら副作用
防止作用;免疫療法の補助作用;血小板凝集阻止作用;
生物成長調節作用等を有し、医薬品、農薬として有用で
ある。
本発明化合物は、これを医薬として用いるに当っては、
治療目的に応じて各種の投与形態を採用可能である。該
形態としては例えば、経口剤、注射剤、直腸坐剤、吸入
剤等のいずれでも良く、2等投与形態は、夫々当業者に
公知慣用の製剤方法により製造できる。経口用固型製剤
を調製する場合は、本発明化合物に賦形剤、必要に応じ
て結合剤、崩解剤、滑沢剤、着色剤、矯味剤、矯臭剤等
を加えた後、常法により錠剤、被覆錠剤、顆粒剤、散剤
、力づセル剤等を製造することができる。経口液状製剤
を調製する場合には、本発明化合物に矯味剤、緩衝剤、
安定化剤、矯臭剤等を加えて常法により、内服液剤、シ
Oツづ剤等を製造することができる。注射剤を調製する
場合は、本発明化合物にpH調整剤、緩衝剤、安定化剤
、等張化剤、局所麻酔剤等を添加し、常法により、皮下
、筋肉内、静脈内用注射剤を製造することができる。直
腸坐剤を調製する場合には1本発明化合物に賦形剤、更
に必要に応じて界面活性剤等を加えた後、常法によシ坐
剤を製造することができる。吸入剤を調製する場合には
、本発明化合物に賦形剤、噴射剤等を必要に応じて添加
し、常法により吸入剤を製造することができる。
治療目的に応じて各種の投与形態を採用可能である。該
形態としては例えば、経口剤、注射剤、直腸坐剤、吸入
剤等のいずれでも良く、2等投与形態は、夫々当業者に
公知慣用の製剤方法により製造できる。経口用固型製剤
を調製する場合は、本発明化合物に賦形剤、必要に応じ
て結合剤、崩解剤、滑沢剤、着色剤、矯味剤、矯臭剤等
を加えた後、常法により錠剤、被覆錠剤、顆粒剤、散剤
、力づセル剤等を製造することができる。経口液状製剤
を調製する場合には、本発明化合物に矯味剤、緩衝剤、
安定化剤、矯臭剤等を加えて常法により、内服液剤、シ
Oツづ剤等を製造することができる。注射剤を調製する
場合は、本発明化合物にpH調整剤、緩衝剤、安定化剤
、等張化剤、局所麻酔剤等を添加し、常法により、皮下
、筋肉内、静脈内用注射剤を製造することができる。直
腸坐剤を調製する場合には1本発明化合物に賦形剤、更
に必要に応じて界面活性剤等を加えた後、常法によシ坐
剤を製造することができる。吸入剤を調製する場合には
、本発明化合物に賦形剤、噴射剤等を必要に応じて添加
し、常法により吸入剤を製造することができる。
上記の各投与単位形態中に配合されるべき本発明化合物
の量はこれを適用すべき患者の症状によシ或いはその剤
型等により一定でないが、一般に投与単位形態当り経口
剤では約5〜1000■、注射剤では約0.1〜500
■、全開では約5〜l000■、吸入剤では約1〜50
0■とするのが望ましい。又、上記投与形態を有する薬
剤の1日当りの投与量も症状等に応じ一概に決定できな
いが、通常約0.1〜5000■とするのが好ましい。
の量はこれを適用すべき患者の症状によシ或いはその剤
型等により一定でないが、一般に投与単位形態当り経口
剤では約5〜1000■、注射剤では約0.1〜500
■、全開では約5〜l000■、吸入剤では約1〜50
0■とするのが望ましい。又、上記投与形態を有する薬
剤の1日当りの投与量も症状等に応じ一概に決定できな
いが、通常約0.1〜5000■とするのが好ましい。
次に本発明を更に説明するため、本発明化合物を製造す
るための原料化合物(スルファイド化合物(■))の製
造例を参考例として挙げ、次いで本発明化合物の製造例
を実施例として挙げる。
るための原料化合物(スルファイド化合物(■))の製
造例を参考例として挙げ、次いで本発明化合物の製造例
を実施例として挙げる。
参考例 I
2−シフOへ士ジルカルバ七イルエチルメチルスルファ
イドの合成 エーテル1001mにシフDへ牛シルア三ン21.4F
及びトリエチルアミン24.Ofを溶解させる。これに
、氷冷下、β−メ子ルメルカづトづロヒオニルク0ライ
ト30.Ofを加える。室温で2時間攪拌し、反応液を
水洗する。芒硝脱水後、エーテル層を濃縮し、残渣をシ
フDへ牛サシより再結晶して2−シフ0へ+ジルカルバ
七イルエチルメチルスルファイド+2.5fC収率97
.7%)を得る。
イドの合成 エーテル1001mにシフDへ牛シルア三ン21.4F
及びトリエチルアミン24.Ofを溶解させる。これに
、氷冷下、β−メ子ルメルカづトづロヒオニルク0ライ
ト30.Ofを加える。室温で2時間攪拌し、反応液を
水洗する。芒硝脱水後、エーテル層を濃縮し、残渣をシ
フDへ牛サシより再結晶して2−シフ0へ+ジルカルバ
七イルエチルメチルスルファイド+2.5fC収率97
.7%)を得る。
rILP93−94℃
参考例 2
2−(メチルフェニルカルバ上イル)エチルメチルスル
ファイドの合成 べ′Ji!ン100−にメチルアニリン10.79及び
ヒリジル9.48fを溶解させる。これに、氷冷下、β
−メチルメルカづト″50ヒオニルク0ライト13.9
9を加える。室温で1時間攪拌し、反応液を水洗する。
ファイドの合成 べ′Ji!ン100−にメチルアニリン10.79及び
ヒリジル9.48fを溶解させる。これに、氷冷下、β
−メチルメルカづト″50ヒオニルク0ライト13.9
9を加える。室温で1時間攪拌し、反応液を水洗する。
芒硝脱水後、ベニ、l′l!ン層を濃縮し、残渣を減圧
蒸留して2−(メチルフェニルカルバ上イル)エチルメ
チルスルファイド19.94(収率95.2チ)を得る
。
蒸留して2−(メチルフェニルカルバ上イル)エチルメ
チルスルファイド19.94(収率95.2チ)を得る
。
1’P149=I50℃/ 2 tuH?実施例 1
ジメチル−2−シクロへ士ジルカルバLイルエチルスル
ホニウム P−トルエンスルホネート(化合物l)の合
成 2−シフDへ士ジルカルバtイルエチルメチルスルファ
イド2.Olfをメチリンク0ライト30ゴに溶解後、
これにp−トルエンスルホン酸メチル5.58tを加え
て室温で48時間攪拌する。反応液にエーテルを加え不
溶部を沢取し、エタノール−エーテルよシ再結晶して、
ジメチル−2−シクロへ+ジルカルバモイルエチルスル
ホニウムP−トルニジスルホネート(化合物1 ) 3
−68 F(収率94.8チ)を得る。
ホニウム P−トルエンスルホネート(化合物l)の合
成 2−シフDへ士ジルカルバtイルエチルメチルスルファ
イド2.Olfをメチリンク0ライト30ゴに溶解後、
これにp−トルエンスルホン酸メチル5.58tを加え
て室温で48時間攪拌する。反応液にエーテルを加え不
溶部を沢取し、エタノール−エーテルよシ再結晶して、
ジメチル−2−シクロへ+ジルカルバモイルエチルスル
ホニウムP−トルニジスルホネート(化合物1 ) 3
−68 F(収率94.8チ)を得る。
mp187〜188℃
実施例 2
実施例1と同様の操作によシ後記表1に示す化合物6.
8.12.13.22.23.24および25を合成し
た。
8.12.13.22.23.24および25を合成し
た。
実施例 3
ジメチル−2−(3−(5−テトラソリル力ルバ七イル
)フェニル)カルバ七イルエチルスルホニウム p−ト
ルエンスルホネート(化合物16) の合成213−(
5−テトラソリル力ルバ七イル)フェニル11チルメチ
ルスルフアイド3.06gをジメチルホルムアミド30
11/に溶解後、これに戸−トルエンスルホン酸メチル
5.58fを加えて室温で48時間攪拌する。反応液に
エーテルを加え不溶部を沖取し、ジメチルホルムア三F
−エーテルよシ再結晶してジメチル−2−(3−(5−
デトラソリル力ルバ七イル)フェニル)カルバ七イルエ
チルスルホニウム 戸−トルエンスルホネート(化合物
16) 4.55 F (収率92.3%)を得る。
)フェニル)カルバ七イルエチルスルホニウム p−ト
ルエンスルホネート(化合物16) の合成213−(
5−テトラソリル力ルバ七イル)フェニル11チルメチ
ルスルフアイド3.06gをジメチルホルムアミド30
11/に溶解後、これに戸−トルエンスルホン酸メチル
5.58fを加えて室温で48時間攪拌する。反応液に
エーテルを加え不溶部を沖取し、ジメチルホルムア三F
−エーテルよシ再結晶してジメチル−2−(3−(5−
デトラソリル力ルバ七イル)フェニル)カルバ七イルエ
チルスルホニウム 戸−トルエンスルホネート(化合物
16) 4.55 F (収率92.3%)を得る。
ffi/194−195℃
実施例 4
実施例3と同様の操作により、後記表1に示す化合物1
7を合成した。
7を合成した。
実施例 5
ジメチル−2−(メチルフェニルカルバ七イル)エチル
スルホニウム /’−)ルエンスルホネート(化合物2
)の合成 2−(メチルフェニルカルバ七イル)エチルメチルスル
ファイト2.09fにp−トルエンスルホシ酸メチル6
.07を加え、室温で12時間攪拌する。反応液にエー
テルを加え、不溶部を戸数し、エタノール−エーテルよ
り再結晶して、ジメチル−2−(メチルフェニルカルバ
七イル)エチルスルホニウム p−トルニジスルホネー
ト(化合物2)3.822(収率96.5%)を得る。
スルホニウム /’−)ルエンスルホネート(化合物2
)の合成 2−(メチルフェニルカルバ七イル)エチルメチルスル
ファイト2.09fにp−トルエンスルホシ酸メチル6
.07を加え、室温で12時間攪拌する。反応液にエー
テルを加え、不溶部を戸数し、エタノール−エーテルよ
り再結晶して、ジメチル−2−(メチルフェニルカルバ
七イル)エチルスルホニウム p−トルニジスルホネー
ト(化合物2)3.822(収率96.5%)を得る。
7i7)!50−151℃
実施例 6
実施例5と同様の操作により後記表1に示す化合物4.
5.9および18を合成した。
5.9および18を合成した。
実施例 7
ジメチルー2−(4−(5−テトラシリルカルバ七イル
)フェニル)カルバtイルエチルスルホニウムアイオタ
イド(化合物+4)の合成2−(4−(5−テトラリリ
ルカルバt−1ル)フェニル)カルバtイルエ千ルメチ
ルスルファイド3.06fをジメチルホルムアミドlO
m/に溶解する。これにメチルアイオタイド4.21を
加え、室温で12時間攪拌する。反応液にエーテルを加
え、不溶部を沖取し、メタノール−エーテルより再結晶
して1.;メチル−2−(4−(5−テトラゾリルカル
バ上イル)フェニルjカルバ七イルエチルスルホニウム
アイオタイド(化合物++)4.255’(収率94.
9チ)を得る。
)フェニル)カルバtイルエチルスルホニウムアイオタ
イド(化合物+4)の合成2−(4−(5−テトラリリ
ルカルバt−1ル)フェニル)カルバtイルエ千ルメチ
ルスルファイド3.06fをジメチルホルムアミドlO
m/に溶解する。これにメチルアイオタイド4.21を
加え、室温で12時間攪拌する。反応液にエーテルを加
え、不溶部を沖取し、メタノール−エーテルより再結晶
して1.;メチル−2−(4−(5−テトラゾリルカル
バ上イル)フェニルjカルバ七イルエチルスルホニウム
アイオタイド(化合物++)4.255’(収率94.
9チ)を得る。
”P264−265℃
実施例 8
実施例7と同様の操作により、後記表■に示す化合物1
9を合成した。
9を合成した。
実施例 9
ジメチル−2−(4−(5−テトラシリルカルバ七イル
)フェニル)カルバ七イルエチルスルホニウム F−)
ルエシスルホネート(化合物+ 5 ’)の合成 実施例7で合成した2−(4−(5−テトラシリルカル
バ七イル)フェニル)カルバ七イルエチルジメチルスル
ホニウムアイオタイド(化合物14)4.48fをジメ
チルホルムアミド30mに溶解し、P−トルニジスルホ
ン酸銀2,79りを加え、室温で1時間攪拌する。反応
液を濾過し、F液に硫化水素及び活性炭を加えて濾過す
る。P液を濃縮し、残渣をジメチルホルムアミド−エー
テルよシ精製してジメチル−2−r4−(5−テトラシ
リルカルバ七イル)フェニル)カルバ七イルエチルスル
ホニウム F−)ルエンスルホネート(化合物+5)4
.52f(収率91.7%)を得る。
)フェニル)カルバ七イルエチルスルホニウム F−)
ルエシスルホネート(化合物+ 5 ’)の合成 実施例7で合成した2−(4−(5−テトラシリルカル
バ七イル)フェニル)カルバ七イルエチルジメチルスル
ホニウムアイオタイド(化合物14)4.48fをジメ
チルホルムアミド30mに溶解し、P−トルニジスルホ
ン酸銀2,79りを加え、室温で1時間攪拌する。反応
液を濾過し、F液に硫化水素及び活性炭を加えて濾過す
る。P液を濃縮し、残渣をジメチルホルムアミド−エー
テルよシ精製してジメチル−2−r4−(5−テトラシ
リルカルバ七イル)フェニル)カルバ七イルエチルスル
ホニウム F−)ルエンスルホネート(化合物+5)4
.52f(収率91.7%)を得る。
rILP21B−219℃
実施例 lO
ジメチル−214−(エト+ジカルボニルメチルカルバ
七イル)フェニルカルバ七イル)エチルスルホニウム
p−1−ルエンスルホネート(化合物20)の合成 実施例8で合成した2−(4−(エト中ジカルボニルメ
チルカルバモイル)フェニル′−カルバ七イル)エチル
ジメチルスルホニウムアイ才タイド4.66Fをエタノ
ール20Hに溶解し、これに酸化銀2.31rを加えて
室温で30分攪拌後、濾過する。F液に、エタノール5
m1VCp−1−ルエシスルホシ酸3.44gTを溶解
した液を加えた後、濃縮する。残渣をアセトニトリル−
エーテルで精製してジメチル−2−(4−(エト十ジカ
ルボニルメチルカルバ℃イル)フェニルカルバ七イル)
エチルスルホニウム p−トルニジスルホネート(化合
物20)4.95F(収率96.9%)を得る。
七イル)フェニルカルバ七イル)エチルスルホニウム
p−1−ルエンスルホネート(化合物20)の合成 実施例8で合成した2−(4−(エト中ジカルボニルメ
チルカルバモイル)フェニル′−カルバ七イル)エチル
ジメチルスルホニウムアイ才タイド4.66Fをエタノ
ール20Hに溶解し、これに酸化銀2.31rを加えて
室温で30分攪拌後、濾過する。F液に、エタノール5
m1VCp−1−ルエシスルホシ酸3.44gTを溶解
した液を加えた後、濃縮する。残渣をアセトニトリル−
エーテルで精製してジメチル−2−(4−(エト十ジカ
ルボニルメチルカルバ℃イル)フェニルカルバ七イル)
エチルスルホニウム p−トルニジスルホネート(化合
物20)4.95F(収率96.9%)を得る。
71LP132−135℃
実施例 11
2−(カルボ士ジメチルカルバ七イル)エチルジメチル
スルホニウム F−トルニジスルホネート(化合物3)
の合成 2−(カルボ士ジメチルカルバ℃イル)エチルメチルス
ルファイド1.77fのアセト、73Qm/溶液にメチ
ルアイオタイド4.26f、次いでp−トルエンスルホ
ン酸銀2.79Fを加えて、室温で12時間攪拌する。
スルホニウム F−トルニジスルホネート(化合物3)
の合成 2−(カルボ士ジメチルカルバ℃イル)エチルメチルス
ルファイド1.77fのアセト、73Qm/溶液にメチ
ルアイオタイド4.26f、次いでp−トルエンスルホ
ン酸銀2.79Fを加えて、室温で12時間攪拌する。
反応液を濾過し、F液に硫化水素及び活性炭を加えて濾
過する。ろ液を濃縮し、アセトニトリル−エーテルより
再結晶して2−(カルボ中ジメチルカルバモイル)エチ
ルジメチルスルホニウム F−)ルエシスルホネート、
(化合物3)3.45F(収率95.0%)を得る。
過する。ろ液を濃縮し、アセトニトリル−エーテルより
再結晶して2−(カルボ中ジメチルカルバモイル)エチ
ルジメチルスルホニウム F−)ルエシスルホネート、
(化合物3)3.45F(収率95.0%)を得る。
mP85−86℃
実施例 12
ジメチル−2−(4−メト牛ジフェニルカルバ七イル)
エチルスルホニウム p−トルエンスルホネート(化合
物7)の合成 2−(4−メト中ジフェニルカルバモイル)エチルジメ
チルスルファイド2.25Fのメチリンク0ライド50
肩l溶液に、メチルアイオタイド4.265’、次いで
P−トルエンスルホン酸銀2−79rを加えて、室温で
12時間攪拌する。反応液を濾過後、実施例1Oと同様
に処理して、ジメチル−2−(今一メト中ジフェニルカ
ルバモイル)エチルスルホニウム p−t−ルエンスル
ホネート(化合物7)3.95F(収率95.9チ)を
得る。
エチルスルホニウム p−トルエンスルホネート(化合
物7)の合成 2−(4−メト中ジフェニルカルバモイル)エチルジメ
チルスルファイド2.25Fのメチリンク0ライド50
肩l溶液に、メチルアイオタイド4.265’、次いで
P−トルエンスルホン酸銀2−79rを加えて、室温で
12時間攪拌する。反応液を濾過後、実施例1Oと同様
に処理して、ジメチル−2−(今一メト中ジフェニルカ
ルバモイル)エチルスルホニウム p−t−ルエンスル
ホネート(化合物7)3.95F(収率95.9チ)を
得る。
mP119−123℃
実施例 13
実施例12と同様の操作により後記表1に示す化合物1
O111および21を合成した。
O111および21を合成した。
上記各実施例で得られた化合物(化合物1〜25)の構
造と共に、各側における収率(%)並びに各化合物のm
p (℃)、元素分析値及び核磁気共鳴スペクトル(N
MR)分析結果(δ値、 pprrt )を下記表1に
示す。尚表1中元素分析値における( )を付して示し
た数値は計算値(チ)を、また( )を付さないで示し
た数値は実測値(4)を示すものとする。4 たNMR
FiDMSO−d6中、TMSを内部標準物質として測
定した値である。
造と共に、各側における収率(%)並びに各化合物のm
p (℃)、元素分析値及び核磁気共鳴スペクトル(N
MR)分析結果(δ値、 pprrt )を下記表1に
示す。尚表1中元素分析値における( )を付して示し
た数値は計算値(チ)を、また( )を付さないで示し
た数値は実測値(4)を示すものとする。4 たNMR
FiDMSO−d6中、TMSを内部標準物質として測
定した値である。
表 1
以下、本発明化合物を用いた製剤例を挙げる。
製剤例1 錠 剤
化合物13 toorn9
乳糖 47■
トウ七aコシダンプシ 5019
結晶セルロース 50■
ヒト0牛シづロピルセルロース 15■タルク 2岬
ステアリン酸マグネシウム 2mg
エチルセルロース 30岬
脂肪酸グリセリンエステル 2岬
夏錠当り 300岬
上記配合割合で錠剤を調製する。
製剤例2 顆粒剤
化合物7 200 way
マンニトール 540■
トウ七〇コシデンづ、/ 100■
結晶セルロース 100岬
ヒト0+ジプロピルセル0−ス 50岬タルク 10W
I? l包当り 1000■ 上記配合割合で顆粒剤を調製する。
I? l包当り 1000■ 上記配合割合で顆粒剤を調製する。
製剤例3 細粒剤
化合物12 200■
マンニトール 520■
トウ七〇コシデンプン 100■
結晶セJl/[1−ス 1ooq
ヒドロ+シづ0ピルセルロース 70岬タルク lO岬
l包中 1000岬
上記配合割合で細粒剤を調製する。
製剤例今 カプセル剤
化合物10 100■
乳糖 50■
トウ七〇コシデンづン 47W
結晶セルロース 50my
タルク 2■
!力づセル当り 250+II!
上記配合割合で力づセル剤を調製する。
製剤例5 シ0ツづ剤
化合物8 1F
精製白糖 60f
パラしドロ+シ安息香酸エチル 5η
パうしドO+シ安息香酸づチル 5η
香 料 適 量
着色料
全 量 +0014!
上記配合割合でシ0ツづ剤を調製する。
製剤例6 注射剤
化合物1 100■
注射用蒸留水 適 量
l管中 2d
上記配合割合で注射剤を調製する。
製剤例7 坐 剤
化合物11 100■
ウイテツプジールF−351400■
1個当勺 1500■
上記配合割合で全開を調製する。
製剤例8 吸入剤
化合物5 I00■
ソルビタン七ノオレエート 10■
フ0シ12 9890〜
全 量 10f
上記配合割合で吸入剤を調製する。
次に本発明化合物の薬理作用試験、急性毒性試験結果を
示す。
示す。
(1) 同種受身皮膚アナフイラ士シー(PCA)に及
はす影春 実験に使用する組織親和性抗体は、づ夕回虫の虫体抽出
物に、ジニトロフェニル基を結合させた物(DNP −
A!>と百日咳ワクチシとでラットを免疫することによ
る夕4CTαdα)らの方法〔ジャーナル オづ イム
ノ[1、; (J、 ImnubnoLagy )10
6.1002 (197+ ))で作成した。この組織
親和性抗体を含む血清を、あらかじめ剪毛した雄性ウィ
スター系ラット(体重180〜200り)の背部4ケ所
に皮内注射した。48時間後にDNP−AJ?1.5
ynyとエバシスブルー2.52とを含む生理食塩水1
t/を静脈内注射して反応を惹起し、30分後にラット
を脱血致死せしめ、カタセマ(Katayama )ら
の方法〔マイクロバイオ0ジ−アシド イムノD ”;
−(MicrohioLogy andImmuno
Logy ) 22.89 (+978) )に従って
漏出色素量を測定し、PCAの指標とした。化合物は抗
原誘発30分前に腹腔内投与した。結果を表2に示す。
はす影春 実験に使用する組織親和性抗体は、づ夕回虫の虫体抽出
物に、ジニトロフェニル基を結合させた物(DNP −
A!>と百日咳ワクチシとでラットを免疫することによ
る夕4CTαdα)らの方法〔ジャーナル オづ イム
ノ[1、; (J、 ImnubnoLagy )10
6.1002 (197+ ))で作成した。この組織
親和性抗体を含む血清を、あらかじめ剪毛した雄性ウィ
スター系ラット(体重180〜200り)の背部4ケ所
に皮内注射した。48時間後にDNP−AJ?1.5
ynyとエバシスブルー2.52とを含む生理食塩水1
t/を静脈内注射して反応を惹起し、30分後にラット
を脱血致死せしめ、カタセマ(Katayama )ら
の方法〔マイクロバイオ0ジ−アシド イムノD ”;
−(MicrohioLogy andImmuno
Logy ) 22.89 (+978) )に従って
漏出色素量を測定し、PCAの指標とした。化合物は抗
原誘発30分前に腹腔内投与した。結果を表2に示す。
表 2
(2)急性毒性試験
tLdY系雄性マウス(体重201)を使用し、化合物
を生理食塩水に溶解し、腹腔内投与し、50チ致死量L
D5o(η/に9)をアラづタウシ法によ請求めた。結
果を下記表3に示す。
を生理食塩水に溶解し、腹腔内投与し、50チ致死量L
D5o(η/に9)をアラづタウシ法によ請求めた。結
果を下記表3に示す。
表 3
(以 上)
徳島県板野郡上板町佐藤塚字西
261−1
0発 明 者 松本宏
徳島県板野郡上板町引野字寺の
束31−2
0発 明 者 両脇一部
徳島市上吉野町3丁目30−5
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■ 一般式 〔式中R1及びR2は同一または異なって低級アル+ル
基を、R3は水素原子または低級アル+ル基を、R1,
は水素原子、低級アル中ル基、シフ0基を、R6は水素
原子、低級アルコ+シ基、ハロゲン原子、水酸基、トリ
フルオロメチル基、低級アシル基、低級アル+ル基、テ
トラリリル力ルバtイル基、カルボ士ジメチル基、3−
(2−オ中ソー4−ハイド0+シテトラハイドロフリル
)オ十シ基または低級アルコ+シカ、ルポニルメチル力
ルバ七イル基を示す)を夫々示す。 またR3及びR4は互いに結合してメチレジ鎖となり、
之等の結合する窒素原子と共に複素環基を形成してもよ
い。ルは1〜3の整数及びYは酸残基を示す。〕 で表わされるスルホニウム誘導体。 ■ 一般式 〔式中R□は低級アル中ル基を、R3は水素原子または
低級アル+ル基を、R4は水素原子、低級ルポ十シル基
を、R6は水素原子、低級アルコ+シ基、ハロゲン原子
、水酸基、トリフルオロメチル基、低級アシル基、低級
アル+ル基、テトラリリル力ルバ℃イル基、カルボ士ジ
メチル基、3−(2−オ+ソー4−ハイド0中シテトラ
ハイド0フリル)オ十シ基または低級アルコ+シカルボ
ニルメチルカルバ上イル基を示す)を夫々示す。またR
3及びR4は互いに結合してメチレン鎖となり、之等の
結合する窒素原子と共に複素環基を形成してもよい。ル
は1〜3の整数を示す。〕 で表わされるスルファイド化合物と、一般式2Y 〔式中R2は低級アル+ル基及びYは酸残基を示す。〕 で表わされる化合物とを反応させることを特徴とする一
般式 〔式中R1%R2、R3、R4、Y及びルは前記と同一
の意味を示す。〕 で表わされるスルホニウム化合物の製造法。 ■ 一般式 〔式中R□及びR2は同一または相異なって低級アル+
ル基を、R3は水素原子または低級アル中ル基を、R4
は水素原子、低級アル+ル基、シクロアル中ル基、カル
ボ士ジメチル基、または基を、R6F−1水素原子、低
級アルコ+シ基、ハロゲン原子、水酸基、トリフルオロ
メチル基、低級アシル基、低級アル中ル基、テトラリリ
ル力ルバ七イル基、カルボ士ジメチル基、3−(2−オ
+ソー4−ハイドO+シテトラハイドOフリル)オ十シ
基または低級アル]+ジカルボニルメチルカルバ℃イル
基を示す。またR3及びR1゜は互いに結合してメチレ
ジ鎖となり、之等の結合する窒素原子と共に複素環基を
形成してもよい。路は1〜3の整数及びXはへ〇、’f
′JJgr、子を示す。〕 で表わされるスルホニウムパライト、一般式〔式中Zは
銀原子またはアルカリ金属原子及びY□はXで示される
ハロゲン原子以外の酸残基を示す。〕 で表わされる化合物とを反応させることを特徴とする一
般式 〔式中R□、R2、R3、R4、Y□及びルは前記と同
一の意味を示す。〕 で表わされるスルホニウム化合物の製造法。 ■ 一般式 〔式中R□及びR2は同一または相異なって低級アル+
ル基を、R3は水素原子または低級アル+ル基を、R4
は水素原子、低級アル+ル基、シクDアル+ル基、カル
ボ士ジメチル基または基を、R6け水素原子、低級アル
コ+シ基、ハロゲン原子、水酸基、トリフルオロメチル
基、低級アシル基、低級アル中ル基、テトラリリルカル
バ七イル基、カルボ士ジメチル基%3−(2−オ+ソー
4−ハイドロ+シテトラハイド0フリル)オ十シ基また
は低級アルコ+ジカルボニルメチルカルバtイル基を示
す)を夫々示す。 またR3及びR4は互いに結合してメチレジ鎖となり、
之等の結合する窒素原子と共に複素環基を形成してもよ
い。rLは1〜3の整数及びXはハロゲン原子を示す。 〕 で表わされるスルホニウムハライドに、酸化銀及び一般
式 〔式中YiけXで示されるへロゲシ原子以外の酸残基を
示す。〕 で表わされる化合物を反応させることを特徴とする一般
式 〔式中R1、R2、R3、R4、Y□及びrLは前記と
同一の意味を示す。〕 で表わされるスルホニウム化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58112460A JPS604165A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | スルホニウム誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58112460A JPS604165A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | スルホニウム誘導体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS604165A true JPS604165A (ja) | 1985-01-10 |
| JPH0370700B2 JPH0370700B2 (ja) | 1991-11-08 |
Family
ID=14587183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58112460A Granted JPS604165A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | スルホニウム誘導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS604165A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007178848A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Fujifilm Corp | 感光性組成物、該感光性組成物を用いたパターン形成方法及び該感光性組成物に用いられる化合物 |
| JP2010061043A (ja) * | 2008-09-05 | 2010-03-18 | Fujifilm Corp | ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 |
| EP2292272A3 (en) * | 2004-07-08 | 2011-10-26 | Novo Nordisk A/S | Polypeptide protracting tags comprising a tetrazole moiety |
| US20110287361A1 (en) * | 2010-04-27 | 2011-11-24 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Photoacid generators and photoresists comprising same |
| US8404427B2 (en) | 2005-12-28 | 2013-03-26 | Fujifilm Corporation | Photosensitive composition, and pattern-forming method and resist film using the photosensitive composition |
-
1983
- 1983-06-21 JP JP58112460A patent/JPS604165A/ja active Granted
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2292272A3 (en) * | 2004-07-08 | 2011-10-26 | Novo Nordisk A/S | Polypeptide protracting tags comprising a tetrazole moiety |
| US9061067B2 (en) | 2004-07-08 | 2015-06-23 | Novo Nordisk A/S | Polypeptide protracting tags |
| JP2007178848A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Fujifilm Corp | 感光性組成物、該感光性組成物を用いたパターン形成方法及び該感光性組成物に用いられる化合物 |
| US7749679B2 (en) * | 2005-12-28 | 2010-07-06 | Fujifilm Corporation | Photosensitive composition, pattern-forming method using the photosensitive composition and compounds used in the photosensitive composition |
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| Publication number | Publication date |
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