JPS6042226B2 - ベンゾイルオキシ安息香酸誘導体 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は液晶として有用なベンゾイルオキシ安息香酸誘
導体、さらに詳しくは、一般式中 Ｃ＝℃ ウヘＲ２（Ｉ） （式中、Ｒ”はｎ−アルキル基、Ｒ゜は水素原子又はメ
トキシ基である。

）で表わされるベンゾイルオキシ安息香酸誘導体に関す
るものである。

リグニンの酸化分解によつて一連のフェノール誘導体の
中の主なものとして、４−ヒドロキシベンズアルデヒド
、バニリン及びシリンガアルデヒＪドの３種がよく知ら
れている。

これらのフェノール誘導体のうち、４−ヒドロキシベン
ズアルデヒドから誘導される４−ｎ−アルコキシ安息香
酸は液晶性物質であることが見出されているが、その他
のものについては未だ見出されていない。７ 本発明者
らは、リグニンの酸化分解によつて得られる前記フェノ
ール誘導体を原料とする、液晶性物質の合成について種
々研究を行つた結果、前；９一記一般式（１）て表わさ
れるものは、液晶性物質としてすぐれたものであること
を見出し、本発明を完成するに至つた。

本発明の化合物を得るには、バニリン又は４−ヒドロキ
シベンズアルデヒドを出発原料として用い、これにハロ
ゲン化ｎ−アルキルを反応させてその水酸基をエーテル
化した後、酸化処理してアルデヒド基をカルボキシル基
に変える。

次に、得られた４−ｎ−アルコキシ安息香酸又は４−ｎ
−アルコキシー３−メトキシ安息香酸にハロゲン化剤、
たとえば塩化チオニルを反応させて酸ハライドに変換し
た後、４−ヒドロキシ安息香酸を反応させる。この一連
の反応を化学式で示すと次の通りである。（前記式中、
Ｒ１はｎ−アルキル基であり、その炭素数は１〜２鍜度
である。

Ｒ２は水素原子又５はメトキシ基てあり、Ｘ及びＹはハ
ロゲン原子を表わす。）本発明による化合物による化合
物は、液晶性物質としてすぐれた特性を示し、次のよう
な特徴を有する。

（１）従来の液晶性物質である４−ｎ−アルコキシ安息
香酸と比べ、本化合物は一般に融点及び相転移温度が高
く、より高温領域で液晶性を示す。

従つて高温液晶性物質としての新用途が期待される、な
どの利点を有する。（２）Ｒ１の炭素数の長さを調節す
ることにより、化合物の融点及び相転移温度を調節する
ことができる。（３） 本化合物合成の原料となる４−
ヒドロキシベンズアルデヒド、バニリン等はバルブ廃液
中のリグニン成分の酸化分解によつて簡単に得られるの
で、大量合成する場合非常に有利である。

また合成の各段階で用いるのに反応が単純であるので合
成が非常に簡単である。次に本発明を実施例によりさら
に詳しく説明する。

実施例 バニリン４．５６ｙ１無水炭酸カリ３．８Ｖ１臭化ｎ−
ヘプチル８．０５ｑをＤＭＦ５Ｏｍｌに加える。

この溶液を攪拌下に３時間加熱還流する。冷却後、臭化
カリと未反応の炭酸カリを口別する。口液を真空蒸留し
て、溶媒及び未反応の臭化ｎ−ヘプチルを除く。蒸留残
積物を少量のメタノールから結晶して４−ｎ−ヘプチロ
キシー３−メトキシーベンズアルデヒド６．６５ｙを得
る。４−ｎ−ヘプチロキシー３−メトキシーベンズアル
デヒド２．２２ｙをアセトン１５０ｍｔに溶かす。

この溶液を加熱還流し、攪拌下に、過マンガン酸カリ１
．９ｙを徐々に加える。その後１時間還流をつつける。
冷却後、析出物を口別する。この析出物を水に懸濁させ
、希硫酸で酸性（ＰＨ約３）にした後、亜硫酸ソーダを
加えることにより、白色沈殿物が得られる。この析出物
を口別、水洗し、４−ｎ−ペプチロキシー３−メトキシ
安息香酸１．９ｙを得る。メタノール、アセトンから再
結晶して結一晶を得る。融点１１９〜１２０゜Ｃ０４−
ｎ−ペプチロキシー３−メトキシ安息香酸４８９ｎＩｇ
（１．８４ｒｒＬ．ｍ０１）に塩化チオニル約１．５ｍ
１を加え攪拌下約３時間加熱還流する。

加熱終了後、減圧下で過乗の塩化チオニルを簡去し、酸
クロライドを得る。これを３ｍ１の乾燥したピリジンに
溶かす。このピリジン溶液を４−ヒドロキシ安息香酸２
５４ｍｇ（１．８４７ｎｍ０１）のピリジン溶液（３ｍ
１）に水冷下で攪拌しながら加える。得られた反応溶液
はさらに一昼夜室温で攪拌する。反応終了後、反応溶液
を水冷下で３規定塩酸溶液２００ｍｔに加える。生成し
た白色沈殿物を口別し、数回水洗した後乾燥する。得ら
れた粗生成物を酢酸エチルからの結晶化によつて精製し
て、４−（４″−ｎ−ヘプチロキシー３″−メトキシベ
ンゾイル）−オキシ安息香酸を得る。同様の方法により
、バニリンと臭化ｎ−トリデシルを出発材料として用い
て、４−（４″−ｎ−トリデシルオキシー３″−メトキ
シベンゾイル）−オキシ安息香酸（融点１６５゜Ｃ）、
バニリンと臭化メチルを出発原料として用いて、４−（
３″，４″ージメトキシベンゾイル）−オキシ安息香酸
（融点２００゜Ｃ）、バニリンと臭化ｎ−ペンタデシル
を用いて、４−（４−ｎ−ペンタデシルオキシー３″−
メトキシベンゾイル）−オキシ安息香酸（融点１１４℃
）及び４−ヒドロキシベンズアルデヒドと臭化一ｎ−ヘ
プチルを出発原料として用いて、４一（４′−ｎ−ヘプ
チロキシベンゾイル）−オキシ安息香酸（融点１８５℃
）を得た。

これらの化合物はいずれも偏光顕微鏡による観察の結果
、液晶性物質であることが確認され、ある温度領域では
、ネマチツク相を形成することが確認された。

次表にこれらの化合物に関する転移温度を示す。

なお、表中に示した化合物Ａ−Ｄは次のものを表わす。
Ａ・・・・・・４−（３″，４″ージメトキシベンゾイ
ル） −オキシ安息香酸（式（１）において Ｒ１＝
ＣＨ３，Ｒ２＝０ＣＨ３） Ｂ・・・・・・４−（４″−ｎ−ヘプチロキシー３″−
メト キシベンゾイル）−オキシ安息香酸（式 （
１）においてＲ１＝Ｃ７Ｈｌ５，Ｒ２＝０ＣＨ３）Ｃ・
・・・・・４−（４″−ｎ−トリデシルオキシー３″一
メトキシベンゾイル−オキシ安息香酸 （式（１
）においてＲ゛＝Ｃ，３Ｈ２７，Ｒ２＝ ０ＣＨ３）Ｄ
・・・・・・４−（４″−ｎ−ペンタデシルオキシー
３″−メトキシーベンゾイル）−オキシ安 息香酸（
式（１）において、Ｒ１＝ Ｃｌ５Ｈ３ｌ，Ｒ２＝０Ｃ
Ｈ３） Ｅ・・・・・・４−（４！−ｎ−ヘプチロキシベンゾイ
ル）−オキシ安息香酸（式（１）におい てＲ１＝Ｃ
７Ｈｌ５，Ｒ２＝Ｈ）また、結晶の相転移に関する記号
は次のことを意味する。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＾１はｎ−アルキル基、Ｒ＾２は水素原子又
   はメトキシ基である。 ）で表わされるベンゾイルオキシ安息香酸誘導体。