JPS632105B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS632105B2 JPS632105B2 JP9854381A JP9854381A JPS632105B2 JP S632105 B2 JPS632105 B2 JP S632105B2 JP 9854381 A JP9854381 A JP 9854381A JP 9854381 A JP9854381 A JP 9854381A JP S632105 B2 JPS632105 B2 JP S632105B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- cleaning
- drying
- air
- water
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P52/00—Grinding, lapping or polishing of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
本発明はガラスの洗浄方法に係る。
従来洗浄したガラス等の表面を乾燥するのに、
大気中または窒素中で自然乾燥するとこれらの気
体の中に含まれる物質が乾燥途中の水に溶け込
み、乾燥後、ガラス表面に残るという問題点があ
つた。そこで、この改良法としてエアーガン、エ
アーナイフ等で乾燥窒素を吹きつける方法がある
が、この方法では急速な気流により塵が多く付着
したり、気流により巻き上つた水が４〜5μmの大
きさの水滴となつて付着してそのまま乾かず、粒
子の無い清浄な表面が得られないという問題があ
つた。 そこで本発明は、上記問題点を除去する目的
で、洗浄後の乾燥が自然乾燥より速く、それ故水
滴に伴う塵の付着の無い清浄な表面が得られる洗
浄方法を提供する。 即ち本発明は、洗浄に先立ちガラスの表面にポ
リビニールアルコール水溶液を塗布する工程、該
ガラスを熱処理する工程、該ガラスの表面を水を
含む液体により摩擦洗浄する工程、該ガラスの表
面を乾燥する工程を有することを特徴とするガラ
スの洗浄方法である。 以下本発明の一実施例を説明する。 本実施例ではガラスとして半導体素子製造に用
いるマスク（ガラス板表面に部分食刻されたクロ
ム膜または現像されたハロゲン化銀とゼラチンの
エマルジヨン膜を形成したもの（図中の１）を用
い、洗浄にはマスク洗浄機（スポンジで自動的に
洗剤と共に摩擦し、純水でゆすぎ、エアナイフで
乾燥するもの）からエアナイフの配管を外したも
のを用いて行なつている。マスクは直接半導体に
接触し、微少な汚れもフオトリソグラフイの際半
導体に転写されるので特に汚れの無い清浄な表面
が要求される。 本実施例の手順は、まずマスクにポリビニール
アルコール〔（―CH2―Ｃ（OH）Ｈ）―o〕の水溶液
を塗布する工程、次に100℃30分の熱処理により
水分を蒸発させる工程、その次にエアナイフの配
管を取り除いたマスク洗浄機で洗浄する工程及び
自然乾燥の工程よりなる。普通のぬれたガラスを
自然乾燥すると40分位かかるが、本発明の前処理
を行つて洗浄したマスクの表面は、エアナイフを
当てなくても図面の様に水の膜２が矢印３の様に
して10数秒で収縮し乾燥してしまう。この為、空
気中の成分の溶け込みによるしみや、エアナイフ
の使用による水滴や塵の付着などが見られない。
尚、熱処理は必ず必要で、これを行わないと洗浄
後の乾燥が早くならない。 第一表は５インチ四方のマスクをポリビニール
アルコールを塗布せずに自然乾燥した場合、及び
ポリビニールアルコールを塗布せずにエアナイフ
を当てた場合、及び本発明の方法により乾燥させ
た場合につき、表面の数μm以上の塵や水滴をフ
オトマスク自動検査装置で計数した結果である。
大気中または窒素中で自然乾燥するとこれらの気
体の中に含まれる物質が乾燥途中の水に溶け込
み、乾燥後、ガラス表面に残るという問題点があ
つた。そこで、この改良法としてエアーガン、エ
アーナイフ等で乾燥窒素を吹きつける方法がある
が、この方法では急速な気流により塵が多く付着
したり、気流により巻き上つた水が４〜5μmの大
きさの水滴となつて付着してそのまま乾かず、粒
子の無い清浄な表面が得られないという問題があ
つた。 そこで本発明は、上記問題点を除去する目的
で、洗浄後の乾燥が自然乾燥より速く、それ故水
滴に伴う塵の付着の無い清浄な表面が得られる洗
浄方法を提供する。 即ち本発明は、洗浄に先立ちガラスの表面にポ
リビニールアルコール水溶液を塗布する工程、該
ガラスを熱処理する工程、該ガラスの表面を水を
含む液体により摩擦洗浄する工程、該ガラスの表
面を乾燥する工程を有することを特徴とするガラ
スの洗浄方法である。 以下本発明の一実施例を説明する。 本実施例ではガラスとして半導体素子製造に用
いるマスク（ガラス板表面に部分食刻されたクロ
ム膜または現像されたハロゲン化銀とゼラチンの
エマルジヨン膜を形成したもの（図中の１）を用
い、洗浄にはマスク洗浄機（スポンジで自動的に
洗剤と共に摩擦し、純水でゆすぎ、エアナイフで
乾燥するもの）からエアナイフの配管を外したも
のを用いて行なつている。マスクは直接半導体に
接触し、微少な汚れもフオトリソグラフイの際半
導体に転写されるので特に汚れの無い清浄な表面
が要求される。 本実施例の手順は、まずマスクにポリビニール
アルコール〔（―CH2―Ｃ（OH）Ｈ）―o〕の水溶液
を塗布する工程、次に100℃30分の熱処理により
水分を蒸発させる工程、その次にエアナイフの配
管を取り除いたマスク洗浄機で洗浄する工程及び
自然乾燥の工程よりなる。普通のぬれたガラスを
自然乾燥すると40分位かかるが、本発明の前処理
を行つて洗浄したマスクの表面は、エアナイフを
当てなくても図面の様に水の膜２が矢印３の様に
して10数秒で収縮し乾燥してしまう。この為、空
気中の成分の溶け込みによるしみや、エアナイフ
の使用による水滴や塵の付着などが見られない。
尚、熱処理は必ず必要で、これを行わないと洗浄
後の乾燥が早くならない。 第一表は５インチ四方のマスクをポリビニール
アルコールを塗布せずに自然乾燥した場合、及び
ポリビニールアルコールを塗布せずにエアナイフ
を当てた場合、及び本発明の方法により乾燥させ
た場合につき、表面の数μm以上の塵や水滴をフ
オトマスク自動検査装置で計数した結果である。
【表】
本発明の洗浄方法により洗浄した表面は、表面
の粒子が著しく少い事がわかる。 この様に速く乾燥するわけは、推測ではある
が、ガラスの表面にポリビニールアルコールの薄
い分子膜が存在している為であると思われる。そ
の際ポリビニールアルコールが塵の粒子を覆つて
いても洗浄後に清浄な表面が得られるのは、塵の
粒子の方が分子膜の厚さよりも大きい為、塵の粒
子は洗浄時にこすり取られるものと推測される。 本実施例に於てはフオトマスクについて述べた
が、一般のガラスにも応用可能である。 本発明の洗浄方法によれば、乾燥時間が短いだ
けでなく、水滴や塵の付着の無い、少くとも数
μm以上の塵に関して清浄なガラスの表面が得ら
れる。
の粒子が著しく少い事がわかる。 この様に速く乾燥するわけは、推測ではある
が、ガラスの表面にポリビニールアルコールの薄
い分子膜が存在している為であると思われる。そ
の際ポリビニールアルコールが塵の粒子を覆つて
いても洗浄後に清浄な表面が得られるのは、塵の
粒子の方が分子膜の厚さよりも大きい為、塵の粒
子は洗浄時にこすり取られるものと推測される。 本実施例に於てはフオトマスクについて述べた
が、一般のガラスにも応用可能である。 本発明の洗浄方法によれば、乾燥時間が短いだ
けでなく、水滴や塵の付着の無い、少くとも数
μm以上の塵に関して清浄なガラスの表面が得ら
れる。
図面は本発明の乾燥工程に於て、水の膜が急速
に収縮する様子を示したものである。図に於て、
１はマスク、２は収縮する水の膜の端部、３は水
の膜の収縮する方向である。
に収縮する様子を示したものである。図に於て、
１はマスク、２は収縮する水の膜の端部、３は水
の膜の収縮する方向である。
Claims (1)
- １ 洗浄に先立ちガラスの表面にポリビニールア
ルコール水溶液を塗布する工程、該ガラスを熱処
理する工程、該ガラスの表面を水を含む液体によ
り摩擦洗浄する工程、該ガラスの表面を乾燥する
工程を有することを特徴とするガラスの洗浄方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56098543A JPS58129A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | ガラスの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56098543A JPS58129A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | ガラスの洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58129A JPS58129A (ja) | 1983-01-05 |
| JPS632105B2 true JPS632105B2 (ja) | 1988-01-16 |
Family
ID=14222595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56098543A Granted JPS58129A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | ガラスの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58129A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0831289B2 (ja) * | 1986-10-13 | 1996-03-27 | 住友電装株式会社 | ハーネス組立用の端子挿入案内装置 |
-
1981
- 1981-06-25 JP JP56098543A patent/JPS58129A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58129A (ja) | 1983-01-05 |
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