JPS6045572A - スルホニルウレア誘導体,その製法および該誘導体を含有する選択性除草剤 - Google Patents

スルホニルウレア誘導体,その製法および該誘導体を含有する選択性除草剤

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JPS6045572A
JPS6045572A JP15395183A JP15395183A JPS6045572A JP S6045572 A JPS6045572 A JP S6045572A JP 15395183 A JP15395183 A JP 15395183A JP 15395183 A JP15395183 A JP 15395183A JP S6045572 A JPS6045572 A JP S6045572A
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JP
Japan
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lower alkyl
alkyl group
hydrogen atom
group
atom
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Application number
JP15395183A
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English (en)
Inventor
Fumio Suzuki
文夫 鈴木
Yoshihiro Iwazawa
岩沢 義博
Toshiaki Sato
敏明 佐藤
Yasuo Kawamura
保夫 河村
Jun Sato
純 佐藤
Takashi Igai
猪飼 隆
Toshihiko Oguchi
小口 寿彦
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Nissan Chemical Corp
Original Assignee
Nissan Chemical Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は新規なスルホニルウレア誘導体、当該化合物の
製法および当該化合物を有効成分とする選択性除草剤に
関するものである。
特開昭55−102577号および特開昭561394
66号公報にはピリジンスルホニルウレア誘導体が、特
開昭56−169688号公報にはビロールスルホニル
ウレア誘導体が除草剤として有用である旨が記載されて
いる。
イネ、小麦、トウモロコシ等重要な作物を雑草害から守
り増収をはかる為に除草剤を使用することは欠くことが
できない。特に近年はこれらの有用作物と雑草の混在す
る耕地において、作物と雑草の茎葉部へ同時処理しても
作物に対して薬害を示さず雑草のみを選択的に枯殺しう
る選択性除草剤が望まれている。また、環境汚染防止、
輸送、散布の際の経済コスト低減等の観点から、できる
だけ低薬量で高い除草効果をあげる化合物の探索研究が
長年にわたり続けられている。このような特性を有する
化合物のいくつかは選択性除草剤として現在使用されて
いるが、以前としてこれらの性質を備える新しい化合物
の需要も存在する。
本発明者らは、重要作物に対して選択性のある除草剤を
開発するため長年にわたる研濯をっづけ殺草力のより高
い、かつ選択性をもつ化合物を生み出すべく、多くの化
合物についてその除草特性を検討してきた。その結果前
記一般式(1)で表される本発明化合物が土壌処理、草
葉処理のいずれの却合にも多くの雑草に対して、公知の
ピリジンスルホニルウレア誘導体およびビロールスルホ
ニルウレア誘導体と比較しても格段に強い殺草力を有し
かつ重要作物であるイネ、小麦、トウモロコシに対して
高い安全性を有することを見いだして本発明を完成した
。一方、本発明化合物は従来の除草剤に比して非常に低
薬量で高い除草活性を示すことから他果樹園、非耕地用
の除草剤とじても有用である。
一般式(1)で表される本発明化合物は新規化合物であ
り、下記の反応式1〜3のいずれかを選ぶことにより容
易に製造できる。
(I) 〔式中^、TI 、u 、、y、 、lおよび2は前記
と同じ意味を示す。〕 すなわち、スルホニルイソシアナート誘導体を、充分に
乾燥したジオキサン、アセトニトリル等の不活性溶媒に
溶かし、これに式1)で表されるピリミジンまたはトリ
アジン誘導体を添加し攪拌することにより、一般的に速
やかに反応して本発明化合物(I)が得られる。反応が
進行しがたい場合には遡当な塩基、例えばトリエチルア
ミン、トリエチレンジアミン、ピリジン、ナトリウムア
ルコキシド、水素化ナトリウム等の微少量を添加するこ
とにより容易に反応が進行する。
反皇弐叢 N) 〔式中A、、B、W、X、YおよびZは前記と同じ意味
を示す。Rはアルキn;mもしくはフェニル基を示す。
〕 すなわち、スルボンアミド誘導体(V)を、アセトン、
メチルエチルケトン等の溶媒中、炭酸カリウム等の塩基
存在下クロルギ酸エステルもしくは炭酸エステルと反応
させ、反応後塩酸等酸性物質で処理することにより化合
物(TV)を得る。次いで1〜ルエン等の溶媒中にて化
合物(TII)と加熱することにより本発明化合物(I
)を得ることができる。
(■) (■) 〔式中、A、Bおよび見は前記と同じ意味を示す。
EおよびFはハロゲン原子をR2は低級アルキル基を、
Gは窒素原子もしくは−CI+−基を示す。〕〕特開昭
56−154471公報を参考にしてスルホンアミド誘
導体(V)とピリミジンまたはトリアジンイソシアナー
ト(■)とを反応させることにより本発明化合物の一部
である化合物(■)を合成し、次ぎにナトリウムアルコ
ラードと反応させることによりこれも本発明化合物の一
部である化合物(■)を合成することもできる。反応式
1で用いられる原料のスルボニルイソシアナートの一部
は米国特許3932444号公報を参考にしてチアゾー
ル或いはイミダゾールスルボンアミドを合成し、さらに
特開昭55−13266号公報に記載されている方法を
参考にして合成できる。
中間体であるスルホンアミドの多くは新規化合物である
が、その合成は以下に記したいくつかの合成ルー1〜を
適宜選択することで合成できる。
−以下余白− 〔式中A、B、W、1.YおよびZは前記と同し意味を
示す。〕 本発明化合物を具体的に例示すれば、第1表、第2表の
とおりであるが、本発明はこれらに限定されるものでは
ない。
化合物歯は以下の記載において参照される。
第1表 Me:メチル基 Et:エチル基 Pr:プロピル基B
uニブチル基 Ph:フェニル基を示す。
以下余白 本発明に用いられる中間体のスルホンアミドの合成例を
以下参考例として記す。
参考園上 4−クロルチアゾール−5−スルホンアミドの合成 冷やしたクロルスルホン酸50m1に4−クロルチアゾ
ール18gを一10〜0℃でゆっくり加え、この混合物
を120〜125℃で30分間、更に160〜165°
Cで8時間反応させた。その後、80℃まで冷却し、塩
化チオニル40m1を加え、6時間還流した。反応後室
温まで冷却し、反応液を水中に注ぎクロロホルムで抽出
した。クロロボルム層を水洗し、乾燥した復原圧下濃縮
した。残留物にテトラヒドロフラン75m1を加え、−
5℃で濃アンモニア水40m1を加えた。これを減圧下
濃縮し、析出した結晶を濾過し、水洗、乾燥して4−ク
ロルチアゾール−5−スルホンアミド17゜2gを得た
。 融点167〜168°C蒼3叫( 2−メチルチアゾール−5−スルホンアミドの合成 2−メチルチアゾールより上記参考例1に従って得た。
 融点159〜160℃ 参λ但主 4−メチルチアゾール−5−スルホンアミドの合成 4−メチルチアゾールより上記参考例1に従って得た。
 融点141〜144°C 童じち」列j 5−クロル−2−メチルチアゾール−4−スルホンアミ
ドの合成 60%発煙硫酸40gの中へ、10℃以下で2−メチル
−5−クロルチアゾール13.4gを滴下した。加熱還
流10時間後、無水硫酸を留去し、残渣に塩化チオニル
31gを加え、100°Cで4時間加熱した。反応後反
応液を氷水にあけ、エーテルで抽出した。エーテル留去
後、残留物にテトラヒドロフラン10m1を加え、これ
を10℃以下で濃アンモニア水(28%)50mlなか
に滴下した。これを減圧下濃縮し、析出した固体を濾過
、水洗、乾燥して5−クロル−2−メチルチアゾール−
4−スルホンアミド2gを得た。
融点154〜155℃ 灸λ桝i 5−メトキシカルボニル−2−メチルチアゾール−4−
スルポンアミドの合成 4−アミノ−5メトキシカルボニル−2−メチルチアゾ
ール8.6g、濃塩酸17.5ml、リン酸5mlおよ
び酢酸5mlの混合溶液に亜硝酸ナトリウム3.5gの
水溶液を一10℃〜0℃にて加えたこの溶液を一5℃で
30分間攪拌し、ついで少量づつ、塩化第一銅1.Og
を含有する亜硫酸ガス飽和酢酸溶液70m1に=lO〜
−5℃で滴下した。滴下後0〜5℃にて4時間攪拌しそ
の後これを氷水中に注ぎ、エーテルで抽出した。抽出液
を水および飽和炭酸水素ナトリウム水vg液で充分に洗
浄し乾燥後溶媒を留去すると、粗スルボニルクロライド
が得られた。ここで得られたスルボニルクロライドをテ
トラヒドロフラン5mlに熔解させ10゛C以下の温度
でこれを28%アンモニア水12.5mlに水冷下加え
た。室温で攪拌3時間後、減圧下濃縮して得られた固体
を濾過し水およびエーテルで洗浄後乾燥すると、目的物
4.9gが得られた。
融点128〜134℃ 参支桝工 4−エトキシカルボニル−2−メチルチアゾール−5−
スルボンアミドの合成 5−アミノ−4−エトキシカルボニル−2−メチルチア
ゾールより上記参考例5に従って得た。
融点135〜137℃ 薬考促1 1−メチルイミダゾール−4−スルホンアミドの合成 冷やしたクロルスルホン酸100 mlにN−メチル4
、ミダゾール25gを一10〜0℃でゆっくり加えこの
混合物を120〜130℃で18時間反応させた。その
後、80℃まで冷却し、塩化チオニル40m1を加え、
3時間速流した。反応後室塩まで冷却し、反応液を水中
に注ぎクロロホルムで抽出した。クロロホルム層を水洗
し、乾燥した浅域圧下濃縮した。以下、参考例1と同様
にアンモニア水を処理することにより、目的物13gを
得た。
融点222〜225℃ 参井凱1 1.4−ジメチルイミダゾール−5−スルホンアミドの
合成 1.4−ジメチルイミダゾールより参考例7に準じて合
成した。融点184〜186℃ 参九但主 4−エトキシカルボニル−2−メチルイミダゾール−5
−スルホンアミドの合成 4−エトキシカルボニル−5−メルカプト−2−メチル
イミダゾール1.1gを85%酢酸30m1に熔解させ
、塩素ガス1.5gを5〜6°Cで吹き込んだ。反応後
20m1の水中に加え、エーテル抽出した。エーテルを
減圧下留去後30m1の液体アンモニア中に加えた。ア
ンモニアガスを留去後、水5mlを加え生成固体を濾別
し目的物0.75gを得た。 融点189〜194℃ 参考例1〜9で得られたスルホンアミドを用いて本発明
化合物の具体的な合成例を以下説明するが本発明はこれ
らに限定されるものではない。
実廉園上 N−((4−メトキシ−6−メチルピリミジン−2−イ
ル)アミノカルボニルゴー4−クロルチアゾール−5−
スルホンアミドの合成 (化合物No、31) 参考例1で得られたスルホンアミド9.9gをアセトン
100m1にとかし、無水炭酸カリウム13.8g、n
−ブチルイソシアナート5.2gを加え、室温で1時間
反応させ、その後3時間還流した。
反応後、減圧下に溶媒を除き、残渣に水を加えて溶解し
濾過した。濾液を希塩酸で酸沈させて、濾過、水洗、乾
燥して、N−(n−ブチルアミノカルボニル)−4−ク
ロルチアゾール−5−スルホンアミド12.8gを得た
。融点148〜149℃上記化合物6.0gに脱水オル
トジクロルヘンゼン100m1を加え、130〜145
℃でホスゲン約12gを2時間かけて吹き込んだ。その
後3時間加熱した。反応終了後溶媒を減圧留去した。こ
の残留物から1.4gをとり、あらかじめ2−アミノ−
4−メトキシ−6−メチルピリミジン0.7 gをアセ
トニトリル30m1に加熱熔解したものに室温で加え、
8時間攪拌した。析出した結晶を濾過し、アセトニトリ
ルで洗浄乾燥して、目的物N−((4−メトキシル6−
メチルピリミジン−2−イル)アミノカルボニルゴー4
−クロルチアゾール−5−スルホンアミド0.9gを得
た。融点159〜161 ℃災巖桝l N−1(4,6−シメチルビリミジンー2−イル)アミ
ノカルボニル〕−1−メチル−5−クロルイミダゾール
−4−スルホンアミドの合成(化合物No、207 ) 参考例7.8と同様に1−メチル−5=クロルイミダゾ
ールをスルホン化、アミド化して得られた1−メチル−
5−クロルイミダゾール−4−スルボンアミド(融点1
92〜195℃)10gと無水炭酸カリウム18.3g
 、脱水アセトン400m1の混合溶液にクロル炭酸メ
チル6.3gを室温で滴下する。室温で1時間攪拌後、
15時間加熱還流する。反応混合物を減圧濃縮し、水に
溶解後不溶物を濾過した。濾液を希塩酸で酸性とし、析
出した結晶を濾過、水洗、乾燥してN−(メトキシカル
ボニル)−1−メチル−5−クロルイミダゾール−4−
スルホンアミド9.0gを得た。融点175〜178℃
上記化合物2.0gと2−アミノ−4,6−シメチルピ
リミシン0.97g 、脱水キシレン100m1の混合
溶液を5時間加熱還流した。反応後減圧濃縮し、析出し
た結晶を濾過し、少量のアセトニトリルで洗浄し、乾燥
して目的のN−((4,6−シメチルピリミジンー2−
イル)予ミノカル余ニル〕−1−メチル−5−クロルイ
ミダゾール−4−スルボンアミド1.6gを得た。融点
208〜210”c次ぎに上記の実施例1.2に準じて
、具体的に合成した化合物を、実施例1. 2で合成し
た化合物(化合物洩、31,207)とともに以下第3
表に示す。
第3表 本発明化合物を除草剤として施用するにあたっては、一
般には適当な担体、例えばクレー、タルク、ベントナイ
ト、珪藻上等の固体担体あるいは水、アルコール類(メ
タノール、エタノール等)、芳香族炭化水素類(ベンゼ
ン、トルエン、キシレン等)、塩素化炭化水素類、エー
テル類、ケトン類、エステル類(酢酸エチル等)、酸ア
ミド類(ジメチルホルムアミド等)などの液体担体と混
用して通用することができ、所望により乳化剤、分散剤
、懸濁剤、浸透剤、展着剤、安定剤などを添加し、液剤
、乳剤、水和剤、粉剤、粒剤等任意の剤型にて実用に供
することができる。
次に本発明化合物を有効成分とする除草剤の配合例を示
すがこれらのみに限定されるものではない。
なお、以下の配合例において「部」は重量部を意味する
。
但立桝土 水和剤 本発明化合物 陽2−−〜−−−−−−−−−−−50
部ジークライトA −−一−−−−−−・−−−−−−
46部(カオリン系クレー:ジークライト工業■商品名
)ツルポール5039 ・−・−・−−−−−−−−−
2部(非イオン性界面活性剤とアニオン性界面活性剤と
の混合物:東邦化学a11部名) カープレックス(固結防止剤) −−−−2部(ホワイ
トカーボン:塩野義製薬(■商品名)以上を均一に混合
粉砕して水和剤とする。使用に際しては上記水和剤を5
0〜50,000倍に希釈して、有効成分量かへクター
ル当たり0.005 kg〜10に+rになるように散
布する。
五B1例」エ 水和剤 本発明化合物 陽76−−−−−−−−−−−−− 7
5部ジークライトA −一−−−−−−−・−−−−−
−−19部(カオリン系クレー:ジークライト工業■商
品名)ツルポール5039 −−−−−−−−−−−一
−−−2部(非イオン性界面活性剤とアニオン性界面活
性剤との混合物;東邦化学■商品名) カープレックス(固結防止剤)−−−−−4部(ホワイ
トカーボン:塩野義製薬(11商品名)以上を均一に混
合粉砕して水和剤とする。
損金例1 水和剤 本発明化合物 No、 155−−−−−−−−−50
部ジークライトA −−−−−−−−〜−−−−−46
部(カオリン系クレー:ジークライト工業住菊商品名)
ツルポール5039 −、−−−−・−−−−−2部(
非イオン性界面活性剤とアニオン性界面活性剤との混合
物:東邦化学G′XI商品名)カープレックス(固結防
止剤)−−−2部(ホワイトカーボン:塩野義製薬側商
品名)以上を均一に混合粉砕して水和剤とする。
父企廻↓ 水和剤 本発明化合物 NO,1B 2−−−−−−−−−−2
5部シータライトA −−−−−−−−−−−−−−−
−−−−−−−11部(カオリン系クレー:ジ−クライ
ト工業(■商品名)ツルポール5039 −一−−−−
−−−−−−2部(非イオン性界面活性剤とアニオン性
界面活性剤との混合物:東邦化学(■商品名) カープレックス(固結防止剤) −−−−−2部(ホワ
イトカーボン:塩野義製薬(株商品名)以上を均一に混
合粉砕して水和剤とする。
聞査叫圭 乳剤 本発明化合物 No、 17−−−−−〜−−−−−−
−−−2部キ シ し ン −−−−−−−−−−−−
−−−−−−−−78部ジメチルホルムアミド −−−
−−,15部ツルポール2680 −−−−−−−− 
5部(非イオン性界面活性剤とアニオン性界面活性剤と
の混合物:東邦化学o11部名) 以上を均一に混合して乳剤とする。使用に際しては上記
乳剤を10〜10,000倍に希釈して有効成分量かへ
クタール当たり0.005kg〜10に、になるように
散布する。
回査桝1 フロアブル 本発明化合物 It、 183−−−−−−−−−−2
5部アゲリシールS−710−−−−10部(非イオン
性界面活性剤:花王アトラス■商品名) ルノソクス1000 C−−−−−−−−−0、5部(
アニオン性界面活性剤:東邦化学■商品名)1%ロドポ
ール水 −−−−−−−−−−−一−−20部(増粘剤
:ローン・ブーラン社商品名)水 −−−−−−−−一
〜−−−−=−−−−−−−−−−−−〜−−−−44
、5部以上を均一に混合してフロアブル剤とする。
y奔附工 粒剤 本発明化合物 No、 31−−−−−−−−−−−−
−− 0.5部ヘントナイト −−−−−−−−−−−
−−55,0部タルク −−−−−−−−−−−−−−
44,5部以上を均一に混合粉砕して後、少量の水を加
えて攪拌混合捏和し、押出式増粒機で増粒し、乾燥して
粒剤にする。
況令桝エ 粒剤 本発明化合物 隔156−−−−−−−− 0.7部ベ
ントナイト −−−−−−−−−−−−55,0部タル
ク −〜−−−−−−−−−−44,3部以上を均一に
混合粉砕して後、少量の水を加えて攪拌混合捏和し、押
出式造粒機で造粒し、乾燥して粒剤にする。
また、本発明化合物は必要に応じて製剤または散布時に
他種の除草剤、各種殺虫剤、殺菌剤、共力剤などと混合
施用しても良い。
上記の他種の除草剤としては、例えば、ファーム・ケミ
カルズ、ハンドブック(Farm Chemicals
llandbook) 、68版(1982)に記載さ
れている化合物などがある。
なお、本発明化合物は畑地、水田、果樹園などの農園芸
分野以外に運動場、空地、線路端など非農耕地における
各種雑草の防除にも適用することができ、その施用薬量
は適用場面、施用時期、施用方法、対象草種、栽培作物
等により差異はあるが、一般には有効成分量としてヘク
タール当たり0.005〜10kg程度が適当である。
次に、本発明化合物の除草剤としての有用性を以下の試
験例において具体的に説明する。
i1上 土壌処理による除草効果試験 紺15 cm、横22cm、深さ6cmのプラスチック
製箱に殺菌した洪積土壌を入れ、稲、ノビエ、メヒシバ
、カヤツリグサ、コアカザ、スベリヒュ、ハキダメギク
、イヌガラシを混播し、約1.5cm覆土した後有効成
分量が所定の割合となるように土壌表面へ均一に散布し
た。
散布の際の薬液は、前記配合例の水和剤を水で希釈して
小型スプレーで全面に散布した。薬液散布4週間後に稲
および各種雑草に対する除草効果を下記の判定基準Gこ
従い調査した。
結果は第4表に示す。
本発明化合物のいくつかは、ある種の作物に対して選択
性を有する。
判定基準 5− 殺草率 90%以上(はとんど完全枯死)4− 
殺草率 70〜90% 3− 殺草率 40〜70% 2− 殺草率 20〜40% 1− 殺草率 5〜20% 〇 −殺草率 5%以下(はとんど効力なし)但し、上
記の殺草率は、薬剤処理区の地上部生草重および無処理
区の地上部生草重を測定して下記の式によりめたもので
ある。
11園二1 茎葉処理による除草効果試験縦15cm、
横22cm、深さ6cmのプラスチック製箱に殺菌した
洪積土壌を入れ、稲、メヒシバ、カヤツリグサ、コアカ
ザ、ハキダメギク、イヌガラシ、トーモロコシ、ダイズ
、コムギ、トマトの種子をそれぞれスボ、ト状に播種し
約1.5cmfEt土した。各種植物が2〜3葉期に達
したとき、有効成分量が所定の割合となるように茎葉部
へ均一に散布した。
散布の際の薬液は、前記配合例の水和剤を水で希釈して
小型スプレーで各種雑草の茎葉部の全面に散布した。薬
液散布4週間後に稲および各種雑草に対する除草効果を
試験例−1の判定基準に従い調査した。
結果は第5表に示す。
以下余白 第4表 以下余白 第5表

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一般式(I): 〔式中^及びBはそれぞれ独立して水素原子、低級アル
    キル基、ハロゲン原子、C0OR(Rは水素原子または
    低級アルキル基を示す。)CONR+ Rx (11+
     、R2はそれぞれ独立して水素原子または低級アルキ
    ル基を示す。)、5OnR3(R3は水素原子または低
    級アルキル基を示し、nはOllもしくは2の整数を示
    す。)、0R4(Raは水素原子または低級アルキル基
    を示す。)、ニトロ基、NR5RB(R5R8はそれぞ
    れ独立して水素原子または低級アルキル基を示す。) 
    、NlIC0Rt7(Rヮは低級アルキル基を示す。)
    または低級アルキル基、ハロゲン原子、ニトロ基のいず
    れかで置換されていてもよいフェニル基を示す。Wは硫
    黄原子またはNRg(Rg水素原子、低級アルキル基ま
    たはフェニル基を示す。)XおよびYはそれぞれ独立し
    て、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハ
    ロゲン原子、低級アルコキシアルキル基、Nl?、 R
    ,。(R,R,。 はそれぞれ独立して水素原子または低級アルキル基を示
    す。)またはO’CIIR,、−COOR,l(R,、
    R,。 はそれぞれ独立して水素原子または低級アルキル基を示
    す。)基を示し、2は窒素原子またはCI+基を示す。 〕 で表されるスルホニルウレア誘導体。
  2. (2)一般式(■): 〔式中^及びBはそれぞれ独立して水素原子、低級アル
    キル基、ハロゲン原子、C0OR(Rは水素原子または
    低級アルキル基を示す。)CONR+ R2(Rt 、
    R2はそれぞれ独立して水素原子または低級アルキル基
    を示す。)、5OnR3(R3は水素原子または低級ア
    ルキル基を示し、nは0、■もしくは2の整数を示す。 )、0Ra(R4は水素原子または低級アルキル基を示
    す。)、ニトロ基、NR51? 。 (R5Reはそれぞれ独立して水素原子または低級アル
    キル基を示す。)、NlICORヮ(R,は低級アルキ
    ル基を示す。)または低級アルキル基、ハロゲン原子、
    ニトロ基のいずれかで置換されていてもよいフェニル基
    を示す。病は硫黄原子またはNR,(R,水素原子、低
    級アルキル基またはフェニル基を示す。)を示す。〕テ
    表すれるピラゾールスルホニルイソシアナート誘導体と
    、 次式(■): 〔式中XおよびYはそれぞれ独立して、水素原子、低級
    アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子、低級ア
    ルコキシアルキル基、NR,lR1,(++9R,,は
    それぞれ独立して水素原子または低級アルキル基を示す
    。)または0CIIR,、−COOR、、(R,、R,
    ―それぞれ独立して水素原子または低級アルキル基を示
    す。)基を示し、Zは窒素原子またはCI+基を示す。 〕 で表されるアミノピリミジンまたはアミノトリアジン誘
    導体とを、不活性溶媒中で反応させることを特徴とする 一般式(I): 〔式中A及びBはそれぞれ独立して水素原子、低級アル
    キル基、ハロゲン原子、C0OR(+1は水素原子また
    件低級アルキル基を示す。)CONJ R2(R1、R
    2はそれぞれ独立して水素原子または低級アルキル基を
    示す。)、5OnR3(R3は水素原子または低級アル
    キル基を示し、nは0,1もしくは2の整数を示す。)
    、0R4(174は水素原子または低級アルキル基を示
    す。)、ニトロ基、NR5Re(R5R8はそれぞれ独
    立して水素原子または低級アルキル基を示す。) 、N
    lCOR?、(Rヮは低級アルキル基を示す。)または
    低級アルキル基、ハロゲン原子、ニトロ基のいずれかで
    置換されていてもよいフェニル基を示す。見は硫黄原子
    またはN Rt(R,水素原子、低級アルキル基または
    フェニル基を示す。)XおよびYはそれぞれ独立して、
    水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲ
    ン原子、低級アルコキシアルキル基、NRq R111
    (R4’tbはそれぞれ独立して水素原子または低級ア
    ルキル基を示す。)またはOCHR,、−COORlz
    (R,、R,。 はそれぞれ独立して水素原子または低級アルキル基を示
    す。)基を示し、Zは窒素原子またはCI基を示す。〕 で表されるスルホニルウレア誘導体の製法。
  3. (3)次式(■): 〔式中A及びBはそれぞれ独立して水素原子、低級アル
    キル基、ハロゲン原子、C00II (Rは水素原子ま
    たは低級アルキル基を゛示す。)CONR+ R2(R
    t 、R2はそれぞれ独立して水素原子または低級アル
    キル基を示す。)、5OnR3(R3は水素原子または
    低級アルキル基を示し、nは0,1もしくは2の整数を
    示す。)、0R4(R4は水素原子または低級アルキル
    基を示す。)、ニトロ基、NR5R6(R5R、はそれ
    ぞれ独立して水素原子または低級アルキル基を示す。)
    、NlICOR,(R,は低級アルキル基を示す。)ま
    たは低級アルキル基、ハロゲン原子、ニトロ基のいずれ
    かで置換されていてもよいフェニル基を示す。Kは硫黄
    原子またはNR,(R,水素原子、低級ア、ルキル基ま
    たはフェニル基を示す。)を示す。 R1はアルキル基またはフェニル基を示す。〕で表され
    るピラゾールスルホニルイソシアナート誘導体と、次式
    (■): 〔式中XおよびYはそれぞれ独立して、水素原子、低級
    アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子、低級ア
    ルコキシアルキル基、Nl?41R5゜(R?RI6は
    それぞれ独立して水素原子または低級アルキル基を示す
    。)またはOC1111,、−COOR,、’(R,、
    Rはそれぞれ独立して水素原子まI≧ たは低級アルキル基を示す。)基を示し、Zは窒素原子
    またはC11基を示す。〕 で表されるアミノピリミジンまたはアミノトリアジン誘
    導体とを、不活性溶媒中で反応させることを特徴とする
    一般式(I): 〔式中A及びBばそれぞれ独立して水素原子、低級アル
    キル基、ハロゲン原子、C00I? (Rは水素原子ま
    たは低級アルキル基を示す。)CONR+ R2(Ra
     lR2はそれぞれ独立して水素原子または低級アルキ
    ル基を示す。)、5OnR3(R3は水素原子または低
    級アルキル基を示し、nは0.1もしくは2の整数を示
    す。)、0R4(Raは水素原子または低級アルキル基
    を示す。)、ニトロ基、NR5Re(Rs Reはそれ
    ぞれ独立して水素原子または低級アルキル基を示す。)
     、NlIC0R9(11ワは低級アルキル基を示す。 )または低級アルキル基、ハロゲン原子、二十ロ基のい
    ずれがで置換されていてもよいフェニル基を示す。−は
    硫黄原子またはNR,(R,水素原子、低級アルキル基
    またはフェニル基を示す。)XおよびYはそれぞれ独立
    して、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、
    ハロゲン原子、低級アルコキシアルキル基、NR,R,
    0(R,R,0はそれぞれ独立して水素原子または低級
    アルキル基を示す。)またはQC)IR,、−GOOR
    ,(R,、R,2はそれぞれ独立して水素原子または低
    級アルキル基を示す。)基を示し、2は窒素原子または
    CI(基を示す。〕 で表されるスルホニルウレア誘導体の製法。
  4. (4)一般式(I): 〔式中^及びBはそれぞれ独立して水素原子、低級アル
    キル基、ハロゲン原子、C0OR(Rは水素原子または
    低級アルキル基を示す、、)CONRIR2(Ra I
    R2はそれぞれ独立して水素原子または低級アルキル基
    を示す。)、5OnR3(R3は水素原子または低級ア
    ルキル基を示し、nは0,1もしくは2の整数を示す。 )、0R4(R4は水素原子または低級アルキル基を示
    す。)、ニトロ基、NR5RG(R511,はそれぞれ
    独立して水素原子または低級アルキル基を示す。) 、
    NlICOR,(11ワは低級アルキル基を示す。)ま
    たは低級アルキル基、ハロゲン原子、ニトロ基のいずれ
    かで置換されていてもよいフェニル基を示す。−は硫黄
    原子またはNR,(R,水素原子、低級アルキル基また
    はフェニル基を示す。)XおよびYはそれぞれ独立して
    、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロ
    ゲン原子、低級アルコキシアルキル基、NRQ RID
     (Ral Rr。 はそれぞれ独立して水素原子または低級アルキル基を示
    す。)または0CIIR−COOR(RRロ 1)L 
    11 1L はそれぞれ独立して水素原子または低級アルキル基を示
    す。)基を示し、2は窒素原子またはC11基を示す。 〕 で表されるスルホニルウレア誘導体の1種または2種以
    上を有効成分として含有することを特徴とする選択性除
    草剤。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62212112A (ja) * 1986-03-14 1987-09-18 Matsushita Electric Works Ltd 電子部品封止成形における成形金型装置へのリ−ドフレ−ム投入装置

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JPS62212112A (ja) * 1986-03-14 1987-09-18 Matsushita Electric Works Ltd 電子部品封止成形における成形金型装置へのリ−ドフレ−ム投入装置

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