JPS6046924A - 低電気抵抗酸化スズ微粉末の製造方法 - Google Patents

低電気抵抗酸化スズ微粉末の製造方法

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JPS6046924A
JPS6046924A JP15407983A JP15407983A JPS6046924A JP S6046924 A JPS6046924 A JP S6046924A JP 15407983 A JP15407983 A JP 15407983A JP 15407983 A JP15407983 A JP 15407983A JP S6046924 A JPS6046924 A JP S6046924A
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JP
Japan
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powder
tin
tin oxide
electrical resistance
aqueous solution
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JP15407983A
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JPS621573B2 (ja
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Motohiko Yoshizumi
素彦 吉住
Kuniaki Wakabayashi
若林 邦昭
Makoto Tsunashima
綱島 真
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Mitsubishi Metal Corp
Original Assignee
Mitsubishi Metal Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は低電気抵抗酸化スズ微粉末の製法に関する。
酸化スズ粉末は触媒、ガスセンサー、導電柱粉体として
用いられている。触媒としては、オレフィンのアリル型
酸化用触媒、たとえばプロペンからアクロレイン、n−
ブテンからブタジェン、イソペンテンからインプレン合
成の触媒として用いられている。
ガスセンサーとしては、可燃性ガス、たとえば都市ガス
、プロパンガス、水素ガス等を吸着した時、電気抵抗が
変化することが利用されている。
導電性粉体としては、sblドーグした5n02 が低
電気抵抗となることが知られているが、Sbの毒性の問
題がありSbf:含まないものが望まれている。
Sbf:含まないものは抵抗は高くなるが、帯電防止と
しては使用でき2色も白色に近いものとなるので1紙、
樹脂、繊維の帯電防止として使用出来る。
また可視光の波長(0,4〜0.8μm)以下の粒子に
することによシ透明性が出てくるため、塗料中に混入し
、帯電防止塗料とすることもできる。この塗料を塗布し
た塗膜は透明帯電防止フィルムになるばかりでなく、帯
電圧を制御するための感光積用塗膜ともなる。いずれの
場合も、粉末が卆細であることが望ましい。すなわち、
触媒、ならびに、センサーにおいても粉末の表面を利用
することから、微細な程活性が高く、また、粉末が微細
になる程透明性も向上する。更に粉末の分散性も高いこ
とが望まれている。
酸化スズ粉末の製造法としては以下の方法が知られてい
る。
(1)金属スズを空気中で高温加熱酸化する。
(2)スズを濃硝酸で処理して得た白色沈澱を高温で焼
成する。
(5)4価のスズ塩の水溶液をアルカリで中和して白色
沈澱を得、これを高温で焼成する1、(11,(2)ノ
方法でu せいぜい比表面積力10 rr?/i以下の
粉末しか得られず、(3)の方法でも焼成時に焼結が起
り易く、比表面積としては50 rr?/I/まで可能
であるが2分散性が悪く透明性を出す目的には望ましく
ない。
本発明者等は先K(5)の方法を特定の条件で実施する
とき極めて微細な酸化スズ粉末が得られることを見出し
た(特願昭58−52439)。
該方法では、65℃以上に保ったアルカリ水溶液中に、
塩化スズ(5)水溶液を加え、最終的に…を5以下にす
る。アルカリ水中に塩化スズを加えていった場合、初期
のpHは自然14に近(、pHが10になるまで塩化ス
ズ水溶液を加えていっても沈澱が析出しない。pHが1
0以下で急激に沈−が析出する。すなわち声が10以上
で溶解していた塩化スズがpHが下がることにより、−
気に水酸化スズとして析出し、微細な生成物となる。さ
らに塩化スズを加えて最終的に−を5〜1に保つことに
より分散性が高まる。このようにして生成した沈澱は、
その後の粉末の焼成処理において、焼結することが少な
くなシ、粉末の粒子を細かいまま保っておくことができ
る。この範囲外で反応を終了させると焼成時に粉末が焼
結しやすくなる。以上のことによシ、粉末の粒子は50
rn’/、9以上の微細なものでしかも分散性の良いも
のが得られる。
これに対し、塩化スズ水溶液をアルカリで中和していく
方法であると、アルカリを添加した時点がら沈澱が生成
し始め9反応が進むにしたがい粒子が成長を起し、微細
な粉末が得られない。
アルカリ水溶液としては、水酸化ナトリウム。
アンモニア、水酸化カリウム、炭酸ナトリウムを水に溶
解した溶液を使用できる。塩化スズ溶液は4価の塩化ス
ズを水に溶かしたもの、または塩酸水溶液に溶かしたも
の、またはアルコールに溶かした溶液を用いることがで
きる。
アルカリ水溶液中に注入する塩化スズ溶液はその濃度に
特に限定はないが、好ましい濃度10〜60チである。
注入速度にも特に限定はない。沈澱析出温度は約65℃
が臨界値である。これより低いと焼成時に粒子i焼結を
起しやすい。生成した沈澱゛を洗浄後乾燥を行ないさら
に焼成をすることにより、二酸化スズ粉末とすることが
できる力5゜焼成温度が650℃以下では結晶の発達が
悪く非晶質であり、700℃以上にすると焼結が起る。
このため焼成温度を550℃〜700℃としたが。
粉末の抵抗と粒度との関連上、望ましくは400℃〜6
00℃である。
本発明の方法は、このようにして得られた酸化スズ粉末
をさらにH,のような還元性雰囲気、He。
N2 、 Arのような不活性雰囲気中において、10
0’″〜700℃で焼成するもので、それによって。
100KP/crIに加圧した圧粉体の形で測定した電
気抵抗が10’〜105Ω・備の低電気抵抗酸化スズ粉
末が得られる。これに対して上に記した特艙昭58−5
2439号の製品の同様にして測定した電気抵抗は10
6Ω・anのオーダー以上である。
還元性雰囲気または不活性雰囲気中での焼成により、 
8nO2の極く一部が金属スズに還元されて8n’ii
)ドープした8n02 、8n02−xとでも記すべき
状態になっていると考えられるが、未だ確認されていな
い。不活性雰囲気中で加熱しても8n02の酸素が除去
されて還元が起ろう 不活性または還元性雰囲気中における焼成温度は100
℃未満では、 8n02の還元が起こらず。
700℃を越えると、還元が進み過ぎて空気に触れると
急激な酸化が起こり発火し、また焼結が起こる。
本発明方法によって得られる低電気抵抗酸化スズ微粉末
は、その電気抵抗値が低く、その抵抗値は安定しており
、粉末は極めて微細で、良好な分散性を示す。
以下本発明の実施例を示す。kお実施例の記載において
粉末の微細性2分散性の目安としては。
比表面積または粉末をpT(=10の水溶液中で分散後
、0.6μm以下の粒子が何チあるかで示した。
実施例1 水107に水酸化ナトリウムt335J7加え80℃に
加熱した。これに塩化第二スズを水に60チ溶解した原
料500,917C,塩酸と水1:1の溶液610rL
l加えたものを定量ボングで滴下させ反応全行ない最終
pHを2と(7たへ出来た沈#を水で洗浄後乾燥し、空
気中500℃で焼成した。
この粉末をアトマイザ−で粉砕後柴田化学器機工業(株
)製8A−1000型で表面積を測定したところ75.
4 rr?/ Ji’であった。この粉末を100Kr
fflK加圧して比抵抗を測定した結果2X10’Ω・
αであった。
この粉末を雰囲気炉を用い窒素置換後水素を11/分で
流し、200℃で1時間処理した。この粉末を上記と同
じ条件で測定したところ4.6 Xl 02Ω・aであ
った。
同様の手法で400℃中で処理した粉末は76Ω・αで
あった。
実施例2 実施例1の第1段階で生成した乾燥沈澱を雰囲気炉で大
気中400℃で1時間焼成後真空にしさらに1時間焼成
した。この粉末の比抵抗は3.2×1011Ω・儂であ
った。この粉末を110℃の乾燥機中に18時間放置後
直ちに粉末比抵抗を測定したところ3.6x10’Ωe
cWLであった。同様の操作で空気中で焼成した粉末は
1.7X10”Ω・儂であった。
実施例6 実施例1で生成した乾燥沈澱粉末を雰囲気炉で大気中5
00℃2時間焼成後400℃にし、アルゴンガス置換後
、窒素と水素台11/分流し1時間処理した。この粉末
の比抵抗は5x103Ω・眞であった。この粉末511
に水40m/加え、カセイソーダで声=10としボール
ばルで17時間分散後。
遠心沈降法で0.3μm以下の含有率を測定10.たと
ころ67チであった。
実施例4 実施例1の空気中で焼成する段階で得られた比抵抗が2
x10’Ω・Gの低電気抵抗酸化スズ微粉末を直径10
αの流動床で窒素を1//分流17ながら400℃で1
時間焼成し、た。この粉末の比抵抗は6.!1X103
Ω・αであった。
特許出願人 三淡金属株式会社 代理人 弁理士 松 井 政 広

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、p)(iQ以上のアルカリ水溶液を65℃以上に保
    ちながら、この溶液中に塩化スズ溶液を加えて沈澱を生
    成させ、最終的にpHを5〜1に保つことによって微細
    な沈澱を得、これを洗浄乾燥後空気中で350℃〜70
    0℃で焼成後、僅元雰囲気または不活性雰囲気中で10
    08C〜700℃で焼成することからなる低電気抵抗酸
    化スズ微粉末の製造方法。 2、特許請求の範囲第1項に記載の低電気抵抗酸化スズ
    の製造方法であって、最後の焼成ヲ、H2゜He 、 
    N2 、 Arのいずれか、tたはそれらの組合せ中で
    行なう方法。 3、特許請求の範囲第1項に記載の低電気抵抗酸化スズ
    の製造方法であって、最後の焼成上、真空中で行なう方
    法。
JP15407983A 1983-08-25 1983-08-25 低電気抵抗酸化スズ微粉末の製造方法 Granted JPS6046924A (ja)

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JPS6046924A true JPS6046924A (ja) 1985-03-14
JPS621573B2 JPS621573B2 (ja) 1987-01-14

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002029744A (ja) * 2000-07-17 2002-01-29 Sumitomo Chem Co Ltd 酸化錫粉末の製造方法
JP2010195657A (ja) * 2009-02-26 2010-09-09 Mitsubishi Materials Corp 超粒子酸化錫粉末の製造方法
US7799312B2 (en) 2002-03-22 2010-09-21 Samsung Corning Precision Glass Co., Ltd. Method for manufacturing high-density indium tin oxide target, methods for preparing tin oxide powder and indium oxide powder used therefor
US20120177565A1 (en) * 2011-01-07 2012-07-12 Southern Taiwan University Method for making a conductive tin dioxide powder

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