JPS6048897B2 - 半導体磁器コンデンサ用組成物 - Google Patents
半導体磁器コンデンサ用組成物Info
- Publication number
- JPS6048897B2 JPS6048897B2 JP52145404A JP14540477A JPS6048897B2 JP S6048897 B2 JPS6048897 B2 JP S6048897B2 JP 52145404 A JP52145404 A JP 52145404A JP 14540477 A JP14540477 A JP 14540477A JP S6048897 B2 JPS6048897 B2 JP S6048897B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide
- weight
- semiconductor ceramic
- strontium titanate
- composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 7
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 title claims description 5
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 18
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 7
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 6
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 claims description 5
- 229910052788 barium Chemical group 0.000 claims description 5
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 4
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical group [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical group [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 9
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002370 SrTiO3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- -1 BaTiOa Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002971 CaTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000237858 Gastropoda Species 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はチタン酸ストロンチウムを主体とする半導体
磁器コンデンサ用組成物に関するものである。
磁器コンデンサ用組成物に関するものである。
結晶粒界を絶縁体化した半導体磁器の両面に電極を形成
することにより、大きな見掛誘電率を有するコンデンサ
が得られることは知られている。
することにより、大きな見掛誘電率を有するコンデンサ
が得られることは知られている。
この半導体磁器には従来チタン酸バリウム系のものが用
いられていたが、最高６９、０００もの大きな見掛誘電
率が得られるものの、誘電損失（ｔａｎδ）が平均５〜
６％と大きく、また＋２０℃を基準としたとき−３０℃
から＋８５゜Ｃの温度範囲において見掛誘電率の温度特
性力壮４０％と大きいものであつた。上記した欠点を改
善したものとしてチタン酸ストロンチウムを主体とした
ものがある。
いられていたが、最高６９、０００もの大きな見掛誘電
率が得られるものの、誘電損失（ｔａｎδ）が平均５〜
６％と大きく、また＋２０℃を基準としたとき−３０℃
から＋８５゜Ｃの温度範囲において見掛誘電率の温度特
性力壮４０％と大きいものであつた。上記した欠点を改
善したものとしてチタン酸ストロンチウムを主体とした
ものがある。
たとえばチタン酸ストロンチウムに二酸化硅素（ＳｉＯ
２）、二酸化マンガン（ＭｎＯ０）を添加し、焼成して
得られたチタン酸ストロンチウム系半導体磁器に酸化マ
ンガンまたは酸化銅を磁器結晶粒界に拡散させたものが
あるが、半導体磁器中に二酸化硅素（ＳｉＯ０）を含有
させているため、酸化マンガンを結晶粒界付近に偏在さ
せ、結晶粒界を絶縁体化させるのに役立つが、結晶粒が
小さくなり、見掛誘電率は２０．０００と小さく、誘電
損失（ｔａｎδ）も２％以上の値を示している。またチ
タン酸ストロンチウムにニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔ
ａ）、タングステン（Ｗ）の各酸化物を添加し、これを
還元雰囲気中で焼成して半導体磁器を作り、両面に酸化
ビスマス（ＢｉＯ０）を塗布してこれらを酸化雰囲気中
で熱処理することにより、結晶粒界を絶縁体化したもの
であり、見掛誘電率が５０．０００以上で誘電損失（ｔ
ａｎδ）が１％以下であるが、＋ ２０℃を基準とした
とき−３０℃〜 ＋ ８５℃の温度範囲において、見掛
誘電率の温度特性が±１３％を越え、また焼成磁器同志
にくつつきが見られた。ノ この発明は上記した種々の
問題を検討した結果見い出されたもので、見掛誘電率が
大きいとともにその温度特性が良好であり、誘電損失も
小さく、さらには焼成温度の変化による特性変化が小さ
いなど、すぐれた特性を有する半導体磁器コンクデンサ
用組成物を提供せんとするものである。すなわちこの発
明の要旨とするところは、チタン酸ストロンチウムまた
はストロンチウムの一部をカルシウムまたはバリウムで
置換したチタン酸ストロンチウムー９７．７〜９９．８
５重量％ 酸化マンガン（ＭｎＯ。
２）、二酸化マンガン（ＭｎＯ０）を添加し、焼成して
得られたチタン酸ストロンチウム系半導体磁器に酸化マ
ンガンまたは酸化銅を磁器結晶粒界に拡散させたものが
あるが、半導体磁器中に二酸化硅素（ＳｉＯ０）を含有
させているため、酸化マンガンを結晶粒界付近に偏在さ
せ、結晶粒界を絶縁体化させるのに役立つが、結晶粒が
小さくなり、見掛誘電率は２０．０００と小さく、誘電
損失（ｔａｎδ）も２％以上の値を示している。またチ
タン酸ストロンチウムにニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔ
ａ）、タングステン（Ｗ）の各酸化物を添加し、これを
還元雰囲気中で焼成して半導体磁器を作り、両面に酸化
ビスマス（ＢｉＯ０）を塗布してこれらを酸化雰囲気中
で熱処理することにより、結晶粒界を絶縁体化したもの
であり、見掛誘電率が５０．０００以上で誘電損失（ｔ
ａｎδ）が１％以下であるが、＋ ２０℃を基準とした
とき−３０℃〜 ＋ ８５℃の温度範囲において、見掛
誘電率の温度特性が±１３％を越え、また焼成磁器同志
にくつつきが見られた。ノ この発明は上記した種々の
問題を検討した結果見い出されたもので、見掛誘電率が
大きいとともにその温度特性が良好であり、誘電損失も
小さく、さらには焼成温度の変化による特性変化が小さ
いなど、すぐれた特性を有する半導体磁器コンクデンサ
用組成物を提供せんとするものである。すなわちこの発
明の要旨とするところは、チタン酸ストロンチウムまた
はストロンチウムの一部をカルシウムまたはバリウムで
置換したチタン酸ストロンチウムー９７．７〜９９．８
５重量％ 酸化マンガン（ＭｎＯ。
）−０．０５〜０』重量％酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３
）−０．１〜１．５重量％からなる半導体磁器の結晶粒
界に、酸化ビスマスまたは酸化ビスマスと酸化マンガン
、酸化銅、酸化鉛のうち少なくともＬ種が拡散され、結
晶粒界が絶縁体化されていることを特徴とするものであ
る。上記した半導体磁器の組成のうち、チタン酸ストロ
ンチウムとは、ＳｒＴｉｚＯ。
）−０．１〜１．５重量％からなる半導体磁器の結晶粒
界に、酸化ビスマスまたは酸化ビスマスと酸化マンガン
、酸化銅、酸化鉛のうち少なくともＬ種が拡散され、結
晶粒界が絶縁体化されていることを特徴とするものであ
る。上記した半導体磁器の組成のうち、チタン酸ストロ
ンチウムとは、ＳｒＴｉｚＯ。
として表わすことのできるものであり、このようにＴｉ
Ｏ２を過剰あるいは過少にすることは昭和５奔発行の研
究実用化報告別冊第２８号、第１９頗〜第２００頁にす
でに開示されている。ここで、Ｚは０．９７≦Ｚ≦１．
０３の範囲で選択することができる。
Ｏ２を過剰あるいは過少にすることは昭和５奔発行の研
究実用化報告別冊第２８号、第１９頗〜第２００頁にす
でに開示されている。ここで、Ｚは０．９７≦Ｚ≦１．
０３の範囲で選択することができる。
上記した範囲でＺの値を変化させることができるとした
のは、Ｚ＝１であるＳｒＴｉＯ３によりより構成された
半導体磁器コンデンサが有する電気的な特性と比較して
その特性が損なわれないものであることによる。
のは、Ｚ＝１であるＳｒＴｉＯ３によりより構成された
半導体磁器コンデンサが有する電気的な特性と比較して
その特性が損なわれないものであることによる。
より詳しくは、ＳｒＴｌＯ。により構成された半導体磁
器ストロンチウムを得るに際して、Ｚを０．９７≦Ｚ≦
１．０３の範囲で変化させることにより、ＳｒＴｉＯ３
（この場合、Ｚ＝１）のものにくらべて焼成温度を下げ
ることができ、焼成コストの低減を図ることがでる−と
いう効果を奏する。ｚの値を上記した範囲に限定したの
は、Ｚ量が０ ・９７未満になると焼成温度が高くなり
、誘電損失が悪くなるからである。
器ストロンチウムを得るに際して、Ｚを０．９７≦Ｚ≦
１．０３の範囲で変化させることにより、ＳｒＴｉＯ３
（この場合、Ｚ＝１）のものにくらべて焼成温度を下げ
ることができ、焼成コストの低減を図ることがでる−と
いう効果を奏する。ｚの値を上記した範囲に限定したの
は、Ｚ量が０ ・９７未満になると焼成温度が高くなり
、誘電損失が悪くなるからである。
逆にＺ量が１．０３を越えると焼成温度が高くなり、焼
成磁器間のくつつき；が多くなるからである。また、チ
タン酸ストロンチウムについてはストロンチウムの一部
をカルシウムまたはバリウムで置換したチタン酸ストロ
ンチウムも含まれる。
成磁器間のくつつき；が多くなるからである。また、チ
タン酸ストロンチウムについてはストロンチウムの一部
をカルシウムまたはバリウムで置換したチタン酸ストロ
ンチウムも含まれる。
このように置換したチタン酸ストロンチウムについ３て
は、昭和５師発行の研究実用化報告別冊第２８号、第２
２１頁、表３５にも開示されている。一般式で表わせば
次式１のように表わすことができる。（Ｓｒｌ−ＸＡｘ
）ＴｉｚＯ３・・・・・・１ただし、Ａ：Ｂａ，Ｃａ４
．Ｏ＜Ｘ≦０．０５，０．９７≦Ｚ≦１．０３ここで、
Ｓｒの一部をＢａ，Ｃａで置換可能としているのは、Ｓ
ｒＴｉＯ。
は、昭和５師発行の研究実用化報告別冊第２８号、第２
２１頁、表３５にも開示されている。一般式で表わせば
次式１のように表わすことができる。（Ｓｒｌ−ＸＡｘ
）ＴｉｚＯ３・・・・・・１ただし、Ａ：Ｂａ，Ｃａ４
．Ｏ＜Ｘ≦０．０５，０．９７≦Ｚ≦１．０３ここで、
Ｓｒの一部をＢａ，Ｃａで置換可能としているのは、Ｓ
ｒＴｉＯ。
により構成された半導体磁器コンデンサが有する電気的
な特性と比較してその特性が損なわれないものであるこ
とによる。より詳しくは、Ｂａによる一部置換ではキュ
リー点を変化させることによつて大きな誘電率を得るこ
とができ、一方、Ｃａによる一部置換では破壊電圧・の
向上を図ることができることによる。なお、Ｂａ，Ｃａ
によつて同時置換することも可能である。ここで、Ｘ量
を上記した範囲に限定したのは、Ｘ量が上限値を越える
と見掛誘電率が小さくなるクからである。
な特性と比較してその特性が損なわれないものであるこ
とによる。より詳しくは、Ｂａによる一部置換ではキュ
リー点を変化させることによつて大きな誘電率を得るこ
とができ、一方、Ｃａによる一部置換では破壊電圧・の
向上を図ることができることによる。なお、Ｂａ，Ｃａ
によつて同時置換することも可能である。ここで、Ｘ量
を上記した範囲に限定したのは、Ｘ量が上限値を越える
と見掛誘電率が小さくなるクからである。
また、ｚ量についてはすでに上記したＳｒＴｉＺＯ３に
ついて述べた理由と同じである発明の詳細な説明はここ
では省略する。酸化マンガンは焼結を促進する焼結助剤
の役割フを果たし、その含有量（ＭｎＯ。
ついて述べた理由と同じである発明の詳細な説明はここ
では省略する。酸化マンガンは焼結を促進する焼結助剤
の役割フを果たし、その含有量（ＭｎＯ。
）は０．０５〜０．踵量％の範囲にあればよい。これは
０．０５重量％未満になれば見掛誘電率の温度特性が±
１０％を越え、ｏ旧重量％を越えると焼成は容易になる
が誘電損失が１％を越えるからである。酸化イットリウ
ムは半導体化を促進するものであり、その含有量（Ｙ２
Ｏ３）は０．１〜１．５重量％の範囲にあればよい。
０．０５重量％未満になれば見掛誘電率の温度特性が±
１０％を越え、ｏ旧重量％を越えると焼成は容易になる
が誘電損失が１％を越えるからである。酸化イットリウ
ムは半導体化を促進するものであり、その含有量（Ｙ２
Ｏ３）は０．１〜１．５重量％の範囲にあればよい。
これは０．１重量％未満になれば誘電損失が１％を越え
、１．５を越えると耐電圧が低下するからである。結晶
粒界を絶縁体化するものしては、すでに知られたものと
してＶ，Ｃｒ，Ｆｅ，ＣＯなどの酸化物があるが、この
発明においては、酸化ビスマス、または酸化ビスマスと
酸化マンガンと酸化銅、酸化鉛のうちの少なくとも１種
のものについて特性の良好なものが得られるという結果
を示した。
、１．５を越えると耐電圧が低下するからである。結晶
粒界を絶縁体化するものしては、すでに知られたものと
してＶ，Ｃｒ，Ｆｅ，ＣＯなどの酸化物があるが、この
発明においては、酸化ビスマス、または酸化ビスマスと
酸化マンガンと酸化銅、酸化鉛のうちの少なくとも１種
のものについて特性の良好なものが得られるという結果
を示した。
以下この発明を実施例に従つて詳述する。実施例１
第１表に示す組成比率の半導体磁器が得られるように、
ＳｒＴｉＯａ，．ＣａＴｉＯ３，ＢａＴｉＯａ，ＭｎＣ
Ｏ３，Ｙ２Ｏ。
ＳｒＴｉＯａ，．ＣａＴｉＯ３，ＢａＴｉＯａ，ＭｎＣ
Ｏ３，Ｙ２Ｏ。
の各原料を用意し、これらの各原料を秤量してバインダ
である酢酸ビニル系樹脂とともに湿式ボールミルで７時
間粉砕した。粉砕したのち約５０メッシュに造粒し、油
圧ブレスにて直径１０．０−、厚さ０．５ｗ８ｎの円板
に成型した。次いで、成型円板を大気中１１５０℃で２
時間仮焼してバインダを燃焼させた。
である酢酸ビニル系樹脂とともに湿式ボールミルで７時
間粉砕した。粉砕したのち約５０メッシュに造粒し、油
圧ブレスにて直径１０．０−、厚さ０．５ｗ８ｎの円板
に成型した。次いで、成型円板を大気中１１５０℃で２
時間仮焼してバインダを燃焼させた。
さらに室温にまで冷却したのち水素ｍ容量％、窒素９喀
量％からなる還元雰囲気中にて１３５０−１４５０’Ｃ
で２時間焼成した。引きつづき半導体磁器表面に、酸化
ビスマス９０重量％、酸化銅ｗ重量％をワニスと重量比
にて１：１で混練したペーストを１０ｍｇｒ塗布し、空
気中１１５０゜Ｃで１時間熱処理して結晶粒界を絶縁体
化した。
量％からなる還元雰囲気中にて１３５０−１４５０’Ｃ
で２時間焼成した。引きつづき半導体磁器表面に、酸化
ビスマス９０重量％、酸化銅ｗ重量％をワニスと重量比
にて１：１で混練したペーストを１０ｍｇｒ塗布し、空
気中１１５０゜Ｃで１時間熱処理して結晶粒界を絶縁体
化した。
さらに半導体磁器の両平面に銀ペーストを塗布し、８０
０′Ｃで３紛間焼付けして電極を形成してコンデンサを
作成した。このようにして得られたコンデンサの見掛誘
電率（Ｅ）、誘電損失（Ｔａｎδ）、絶縁抵抗（ＩＲ）
、破壊電圧（■／Ｔ！Ｕｎ）および見掛誘電率の温度特
性を測定し、その結果を第１表に合わせて示した。なお
、見掛誘電率、誘電損失は＋２５゜Ｃ１周波数１ＫＨｚ
１電圧０．３Ｖの条件で測定した値である。絶２縁抵抗
は＋２５℃において試料に厚み単位醋当たり直流電圧５
０Ｖを印加した３鰍後における抵抗値を示したものであ
る。破壊電圧は＋２５℃において試料に印加した直流電
圧を昇圧させたとき電流が急増する下限値を示したもの
である。見掛誘電率の温度特性は＋２０゜Ｃを基準とし
て−３０℃〜＋８５℃の温度範囲においてその変化率を
表わしたものである。表中※印を付したものは、この発
明範囲外のもの、それ以外はすべてこの発明範囲内のも
のである。
０′Ｃで３紛間焼付けして電極を形成してコンデンサを
作成した。このようにして得られたコンデンサの見掛誘
電率（Ｅ）、誘電損失（Ｔａｎδ）、絶縁抵抗（ＩＲ）
、破壊電圧（■／Ｔ！Ｕｎ）および見掛誘電率の温度特
性を測定し、その結果を第１表に合わせて示した。なお
、見掛誘電率、誘電損失は＋２５゜Ｃ１周波数１ＫＨｚ
１電圧０．３Ｖの条件で測定した値である。絶２縁抵抗
は＋２５℃において試料に厚み単位醋当たり直流電圧５
０Ｖを印加した３鰍後における抵抗値を示したものであ
る。破壊電圧は＋２５℃において試料に印加した直流電
圧を昇圧させたとき電流が急増する下限値を示したもの
である。見掛誘電率の温度特性は＋２０゜Ｃを基準とし
て−３０℃〜＋８５℃の温度範囲においてその変化率を
表わしたものである。表中※印を付したものは、この発
明範囲外のもの、それ以外はすべてこの発明範囲内のも
のである。
また第１表中のＸ，Ｚは１式のＸ，Ｚの値を示したもの
である。実施例２ 実施例１の試料番号４のものについて、結晶粒界に絶縁
層を形成する酸化マンガン、酸化銅、酸化鉛、酸化ビス
マスを第２表に示す比率で実施例１と同様に処理し、コ
ンデンサを作成して各電気特性を測定した。
である。実施例２ 実施例１の試料番号４のものについて、結晶粒界に絶縁
層を形成する酸化マンガン、酸化銅、酸化鉛、酸化ビス
マスを第２表に示す比率で実施例１と同様に処理し、コ
ンデンサを作成して各電気特性を測定した。
測定結果を第２表に合わせて示した。
なお、第２表中※印のものはこの発明範囲外のものであ
る。
る。
このうち、試料番号１５のほのはＴａｎδが大きく、試
料番号１６，１７はともに温度特性が＋１０％を越える
ものである。実施例３ 実施例１の試料番号１との試料番号５のものにつき、焼
成温度を変化させて各電気特性を測定し、その結果を第
３表に示した。
料番号１６，１７はともに温度特性が＋１０％を越える
ものである。実施例３ 実施例１の試料番号１との試料番号５のものにつき、焼
成温度を変化させて各電気特性を測定し、その結果を第
３表に示した。
上記した各実施例から明らかなように、その発明によれ
ば、見掛誘電率が４００００以上と大きな値を有するも
のが得られ、誘電損失も１％以下と小、さい。
ば、見掛誘電率が４００００以上と大きな値を有するも
のが得られ、誘電損失も１％以下と小、さい。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ チタン酸ストロンチウムまたはストロンチウムの一
部をカルシウムまたはバリウムで置換したチタン酸スト
ロンチウム−９７．７〜９９．８５重量％ 酸化マンガン（ＭｎＯ＿２）−０．０５〜０．８重量％
酸化イットリウム（Ｙ＿２Ｏ＿３）−０．１〜１．５重
量％からなる半導体磁器の結晶粒界に、酸化ビスマスま
たは酸化ビスマスと酸化マンガン、酸化銅、酸化鉛のう
ち少なくとも１種が拡散され、結晶粒界が絶縁体化され
ていることを特徴とする半導体磁器コンデンサ用組成物
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52145404A JPS6048897B2 (ja) | 1977-12-02 | 1977-12-02 | 半導体磁器コンデンサ用組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52145404A JPS6048897B2 (ja) | 1977-12-02 | 1977-12-02 | 半導体磁器コンデンサ用組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5478493A JPS5478493A (en) | 1979-06-22 |
| JPS6048897B2 true JPS6048897B2 (ja) | 1985-10-30 |
Family
ID=15384462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52145404A Expired JPS6048897B2 (ja) | 1977-12-02 | 1977-12-02 | 半導体磁器コンデンサ用組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6048897B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2608288B2 (ja) * | 1987-06-19 | 1997-05-07 | キヤノン株式会社 | セラミツク及びこれを用いた回路基体と電子回路基体 |
| JP2608289B2 (ja) * | 1987-06-23 | 1997-05-07 | キヤノン株式会社 | セラミツク及びこれを用いた回路基体と電子回路基体並びにセラミツクの製造方法 |
-
1977
- 1977-12-02 JP JP52145404A patent/JPS6048897B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5478493A (en) | 1979-06-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2004238251A (ja) | 誘電体磁器組成物、及びセラミック電子部品 | |
| JPH1036172A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS6046811B2 (ja) | 半導体磁器コンデンサ用組成物 | |
| JPS5820133B2 (ja) | 半導体磁器コンデンサ用磁器およびその製造方法 | |
| JPS6046813B2 (ja) | 半導体磁器コンデンサ用組成物 | |
| JP3003201B2 (ja) | チタン酸バリウム系半導体磁器組成物 | |
| JPS6043651B2 (ja) | 半導体磁器コンデンサ用組成物 | |
| JPS6048898B2 (ja) | 半導体磁器コンデンサ用組成物 | |
| JPS6046812B2 (ja) | 半導体磁器コンデンサ用組成物 | |
| JP3385630B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JPS62262303A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JPH0544763B2 (ja) | ||
| JPS6048895B2 (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器コンデンサ | |
| JPH07220902A (ja) | チタン酸バリウム系半導体磁器 | |
| JPS6047733B2 (ja) | 半導体磁器コンデンサ用組成物 | |
| JP3385626B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH1095667A (ja) | 誘電体磁器組成物及び磁器コンデンサ | |
| JPH0734415B2 (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器組成物 | |
| JPS5910949B2 (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器組成物 | |
| JP2789346B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3036051B2 (ja) | チタン酸バリウム系半導体磁器組成物 | |
| JP2837516B2 (ja) | 誘電体磁器コンデンサ | |
| JPS6044816B2 (ja) | 半導体磁器コンデンサ用組成物 | |
| JPS598924B2 (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器組成物 | |
| JPS6249976B2 (ja) |