JPS6048898B2 - 半導体磁器コンデンサ用組成物 - Google Patents
半導体磁器コンデンサ用組成物Info
- Publication number
- JPS6048898B2 JPS6048898B2 JP52145410A JP14541077A JPS6048898B2 JP S6048898 B2 JPS6048898 B2 JP S6048898B2 JP 52145410 A JP52145410 A JP 52145410A JP 14541077 A JP14541077 A JP 14541077A JP S6048898 B2 JPS6048898 B2 JP S6048898B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide
- weight
- strontium titanate
- semiconductor
- semiconductor ceramic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 18
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 title claims description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 6
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 18
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 7
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 claims description 6
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 6
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052788 barium Chemical group 0.000 claims description 5
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical group [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical group [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- OWCYYNSBGXMRQN-UHFFFAOYSA-N holmium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ho+3].[Ho+3] OWCYYNSBGXMRQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- VQCBHWLJZDBHOS-UHFFFAOYSA-N erbium(iii) oxide Chemical compound O=[Er]O[Er]=O VQCBHWLJZDBHOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N gadolinium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Gd+3].[Gd+3] CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JYTUFVYWTIKZGR-UHFFFAOYSA-N holmium oxide Inorganic materials [O][Ho]O[Ho][O] JYTUFVYWTIKZGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 232Th Chemical compound [232Th] ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 0.000 description 1
- 229910002971 CaTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002370 SrTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- ZXGIFJXRQHZCGJ-UHFFFAOYSA-N erbium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Er+3].[Er+3] ZXGIFJXRQHZCGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001938 gadolinium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940075613 gadolinium oxide Drugs 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はチタン酸ストロンチウムを主体とする半導体
磁器コンデンサ用組成物に関するものである。
磁器コンデンサ用組成物に関するものである。
結晶粒界を絶縁体化した半導体磁器の両面に電極を形成
することにより、大きな見掛誘電率を有するコンデンサ
が得られることは知られている。
することにより、大きな見掛誘電率を有するコンデンサ
が得られることは知られている。
この半導体磁器には従来チタン酸バリウム系のものが用
いられていたが、最高６９、０００もの大きな見掛誘電
率が得られるものの、誘電損失（ｔａｎδ）が平均５〜
６％と大きく、また＋２０゜Ｃを基準としたとき−３０
℃から＋８５℃の温度範囲において見掛誘電率の温度特
性が±４０％と大きいものであつた。上記した欠点を改
善したものとしてチタン酸ストロンチウムを主体として
ものがある。
いられていたが、最高６９、０００もの大きな見掛誘電
率が得られるものの、誘電損失（ｔａｎδ）が平均５〜
６％と大きく、また＋２０゜Ｃを基準としたとき−３０
℃から＋８５℃の温度範囲において見掛誘電率の温度特
性が±４０％と大きいものであつた。上記した欠点を改
善したものとしてチタン酸ストロンチウムを主体として
ものがある。
たとえばチタン酸ストロンチウムに二酸化硅素（ＳｉＯ
２）、二酸化マンガン（ＭｎＯ２）を添加し、焼成して
得られたチタン酸ストロンチウム系半導体磁器に酸化マ
ンガンよたは酸化銅を磁器結晶粒界に拡散させたものが
あるが、半導体磁器中に二酸化硅素（ＳＩＯ０）を含有
させているため、酸化マンガンを結晶粒界付近に偏在さ
せ、結晶粒界を絶縁体化させるのに役立つが、結晶粒が
小さくなり、見掛誘電率は２００００と小さく、誘電損
失（ｔａｎδ）も２％以上の値を示している。またチタ
ン酸ストロンチウムにニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ
）、タングステン（Ｗ）の各酸化物を添加し、これを還
元雰囲気中で焼成して半導体磁器を作り、両面に酸化ビ
スマス（Ｂ１２Ｏ０）を塗布してこれらを酸化雰囲気中
で熱処理することにより、結晶粒界を絶縁体化しフたも
のがあり、見掛誘電率が５００００以上で誘電損失（ｔ
ａｎδ）が１％以下であるが、＋ ２０℃を基準とした
とき−３０℃〜＋８５℃の温度範囲において、見掛誘電
率の温度特性力壮１３％を越え、また焼成磁器同志のく
つつきが見られた。５ この発明は上記した種々の問題
を検討した結果見い出されたもので、見掛誘電率が大き
いとともにその温度特性が良好であり、誘電損失も小さ
く、さらには焼成温度の変化による特性変化が小さいな
ど、すぐれた特性を有する半導体磁器コンデンサ用組成
物を提供せんとするものである。
２）、二酸化マンガン（ＭｎＯ２）を添加し、焼成して
得られたチタン酸ストロンチウム系半導体磁器に酸化マ
ンガンよたは酸化銅を磁器結晶粒界に拡散させたものが
あるが、半導体磁器中に二酸化硅素（ＳＩＯ０）を含有
させているため、酸化マンガンを結晶粒界付近に偏在さ
せ、結晶粒界を絶縁体化させるのに役立つが、結晶粒が
小さくなり、見掛誘電率は２００００と小さく、誘電損
失（ｔａｎδ）も２％以上の値を示している。またチタ
ン酸ストロンチウムにニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ
）、タングステン（Ｗ）の各酸化物を添加し、これを還
元雰囲気中で焼成して半導体磁器を作り、両面に酸化ビ
スマス（Ｂ１２Ｏ０）を塗布してこれらを酸化雰囲気中
で熱処理することにより、結晶粒界を絶縁体化しフたも
のがあり、見掛誘電率が５００００以上で誘電損失（ｔ
ａｎδ）が１％以下であるが、＋ ２０℃を基準とした
とき−３０℃〜＋８５℃の温度範囲において、見掛誘電
率の温度特性力壮１３％を越え、また焼成磁器同志のく
つつきが見られた。５ この発明は上記した種々の問題
を検討した結果見い出されたもので、見掛誘電率が大き
いとともにその温度特性が良好であり、誘電損失も小さ
く、さらには焼成温度の変化による特性変化が小さいな
ど、すぐれた特性を有する半導体磁器コンデンサ用組成
物を提供せんとするものである。
すなわち、この発明の要旨とするところは、チタン酸ス
トロンチウムまたはストロンチウムの一部をカルシウム
またはバリウムで置換したチタン酸ストロンチウムー
ι９７．７〜９９．８５重量％ 酸化マンガン（ＭｎＯ。
トロンチウムまたはストロンチウムの一部をカルシウム
またはバリウムで置換したチタン酸ストロンチウムー
ι９７．７〜９９．８５重量％ 酸化マンガン（ＭｎＯ。
）−０．０５〜０．踵量％酸化セリウム（ＣｅＯ。）、
酸化ネオジウム（Ｎ１），０３）、酸化ガドリニウム（
Ｇ山０。
酸化ネオジウム（Ｎ１），０３）、酸化ガドリニウム（
Ｇ山０。
）、酸化ホルミウム（ＨＯ。
Ｏ，）、酸化エルビウム（Ｅｒ２Ｏ。
）のうち少なくとも一種−０．１〜１．５重量％からな
る半導体磁器の結晶粒界に、酸化ビスマス、または酸化
ビスマスと酸化マンガン、酸化銅、酸化鉛のうち少なく
とも１種が拡散され、結晶粒界が絶縁体化されているこ
とを特徴とするものである。
る半導体磁器の結晶粒界に、酸化ビスマス、または酸化
ビスマスと酸化マンガン、酸化銅、酸化鉛のうち少なく
とも１種が拡散され、結晶粒界が絶縁体化されているこ
とを特徴とするものである。
上記した半導体磁器の組成のうち、チタン酸ストロンチ
ウムとは、ＳｒＴｉｚＯａとして表わすことのできるも
のであり、このようにＴｉＯ。
ウムとは、ＳｒＴｉｚＯａとして表わすことのできるも
のであり、このようにＴｉＯ。
を過剰あるいは過少にすることは昭和５奔発行の研究実
用化報告別冊第２８号、第１９８〜第２００頁にすでに
開示されている。ここで、ｚは０．９７≦Ｚ≦１．０３
の範囲で選択することができる。
用化報告別冊第２８号、第１９８〜第２００頁にすでに
開示されている。ここで、ｚは０．９７≦Ｚ≦１．０３
の範囲で選択することができる。
上記した範囲でＺの値を変化させることができるとした
のは、Ｚ＝１であるＳｒＴｉＯ。
のは、Ｚ＝１であるＳｒＴｉＯ。
によりより構成された半導体磁器コンデンサが有する電
気的な特性と比較してその特性が損なわれないものであ
ることによる。より詳しく．は、ＳｒＴｉＯ３により構
成された半導体磁器コンデンナを得るに際して、Ｚを０
．９７≦Ｚ≦１．０３の範囲で変化させることにより、
ＳｒＴｉＯ。（この場合、Ｚ＝１）のものにくらべて焼
成温度を下げることができ、焼成コストの低減を図るこ
とがでるとい二う効果を奏する。ｚの値を上記した範囲
に限定したのは、Ｚ量が０ ・９７未満になると焼成温
度が高くなり、誘電損失が悪くなるからである。
気的な特性と比較してその特性が損なわれないものであ
ることによる。より詳しく．は、ＳｒＴｉＯ３により構
成された半導体磁器コンデンナを得るに際して、Ｚを０
．９７≦Ｚ≦１．０３の範囲で変化させることにより、
ＳｒＴｉＯ。（この場合、Ｚ＝１）のものにくらべて焼
成温度を下げることができ、焼成コストの低減を図るこ
とがでるとい二う効果を奏する。ｚの値を上記した範囲
に限定したのは、Ｚ量が０ ・９７未満になると焼成温
度が高くなり、誘電損失が悪くなるからである。
逆にＺ量が１．０３を越えると焼成温度が高くなり、焼
成磁器間のくつつき４が多くなるからである。また、チ
タン酸ストロンチウムについてはストロンチウムの一部
カルシウムまたはバリウムで置換したチタン酸ストロン
チウムも含まれる。
成磁器間のくつつき４が多くなるからである。また、チ
タン酸ストロンチウムについてはストロンチウムの一部
カルシウムまたはバリウムで置換したチタン酸ストロン
チウムも含まれる。
このように置換したチタン酸ストロンチウムについては
、昭和５０年発行の研究実用化報告別冊第２８号、第２
２１頁、表３５にも開示されている。一般式で表わせば
次式１のように表わすことが？ できる。
、昭和５０年発行の研究実用化報告別冊第２８号、第２
２１頁、表３５にも開示されている。一般式で表わせば
次式１のように表わすことが？ できる。
（Ｓｒｌ−ＸＡｘ）ＴｉｚＯ３・・・・・・１ただし、
Ａ：Ｂａ，ＣａＯ＜Ｘ≦０．０５，０．９７≦Ｚ≦１．
０３ここで、Ｓｒの一部をＢａ，Ｃａで置換可能として
ｏいるのは、ＳｒＴｉＯ。
Ａ：Ｂａ，ＣａＯ＜Ｘ≦０．０５，０．９７≦Ｚ≦１．
０３ここで、Ｓｒの一部をＢａ，Ｃａで置換可能として
ｏいるのは、ＳｒＴｉＯ。
により構成された半導体磁器コンデンサが有する電気的
な特性と比較してその特性が損なわれないものであるこ
とによる。より詳しくは、Ｂａによる一部置換ではキュ
リー点を変化させることによつて大きな誘電率を得るこ
と５ができ、一方、Ｃａによる一部置換では破壊電圧の
向上を図ることができることによる。なお、Ｂａ，Ｃａ
によつて同時置換することも可能である。ここで、Ｘ量
を上記した範囲に限定したのは、フｘ量が上限値を越え
ると見掛誘電率が小さくなるからである。
な特性と比較してその特性が損なわれないものであるこ
とによる。より詳しくは、Ｂａによる一部置換ではキュ
リー点を変化させることによつて大きな誘電率を得るこ
と５ができ、一方、Ｃａによる一部置換では破壊電圧の
向上を図ることができることによる。なお、Ｂａ，Ｃａ
によつて同時置換することも可能である。ここで、Ｘ量
を上記した範囲に限定したのは、フｘ量が上限値を越え
ると見掛誘電率が小さくなるからである。
また、Ｚ量についてはすでに上記したＳｒＴｉＺＯ３に
ついて述べた理由と同じである発明の詳細な説明はここ
では省略する。酸化マンガンは焼結を促進する焼結助剤
の役割を果たし、その含有量（ＭｎＯ２）は０．０５〜
０．踵量％の範囲にあればよい。
ついて述べた理由と同じである発明の詳細な説明はここ
では省略する。酸化マンガンは焼結を促進する焼結助剤
の役割を果たし、その含有量（ＭｎＯ２）は０．０５〜
０．踵量％の範囲にあればよい。
これは０．０５重量％未満になれば見掛誘電率の温度特
性が±１０％を越え、０．踵量％を越えると焼成は容易
になるが誘電損失が１％を越えるからである。酸化セリ
ウム（ＣｅＯ。
性が±１０％を越え、０．踵量％を越えると焼成は容易
になるが誘電損失が１％を越えるからである。酸化セリ
ウム（ＣｅＯ。
）、酸化ネオジウム（Ｎｄｌ）、酸化力トリウム（Ｇｅ
。Ｏ。）、酸化ホルミウム（ＨＯ。Ｏ，）、酸化エルビ
ウム（Ｅｒ２Ｏ３）は半導体化を促進するものであり、
これらのうち少なくとも１種の量は０．１〜１．５重量
％の範囲にあればよい。これは０．１重量％未満になれ
ば誘電損失が１％を越え、１．５重量％を越えると耐電
圧が低下するからである。結晶粒界と絶縁体化するもの
しては、すでに知られたものとしてＶ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃ
Ｏなどの酸化物があるが、この発明においては、酸化ビ
スマス、または酸化ビスマスまたは酸化ビスマスと酸化
マンガン、酸化銅、酸化鉛のうちの少なくとも１種のも
のについて特性の良好なものが得られるという結果を示
した。
。Ｏ。）、酸化ホルミウム（ＨＯ。Ｏ，）、酸化エルビ
ウム（Ｅｒ２Ｏ３）は半導体化を促進するものであり、
これらのうち少なくとも１種の量は０．１〜１．５重量
％の範囲にあればよい。これは０．１重量％未満になれ
ば誘電損失が１％を越え、１．５重量％を越えると耐電
圧が低下するからである。結晶粒界と絶縁体化するもの
しては、すでに知られたものとしてＶ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃ
Ｏなどの酸化物があるが、この発明においては、酸化ビ
スマス、または酸化ビスマスまたは酸化ビスマスと酸化
マンガン、酸化銅、酸化鉛のうちの少なくとも１種のも
のについて特性の良好なものが得られるという結果を示
した。
以下この発明を実施例に従つて詳述する。
実施例１
第１表に示す組成比率の半導体磁器が得られるように、
ＳｒＴｌＯ３、ＣａＴｉＯ３，ＢａＳｒＴｉＯ３，Ｍｎ
ＣＯ３，ＣｅＯ２，Ｎｄ２Ｏ３，Ｇｄ２Ｏ３，ＨＯ２Ｏ
３，Ｅｒ２Ｏ３の各原料を用意し、これらの各原料を秤
量してバインダである酢酸ビニル系樹脂ともに湿式ボー
ルミルで７時間粉砕した。
ＳｒＴｌＯ３、ＣａＴｉＯ３，ＢａＳｒＴｉＯ３，Ｍｎ
ＣＯ３，ＣｅＯ２，Ｎｄ２Ｏ３，Ｇｄ２Ｏ３，ＨＯ２Ｏ
３，Ｅｒ２Ｏ３の各原料を用意し、これらの各原料を秤
量してバインダである酢酸ビニル系樹脂ともに湿式ボー
ルミルで７時間粉砕した。
粉砕したのち約５０メッシュに造粒し、油圧ブレスにて
直径１０．０ｍ１ｎ１厚み０．５ｗｎの円板に成型した
。次いで、成型円板を大気中１１５０℃で２時間仮焼し
てバインダを燃焼させた。
直径１０．０ｍ１ｎ１厚み０．５ｗｎの円板に成型した
。次いで、成型円板を大気中１１５０℃で２時間仮焼し
てバインダを燃焼させた。
さらに室温にまで冷却したのち水素１喀量％、窒素９喀
量％からなる還元雰囲気中にて１３５０〜１４５０％Ｃ
で２時間焼成した。引きつづき半導体磁器表面に、酸化
ビスマス９０重量％、酸化銅１唾量％をワニスと重量比
にて１：１で混練したペーストを１０ｍ９ｒ塗布し、空
気中１１５０℃で１時間熱処理して結晶粒界を絶縁体化
した。
量％からなる還元雰囲気中にて１３５０〜１４５０％Ｃ
で２時間焼成した。引きつづき半導体磁器表面に、酸化
ビスマス９０重量％、酸化銅１唾量％をワニスと重量比
にて１：１で混練したペーストを１０ｍ９ｒ塗布し、空
気中１１５０℃で１時間熱処理して結晶粒界を絶縁体化
した。
さらに半導体磁器の両平面に銀ペーストを塗布し、８０
０′Ｃで３紛間焼付して電極を形成してコンデンサを作
成した。このようにして得られたコンデンサの見掛誘電
率（ε）、誘電損失（Ｔａｎδ）、絶縁抵抗（ＩＲ）、
破壊電圧（Ｖ／ＴｒＯｎ）および見掛誘電率の温度特性
を測定し、その結果を第１表に合わせて示した。
０′Ｃで３紛間焼付して電極を形成してコンデンサを作
成した。このようにして得られたコンデンサの見掛誘電
率（ε）、誘電損失（Ｔａｎδ）、絶縁抵抗（ＩＲ）、
破壊電圧（Ｖ／ＴｒＯｎ）および見掛誘電率の温度特性
を測定し、その結果を第１表に合わせて示した。
なお、見掛誘電率、誘電損失は＋２５゜Ｃ１周波数１Ｋ
Ｈｚ、電圧０．３■の条件で測定した値である。絶縁抵
抗は＋２５゜Ｃにおいて試料に厚み単位顛当たり直流電
圧５０Ｖを印加した３０８後における抵抗値を示したも
のである。破壊電圧は＋２５℃において試料に印力叱た
直流電圧を昇圧させたとき電流が急増する下限値を示し
たものである。見掛誘電率の温度特性は＋２０℃を基準
として−３０゜Ｃ〜＋８５℃の温度範囲においてその変
化率を表わしたものである。表中※印を付したものは、
この発明範囲外のもの、それ以外はすべてこの発明範囲
内のものである。
Ｈｚ、電圧０．３■の条件で測定した値である。絶縁抵
抗は＋２５゜Ｃにおいて試料に厚み単位顛当たり直流電
圧５０Ｖを印加した３０８後における抵抗値を示したも
のである。破壊電圧は＋２５℃において試料に印力叱た
直流電圧を昇圧させたとき電流が急増する下限値を示し
たものである。見掛誘電率の温度特性は＋２０℃を基準
として−３０゜Ｃ〜＋８５℃の温度範囲においてその変
化率を表わしたものである。表中※印を付したものは、
この発明範囲外のもの、それ以外はすべてこの発明範囲
内のものである。
また第１表中のＸ，Ｚは１式のＸ，Ｚの値を示したので
ある。実施例２ 実施例１の試料番号３のものについて、結晶ネ界に絶縁
層を形成する酸化マンガン、酸化銅、ヨ化鉛、酸化ビス
マスを第２表に示す比率で実施ｔ１と同様に処理し、コ
ンデンサを作成して各電ι特性を測定した。
ある。実施例２ 実施例１の試料番号３のものについて、結晶ネ界に絶縁
層を形成する酸化マンガン、酸化銅、ヨ化鉛、酸化ビス
マスを第２表に示す比率で実施ｔ１と同様に処理し、コ
ンデンサを作成して各電ι特性を測定した。
＊ 測定結果を第２表に合わせて示した。
なお、第２表中※印のものはこの発明範囲外のものであ
る。
る。
このうち試料番号１５のものはＴａｎδが大きく、試料
番号１６のものは各特性が総じて低下しており、さらに
試料番号１７のものはＥが３８０００と低下している。
実施例３ 実施例１の試料番号１との試料番号５のものにつき焼成
温度を変化させて各電気特性を測定し、その結果を第３
表に示した。
番号１６のものは各特性が総じて低下しており、さらに
試料番号１７のものはＥが３８０００と低下している。
実施例３ 実施例１の試料番号１との試料番号５のものにつき焼成
温度を変化させて各電気特性を測定し、その結果を第３
表に示した。
上記した各実施例から明らかなようにこの発明によれば
、見掛誘電率が４２，０００以上と大きな値を有するも
のが得られ、誘電損失も１％以下と小さい。
、見掛誘電率が４２，０００以上と大きな値を有するも
のが得られ、誘電損失も１％以下と小さい。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ チタン酸ストロンチウムまたはストロンチウムの一
部をカルシウムまたはバリウムで置換したチタン酸スト
ロンチウム−９７．７〜９９．８５重量％ 酸化マンガン（ＭｎＯ＿２）−０．０５〜０．８重量％
酸化セリウム（ＣｅＯ＿２）、酸化ネオジウム（Ｎｄ＿
２Ｏ＿３）、酸化カドリニウム（Ｇｄ＿２Ｏ＿３）、酸
化ホルミウム（Ｈｏ＿２Ｏ＿３）、酸化エルビニウム（
Ｅｒ＿２Ｏ＿３）のうち少なくとも一種−０．１〜１．
５重量％からなる半導体磁器の結晶粒界に、酸化ビスマ
スまたは酸化ビスマスと酸化マンガン、酸化銅、酸化鉛
のうち少なくとも１種が拡散され、結晶粒界が絶縁体化
されていることを特徴とする半導体磁器コンデンサ用組
成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52145410A JPS6048898B2 (ja) | 1977-12-02 | 1977-12-02 | 半導体磁器コンデンサ用組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52145410A JPS6048898B2 (ja) | 1977-12-02 | 1977-12-02 | 半導体磁器コンデンサ用組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5478499A JPS5478499A (en) | 1979-06-22 |
| JPS6048898B2 true JPS6048898B2 (ja) | 1985-10-30 |
Family
ID=15384605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52145410A Expired JPS6048898B2 (ja) | 1977-12-02 | 1977-12-02 | 半導体磁器コンデンサ用組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6048898B2 (ja) |
-
1977
- 1977-12-02 JP JP52145410A patent/JPS6048898B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5478499A (en) | 1979-06-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2004238251A (ja) | 誘電体磁器組成物、及びセラミック電子部品 | |
| JP3087657B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2958818B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JPS6046811B2 (ja) | 半導体磁器コンデンサ用組成物 | |
| JPS6249977B2 (ja) | ||
| JPS6048897B2 (ja) | 半導体磁器コンデンサ用組成物 | |
| JPS5820133B2 (ja) | 半導体磁器コンデンサ用磁器およびその製造方法 | |
| JPS6046813B2 (ja) | 半導体磁器コンデンサ用組成物 | |
| JPS6043651B2 (ja) | 半導体磁器コンデンサ用組成物 | |
| JPS6046812B2 (ja) | 半導体磁器コンデンサ用組成物 | |
| JPS6048895B2 (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器コンデンサ | |
| JP3120500B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JPH0687364B2 (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JPH07220902A (ja) | チタン酸バリウム系半導体磁器 | |
| JP2958822B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JPS6047733B2 (ja) | 半導体磁器コンデンサ用組成物 | |
| JPS5910949B2 (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器組成物 | |
| JPH0734415B2 (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器組成物 | |
| JP3185333B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JPS6249976B2 (ja) | ||
| JPS6044816B2 (ja) | 半導体磁器コンデンサ用組成物 | |
| JPH04170361A (ja) | チタン酸バリウム系半導体磁器組成物 | |
| JP2837516B2 (ja) | 誘電体磁器コンデンサ | |
| JP3036051B2 (ja) | チタン酸バリウム系半導体磁器組成物 | |
| JP2789346B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 |