JPS6012545A - 光及び放射線感応性有機高分子材料 - Google Patents
光及び放射線感応性有機高分子材料Info
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- JPS6012545A JPS6012545A JP11833283A JP11833283A JPS6012545A JP S6012545 A JPS6012545 A JP S6012545A JP 11833283 A JP11833283 A JP 11833283A JP 11833283 A JP11833283 A JP 11833283A JP S6012545 A JPS6012545 A JP S6012545A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0754—Non-macromolecular compounds containing silicon-to-silicon bonds
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、半導体素子、磁気バブルメモリ素−子、集積
回路等の製造に必要に微細パターン形成に好適な光およ
び放射線に高い感応性を有しかつドライエツチングに対
する耐性のすぐれた光および放射線感応性有機高分子材
料に関する。
回路等の製造に必要に微細パターン形成に好適な光およ
び放射線に高い感応性を有しかつドライエツチングに対
する耐性のすぐれた光および放射線感応性有機高分子材
料に関する。
半導体素子、集積回路等の電子部品の製作にはフォトエ
ツチングによる微細加工技術が用いられている。例えば
、シリコン単結晶ウェハなどにフォトレジスト層をスピ
ンコーティングにより形成させ、その上尾所望のパター
ンを持つマスクを重ね、露光、現像、リンスなどを行な
い、画像形成後、エツチングにより数μｍ幅の線形酸や
窓あけを行なっている。上記微細加工技術において、製
品の精度は、大部分が使用されるフォトレジストの性能
、例えば基板上での解像力、光感応性の程度、基板との
接着性あるいはエツチングに対する耐性などに左右され
る。
ツチングによる微細加工技術が用いられている。例えば
、シリコン単結晶ウェハなどにフォトレジスト層をスピ
ンコーティングにより形成させ、その上尾所望のパター
ンを持つマスクを重ね、露光、現像、リンスなどを行な
い、画像形成後、エツチングにより数μｍ幅の線形酸や
窓あけを行なっている。上記微細加工技術において、製
品の精度は、大部分が使用されるフォトレジストの性能
、例えば基板上での解像力、光感応性の程度、基板との
接着性あるいはエツチングに対する耐性などに左右され
る。
フォトレジストには露光部分が不溶化するネガ形レジス
トと、露光部分が可溶化するポジ形レジストがある。一
般に、ネガ形レジストは感度の点ですぐれているが、解
像性の点で劣っており、微細加工用レジストとしては不
適であった。一方、これに対し、ポジ形レジストは解像
性の点ですぐれているが、感度やエツチングに対する耐
性の点で劣り、その向上が望まれていた。
トと、露光部分が可溶化するポジ形レジストがある。一
般に、ネガ形レジストは感度の点ですぐれているが、解
像性の点で劣っており、微細加工用レジストとしては不
適であった。一方、これに対し、ポジ形レジストは解像
性の点ですぐれているが、感度やエツチングに対する耐
性の点で劣り、その向上が望まれていた。
また、近年、半導体素子等の高密度化、高集積化をはか
る目的で、１μｍ以下の幅のパターンを形成する方法が
要求されている。この方法では、従来の光を用いるリソ
グラフィに代って、電子線、Ｘ線あるいはイオンビーム
等の高エネルギーの放射線を用いるリングラフィが採用
されている。この方法においても、ポジ形放射線感応性
有機高分子材料はネガ形放射線感応性有機高分子材料に
比し、解像性の点ですぐれているが、感度の点で劣るこ
とが知られている。そのために、ネガ形レジスト材料に
ついては、その解像性の向上が強く望まれており、ポジ
形レジスト材料については、その感度の向上が強く望ま
れていた。
る目的で、１μｍ以下の幅のパターンを形成する方法が
要求されている。この方法では、従来の光を用いるリソ
グラフィに代って、電子線、Ｘ線あるいはイオンビーム
等の高エネルギーの放射線を用いるリングラフィが採用
されている。この方法においても、ポジ形放射線感応性
有機高分子材料はネガ形放射線感応性有機高分子材料に
比し、解像性の点ですぐれているが、感度の点で劣るこ
とが知られている。そのために、ネガ形レジスト材料に
ついては、その解像性の向上が強く望まれており、ポジ
形レジスト材料については、その感度の向上が強く望ま
れていた。
また、半導体素子等の配線の微細化に伴ないレジスト層
をパターニングした後の下地のエツチングは従来の湿式
エツチングに代って、ドライエツチングが採用されつつ
ある。従って、レジスト材料に対しては、ドライエツチ
ングに対する強い耐性が要求されるが、従来のレジスト
材料は、ポジ形とネガ形の如何にかかわらず、ドライエ
ツチングに対する耐性が必ずしも十分ではかく、その特
性向上が強く望まれていた。
をパターニングした後の下地のエツチングは従来の湿式
エツチングに代って、ドライエツチングが採用されつつ
ある。従って、レジスト材料に対しては、ドライエツチ
ングに対する強い耐性が要求されるが、従来のレジスト
材料は、ポジ形とネガ形の如何にかかわらず、ドライエ
ツチングに対する耐性が必ずしも十分ではかく、その特
性向上が強く望まれていた。
本発明の目的は、上言己したような従来技術の欠点をな
くす光および電子線、Ｘ線等の高エネルギーな放射線に
対して高い感応性を有する光および放射線感応性材料を
提供することにありとくにドライエツチングに対する耐
性の優れたことを特徴とする光および放射線感応性材料
を提供することにある。
くす光および電子線、Ｘ線等の高エネルギーな放射線に
対して高い感応性を有する光および放射線感応性材料を
提供することにありとくにドライエツチングに対する耐
性の優れたことを特徴とする光および放射線感応性材料
を提供することにある。
上記の目的を達成するために、本発明者は光および放射
線感応性を有すると思われ、かつ又、 ６ ドライエツチングに対する耐性に優れる七思われる材料
を種々検討した結果、この種の材料として分子中にＳｉ
＋Ｓｉ＋結合（但し、ルは１〜ｎ。
線感応性を有すると思われ、かつ又、 ６ ドライエツチングに対する耐性に優れる七思われる材料
を種々検討した結果、この種の材料として分子中にＳｉ
＋Ｓｉ＋結合（但し、ルは１〜ｎ。
５までの整数を表わす）を有する高分子材料が良いこと
を見い出した。
を見い出した。
すなわち、上記高分子材料は写真食刻技術によυパター
ン形成を行なう時に、紫外線照射により露光部分が現像
液に効率良く可溶化し、ポジ形フォトレジストとなる。
ン形成を行なう時に、紫外線照射により露光部分が現像
液に効率良く可溶化し、ポジ形フォトレジストとなる。
また、紫外線照射により数１０チが膜べりを起こし、自
発現像性を有していることも特徴の一つである。このよ
うにしてパターン形成したフォトレジスト被膜に酸素プ
ラズマを照射しても、全く膜べりが認められず、優れた
酸素プラズマ耐性を有している。
発現像性を有していることも特徴の一つである。このよ
うにしてパターン形成したフォトレジスト被膜に酸素プ
ラズマを照射しても、全く膜べりが認められず、優れた
酸素プラズマ耐性を有している。
このレジスト被膜を用いて、下地のＭ薄膜を塩素系ガス
によりドライエツチングを行なった新本発明のレジスト
被膜はドライエツチングに対する耐性が強く、微細なパ
ターンを形成することができた。
によりドライエツチングを行なった新本発明のレジスト
被膜はドライエツチングに対する耐性が強く、微細なパ
ターンを形成することができた。
紫外線照射に使用される光源としては、従来、 ４
から写真食刻技術で使用されている超高圧水銀ランプ、
キセノン−水銀ランプなどが使用できる。
キセノン−水銀ランプなどが使用できる。
かつ又、上記した高分子材料は電子線、Ｘ線等の高エネ
ルギーな放射線の照射によって架橋反応あるいは分解反
応を誘起し、放射線感応性レジスト材料として使用でき
、パターン形成したレジスト被膜はドライエツチングに
対して極めて高い耐性を有しているものである。
ルギーな放射線の照射によって架橋反応あるいは分解反
応を誘起し、放射線感応性レジスト材料として使用でき
、パターン形成したレジスト被膜はドライエツチングに
対して極めて高い耐性を有しているものである。
次に、本発明で使用する材料について説明する。本発明
で使用される光および放射線感応性有機高分子材料とし
ては、 （但し、一般式（１）中、Ｒ１は２価の有機基、Ｒ７Ｒ
５，Ｒ４およびＲ３はメチル基、エチル基、プロピル基
あるいはフェニル基のいずれかを表わしルは１〜５まで
の整数を表わす）で表わされる繰シ返し単位を主成分と
する高分子材料が使用される。
で使用される光および放射線感応性有機高分子材料とし
ては、 （但し、一般式（１）中、Ｒ１は２価の有機基、Ｒ７Ｒ
５，Ｒ４およびＲ３はメチル基、エチル基、プロピル基
あるいはフェニル基のいずれかを表わしルは１〜５まで
の整数を表わす）で表わされる繰シ返し単位を主成分と
する高分子材料が使用される。
一般式（１）中、ハは２価の有機基で、具体的には
に）芳香環構造のみを有する２価の有機基、■ 芳香環
構造と鎖式構造を有する２価の有機基、 （０アルキレン基、あるいは 鋤 へテロ原子を含む２価の有機基 などがあげられる。
構造と鎖式構造を有する２価の有機基、 （０アルキレン基、あるいは 鋤 へテロ原子を含む２価の有機基 などがあげられる。
−ＣＨ，ＣＨ２−ＣｘＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨｌｏ−Ｃ
Ｈ，−などがあげられ、 ０としては−ＣＨ２ＣＨ，−、−ＣＨ，ＣＨ，ＣＨ，−
などが（Ｑとしては一〇−０ツー 、 ツー ＳＯ，ａ
−。
Ｈ，−などがあげられ、 ０としては−ＣＨ２ＣＨ，−、−ＣＨ，ＣＨ，ＣＨ，−
などが（Ｑとしては一〇−０ツー 、 ツー ＳＯ，ａ
−。
−〇−ト■−Ｏつ−。
また、上記した有機基に含まれる芳香環にハロゲン原子
、アルキル基などを１つ以上置換したものを使用しても
さしつかえない。例えば、（イ）Ｃｔ ＣＨ。
、アルキル基などを１つ以上置換したものを使用しても
さしつかえない。例えば、（イ）Ｃｔ ＣＨ。
（？Ａｌ
一般式（１）中、Ｒ，、Ｒ３，Ｒ４，およびＲ１１はメ
チル基、エチル基、プロピル基あるいはフェニル基を表
わし、同一の有機基であっても良いが、高分子材料の溶
解性の観点から、２種以上の有機基（たとえば、Ｒ，、
Ｒ４がメチル基であり、Ｒ３ＲＩＩがエチル基である）
からなることが望ましい。
チル基、エチル基、プロピル基あるいはフェニル基を表
わし、同一の有機基であっても良いが、高分子材料の溶
解性の観点から、２種以上の有機基（たとえば、Ｒ，、
Ｒ４がメチル基であり、Ｒ３ＲＩＩがエチル基である）
からなることが望ましい。
上記した本発明の光および放射線感応性有機高分子材料
は光あるいは放射線照射によって効率良く５ｉ−Ｓｉ結
合が切断反応を起こし、その結果、光照射の場合には被
照射部分が選択的に現像液に可溶化し、一方、放射線照
射の場合には、被照射部分が選択的に現像液に不溶化し
たり、可溶化したりする。したがって、Ｓｉ＋Ｓｉ＋ｎ
。
は光あるいは放射線照射によって効率良く５ｉ−Ｓｉ結
合が切断反応を起こし、その結果、光照射の場合には被
照射部分が選択的に現像液に可溶化し、一方、放射線照
射の場合には、被照射部分が選択的に現像液に不溶化し
たり、可溶化したりする。したがって、Ｓｉ＋Ｓｉ＋ｎ
。
結合（但し、ルは１〜５までの整数を表わす）は、原理
的には高分子材料中に１個以上含有されれば良い。
的には高分子材料中に１個以上含有されれば良い。
また、本発明の光および放射線感応性有機高分子材料は
酸素プラズマに対して極めて高い耐性を有しており、酸
素プラズマ中に長時間放置しても全く、膜べりが認めら
れない。これは酸素プラズマにさらすことによって、表
面層にＳｉｎ、的な膜が形成されるためだと考えられる
。
酸素プラズマに対して極めて高い耐性を有しており、酸
素プラズマ中に長時間放置しても全く、膜べりが認めら
れない。これは酸素プラズマにさらすことによって、表
面層にＳｉｎ、的な膜が形成されるためだと考えられる
。
したがって、種々のドライエツチング工程に本発明の高
分子材料を用いれば、予め酸素プラズマ処理を行々うこ
とによって、微細パターンを形成する上で極めて好都合
である。また、ドライエツチングに対する耐性がすぐれ
ているために、レジストとして使用する場合、膜厚を薄
くすることが可能であり、その結果、パターン解像性が
向上し、微細加工に極めて好都合となる。
分子材料を用いれば、予め酸素プラズマ処理を行々うこ
とによって、微細パターンを形成する上で極めて好都合
である。また、ドライエツチングに対する耐性がすぐれ
ているために、レジストとして使用する場合、膜厚を薄
くすることが可能であり、その結果、パターン解像性が
向上し、微細加工に極めて好都合となる。
本発明で使用する高分子材料は種々の方法で合成するこ
とができ、とくに合成法に規制されるものではないが、
その−例を以下に示す。
とができ、とくに合成法に規制されるものではないが、
その−例を以下に示す。
（１）分子中ＫＳｉ＋ｓｉ＋結合（但り、、ルは１〜ル
Ｓまでの整数を表わす）を有し、両末端にＳｉ −ＣＩ
結合を有するジクロルシラン化合物と両末端にＭＩＸ基
（但し、ＸはＣｔあるいはＢｒｆ表わす）を有するグリ
ニヤール試薬とを縮合重合させる方法。
結合を有するジクロルシラン化合物と両末端にＭＩＸ基
（但し、ＸはＣｔあるいはＢｒｆ表わす）を有するグリ
ニヤール試薬とを縮合重合させる方法。
（２）分子中にＳｉ＋Ｓｉ＋結合（但し、ｎは１〜ｎ。
５までの整数を表わす）を有し、両末端に５ｉ−ＣＩ結
合を有するジクロルシラン化合物と両末端にＬｉ原子を
有するジリチウム化合物とを縮合重合させる方法。
合を有するジクロルシラン化合物と両末端にＬｉ原子を
有するジリチウム化合物とを縮合重合させる方法。
（３）分子中にＳｉ＋Ｓｉ＋結合（仙し、ルは１〜ｎ。
５までの整数を表わす）を有し、分子末端の一方に５ｉ
−Ｃ４基を、もう一方にリチウム原子を有する化合物を
縮合重合させる方法。
−Ｃ４基を、もう一方にリチウム原子を有する化合物を
縮合重合させる方法。
（４）分子中ニｓｉ＋Ｓｉ＋結合（但シ、ルは１〜ｎ。
５までの整数を表わす）を有し、分子両末端にＣｌ基を
有する化合物を金属す） ＩＪウムで縮合重合させる方
法。
有する化合物を金属す） ＩＪウムで縮合重合させる方
法。
本発明の光および放射線有機高分子材料を半導体素子等
のパターンを形成するため忙使用する場合には、例えば
トルエン、四塩化炭素等の通常の有機溶媒に上記した高
分子材料を溶解させたものが使用される。上記した高分
子材料溶液（レジスト溶液）を素子基板にスピンコーテ
ィングし、そののち適当な温度条件でプリベークを行な
い、所望のパターンに光あるいは放射線を照射する。照
射後、トルエン−イソプロピルアルコール混合溶媒、四
塩化炭素−イソプロピルアルコール混合溶媒あるいはト
ルエンなどからなる現像液を用いて被照射部分を選択的
に溶解させたり、あるいは不溶化させたりすることによ
シ、ポジティブなレジストパターンあるいはネガティブ
なレジストパターンが得られる。
のパターンを形成するため忙使用する場合には、例えば
トルエン、四塩化炭素等の通常の有機溶媒に上記した高
分子材料を溶解させたものが使用される。上記した高分
子材料溶液（レジスト溶液）を素子基板にスピンコーテ
ィングし、そののち適当な温度条件でプリベークを行な
い、所望のパターンに光あるいは放射線を照射する。照
射後、トルエン−イソプロピルアルコール混合溶媒、四
塩化炭素−イソプロピルアルコール混合溶媒あるいはト
ルエンなどからなる現像液を用いて被照射部分を選択的
に溶解させたり、あるいは不溶化させたりすることによ
シ、ポジティブなレジストパターンあるいはネガティブ
なレジストパターンが得られる。
以下に本発明を具体的合成例および実施例をもって説明
する。
する。
合成例１
攪拌器、冷却器、滴下ロートを付した５００ ｔｄの三
つロフラスコにエチルメチルジェトキシシラン１６．２
９ 、マグネシウム２．４３Ｆとテトラヒドロフラン１
００−を加えて攪拌し、窒素気流下で滴下ロートよ＃）
ｐ−ジブロムベンゼン１１８ｔのテトラヒト日フラン溶
液１００−を約３時間で滴下した。滴下後、攪拌を続け
ながら、更に約５時間還流した。還流後、濾過し、続い
て溶媒を留去し、減圧蒸溜により、ｐ−ビス（エチルメ
チルエトキシシリル）ベンゼン１ｏ、ｓ ｔ （収４
： ６８ｑ６）（沸点：１２２〜ｂ ＮＭＲ、＜ペクトｙｖ （ＣＤ ＣＩ、 ）δ（ｐｐｍ
） ：０．４２（ｒ） 、 ０．８６〜１．０８←）
、 １．２１５ （ｔ） 、 ３．７４ （ｑ） 。
つロフラスコにエチルメチルジェトキシシラン１６．２
９ 、マグネシウム２．４３Ｆとテトラヒドロフラン１
００−を加えて攪拌し、窒素気流下で滴下ロートよ＃）
ｐ−ジブロムベンゼン１１８ｔのテトラヒト日フラン溶
液１００−を約３時間で滴下した。滴下後、攪拌を続け
ながら、更に約５時間還流した。還流後、濾過し、続い
て溶媒を留去し、減圧蒸溜により、ｐ−ビス（エチルメ
チルエトキシシリル）ベンゼン１ｏ、ｓ ｔ （収４
： ６８ｑ６）（沸点：１２２〜ｂ ＮＭＲ、＜ペクトｙｖ （ＣＤ ＣＩ、 ）δ（ｐｐｍ
） ：０．４２（ｒ） 、 ０．８６〜１．０８←）
、 １．２１５ （ｔ） 、 ３．７４ （ｑ） 。
７、５６（ｙ）
・ １１ ・
次に、先に得たＰ−ビス（エチルメチルエトキシシリル
）ベンゼン９．３ Ｆとアセチルクロライド１２１Ｆと
を約５時間還流することによシ、Ｐ−ビス（クロロエチ
ルメチルシリル）ベンゼン８．６ｔ（収率：９８チ）（
沸点：１３１〜ｂＨｆ ）を得た。
）ベンゼン９．３ Ｆとアセチルクロライド１２１Ｆと
を約５時間還流することによシ、Ｐ−ビス（クロロエチ
ルメチルシリル）ベンゼン８．６ｔ（収率：９８チ）（
沸点：１３１〜ｂＨｆ ）を得た。
ＮＭＲｘベクトル（ＣＤＣｌ５）δ（ｐＰｍ）：０．６
８ （ｓ） 、 １．１２ （ｒ） 、 ７．６８ （
、？）合成例２ 攪拌器、冷却器、滴下ロートを付した２０〇−の三つロ
フラスコに、窒素気流下でナトリウム１．２２のトルエ
ン約５０−のデスバージョン溶液ニ合成例１で得たＰ−
ビス（クロロエチルメチルシリル）ベンゼン５，８ｆの
トルエン溶液３０−をゆっくυと滴下し、７０〜８０℃
で約２０時間加熱した。
８ （ｓ） 、 １．１２ （ｒ） 、 ７．６８ （
、？）合成例２ 攪拌器、冷却器、滴下ロートを付した２０〇−の三つロ
フラスコに、窒素気流下でナトリウム１．２２のトルエ
ン約５０−のデスバージョン溶液ニ合成例１で得たＰ−
ビス（クロロエチルメチルシリル）ベンゼン５，８ｆの
トルエン溶液３０−をゆっくυと滴下し、７０〜８０℃
で約２０時間加熱した。
加熱後、得られたポリマーをベンゼン−エタノール（１
：１ｂｙυＯ１，）溶液で再沈し、約６５％の収率で、 罎−ｓｉ （ＣＨｓ ） （ＣｔＨｓ ） Ｓｉ （ｃ
Ｈｓ ） （ＣｔＨｓ ） 九なる組成のポリマーの白
色粉末（融点＝１８６〜．１２ 。
：１ｂｙυＯ１，）溶液で再沈し、約６５％の収率で、 罎−ｓｉ （ＣＨｓ ） （ＣｔＨｓ ） Ｓｉ （ｃ
Ｈｓ ） （ＣｔＨｓ ） 九なる組成のポリマーの白
色粉末（融点＝１８６〜．１２ 。
１８９℃）を得た。
ＮＭＲスペクト、＋１７ （Ｃ６Ｄ６）δ（ｐｐｍ）
：０．３４ （ＪＰ） 、 ０．９４ （ｈｒｅｒａｃ
ｌ、？） 、 ７．２８ （ｓ）実施例１ 合成例２で得たポリマー。
：０．３４ （ＪＰ） 、 ０．９４ （ｈｒｅｒａｃ
ｌ、？） 、 ７．２８ （ｓ）実施例１ 合成例２で得たポリマー。
→−３ｉ（ＣＨｓ’） （Ｃ２ＨＩ＋）−５ｉ （ｃＨ
ｓ）（ｃ２ＨＩ＋）＋ｒＬをトルエンに溶解させ、１０
重量％溶液とし、１０００τｐｍでスピンコーティング
してシリコンウェハ上に０．５μｍ厚のポリマー塗膜を
形成した。
ｓ）（ｃ２ＨＩ＋）＋ｒＬをトルエンに溶解させ、１０
重量％溶液とし、１０００τｐｍでスピンコーティング
してシリコンウェハ上に０．５μｍ厚のポリマー塗膜を
形成した。
次いで、９０℃、３０分でプリベークし、これに石英マ
スクを通して５００Ｆキセノン−水銀ランプ（照射強度
：２５４ｙｃｍにおいて、１２ ｍｌＰ’／ｃｌｌ ）
を照射した。照射後、トルエン−イソプロピルアルコ−
ｋ （１： ５ ｂｙ ｖｏｌ、 ）混合溶媒に１分間
浸漬し現像したのち、イソプロピルアルコールで１】ン
スすることにより照射部分を可溶化させた。その結果、
約３０秒間の照射で、ポジティブなレジストパターンが
得られた。
スクを通して５００Ｆキセノン−水銀ランプ（照射強度
：２５４ｙｃｍにおいて、１２ ｍｌＰ’／ｃｌｌ ）
を照射した。照射後、トルエン−イソプロピルアルコ−
ｋ （１： ５ ｂｙ ｖｏｌ、 ）混合溶媒に１分間
浸漬し現像したのち、イソプロピルアルコールで１】ン
スすることにより照射部分を可溶化させた。その結果、
約３０秒間の照射で、ポジティブなレジストパターンが
得られた。
このようにしてパターン形成したレジスト膜の酸素プラ
ズマに対する耐性を図の１に示すが酸素プラズマ中に放
置しても全（膜べりが認められず、極めて高いドライエ
ツチング耐性を有することが確認された。図の２には参
考までに耐ドライエツチング性の優れた材料の一つであ
るポリイミド樹脂の酸素プラズマ耐性を示したが、その
膜減少速度は２００Ａ／ｍｉｎであった。また、本発明
のレジストは解像性にもすぐれており、密着露光により
１μｍのラインが解像できた。
ズマに対する耐性を図の１に示すが酸素プラズマ中に放
置しても全（膜べりが認められず、極めて高いドライエ
ツチング耐性を有することが確認された。図の２には参
考までに耐ドライエツチング性の優れた材料の一つであ
るポリイミド樹脂の酸素プラズマ耐性を示したが、その
膜減少速度は２００Ａ／ｍｉｎであった。また、本発明
のレジストは解像性にもすぐれており、密着露光により
１μｍのラインが解像できた。
実施例２
実施例１と同様にして、合成例２で得たポリマーの０．
５μｍ厚塗膜をシリコンウェハ上に形成した。次いで、
真空下で加速電圧２０ ＫＶの電子線を照射し、照射後
、トルエンに１分間浸漬し現像し、つづいてイソプロピ
ルアルコールでリンスした所、Ｉ Ｘ １０−”Ｃ／
ａＪの照射量で、ネガティブがレジストパターンが得ら
れた。
５μｍ厚塗膜をシリコンウェハ上に形成した。次いで、
真空下で加速電圧２０ ＫＶの電子線を照射し、照射後
、トルエンに１分間浸漬し現像し、つづいてイソプロピ
ルアルコールでリンスした所、Ｉ Ｘ １０−”Ｃ／
ａＪの照射量で、ネガティブがレジストパターンが得ら
れた。
このようにしてパターン形成したレジスト膜の酸素プラ
ズマに対する耐性を調べた所、実施例１の結果と同様に
、全く膜べりが認められず極めて高いドライエツチング
耐性を有することが確認された。また、解像性にもすぐ
れており電子線照射により１μｍのラインが解像できた
。
ズマに対する耐性を調べた所、実施例１の結果と同様に
、全く膜べりが認められず極めて高いドライエツチング
耐性を有することが確認された。また、解像性にもすぐ
れており電子線照射により１μｍのラインが解像できた
。
以上の説明に明らかなように、本発明による光および放
射線感応性有機高分子材料をレジスト材料として使用す
れば、とくに、ドライエツチングに対する耐性に優れた
レジストとして用いることができる。その結果、極めて
精度の高い微細パターンを形成することができ、超微細
化半導体等の製造に実用できるものである。以上、述べ
たように、本発明による光および放射線感応性高分子材
料は極めて効用の犬々るものである。
射線感応性有機高分子材料をレジスト材料として使用す
れば、とくに、ドライエツチングに対する耐性に優れた
レジストとして用いることができる。その結果、極めて
精度の高い微細パターンを形成することができ、超微細
化半導体等の製造に実用できるものである。以上、述べ
たように、本発明による光および放射線感応性高分子材
料は極めて効用の犬々るものである。
図はレジスト膜の酸素プラズマ耐性を示したものであり
、酸素プラズマエツチング時間圧対して、レジスト膜の
減少量をプロットしたものである。 代理人弁理士 高 橋 明 夫
、酸素プラズマエツチング時間圧対して、レジスト膜の
減少量をプロットしたものである。 代理人弁理士 高 橋 明 夫
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （但し、一般式（１）中、Ｒ１は２価の有機基、Ｒ，、
Ｒ３，Ｒ４およびＲ３がメチル基、エチル基プロピル基
あるいはフェニル基のいずれかを表わし、ルは１〜５ま
での整数を表わす）で表わされる繰り返し単位からなる
ことを特徴とする光および放射線感応性有機高分子材料
。 ２、一般式（１１０Ｒ１とＲ４がメチル基であり、Ｒ８
とＲ３がエチル基である繰り返し単位からなることを特
徴とする特許請求の範囲第一項記載の光および放射線感
応性有機高分子材料。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11833283A JPS6012545A (ja) | 1983-07-01 | 1983-07-01 | 光及び放射線感応性有機高分子材料 |
| DE8484107029T DE3470103D1 (en) | 1983-06-24 | 1984-06-19 | Photo and radiation-sensitive organopolymeric material |
| EP84107029A EP0129834B1 (en) | 1983-06-24 | 1984-06-19 | Photo and radiation-sensitive organopolymeric material |
| US06/623,168 US4544729A (en) | 1983-06-24 | 1984-06-22 | Photo and radiation-sensitive organopolymeric material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11833283A JPS6012545A (ja) | 1983-07-01 | 1983-07-01 | 光及び放射線感応性有機高分子材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6012545A true JPS6012545A (ja) | 1985-01-22 |
Family
ID=14734037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11833283A Pending JPS6012545A (ja) | 1983-06-24 | 1983-07-01 | 光及び放射線感応性有機高分子材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6012545A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6315487U (ja) * | 1986-07-15 | 1988-02-01 |
-
1983
- 1983-07-01 JP JP11833283A patent/JPS6012545A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6315487U (ja) * | 1986-07-15 | 1988-02-01 |
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