JPS6050340B2 - 半導体素子 - Google Patents
半導体素子Info
- Publication number
- JPS6050340B2 JPS6050340B2 JP55023081A JP2308180A JPS6050340B2 JP S6050340 B2 JPS6050340 B2 JP S6050340B2 JP 55023081 A JP55023081 A JP 55023081A JP 2308180 A JP2308180 A JP 2308180A JP S6050340 B2 JPS6050340 B2 JP S6050340B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cylindrical
- electrode
- electrode bodies
- section
- glass tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/10—Containers or parts thereof
- H10W76/12—Containers or parts thereof characterised by their shape
- H10W76/13—Containers comprising a conductive base serving as an interconnection
- H10W76/138—Containers comprising a conductive base serving as an interconnection having another interconnection being formed by a cover plate parallel to the conductive base, e.g. sandwich type
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Joining Of Glass To Other Materials (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、リード線を介することなく印刷回路のよう
な基板上の回路導体に容器外面の導電部を直接ろう付し
て用いる半導体素子に関する。
な基板上の回路導体に容器外面の導電部を直接ろう付し
て用いる半導体素子に関する。
電子回路を構成するため、絶縁基板上の印刷回路に回
路部品を接続することは広く行われている。半導体素子
をそのように接続するには、従来は、素子のリード線を
基板の穴に挿入し、基板上の回路導体とろう付していた
。しかし実装技術、特に自動実装技術の進歩に伴ない、
リード線を介することなく回路導体に直接ろう付できる
いわゆるリードレス型の半導体素子の開発が望まれるに
至つた。 第１図は、この要求にこたえるため本発明者
等が考案したリードレス型ダイオードの一構造例である
。
路部品を接続することは広く行われている。半導体素子
をそのように接続するには、従来は、素子のリード線を
基板の穴に挿入し、基板上の回路導体とろう付していた
。しかし実装技術、特に自動実装技術の進歩に伴ない、
リード線を介することなく回路導体に直接ろう付できる
いわゆるリードレス型の半導体素子の開発が望まれるに
至つた。 第１図は、この要求にこたえるため本発明者
等が考案したリードレス型ダイオードの一構造例である
。
このダイオードは半導体素体１と、その両Ｊ面にそれぞ
れ接触する２個の電極体２と、両電極体２間にまたがる
ガラス管体３とを備え、両電極体２は各々断面の大きい
円柱部２１と断面の小さい凸部２２（この楊合は円柱状
）とを同軸的に一体に結合してなつていて凸部の端面２
３において半導体素体１の各面に接触し、ガラス管体３
は両電極体２の断面大の円柱部２１の内側端面２４およ
び凸部の外周面２５に密着して素体１を気密封止する構
造となつている。このダイオードは、円柱部２１で直接
回路導体と接続でき、さらに構造、組立てが著しく簡易
であるという特徴を持つ。ただ、この場合、ガラス管体
の融着にあたり、次のような問題を生ずることが解つた
。即ちこの構造の半導体素子を封止するには、半導体素
体１、両電極体２およびガラス管体３を組合せて第２図
に示す組立治具４内に入れ両電極体２を押し合わせる力
を加えながら加熱してガラス管体３を電極体２の凸部２
２の外周面２５に融着させる。このとき、両電極体２の
凸部端面２３と半導体素体１の、両面の電極とを確実に
接触させるために大きなりを加えると、両電極体２の断
面大の円柱部の内側端面２４がガラス管体３の端面に強
い力で押しつけられる状態になることがある。
れ接触する２個の電極体２と、両電極体２間にまたがる
ガラス管体３とを備え、両電極体２は各々断面の大きい
円柱部２１と断面の小さい凸部２２（この楊合は円柱状
）とを同軸的に一体に結合してなつていて凸部の端面２
３において半導体素体１の各面に接触し、ガラス管体３
は両電極体２の断面大の円柱部２１の内側端面２４およ
び凸部の外周面２５に密着して素体１を気密封止する構
造となつている。このダイオードは、円柱部２１で直接
回路導体と接続でき、さらに構造、組立てが著しく簡易
であるという特徴を持つ。ただ、この場合、ガラス管体
の融着にあたり、次のような問題を生ずることが解つた
。即ちこの構造の半導体素子を封止するには、半導体素
体１、両電極体２およびガラス管体３を組合せて第２図
に示す組立治具４内に入れ両電極体２を押し合わせる力
を加えながら加熱してガラス管体３を電極体２の凸部２
２の外周面２５に融着させる。このとき、両電極体２の
凸部端面２３と半導体素体１の、両面の電極とを確実に
接触させるために大きなりを加えると、両電極体２の断
面大の円柱部の内側端面２４がガラス管体３の端面に強
い力で押しつけられる状態になることがある。
そのような圧力により、第２図のＡ部に示すようにガラ
ス管体３のガラスが外側にはみ出して素子の仕上り形状
を損ねたり、組立治具４にガラスが付着して作業性を低
下させたりする。本発明はこのような不都合のない、封
止後の外形寸法の精度の良好なリードレス型の半導体素
子を提供することを目的とする。
ス管体３のガラスが外側にはみ出して素子の仕上り形状
を損ねたり、組立治具４にガラスが付着して作業性を低
下させたりする。本発明はこのような不都合のない、封
止後の外形寸法の精度の良好なリードレス型の半導体素
子を提供することを目的とする。
この目的は、両電極体の少くとも一方が、その円柱部の
内側端面および凸部の外周面に接する仮．想円筒面との
間に空隙を生ずるような状であることによつて達成され
る。
内側端面および凸部の外周面に接する仮．想円筒面との
間に空隙を生ずるような状であることによつて達成され
る。
以下図面を引用して本発明の実施例について説明する。
第３図ａは本発明にもとづく電極体２の一例で、凸部２
２の根元にくびれ２６を有し、鎖こ線で示す仮想円筒面
５との間に空隙６を生じている。第４図に示す組立治具
４の空洞７の下底８に一方の電極体２ａを置き、その凸
部２２ａに第３図ｂに示すガラス管体３を嵌め、電極体
２ａの凸部端面２３ａに半導体素体１を載せ、最後にも
うクーつの電極体２ｂの凸部２２ｂをガラス管体３の穴
の中に円柱部２１ｂの内側端面２４ｂがガラス管体３の
端面に接するまで挿入する。次いてこの組立治具を不活
性ガスふん囲気中で加熱してガラス管体３を融解させる
と、電極体２ｂは自重で凸部端面２３ｂが半導体素体１
の上部電極に接触するまで沈下する。この際溶融ガラス
の一部はＢ部に示したように凸部２２ａおよび２２ｂの
根元のくびれ２６ａ，２６ｂ内を埋めるので、ガラス管
体３は外径側にふくらむことがなく、組立封止の終つた
リードレス型ダイオードの外形に異常を生ずることがな
い。この場合、各部品に寸法のばらつきがあつて、くび
れ２６が完全にガラスで溝た）されなかつたとしても格
別に支障は生じない。第５ａ図は電極体２の異なる実施
例で、円柱部２１の内側端面２４に溝２７を設け、仮想
円筒面５との間に空隙６を生じさせている。この電極体
２を第５図ｂのガラス管体３に嵌め、第４図と同・様の
方法で封止すれば、第５図ｃに示すように過剰のガラス
は溝２７を埋め、外径側にはみ出ることがない。第６図
ａは電極体の別の実施例で、この場合には電極体２の円
柱部２１の内側端面２４を傾斜面としている。それ故、
仮想円筒面５の端゛面との間には空隙６が生する。この
電極体２と第６図ｂに示すガラス管体３を用いて第４図
と同様の方法で封止すれば、ガラス管体３は電極体２に
押されて第６図ｃのように電極体２の円柱部２１の内側
端面２４に密着し、外径側にははみ出ることがない。第
７図ａ１第８図ａはそれぞれ本発明による電極体の別の
実施例で、この場合には凸部２２が円錐体状を呈してい
る。従つ仮想円筒面５と凸部２２の外周面２５との間に
空隙６を生ずる形状てある。これらの電極体２とそれぞ
れ第７図ｂ、第８図ｂに示すガラス管体３を用いて第４
図と同様の方法で封止すれば、第７図Ｃ１第８図Ｃに示
すように過剰のガラスは電極体２の凸部２２の外周面２
５に密着し、外径側には異常が生じない。これらのいず
れの電極体においても、電極体と仮想円筒面との間の空
隙が完全に満たされないことがあつても、半導体素子と
しての実用性には何等問題を生じない。上の各例におい
ては、半導体素体の両側に同一の形状の電極体を用いて
いるが、ガラス融着時に下側になる電極体には第１図に
示すような径大の円柱部と径小の円柱部から成る電極体
を用い、上側になる電極体にのみ本発明に基いて形状を
変えた電極体を用いてもよい。
２の根元にくびれ２６を有し、鎖こ線で示す仮想円筒面
５との間に空隙６を生じている。第４図に示す組立治具
４の空洞７の下底８に一方の電極体２ａを置き、その凸
部２２ａに第３図ｂに示すガラス管体３を嵌め、電極体
２ａの凸部端面２３ａに半導体素体１を載せ、最後にも
うクーつの電極体２ｂの凸部２２ｂをガラス管体３の穴
の中に円柱部２１ｂの内側端面２４ｂがガラス管体３の
端面に接するまで挿入する。次いてこの組立治具を不活
性ガスふん囲気中で加熱してガラス管体３を融解させる
と、電極体２ｂは自重で凸部端面２３ｂが半導体素体１
の上部電極に接触するまで沈下する。この際溶融ガラス
の一部はＢ部に示したように凸部２２ａおよび２２ｂの
根元のくびれ２６ａ，２６ｂ内を埋めるので、ガラス管
体３は外径側にふくらむことがなく、組立封止の終つた
リードレス型ダイオードの外形に異常を生ずることがな
い。この場合、各部品に寸法のばらつきがあつて、くび
れ２６が完全にガラスで溝た）されなかつたとしても格
別に支障は生じない。第５ａ図は電極体２の異なる実施
例で、円柱部２１の内側端面２４に溝２７を設け、仮想
円筒面５との間に空隙６を生じさせている。この電極体
２を第５図ｂのガラス管体３に嵌め、第４図と同・様の
方法で封止すれば、第５図ｃに示すように過剰のガラス
は溝２７を埋め、外径側にはみ出ることがない。第６図
ａは電極体の別の実施例で、この場合には電極体２の円
柱部２１の内側端面２４を傾斜面としている。それ故、
仮想円筒面５の端゛面との間には空隙６が生する。この
電極体２と第６図ｂに示すガラス管体３を用いて第４図
と同様の方法で封止すれば、ガラス管体３は電極体２に
押されて第６図ｃのように電極体２の円柱部２１の内側
端面２４に密着し、外径側にははみ出ることがない。第
７図ａ１第８図ａはそれぞれ本発明による電極体の別の
実施例で、この場合には凸部２２が円錐体状を呈してい
る。従つ仮想円筒面５と凸部２２の外周面２５との間に
空隙６を生ずる形状てある。これらの電極体２とそれぞ
れ第７図ｂ、第８図ｂに示すガラス管体３を用いて第４
図と同様の方法で封止すれば、第７図Ｃ１第８図Ｃに示
すように過剰のガラスは電極体２の凸部２２の外周面２
５に密着し、外径側には異常が生じない。これらのいず
れの電極体においても、電極体と仮想円筒面との間の空
隙が完全に満たされないことがあつても、半導体素子と
しての実用性には何等問題を生じない。上の各例におい
ては、半導体素体の両側に同一の形状の電極体を用いて
いるが、ガラス融着時に下側になる電極体には第１図に
示すような径大の円柱部と径小の円柱部から成る電極体
を用い、上側になる電極体にのみ本発明に基いて形状を
変えた電極体を用いてもよい。
また仮想円筒面との間に複数の空隙を備えた電極体を利
用することも可能てある。以上述べたように、本発明に
基づく半導体素子は、過剰なガラスの逃げ部を有する電
極体を用いたもので、融着時にガラス管体が外径側には
み出ることがないという特徴を有する。
用することも可能てある。以上述べたように、本発明に
基づく半導体素子は、過剰なガラスの逃げ部を有する電
極体を用いたもので、融着時にガラス管体が外径側には
み出ることがないという特徴を有する。
この結果、リードレス型の半導体素子の仕上り形状の安
定化、作業性の向上、電極体と半導体素体の電極との完
全な電気的接触ならびに各部品の寸法のばらつきの吸収
など極めて大きな効果を得ることができる。
定化、作業性の向上、電極体と半導体素体の電極との完
全な電気的接触ならびに各部品の寸法のばらつきの吸収
など極めて大きな効果を得ることができる。
第１図はリードレス型ダイオードの従来例の縦断面図、
第２図は第１図のダイオードの組立作業状態を示す側断
面図、第３図ａは本発明によるリードレス型ダイオード
の一実施例の電極体の縦断面図、第３図ｂはそのガラス
管体の縦断面図、第４図は第３図Ａ，ｂの部品を使用し
たダイオードの組立作業状態を示す側断面図、第５図な
いし第８図はそれぞれ本発明の異なる実施例を示し、ａ
は電極体、ｂはガラス管体、ｃは仕上りダイオードのそ
れぞれの縦断面図である。 １・・・半導体素体、２・・・・・・電極体、２１・・
・・円柱部、２２・・・・・凸部、２４・・・・・・円
柱部の内側端面、２５・・・・凸部の外周、３・・・・
・・ガラス管体、５・・・仮想円筒面、６・・・・・・
空隙。
第２図は第１図のダイオードの組立作業状態を示す側断
面図、第３図ａは本発明によるリードレス型ダイオード
の一実施例の電極体の縦断面図、第３図ｂはそのガラス
管体の縦断面図、第４図は第３図Ａ，ｂの部品を使用し
たダイオードの組立作業状態を示す側断面図、第５図な
いし第８図はそれぞれ本発明の異なる実施例を示し、ａ
は電極体、ｂはガラス管体、ｃは仕上りダイオードのそ
れぞれの縦断面図である。 １・・・半導体素体、２・・・・・・電極体、２１・・
・・円柱部、２２・・・・・凸部、２４・・・・・・円
柱部の内側端面、２５・・・・凸部の外周、３・・・・
・・ガラス管体、５・・・仮想円筒面、６・・・・・・
空隙。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体素体と、その両面にそれぞれ接触する２個の
電極体と、該両電極体間にまたがるガラス管体とを備え
、前記両電極体は各々断面の大きい円柱部と断面の小さ
い凸部とを同軸的に一体に結合してなつていて凸部の端
面において前記半導体素体の各面に接触し、前記ガラス
管体は前記両電極体の断面大の円柱部の内側端面および
凸部の側面に密着して前記素体を気密封止し、しかも前
記電極体の少くとも一方は、その円柱部の内側端面およ
び凸部の外周面に接する仮想円筒面との間に空隙が生ず
るような形状であることを特徴とする半導体素子。 ２ 特許請求の範囲第１項記載の素子において、電極体
の少くとも一方が凸部の側面にくびれを有することを特
徴とする半導体素子。 ３ 特許請求の範囲第１項記載の素子において、電極体
の少くとも一方が断面大の円柱部の内側端面に溝を有す
ることを特徴とする半導体素子。 ４ 特許請求の範囲第１項記載の素子において、電極体
の少くとも一方の断面大の円柱部の内側端面が傾斜面で
あることを特徴とする半導体素子。 ５ 特許請求の範囲第１項記載の素子において、電極体
の少くとも一方の凸部外周面が円錐面であることを特徴
とする半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55023081A JPS6050340B2 (ja) | 1980-02-26 | 1980-02-26 | 半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55023081A JPS6050340B2 (ja) | 1980-02-26 | 1980-02-26 | 半導体素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56120150A JPS56120150A (en) | 1981-09-21 |
| JPS6050340B2 true JPS6050340B2 (ja) | 1985-11-08 |
Family
ID=12100460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55023081A Expired JPS6050340B2 (ja) | 1980-02-26 | 1980-02-26 | 半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6050340B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6010760A (ja) * | 1983-06-30 | 1985-01-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイオ−ド電極部品 |
| JPS61125160A (ja) * | 1984-11-22 | 1986-06-12 | Toshiba Corp | リ−ドレス形ガラス封止ダイオ−ド |
| JPS62128646U (ja) * | 1986-02-06 | 1987-08-14 |
-
1980
- 1980-02-26 JP JP55023081A patent/JPS6050340B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56120150A (en) | 1981-09-21 |
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