JPS6059358A - 光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線、可視光
線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感
受性のある光導電部材に関する。

固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（Ｉｐ）
　／暗電流（Ｉｄ）　］が高く、照射する電磁波のスペ
クトル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有す
ること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること
、使用時において人体に対して無公害であること、更に
は固体撮像装置においては、残像を所定時間内に容易に
処理することができること等の特性が要求される。殊に
、事務機としてオフィスで使用される電子写真装置内に
組込まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記の使
用時における無公害性は重要な点でおる。

この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン（以後＆−８１と表記す）があシ
、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同第２８
５５７１８号公報には電子写真用像形成部材としての応
用、独国公開第２９５５４１１号公報には光電変換読取
装置への応用が記載されている。

しかしながら、従来のａ−８１で構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の
電気的、光学的、光導電的特性、及び耐湿性等の使用環
境特性の点、更には経時的安定性の点において、総合的
な特性向上を図る必要があるという更に改良される可き
点が存するのが実情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に図ろうとすると、従来にお
いては、その使用時において残留電位が残る場合が度々
観測され、この種の光導電部材は長時間繰返し使用し続
けると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残像が
生ずる所謂ゴースト現象を発する様になったり、或いは
、高速で繰返し使用すると応答性が次オに低下する等の
不都合な点が生ずる場合が少なくなかった。

更には、ａ　８１は可視光領域の短波長側に較べて、長
波長側の波長領域よりも長い波長領域の吸収係数が比較
的小さく、現在実用化されている半導体レーザとのマツ
チングに於いて、また、通常使用されているハロゲンラ
ンプや螢光灯を光源とする場合、長波長側の光を有効に
使用し得ていないという点に於いて、夫々改良される余
地が残っている。

又、別には、照射される光が光導電層中に於いて、充分
吸収されずに、支持体に到達する光の量が多くなると、
支持体自体が光導電層を透過して来る光に対する反射率
が高い場合には、光導電層内に於いて多重反射による干
渉が起って、画像の「ボケ」が生ずる一要因となる。

この影響は、解像度を上げる為に、照射スボツ）ｋ小さ
くする程大きくなシ、殊に半導体レーザを光源とする場
合には大きな問題となっているう 更に、ａ−８１材料で光導電層を構成する場合には、そ
の電気的、光導電的特性の改良を図るために、水素原子
或いは弗素原子や塩素原子等のハロゲン原子、及び電気
伝導型の制御のために硼素原子や燐原子等が、或いはそ
の他の特性改良のために他の原子が、各々構成原子とし
て光導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の含有
の仕方如伺によっては、形成した層の電気的或いは光導
電的特性に問題が生ずる場合がある。

即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でないこ
と、或いは暗部において、支持体側よシの電荷の注入の
阻止が充分でないこと等が生ずる場合が少なくない。

更には、層厚が十数μ以上になると層形成用の真空堆積
室より取シ出した後、空気中での放置時間の経過と共に
、支持体表面からの層の浮きや剥離、或いは層に亀裂が
生ずる等の現象を引起し勝ちであった。この現象は、殊
に支持体が通常、電子写真分野に於いて使用されている
ドラム状支持体の場合に多く起る等、経時的安定性の点
に於いて解決される可き点がある。

従ってａ−８ｉ材料そのものの特性改良が図られる一方
で光導電部材を設計する際に、上記した様な問題の総て
が解決される様に工夫される必要がある。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−８１に
就て電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読取装置等
に使用される光導電部材としての適用性とその応用性と
いう観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シリ
コン原子（Ｓｔ）とゲルマニウム原子（Ｇｅ　）とを母
体とし、水素原子（■（）又はハロゲン原子（Ｘ）のい
ずれか一方を少なくとも含有するアモルファス材料、Ｍ
　ｍＮ　水嵩化アモルファスシリコンゲルマニウム、ハ
四ゲン化アモルファスシリコンゲルマニウム、或イハハ
ロゲン含有水素化アモルファスシリコンゲルマニウム〔
以後これ等の総称的表記としてｆ’　ａ−８ｉＧｅ（Ｈ
，Ｘ月　を使用する〕から構成される光導電性を示す非
晶質層を有する光導電部拐の構成を以後に説明される様
に特定化して設訂され作成された光導電部材は実用上著
しく優れた特性を示すばかシでなく、従来の光導電部利
と較べてみてもあらゆる点において凌駕していること、
殊に電子写真用の光導電部材として著しく優れた特性を
有していること及び長波長側に於ける吸収スペクトル特
性に優れていることを見出した点に基づいている。

本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時安定して
いて、殆んど使用環境に制限を受けない全環境型であシ
、長波長側の光感度特性に優れると共に耐光疲労に著し
く長け、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず、残留
電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を提供す
ることを主たる目的とする。

本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感度が高く
、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光応答
の速い光導電部材を提供することである。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であシ、層品質の高い光導電
部材を提供する。ことである。

本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材として適
用させた場合、通常の電子写真法が極めて有効に適用さ
れ得る程度に、静電像形成の為の帯電処理の際の電荷保
持能が充分あシ、且つ多湿雰囲気中でもその特性の低下
が殆んど観測されない優れた電子写真特性を有する光導
電部材全提供することである。

本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフトーンが
鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る事が容
易に出来る電子写真用の光導電部材を提供することであ
る。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、高ＳＮ比
特性及び支持体との間に良好な電気的接触性をイコする
光導電部材を提供することである。

本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体と、シリ
コン原子とゲルマニウム原子とを含む非晶ｌｉ拐料で構
成された、光導電性を示すオーの層と、シリコン原子と
炭素原子とを含む非晶賀相料で構成されたオニの層とで
構成された光受容層を有し、該オーの層中に於けるゲル
マニウム原子の分布状態が層厚方向に不均一であって、
該２・−の層中には窒素原子が含有されている事を特徴
とする。

上記した様な層構成を取る様にして設計された本発明の
光導電部材は、前記した諸問題の総てを）Ｉｌで決し得
、極めて優れた電気的、光学的、光導電的特性、箪気的
耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用像形成部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ノ・−７１・−ンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、
高品質の画像を安定して繰返し得ることができる。

又、本発明の光導電部材は支持体上に形成されるオーの
層が、層自体が強靭であって、且つ支持体との密着性に
著しく優れておシ、高速で長時間連続的に繰返し使用す
ることができる。

更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且
つ光応答が速い。

以下、図面に従って、本発明の光導電部材に就て詳細に
説明する。

第１図は、本発明の牙１の実施態様例の光導電部材の層
構成を説明するために模式的に示した模式的構成図であ
る。

第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材用として
の支持体１０１の上に、ａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）　から
成シ、窒素原子を含有し、光導電性を有するオーの層（
Ｉ）　１０２と、オニの層（ＩＤ１０６とを具備し、オ
ニの層Ｇ［）１０３は自由表面を有している。オーの層
（１）　１０２中に含有されるゲルマニウム原子は、該
オーの層中１０２の層厚方向には連続的であって且つ前
記支持体１０１の設けられである側とは反対の側（オー
ツ／（ｉｌ（１）　１０２　ノオニノ／ｉ（［）　１０
３　ｆｌｕ　）　ノ：Ｈ１ｊして、前記支持体側（オー
の層（１）　１０２の支持体１０１側）の方に多く分布
した状態となる様に前記オーの層（１）　１０２中に含
有される。

本発明の光導電部材においては、オーの層（１）中に含
有されるゲルマニウム原子の分布状態は、層厚方向にお
いては、前記の様な分布状態を取り、支持体の表面と平
行な面内方向には均一な分布状態とされるのが望ましい
ものである。

第２図乃至第１０図には、本発明における光導電部材の
オー０層（Ｉ）中に含有されるゲルマニウム原子の層厚
方向の分布状態の典型的例が示される。

第２図乃至第１０図において、横軸はゲルマニウム原子
の分布濃度Ｃを示し、縦軸は光導電性を示すオーの層（
１）の層厚を示し、ｔＢは支持体側のオー０層（１）の
表面の位置を、ｔＴは支持体側とは反対側のオーの層（
Ｉ）の界面の位置を示す。

即ち、ゲルマニウム原子の含有されるオーの層（１）は
ｔＢ側よｐｔＴ側に向って層形成がなされる。

第２図には、オーの層（１）中に含有されるゲルマニウ
ム原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される
。

オーの層（１）の表面とが接する界面位置ｔＢよりｔ。

の位置までは、ゲルマニウム原子の分布濃度ＣがＣ１な
る一定の値を取υながら、ゲルマニウム原子が形成され
るオーの層（Ｉ）に含有され、位置ｔ１よシは界面位置
〜に至るまで分布濃度Ｃ２よυ徐々に連続的に減少され
ている。界面位置ｔＴにおいてはゲルマニウム原子の分
布濃度ＣはＣ３とされる。

第６図に示される例においては、含有されるゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃは位置ｔ、より位置叫に至るまで濃
度Ｃ４から徐々に連続的に減少して位置ｔＴにおいて濃
度Ｃ５となる様な分布状態を形成している。

第４図の場合には、位置ｔＢよ多位置１２１ではゲルマ
ニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６と一定値とされ、位
ｔｔ２と位置ｔＴとの間において、徐々に連続的に減少
され、位置ｔＴにおいて、分布濃度Ｃは実質的に零とさ
れている（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場合
である）。

第５図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは位
置−よ多位置ｔＴに至るまで、濃度Ｃ８より連続的に徐
りに減少され、位置りにおいて実質的に零とされている
。

第６図に示す例においては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位置ｔＢと位置−間においては、濃度Ｃ０と一
定値であシ、位置ｔ、においては濃度Ｃ１０とされる。

位置ｔ、と位置ｔ、との間では、分布濃度Ｃは一次関数
的に位置ｔ３よ多位置ｔ、に至るまで減少されている。

オフ図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔＢ
よ多位置ｔ４までは濃度Ｃ１１の一定値を取シ、位置ｔ
４よ多位置ｔＴまでは濃度０１２　よシ濃度Ｃ１Ｂまで
一次関数的に減少する分布状態とされている。

第８図に示す例においては、位置ｔＢよ多位置ｔ＋ｒに
至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ１４
よシ実質的に零に至る様に一次関数的に減少している。

第９図においては、位Ｈｔ、より位置ｔ５に至るまでは
ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ１５よシ濃度
Ｃ１，ｔで一次関数的に減少され、位置ｔ！ｉと位置ｔ
Ｔとの間においては、濃度ＣＩ６の一定値とされた例が
示されている。

第１０図に示される例においては、ゲルマニウム原子の
分布濃度Ｃは位置−において濃度Ｃ１□であり、位置ｔ
６に至るまではこの濃度Ｃ１□　より初めはゆつくシと
減少され、ｔｌｌの位置付近においては、急激に減少さ
れて位置ｔ６では濃度Ｃｌ１ｌとされる。

位置ｔ、と位置ｔ７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩かに徐々に減少されて位置ｔ７で
濃度Ｃ１９となシ、位置ｔ７と位置−との間では、極め
てゆつくｐと徐々に減少されて位置ｔ、において、濃度
Ｃ２ｏに至る。位置ｔ８と位置ｔ、の間においては、濃
度Ｃ２ｏ　よシ実質的に零になる様に図に示す如き形状
の曲線に従って減少されている。

以上、第２図乃至第１０図によシ、オーの層（１）中に
含有されるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態の典
型例の幾つかを説明した様に、不発ＩＮにおいては、支
持体側において、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃの高い
部分を有し、界面ｔＴ側においては、前記分布濃度Ｃは
支持体側に較べて可成り低くされた部分を有するゲルマ
ニウム原子の分布状態がオーの層（１）に設りられてい
る。

本発明に於ける光導電部材を構成するオーの層（１）は
好ましくは上記した様に支持体側の方にゲルマニウム原
子が比較的高濃度で含有されている局在領域（Ａ）を有
するのが望ましい。

本発明に於いては局在領域（Ａ）は、第２図乃至第１０
図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置１Ｂよシ５
μ以内に設けられるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域（Ａ）は、界面位置賜
よシ５μ厚までの全層領域（ＬＴ）とされる場合もある
し、又、層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ａ）を層領域（Ｌ、）の一部とするか又は全
部とするかは、形成されるオーの層（１）に要求される
特性に従って適宜法められる。

局在領域（Ａ）は、その中に含有されるゲルマニウム原
子の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム原子の分布
濃度の最大値Ｃｍａｘ　がシリコン原子に対して、好ま
しくは１０００　ａｔｏｒｎｉｃ　ｐｐｍ以上、よシ好
適には５０００　ａｔｏｍｌｃ　ｐｐｍ以上、最適には
１　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｌｃ　ｐｐｒｎ以上とされる
様な分布状態となυ得る様に層形成されるのが望ましい
。

即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の含有され
るオーの層中は、支持体側からの層厚で５μ以内（ｔＩ
ｌから５μ厚の層領域）に分布濃度の最大値Ｃｍ＆工が
存在する様に形成されるのが好ましいものである。

本発明において、オーの層（１）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量は、本発明の目的が効果的に達成さ
れる様に所望に従って適宜法められるが、シリコン原子
との和に対して、好ましくは１〜９．５　Ｘ　１０’　
ａｔｏｍｔｃ　ｐｐｍ　ｓ　ヨｂ好ｔ　しくは１００〜
８ｘ　ｌ　Ｑ’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、最適には５
００〜７　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされる
のが望ましい。

本発明の光導電部材に於いては、オーの層（Ｄ中に於け
るゲルマニウム原子の分布状態は、全層領域にゲルマニ
ウム原子が連続的に分布し、ゲルマニウム原子の層厚方
向の分布濃度Ｃが支持体側よジオ−０層（１）のオニ０
層（ｌＮ）側に向って、減少する変化が与えられている
ので、分布濃度Ｃの変化率曲線を所望に従って任意に設
計することによって、要求される特性を持った牙−の層
（１）を所望通シに実現することが出来る。

例えば、オーの層（Ｉ）中に於けるゲルマニウム低める
様な、分布濃度Ｃの変化を、ゲルマニウム原子の分布濃
度曲線に与えることによって、可視光領域を含む、比較
的短波長から比較的短波長迄の全領域の波長の光に対し
て高光感度化を図ることが出来る。

又、後述される様に、オーの層（Ｉ）の支持体側端部に
於いて、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃを極端に大きく
することＫより、半導体レーザを使用した場合の、オー
の層（Ｉ）のレーザ照射面側に於いて充分吸収し切れな
い長波長側の光をオーの層中の支持体側端部層領域に於
いて、実質的に完全に吸収することが出来、支持体面か
らの反射による干渉を効果的に防止することが出来る。

本発明の光導電部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体とオーの層（１）との間の密着性の
改良を図る目的の為に、オーの層（１）中には、窒素原
子が含有される。オーの層（１）中に含有される窒素原
子は、オーの層（Ｉ）の全層領域に万遍なく含有されて
も良いし、或いは、オーの層（１）の一部の層領域のみ
に含有させて遍在させても良い。

又、窒素原子の分布状態は、分布濃度Ｃ（Ｎ）が、オー
の層（Ｉ）の層厚方向に於いては、均一であってもよい
し、第２図乃至牙１０図を用いて説明したゲルマニウム
原子の分布状態と同様に分布濃度Ｃ（Ｎ）が層厚方向に
は不均一でおっても良い。

つまり、窒素原子の分布濃度Ｃ（Ｎ）が層厚方向に不均
一である場合の窒素原子の分布状態は、第２図乃至第１
０図を用いてゲルマニウム原子の場合と同様に説明され
得る。

本発明に於いて、オーの層（１）ｔｃ設けられる窒素原
子の含有されている層領域（Ｎ）は−光感度と暗抵抗の
向上を主たる目的とする場合には、オーの層中の全層領
域を占める様に設けられ、支持体とオーの層（Ｉ）との
間の密着性の強化を図るのを主たる目的とする場合には
、牙−の層（１）の支持体側端部層領域を占める様に設
けられる。

前者の場合、層領域（Ｎ）中に含有される窒素原子の含
イ１量は、高光感度を維持する為に比較的少なくされ、
後者の場合には、支持体との密着性の強化を確実に図る
為に比較的多くされるのが望ましい。

又、前者と後者の両方を同時に達成する目的の為には、
支持体側に於いて比較的高濃度に分布させ、オーの層（
１）のオニ０層（Ｉｔ）側に於いて比較的低濃度に分布
させるか、或いは、オーの層（１）のオニの層ω）側の
表面層領域には、窒素原子を積極的には含有させない様
な窒素原子の分布状態を層領域（Ｎ）中に形成すれば良
い。

本発明に於いて、オーの層（Ｉ）に設けられる層領域（
Ｎ）に含有される窒素原子の富有量は、層領域（Ｎ）自
体に要求される特性、或いは該層領域（Ｎ）が支持体に
直に接触して設けられる場合には、該支持体との接触界
面に於ける特性との関係等、有機的関連性に於いて、適
宜選択することが出来る。

又、前記層領域（Ｎ）に直に接触して他の層領域が設け
られる場合には、該他の層領域の特性乙該他の層領域と
の接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、窒素原
子の含有量が適宜選択される。

層領域（Ｎ）中にき有される窒素原子の量は、形成式れ
る光導電部材に要求される特性に応じて所璽に従って適
宜法められるが、好ましくは０−００１〜５０　ａｔｏ
ｍｉｃ　％、よｐ好マシくは（Ｊ−００２〜４０　ａｔ
ｏｍｉｃ　％　、最適には０．００３〜３　Ｑ　ａｔｏ
ｍｉｃ％とされるのが望ましい。

本発明に於いて、ｊ−領域（Ｎ）がオーの層（１）の全
域會占めるか、或いは、オーの層ｑ）の全域金占めなく
とも、層領域（Ｎ）の層厚Ｔ。のオーの層（１）の１ｍ
　ＨＴに占める割合が充分多い場合には、層領域（Ｉ（
）に含１ｆはれる窒素原子の含有量の上限は、前記の値
よシ充分少なくされるのが望ましい。

本発明の場合には、層領域（Ｎ）の層厚Ｔ。がオーの層
（１）の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上とな
る様な場合には、層領域（Ｎ）中にぼ有される窒素原子
の量の上限は、好ましくは６０ａ　ｔ　ｏｍｉ　ｃ％以
下、よシ好ましくは２０　ａｔｏｍｉｃ　％以下、最適
には１Ｑ　ａｔｏｍｉｃ％以下とされるのが望ましい。

本発明において、オーの層（１）を構成する窒素原子の
含有される層領域（Ｎ）は、上記した様に支持体側の方
に窒素原子が比較的高濃度で含有されている局在領域（
Ｂ）を有するものとして設けられるのが望ましく、この
場合には、支持体とオーの層（１）との間の密着性をよ
シ一層向上させることが出来る。

上記局在領域（Ｂ）は、第２図乃至第１０図に示す記号
を用いて説明すれば、界面位置ｔＢよシ５μ以内に設け
られるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域（Ｂ）は、界面位置ｔ
、よシ５μ厚までの全層領域（ＬＴ）とされる場合もあ
るし、又、層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もある。

局在領域金層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全部とす
るかは、形成されるオーの府中に要求される特性に従っ
て適宜法められる。

局在領域（Ｂ）はその中に含有される窒素原子の層厚方
向の分布状態として窟素原子の分布濃度の最大値Ｃｍａ
ｘが好ましくは５００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、よ
シ好適には８００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　以上、最適
には１００　ｇ　ａｔｏｍｉｃ　ＰＩ）ｍ以上とされる
様な分布状態となシ得る様に層形成されるのが望ましい
。

即ち、本発明においては、窒素原子の含有される層領域
（Ｎ）は、支持体側からの層厚で５μ以内（−から５μ
厚の層領域）に分布濃度の最大値Ｃｒｎａｘ　が存在す
る様に形成されるのが望ましい。

本発明において、必要に応じてオーの層（１）中に含有
されるハロゲン原子（Ｘ）としては、具体的にはフッ紫
、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を
好適なものとして挙げることが出来る。

本発明において、ａ−８’　Ｇ　ｅ　（Ｈｒ　Ｘ）で構
成されるオーの層中を形成するには例えばグロー放電法
、スパッタリング法、或いはイオングレーティング法等
の放電現象を利用する真空堆積法によって成される。例
えば、グロー放電法によって、ａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）
で構成されるオーの層（１）を形成するには、基本的に
はシリコン原子（Ｓｔ）を供給し得るＳ１供給用の原料
ガスとゲルマニウム原子ＣＧ＠）を供給し得るＧｅ供給
用の原料ガスと、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の
原料ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガ
スを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス圧状態
で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め
所定位置に設置されである、所定の支持体表面上に含有
されるゲルマニウム原子の分布濃度を所望の変化率曲線
に従って制御し乍らａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）からなる層
を形成させれば良い。又、スパッタリング法で形成する
場合には、例えばＡｒ　ｌ　Ｈｅ等の不活性ガス又はこ
れ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でＳｔで
構成されたターゲット、或いは、該ターゲットとＱｅで
構成されたターゲットの二枚を使用して、又は、Ｓｌと
Ｇ＠の混合されたターゲットを使用して、必要に応じて
、Ｈｅ、Ａｒ等の稀釈ガスで稀釈されたＧｅ供給用の原
料ガスを、必要に応じて、水素原子（Ｈ）又は／及びハ
ロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用の堆
積室に導入し、所望のガスのプラズマ雰囲気を形成する
と共に、前記Ｇｅ供給用の原料ガスのガス流量を所望の
変化率曲線に従って制御し乍ら、前記のターゲットをス
パッタリングしてやれば良い。

イオンブレーティング法の場合には、例えば多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又は単結
晶ゲルマニウムとを、夫り蒸発源として蒸着ボートに収
容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いは、エレクトロン
ビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ、飛翔蒸発
物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以外は、
スパッタリング法の場合と同様にする事で行うことが出
来る。

本発明において使用されるＳｔ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、ＳｉＨ，，８１，Ｈ６＋５Ｓ３Ｈ８
ｖＳｔ４Ｈ，。等のガス状態の又はガス化し得る水素化
硅素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げら
れ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｔ供給効率の
良さ等の点で５ｔａ４．ｓｔ□Ｈ６が好ましいものとし
て挙げられる。

Ｇｅ８ＨＩＩ、　Ｇｅ、Ｈ，２０等のガス状態の又はガ
ス化し得る水素化ゲルマニウムが有効に使用されるもの
として挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｇ
ｅ供給効率の良さ等の点で、ＧｅＨ４，Ｇｅ２Ｈ，。

Ｇｅｓ　Ｈ＠が好ましいものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なものとして、多くのハロゲン化合物が挙
げられ、例えばノ・ロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲ
ン間化合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガ
ス状態の又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましいも
のとして挙けられる。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子と全構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る・・ロゲン、原子を
含む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明におい
ては挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ン化物、１３ｒＦ　＊　Ｃｌ３Ｆ　＋　””ｓ　。

ＢｒＦ、、　ＢｒＦ３．　ＩＦ３．ＩＦ７ｒ　ＩＣＬ　
ＩＢｒ　等のハロゲン間化合物を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン肋導体としては、具体的には例えばＳ
ｉＦ４＋　８１２Ｆ６＋　８１０ｇ４．５ＩＢｒ４等の
ハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが出来
る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｌを供給し
得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも
、所望の支持体上にノ・ロゲン原子を含むａ−８ｉＧｅ
から成るオーの層（Ｉ）を形成する事が出来る。

グロー放１１Ｅ法に従って、ノ・ロゲン原子を含むオー
の層（１）を製造する場合、基本的には、例えばＳ１供
給用の原料ガスとなるノ・ロゲン化硅素とＧｅ供給用の
原料ガスとなる水素化ゲルマニウムとＡｒ、　Ｈ２＋　
Ｈｅ　等のガス等を所定の混合比とガス流量になる様に
してオーの層中を形成する堆積室に導入し、グロー放電
を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成するこ
とによって、所望の支持体上にオーの層（１）を形成し
得るものであるが、水素原子の導入割合の制御を一層容
易になる様に図る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は
水素原子を含む硅素化合物のガスも所望量混合して層形
成しても良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

スパッタリング法、イオンブレーティング法の何れの場
合にも形成される層中にハロゲン原子を導入するには、
前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子を含む硅
素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプラズマ
雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｆ２、或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の離接室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＰ、　ＨＣ，ｅ。

ｌｌＢｒ、　Ｉ■Ｉ等の／”ｔ　ｔｆｆゲン化水素、５
ｉＨ２Ｆ、　１ｓｉＨ，Ｉ、　。

５ｉ）Ｉ２（ｕ、　８１）［−６，ＳｉＨ，Ｂｒ２，５
ｉＩ（Ｂｒ９等のハＣＩゲン置換水素化硅素、及びＧｅ
ａｒ、ｒ　ＧｅＨ２Ｆ、　＋Ｇｅｆ（３Ｆ　＋　ＧｅＨ
Ｃ−＃１　＋　ＧｅＨ２Ｏ，ｌ　ＧｅＨｓＣ−１３ＨＧ
ｅ１（Ｂｒ　Ｂ　ＨＧｏａ１２Ｂｒ２．　Ｇｅｍ、Ｂｒ
、　ＧａＨＩ、、　Ｇｅｎ２ｉ、、　ＧｅＨ，Ｉ等の水
素化ハロゲン化ゲルマニウム、等の水素原子ｔｍｍ型要
素１つとするハロゲン化物、ＧｅＦ４゜ＧｅＣ６４＋　
ＧｅＢｒ４．　ＧｅＩ４．　ＧｅＦ２．　ＧｅＣｌ３２
．　ＧｅＢｒ、。

ＧｅＩ、等のハロゲン化ゲルマニウム、等々のガス状態
の或いはガス化し得る物質も有効なオーの層（Ｉ）形成
用の出発物質として挙げる事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、オ
ーの層（Ｉ）形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同
時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素
原子も導入されるので、本発明においては好適なハロゲ
ン導入用の原料として使用される。

水素原子をオーの層中中に構造的に導入するには、上記
の他ＫＨ２、或いはＳＩＨ，、５１２）（、。

Ｓ　１　、Ｈｇ　＋　Ｓ　１４Ｈ１ｏ等の水素化硅素と
、Ｇｅ　ｆ供給ｔ−る為のゲルマニウム又はゲルマニウ
ム化合物と、或いは、ＧｅＨ４ＨＧｅ、Ｈｌｌｌ　Ｇｏ
３Ｈ，ｌ　Ｇｅ４Ｈ１０１Ｇｅ４Ｈ１０＋Ｇｅ、Ｈ１４
，Ｇｅ、Ｈ，６，Ｇｅ５Ｈ□８．　Ｇｅ、Ｆ２Ｏ等の水
素化ゲルマニウムと、Ｓｔを供給する為のシリコン又は
シリコン化合物と、を堆積室中に共存させて放電を生起
させる事も行う事が出来る。

不発８ＪＪの好ましい例において、形成される光導′心
部材のオーの層（１）中に含有される水素原子（１１）
の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲ
ン原子の量の和（Ｈ十Ｘ）は好ましくは０．０１〜４０
　ａｔｃｒｎｉｃ％、よシ好適には０．０５〜３０　ａ
ｔｏｍｉｃ％、最適には０．１〜２５　ａｔｏｍｉｃ％
とされるのが望ましい。

オーの層（Ｉ）中に含有される水素原子（Ｈ）又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支持
体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原子
（Ｘ）　を含有させる為に使用される出発物質の堆積装
置系内へ導入する象、放電々力等を制御してやれば良い
。

本発明の光導電部材に於けるオーの層（１）の層厚は、
オーの層（１）中で発生されるフォトキャリアが効率良
く輸送される様に所望に従って適宜法められ、好ましく
は１〜１００μ、よシ好適には１〜８０μ、最適には２
〜５０μとされるのが望ましい。

本発明に於いて、オーの層（１）に窒素原子の含有され
た層領域（Ｎ）を設けるには、オーの層（１）の形成の
際に窒素原子導入用の出発物質を前記したオーの層（Ｉ
）形成用の出発物質と共に使用して、形成される層中に
その量を制御し乍ら含有してやれは良い。

層領域（Ｎ）を形成するのにグロー放電法を用いる場合
には、前記したオーの層中形成用の出発物質の中から所
望に従って選択されたものに窒素原子導入用の出発物質
が加えられる。その様な窒素原子導入用の出発物質とし
ては、少なくとも窒素原子を構成原子とするガス状の物
質又はガス化し得る物質をガス化したものの中の大概の
ものが使用され得る。

例えばシリコン原子（Ｓｔ　）を構成原子とする原料ガ
スと、窒素原子（Ｎ）を構成原子とする原料ガスと、必
要に応じて水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ
）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合し
て使用するか、又は、シリコン原子（Ｓｌ）を構成原子
とする原料ガスと、窒素原子ＣＮ）及び水素原子（Ｉ（
）を構成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合
比で混合して使用することが出来る。

又、別には、シリコン原子（Ｓｔ）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原料ガスに窒素原子（Ｎ）を構成原子
とする原料ガスを混合して使用しても良い。

層領域（Ｎ）を形成する際に使用される窒素原子（Ｎ）
導入用の原料ガスに成シ得るものとして有効に使用され
る出発物質は、具体的には例えば窒素（Ｎ２）　、アン
モニア（ＮＨｓ）　ｒ　ヒ）”　ラシン（Ｈ２ＮＮＩ（
２）　、アジ化水素（ＨＮ、）、アジ化アンモニウム（
ＮＨ４Ｎ３）等のガス状の又はガス化し得る窒素、窒化
物及びアジ化物等の窒素化合物を挙げることが出来る。

この他に、窒素原子（Ｎ）の導入に加えて、ハロゲン原
子（Ｘ）の導入も行えるという点から、三弗化窒素（Ｆ
、Ｎ）　、四弗化窒素（Ｆ４Ｎ２）等のハ目ゲン化窒素
化合物を挙げることが出来る。

本発明に於いては、層領域（Ｎ）中には窒素原子で得ら
れる効果を更に助長させる為に、窒素原子に加えて、更
に酸素原子を含有することが出来る。酸素原子を層領域
（Ｎ）に導入する為の酸素原子導入用の原料ガスとして
は、例えば酸素（０，）、オゾン（０，）、−酸化窒素
（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ，）　、−二酸化窒素（Ｎ
、０）　、三二酸化窒素（Ｎ２０３）　、四三酸化窒素
（Ｎ２０４）　、三二酸化窒素（Ｎ２０．　）　、三酸
化窒素（ＮＯ３）、シリコン原子（８１）と酸素原子（
０）と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする、例えば、ジ
シロキサン（ＨＩＳｌ（１）ｉＨ８）　。

トリシロキサン（Ｈ，８１０８１Ｈ２０Ｓ　ｉ　Ｈ８）
等の低級シロキサン等を挙げることが出来る。

スパッタリング法によって、窒素原子を含有する層領域
（Ｎ）を形成するには、単結晶又は多結晶のＳ１ウエー
ハー又は８１３Ｎ４ウエーハー、又はＳｌとＳｉ３Ｎ４
が混合されて含有されているつニーバーをターゲットと
して、これ等を種々のガス雰囲気中でスパッタリングす
る仁とによって行えば良い。

例えば、Ｓｌウェーハーをターゲットとして使用すれば
、窒素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン
原子全導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガス
で稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、これ等
のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェーハーを
スパッタリングすれば良い。

又、別には、Ｓｌと８１３Ｎ４とは別々のターゲットと
して、又はＳｉと８１３Ｎ４の混合した一枚のターゲッ
ト全使用することによって、スパッター用のガスとして
の稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（Ｈ）
又は／及びハロゲン原子（Ｘ）　ｋ構成原子として含有
するガス雰囲気中でスパッタリングすることによって成
される。窒素原子導入用の原料ガスとしては、先述した
グロー放電の例で示した原料ガスの中の窒素原子導入用
の原料ガスが、スパッタリングの場合にも有効なガスと
して使用され得る。

本発明に於いて、光受容層の形成の際に、窒素原子の含
有される層領域（Ｎ）　’ｅ設ける場合、該層領域（Ｎ
）に含有される窒素原子の分布濃度Ｃ（Ｎ）を層厚方向
に変化させて、所望の層厚方向の分布状態（ｄｅｐｔｈ
　ｐｒｏｆｉｌｅ　）　ｋ有する層領域（Ｎ）を形成す
るには、グロー放電の場合には、分布濃度Ｃ（Ｎ）を変
化させるべき蟹素原子導入用の出発物質のガスを、その
ガス流量を所望の変化率曲線に従って適宜変化させ乍ら
、堆積室内に導入することによって成される。

例えば、手動或いは外部駆動モータ等の通常用いられて
いる何らかの方法により、ガス流路系の途中に設けられ
た所定のニードルバルブの開口を漸次変化させる操作を
行えば良い。このとき、流量の変化率は線型でおる必要
はなく、例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計さ
れた変化率曲線に従って流量を制御し、所望の含有率曲
線を得ることもできる。

層領域（Ｎ）’ｅスパッタリング法によって形成する場
合、窒素原子の層厚方向の分布濃度Ｃ（Ｎ）を層厚方向
で変化させて、箪素原子の層厚方向の所望の分布状態（
ｄｅｐｔｈ　ｐｒｏｆｉｌｅ　）を形成するには、オー
には、グロー放電法による場合と同様に、窒素原子導入
用の出発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室中へ
導入する際のガス流量を所望に従って適宜変化させるこ
とによって成される。オニには、スパッタリング用のタ
ーゲットとして、例えは８１と８１．Ｎ、との混合され
たターゲットを使用するのであれば、Ｓｌと５ｔ３Ｎ４
との混合比を、ターゲットの層厚方向に於いて、予め変
化させておくことによって成される。

第１図に示される光導電部材１００においてはオーの層
中１０２上に形成されるオニの層（ＩＩ）１０６は自由
表面を有し、主に耐湿性、連続繰返し使用特性、電気的
耐圧性、使用環境特性、耐久性において本発明の目的を
達成する為に設けられる。

又、本発明においては、オーの層中１０２とオニの層ω
）１０３とを構成する非晶質材料の各々がシリコン原子
という共通の構成要素を有しているので、積層界面にお
いて化堂的ガ安窒袢の確保が充分成されている。

本発明におけるオニの層ｑ）は、シリコン原子（８１）
と炭素原子（Ｃ）と、必要に応じて水素原子（Ｈ）又は
／及びハロゲン原子（Ｘ）とを含む非晶質材料（以後、
［ａ　（ＳｉｘＣ１ｘ）ｙ（Ｈ９Ｘ）１−ｙＪ但し、０
＜ＸＳ　７＜１　、と記す）で構成される。

ａ−（８１ＸＣ１−２）ｙ（Ｈ＋Ｘ）ｔ　、で構成され
るオニの層（ト））の形成はグロー放電法、スパッタリ
ング法、イオンプランテーション法、イオンブレーティ
ング法、エレクトロンビーム法等によって成される。こ
れ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の負荷程度、
製造規模、作製される光導電部材に所望される特性等の
要因によって適宜選択されて採用されるが、所望する特
性を有する光導電部材を製造する為の作製条件の制御が
比較的容易である、シリコン原子と共に炭素原子及びハ
ロゲン原子を、作製するオニの層０１）中に導入するの
が容易に行える等の利点からグロー放電法或いはスパッ
ターリング法が好適に採用される。

更に、本発明においては、グロー放電法とスパッターリ
ング法とを同一装置系内で併用してオニの層Ｇｌ）ｔ−
形成しても良い。

グロー放電法によってオニの層叩を形成するには、計（
ｓｉｘｃｌＸ）ｙ（ＨＩＸ）１　ｙ　形成用の原料ガス
を、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比で混合して
、支持体の設置しである真空堆積用の堆積室に導入し、
導入されたガスを、クロー放電ヲ生起させることでガス
プラズマ化して、前記支持体上に既に形成されであるオ
ーの層（１）上にａ（Ｓ　’ｘｃ１ｘ　）ｙ　（ＬＸ）
１　ｙ　を堆積させれは良い。

本発明において、ａ−（ＳＩＸＣｌ−Ｘ）ｙ（ＨｌＸ）
１−ｙ形成用の原料ガスとしては、シリコン原子（Ｓｔ
）、炭素原子（Ｃ）、水素原子（Ｈ）、ハロゲン原子（
Ｘ）の中の少なくとも１つを構成原子とするガス状の物
質又はガス化し得る物質全ガス化したものの中の大概の
ものが使用され得る。

Ｓｔ、Ｃ，ＨＸＸＱ中の１つとしてＳｔを構成原子とす
る原料ガスを使用する場合は、例えばＳｉを構成原子と
する原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガスと、必要
に応じてＨを構成原子とする原料ガス又は／及びＸを構
成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用
するか、又はＳｔを構成原子とする原料ガスと、Ｃ及び
Ｈを構成原子とする原料ガス又は／及びＸｔ−構成原子
とする原料ガスとを、これも又、所望の混合比で混合す
るか、或いはＳｌをオＩｑ成原子とする原料ガスと、Ｓ
ｔ、Ｃ及びＨの６つｔｍ構成原子する原料ガス又は、５
ｉｓＣ及びＸの６つを構成原子とする原料ガスとを混合
して使用することが出来る。

又、別には、ＳｌとＨとを構成原子とする原料ガスにＣ
を構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良いし
、ＳｌとＸ、！：ｔ−構成原子とする原料ガスにＣを構
成原子とする原料ガスを混合して使用しても良い。

本発明において、オニの層（［１）中に含有されるハロ
ゲン原子（Ｘ）として好適なのはＦＸＣ−ｅ。

Ｂｒ％Ｉであシ、殊にＦＳ　Ｃ４が望ましいものである
。

本発明において、オニの層（ＩＤｔ−形成するのにイｊ
効に使用さＪしる原料ガスと成、！ｌｌｌ得るものとし
ては、常温常圧においてガス状態のもの又は容易にガス
化し得る物質を挙げることが出来る。

本発明（でおいて、オニの層徂）形成用の原料ガスとし
て有効に使用されるのは、ＳＩとＨとを構成原子とする
Ｓ　ｉｎ４、Ｓｉ２ニー■６、ｓｉ、ｎ、、ｓ　ｉ　４
Ｈ，ｏ等のシラン（Ｓｉｌａｎｅ）類等の水素化硅素ガ
ス、Ｃ，！：Ｈとを構成１分子とする、例えば炭素数１
〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系炭化水
素、炭素数２〜６のアセチレン系炭化水素、ハロゲン単
体、ハロゲン化水素、ハロゲン間化合物、・・ロゲン化
硅素、ハロゲン置換水素化硅素、水素化硅素等を誉り“
る事が出来る、 具体的には、飽和炭化水素としてはメタン（ＣＩ１４）
、エタン（Ｃ２Ｈ，）、プロパン（ＣｓＨｓ）。

ｎ−ブタｙ　（ｎ　Ｃ４）ｉ、１゜ハペンタン（Ｃ，Ｈ
ｌ、）、エチレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃ，
）ｉ、）。

プロピレン（Ｃ３Ｈ，）　、ブテン−１（０４Ｈ８）、
ブンテン（Ｃ８ＨＩＱ）　＝アセチレン系炭化水素とし
ては、アセチレン（Ｃ，Ｉ（２）、メチルアセチレン（
Ｃ３Ｈ４）、ブチン（Ｃ，ル）、ハロゲン単体としては
、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲンガス、ハロゲ
ン化水素としては、ＦＨ，ＨＩ。

ＨＣ，＃　、　ＨＢ　ｒ　、　ハロゲン間化合物として
は、ＢｒＦ。

ＣＡＦｔ　Ｃｌ３Ｆ、Ｃｌ３Ｆ、ＢｒＦ、？、ＢｒＦ３
．　ＩＦ、。

ＩＦＢ　ＨＩＣ−＃、Ｉ］３ｒ、　ハロゲン化硅素トシ
テケＳｉＦ４，８１２Ｆ、　＋　５ｉｃｋ４＋　５ｉ（
Ｊ、Ｂｒ。

５ｉＣｆｆｌ、Ｂｒ、　ｔ　５ｉＣ−＃Ｂｒ３１５ＩＣ
４３Ｉ　ｒ　ＳｉＢｒ４．　ハロゲン置換水素化硅素と
しては、ＳｉＨ２Ｆ２＋　５ｉＨ２ＣＡ２゜５ｉｌ（Ｃ
ｌ、、　８１Ｈ１Ｃ４５ｉＨ３Ｂｒ、　ＳｉＨ，Ｂｒ２
．８ｔＨＢｒ３゜水素化硅素としては、ＢｔＨ４，５１
２Ｈ１ｌｌ　５ｉ４ＨＩＯ等のシラン（Ｓｉｉａｎｅ）
　類、等々を挙げることが出来る。

これ等の他にＣＦ４．　（Ｘ：Ｉ３４．　ＣＢｒ４．Ｃ
Ｉ−ＩＦ′３＋　ＣＨ２Ｆ２　＋ＣＨ，Ｆ＋　ＣＨＢＣ
−ｅｒ　ＣＨ３Ｂｒ、　ＣＨ３Ｉｔ　Ｃ２Ｈ，ＣＡ　等
のハロゲン置換パラフィン系炭化水素、ＳＦ４’、　Ｓ
Ｆ、等のフッ素化硫黄化合物、８１（ＣＨ３）４．８１
（Ｃ２Ｈ，）４等のケイ化アルキルや５ｉＣＡ（ＣＨ，
）、　、　ＳｉＣ，＃つ（ＣＨ，）　、　。

ｓ　ｔｃｅ３ＣＨ８等のハロゲン合宿ケイ化アルキル等
のシラン誘導体も有効なものとして挙けることが出来る
。

これ等のオニ０層（ＩＩ）形成物質は、形成されるオニ
の層ω）中に、所定の組成比でシリコン原子、炭素原子
及びハロゲン原子と必・−要に応じて水素冴子とが含有
される様に、オニの層（Ｉｆ）の形成の際に所望に従っ
て選択されて使用される。

例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子との含有が
容易に成し得て且つ所望の特性の層が形成され得る８１
（ＣＨｌ）４　と、ハロゲン原子を含有させるものとし
ての５ｔｕｃｓ３．　ｓｔＨ２ｃｇ、　。

５ｉＣＪ、或いは５ＩＨ３ＣＪ　等を所定の混合比にし
てガス状態でオニの層（Ｉｔ）形成用の装置内に導入し
てグロー放電を生起させることによってａ　（Ｓ　’　
ｘ　Ｃ１−ｘ　）　ｙ　（Ｃ，、Ｉ３＋　１’　）　、
ｙ　から成るオニのＪｔｌ　（１１）　’ｅ層形成るこ
とが出来る。

スパッターリング法によってオニの層（Ｉｔ）を形成す
るには、単結晶又は多結晶の８１ウニ−ハーメはＣウェ
ーハー又はＳｌとＣが混合されて含有されているウェー
ハーをターゲットとして、これ等を必要に応じてハロゲ
ン原子又は／及び水素原子を構成要素として含む種々の
ガス雰囲気中でスパッターリングすることによって行え
ば良い。

例えは、８１ウエーハーをターゲットとして使用すれば
、ＣとＨ又は／及びＸを導入する為の原料ガスを、必要
に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパッター用の堆積室中
に導入し、これ等のガスのガスプラズマを形成して前記
Ｓ１ウエーハーをスパッターリングすれば良い。

又、別には、ＳｌとＣとは別々のターゲットとして、又
はＳｌとＣの混合した一枚のターゲットを使用すること
によって、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原
子を含有するガス雰囲気中でスパッターリングすること
によって成される。Ｃ，Ｈ及びＸの導入用の原料ガスと
なる物質としては先述したグロー放電の例で示したオニ
の層叩形成用の物質がスパッターリング法の場合にも有
効な物質として使用され得る。

本発明において、オニの層徂）をグロー放電法又ｎスパ
ックーリング法で形成する際に使用される稀釈ガスとし
ては、所謂、希ガス、例えば、Ｈｅ、　Ｎｅ、　Ａｒ等
が好適なものとして挙げることが出来る。

本発明におけるオニの層叩け、その要求される特性が所
望通夛に与えられる様に注意深く形成きれる。

即ち、Ｓｔ、Ｃ，必要に応じてＨ又は／及びＸを構成原
子とする物質は、その作成条件によって構造的には結晶
からアモルファスまでの形態を取シ、電気物性的には、
導電性から半導体性、絶縁性までの間の性質を、又、光
導電的性質から非光導電的性質までの間の性質を、各々
示すので本発明においては、目的に応じた所望の特性を
有するａ　（ＳｔｘＣｌ　ｚ）ｙ（ＨｐＸ）ｔ　ｙが形
成される様に、所望に従ってその作成条件の選択が厳密
に成される。例えば、オニの層（ｌＩ）を耐圧性の向上
を王な目的として設けるには ａ（ＳＩＹＣＩ−ｙ）ｙＯＬＸＬ−ｙは使用ｍ境におい
て電気絶縁性的挙動の顕著な非晶質材料として作成され
る。

又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる
目的としてオニの層０）が設けられる場合には上記の電
気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射される光に対
しである程度の感度含有する非晶質材料とし−ｃ　ａ−
（ＳＩＸＣｌ−Ｘ）ｙＱ（ＩＸ）１−ｙが作成される。

オーの層（Ｉ）の表面にａ　（ＳｔＸｃｌｘ）ｙ（Ｈｐ
Ｘ）１−ｙから成るオニの層０１）を形成する際、層形
成中の支持体温度は、形成される層の構造及び特性を左
右する重要な因子であって、本発明においては、目的と
する特性を有するａ　（ＳｉｘＣｘ　ｘ）ｙ（Ｈ２Ｘ）
１−ｙが所望過多に作成され得る様に層作成時の支持体
温度が厳密に制御されるのが望ましい。

本発明における、所望の目的が効果的に達成される為の
オニの層（１０の形成法に併せて適宜最適範囲が選択さ
れて、オニの層ＯＮ）の形成が実行されるが、好ましく
は２０〜４００３：、より好適には５０〜３５０　Ｃ，
漸速には１００〜６００Ｃとされるのが望ましいもので
ある。オニの層（Ｉｔ）の形成には、層を構成する原子
の組成比の微妙な制御や層厚の制御が他の方法に較べて
比較的容易である事等の為に、グロー放電法やスパイタ
゛−リング法の採用が有利であるが、これ等の層形成法
でオニの層（ＩＤを形成する場合には、前記の支持体温
度と同様に層形成の際の放電パワーが作成されるａ−（
Ｓ　ｉ、Ｃ１−ｘ　）ｙｌｘｌ−ｙ　の特性を左右する
重要な因子の１つである。。

作成される為の放電パワー条件は、好ましくは１０〜３
００Ｗ、よシ好適には２０〜２５０　Ｗ＊最適には５０
〜２００Ｗとされるのが望ましい。

堆積室内のガス圧は好ましくは０．０１〜１’ｌ’ｏｒ
ｒ。

よυ好適には、Ｄ、１〜Ｄ、５Ｔｏｒｒ程度とされるの
が望ましい。

本発明においてはオニの層（１１）’ｅ作成する為の支
持体温度、放電パワーの望ましい数値範囲と１、て前記
した範囲の値が挙けられるが、これ等の層作成ファクタ
ーは、独立的に別々に決められるものではなく、所望特
性のａ　（ＳｉＸＣ１ｚ）ｙ（Ｈ２Ｘ）１−ｙ　から成
るオニの層（Ｉｔ）が形成される様に相互的有機的関連
性に基づいて各層作成ファクターの最適値が決められる
のが望ましい。

本発明の光導電部材におけるオニの層（ＩＤに含有され
る炭素原子の量は、オニの層（損の作成条件と同様、本
発明の目的を達成する所望の特性が得られるオニの層（
ＩＤが形成される重要な因子である。本発明におけるオ
ニの層（ｎ）に含有される炭素原子の量は、オニの層叩
を構成する非晶質材料の種類及びその特性に応じて適宜
所望に応じて決められるものである。

即ち、前記一般式ａ−（ｓｔＸｃｌ−Ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）
、、で示される非晶質材料は、大別すると、シリコン原
子と炭素原子とで構成される非晶質材料（以後、　「ａ
　８’ａＣ１ａ　’　と記す。但し、［１＜ａ＜１　）
、シリコン原子と炭素原子と水素原子とで構成される非
晶質材料（以後、ｒ　ａ−（ＳｉｂＣ，ｂ）。Ｈ，−ｃ
Ｊと記す。但し、０（ｂ　、　ｃ　＜　１　）、シリコ
ン原子と炭素原子とハロゲン原子と必要に応じて水素原
子とで構成される非晶質材料（以後、［ａ−（ＳＩｄＣ
，−ｄ）。（ＩＬＸ）１．Ｊと記す。但し、０〈ｄ。

ｅく１）に分類される。

°本発明において、オニの層Ｇｌ）がａ−８ｉａ（：１
−ａで構成される場合、オニの層叩に含有される炭素原
子の量は好ましくはＩ　Ｘ　１０　’〜９０ａｔｏｍｉ
ｃ％、よシ好適には１〜８０　ａｔｏｍｉｃチ、最適に
は１０〜７５　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。

即ち、先のａ−８ＩＢＣ１−ａのａの表示で行えば、ａ
が好ましくは０．１〜０．９９９９９、よ如好適には０
．２〜０．９９、最適には０．２５〜０，９である。

本発明において、オニの層０１）がａ−（Ｓ１ｂ０１Ｂ
）。

Ｈｌ−ｅ　で構成される場合、オニの層（ＩＤに含有さ
れる炭素原子の量は、好ましくはｌＸ１０−３〜９０　
ａｔｏｍｉｃ％とされ、よυ好ましくは１〜９０ａｔｏ
ｍｉｃ％、最適には１０〜ＦＪ　Ｑ　ａｔｏｍｉｃ％と
されるのが望ましいものである。水素原子の含有量は、
好ましくは１〜４　Ｑ　ａｔｏｍｉｃチ、よシ好ましく
は２〜”、　５　ａｔｏｍｉｃ　％　、最適には５＋−
３０ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望°ましく、これ等の
範囲（Ｃ水素含有量がある場合に形成される光導電部材
は、実際面において後れたものとして充分適用させ得る
ものでおる。

即ち、先のａ（ＳｉｂＣ□−ｂ）ｃＩＩｔ　−ｃ　の表
示で行えばｂが好ましくは０．１〜０．９９９９９、よ
り好適には０．１〜０．９９、最適には０．１５〜０．
９、Ｃが好ましくは０．６〜０．９９、よｐ好適には０
．６５〜０．９８、最適には０．７〜０．９５であるの
が望オしい。

オニの層０１）が、ａ−（８１ｄ０１，１）６（ＬＸ）
ｔ　−ｅ　で構成される場合には、オニの層叩中に含有
される炭素原子の含有量は、好ましくはＩＸｌ　０”〜
９０　ａｔｏｍｉｃ％、よシ好適には１〜９　［］　ａ
ｔｏｒｎｉｃ　％、最適には１０〜８０　ａｔｏｍｉｃ
％とされるのが望ましい。ハロゲン原子の含有量は、好
ましくはｉ　〜２０　ａｔｏｍｉｃ　％、より好適には
１〜１３　ａｔｏｍｉｃチ、最適には２〜１５　ａｔｏ
ｍｉｃ％とされるのが（ましく、これ等の範囲に）・ロ
ゲン原子含有量がおる場合に作成される光導電部材を実
際面に充分遣用させ得るものである。必要に応じて含有
される水素原子の含有量は、好ましくは１９ａｔｏｍｉ
ｃ％以下、よシ好適には１３　ａｔｏｍｌｃ％以下とさ
れるのが望ましい。

即ち、先のａ−（８１ｄＣ１，１）、（ｎｔＸ）ｘ−ｅ
のｄ、ｓ。

表示で行えば、ｄが好ましくは０．１〜０゜９９９９９
、より好適には０．１〜０．９９、最適には０．１５〜
０，９、ｅが好ましくは０．８〜０．９９、よシ好適に
は０．８２〜０．９９、最適には０．８５〜０．９８で
あるのが望ましい。

本発明におけるオニの層ω）の層厚の数範囲は、本発明
の目的を効果的に達成する為の重要な因子の１つで、本
発明の目的を効果的に達成する様に所期の目的に応じて
適宜所望に従って決められる。

又、オニの層ω）の層厚は、該層（［１）中に含有され
る炭素原子の量やオーの層中の層厚との関係においても
、各々の層領域に要求される特性に応じた有機的な関連
性の下に所望に従って適宜決定される必要がある。

更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経済性の点
においても考慮されるのが望ましい。

本発明におけるオニの層徂）の層厚は、好ましくは０．
００３〜３０μ、よシ好適には０．００４〜２０μ、最
適には０．００５〜１０μとされるのが望ましい。

本発明において使用される支持体は、導電性でも電気絶
縁性であっても良い。導電性支持体としては、例えば、
ＮｌＣｒ　、ステンレス、Ａ７？。

Ｃｒ、　Ｍｏ、　Ａｕ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ＋　Ｔｉ
、　Ｐｔ、　Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げられ
る。電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエ
チレン。

ポリカーボネート、セルローズ、アセテート。

ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニ’）　
テア　＋ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィ
ルム又はシート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用
される。これ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なく
ともその一方の表面を導電処理され、該導電処理された
表面側に他の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスでおれば、その表面に、Ｎｉ（’ｒ。

Ａｇｌ　Ｃｒ、　Ｍｏ、　Ａｕ、　Ｉｒ、　Ｎｂ、　Ｔ
ａ、　Ｖ、　Ｔｉ、　ＰＬ、　Ｐｄ。

Ｉｎ２Ｏ３，ＳｎＯ，、ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３＋ＳｎＯ，
）等から成る薄膜を設けることによって導電性が付与さ
れ、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィルム
であれば、ＮｉＣｒ、　ｍ、　Ａｇｌ　Ｐｄ、　Ｚｎ、
　Ｎｉｌ　Ａｕ１Ｃｒ、　Ｍｏ、　Ｉｒ、　Ｎｂ、　Ｔ
ａ、　Ｖ、　ＴＩ、　Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、
電子ビーム蒸着、スパッタリング等でその表面に設け、
又は前記金属でその表面をラミネート処理して、その表
面に導電性が付与される。支持体の形状としては、円筒
状、ベルト状、板状等任意の形状とし得、所望によって
、その形状は決定されるが、例えば、第１図の光導電部
材１００を電子写真用像形成部材として使用するのであ
れば連続高速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状
とするのが望ましい。支持体の厚さは、所望通シの光導
電部材が形成される様に適宜決定されるが、光導電部材
として可撓性が要求される場合には、支持体としての機
能が充分発揮される範囲内でおれば可能な限シ薄くされ
る。しかしながら、この様な場合、支持体の製造上及び
取扱い上、機械的強度等の点から、好ましくは１０μ以
上とされる０ 次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第１１図に光導電部材の製造装置の一例を示す。

図中の１１０２〜１１０６のガスボンベには、本発明の
光導電部材を形成するための原料ガスが密封されており
、その−例として、例えば１１０２は、Ｈｅで稀釈され
たＳｉＨ，ガス（純度９９．９９９チ、以下Ｓ　ｉｎ４
／Ｈｅと略す。）ボンベ、１１０６はＨｅで希釈された
Ｇａｎ４ガス（純度９９．９９９％、以下Ｇｅｍ４／Ｈ
ｅと略す。）ボンベ、１１０４旧礼ガス（純度９９．９
９９％）ボンベ、１１０５はＨｅで希釈されたＳ　ｉＦ
４Ｉ４ガス度９９．９９％、以下ＳｉＦ４／Ｈｅと略す
。）ボンベ、１１０６は■Ｉ２ガス（純度９９．９９９
％）ボンベである。

これらのガスを反応室１１０１に流入させるには、ガス
ボンベ１１０２〜’１１０６のパルプ１１２２〜１１２
６、リークパルプ１１６５が閉じられていＺ）ことを確
認し、又、流入パルプ１１１２〜１１１６、流出パルプ
１１１７〜１１２１、補助パルプ１１５２゜１１３６が
開かれていることを確認して、先ずメインパルプ１１６
４を開いて反応室１１０１、及び各ガス配管内を排気す
る。次に真空計１１３６の読みが約５　Ｘ　１０　’　
ｔｏｒｒになった時点で補助パルプ１１３２　、１１３
３　、流出パルプ１１１７〜１１２１を閉じる。

次にシリンダー状基体１１３７上にオーの層中を形成す
る場合の一例をあげると、ガスボンベ１１０２１Ｆ）　
ＳｉＨ４／Ｈｅガス、ガスボンベ１１０６よりＧｅＨ４
／　ＩＩｅガス、ガスボンベ１１０４よ、り　ＮＨ，ガ
スをパルプ１１２２　、１１２３　、１１２４　を開い
て出口圧ゲージ１１２７　、１１２８　、１１２９の圧
を１峙／ｃｒｎｃ調整し、流入バルブ１１１２　、１１
１３，１１１４ヲ徐々ニ開ケて、マスフロコントロー、
７１１０７゜１１０８□、１１０９内に夫々流入させる
。引き続いて流出パルプ１１１７　、１１１８　、１１
１９　、補助パルプ１１６２を徐々に開いて夫々のガス
を反応室１１０１に流入させる。このときのＳｉＨ４／
Ｉｊｅ　ガス流量とＧｅＨ４／Ｈｅガス流量とＮＨ３ガ
ス流量との比が所望の値になるように流出パルプ１１１
７゜１１１８　、１１１？を調整し、又、反応室１１０
１内の圧力が所望の値になるように真空計１１３６の読
みを見ながらメインパルプ１１６４の開口を調整する。

そして基体１１６７の温度が加熱ヒーター１１３８によ
シ５０〜４００Ｃ程度の範囲の温度に設定されているこ
とを確認された後、電源１１４０を所望の電力に設定し
て反応室１１０１内にグロー放電を生起させ、同時にあ
らかじめ設計された変化率曲線に従ってＧｅＨ４／Ｈｅ
ガスの流量を手動あるいは外部駆動モータ等の方法によ
ってパルプ１１１８の開口を漸次変化させる操作を行な
って形成される層中に含有されるゲルマニウム原子の分
布濃度を制御する。

オーの層中中にハロゲン原子を含有させる場合には、上
記のガスに、例えば、ＳｉＦ４ガスを更に付加してグロ
ー放電を生起させれば良い。

又、オーの層（１）中に水素原子を含有させずにハロゲ
ン原子ヲ庁有させる場合には、先のＳ　ｉＨ。

／　ＩＩ４ガス及びＧｅＨ４／Ｈｅガスの代シに、Ｓ　
ｉＦ４／Ｈｅガス及びＧｅＦ４／Ｈ，ｅガスを使用すれ
ば良い。

上記の様にして所望層厚に形成されたオーの層（１）上
にオニの層Ｑｌ）ｆｆｉ形成するには、オーの層（１）
の形成の際と同様なパルプ操作によって、例えばＳｉＨ
４ガス、Ｃ２■Ｉ４ガスの夫々を必要に応じて）（ｅ　
ｅの希釈ガスで希釈して、所望の条件に従って、グロー
放電を生起させることによって成される。

オニの層（ＩＩ）中にハロゲン原子を含有させるには、
例えば、ＳｉＦ４ガスとＣ２Ｈ４ガス、或いは、これに
ＳｉＨ２ガスを加えて上記と同様にしてオニの層（ＩＩ
）’ｒ層形成ることによって成される。

夫々の層を形成する際に必要なガスの流出パルプ以外の
流出パルプは全て閉じることは言う′までもなく、又、
夫々の層を形成する際、前層の形成に使用したガスが反
応室１１０１内、流出パルプ１１１７〜１１２１から反
応室１１０１内に至るガス配管内に残留することを避け
るために、流出パルプ１１１７〜１１２１を閉じ、補助
ノ（ルプ１１３２　、１１３３を開いてメインパルプ１
１６４を全開して系内を一旦高真空に排気する操作を必
要に応じて行う。

オニの層（［Ｉ）中に含有される炭素原子の量は例えば
、グロー放電による場合はＳｉＨ４ガスと、Ｃ，Ｈ，ガ
スの反応室１１０１内に導入される流量比を所望に従っ
て変えるか、或いは、スノ（ツタ−リングで層形成する
場合には、ターゲットを形成する際、シリコンウニ／）
とグラファイトウェハのスパッタ面積比率を変えるか、
又は、シリコン粉末とグラファイト粉末の混合比率を変
えてターゲットを成型することによって所望に応じて制
御することが出来る。オニの層（Ｉ［）中に含有される
ハロゲン原子（Ｘ）の量は、ノ・ロゲン原子導入用の原
料ガス、例えば、５ＩＦ４ガスが反応室１１０１内に導
入される際の流量を調整することによって成される。

又、層形成を行っている間は層形成の均一化をｉｌるた
め基体１１３７はモータ１１６９により一定速度で回転
させてやるのが望ましい。

以下実施例について説明する。

実＃Ｉｆ列　１ 第１１図に示した製造装置によシ、シリンダー状のり基
体上に、第１表に示す条件で第１２図に示すガス流量比
の変化率曲線に従って、Ｇｅｍ４／　ＨｅガスとＳｉＨ
４／Ｈｅガスのガス流量比を層作成経過時間と共に変化
させて層形成を行って電子写真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材を１帯電露光実験装置に設
置しｅ　５．　ＯＫＶでＱ、　３　ｓｅｅ間コロナ帯電
を行い、直ちに光像を照射した光像はタングステンラン
プ光源を用い、２．ｅｕＸ−ｓｅＣの光１を透過型のテ
ストチャートを通して照射させた。

その後直ちに、■荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）全像形成部材表面をカスケードすることによっ
て、像形成部側表面上に良好なトナー画像全行た。像形
成部側止のトナー画像’ｔ、ｅ５．ＯＫＶのコロナ帯電
で転写紙上に転写した所、解像力に浸れ、階調再現性の
よい鮮明な高濃度の画像がイセ・られた４゜ 実施例　２ 第１１図に示した製造装置にょシ、第２表に示す条件で
第１５図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、Ｇｅ
Ｈ４／ＨｅガスとＳＩＨ＜／Ｈｅガスのガス流量比を層
作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実施例１
と同様にして、層形成を行って電子写真用像形成部材を
得た。

こうして有られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例　６ 第１１図に示した製造装置にょυ、第６表に示す条ｒト
で第１４図に示すガス流是比の変化率曲線に従って、Ｇ
ｅＨ４／ＨｅガスとＳｉＨ，／）Ｈｅガスのガス流量比
を層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実施
例１と同様にして、層形成を行って電子写真用像形成部
材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例　４ 第１１図に示した製造装置により、第４表に示す条件で
第１５図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、Ｇｅ
１４／Ｈｅガスと５ＩＨ４／Ｈｅガスのガス流量比を層
作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実施例１
と同様にして、層形成を行って電子写真用像形成部材を
得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例　５ 第１１図に示した製造装置にょシ、第５表に示す条件で
第１６図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、Ｇｅ
Ｈ４／Ｈｅガスと５ＩＨ４／Ｈｅガスのガス流量比を層
作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実施例１
と同様にして、層形成全行って電子写真用像形成部材を
得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例　６ 第１１図に示した製造装置によシ、第６表に示す条件で
第１７図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、Ｇ５
Ｈ４／ＨｅガスとＳ　ｉＨ４／Ｈｅガスのガス流量比を
層形成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実施例
１と同様にして、層形成を行って電子写真用像形成部材
を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例　７ 第１１図に示した製造装置によシ、オフ表に示す条件で
第１８図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、Ｇｅ
Ｈ４／Ｈｅガスと８１ｎ　４　／Ｈｅカスのガス流量比
を層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実施
例１と同様にして、層形成を行って電子写真用像形成部
材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例　８ 実施例１に於いて、ＳｉＨ４／Ｈｅガスの代シに５ｔ２
Ｈ６／Ｈｅガスを使用し、オ８表に示す条件にした以外
は、実施例１と同様の条件にして層形成を行って電子写
真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例　９ 実施例１に於いて、ＳｉＨ４／Ｈｅガスの代りにＳＩＦ
、／Ｈｅガスを使用し、オ９表に示す条件にした以外は
、実施例１と同様の条件にして層形成を行って電子写真
用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例　１０ 実施例１に於いて、ＳｉＨ４／Ｉ（ｅガスの代υに（Ｓ
ｉＨ４／Ｈｅ＋ＳｉＦ４／Ｈｅ　）　ガスヲ使用し、ツ
“１０表に示す条件にした以外は、実施例１と同様の条
件にして層形成を行って電子写真用像形成部材′ｆｆ：
得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例　１１ 牙１１図に示した製造装置によシ、シリンダー状のＭ基
体上に、第１１表に示す条件で第１２図に示すガス流量
比の変化率曲線に従って、ＧｅＩ（４−１１４ｅガスと
ＳｉＨ４／）Ｌｅガスのガス流量比を層作成経過時間と
共に変化させて層形成を行って電子写真用像形成部材を
得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置しｅ　５．　ＯＫＶでＯ−３ｓｅａ間コロナ帯電金行
い、直ちに光像全照射した光像はタングステン２ンブ光
源を用い、２−ｅｌｌｘ−８ｅＣの光量を透過型のテス
トチャートを通して照射させた。

その後直ちに、■荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を像形成部材表面をカスケードすることによっ
て、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形
成部材上のトナー画像を、ｅ５゜ＯＫＶのコロナ帯電で
転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調再現性のよ
い鮮明な高濃度の画像が得られた。

実施例　１２ 第１１図に示した製造装置によシ、シリンダー状のＭ基
体上に、第１２表に示す条件で、第１９図に示すガス流
量比の変化率曲線に従って、ＧｅＪ（４／　Ｈｅガスと
（３ｉＨ４／Ｈｒガス、及びＮＨ３ガスと、Ｓ　Ｉ　Ｈ
４／　Ｈｅガスのガス流量比の夫々を層作成経過時間と
共に変化させて層形成を行って電子写真用像形成部材を
得た。

こうして得られた像形成部材ｔ１帯電露光実験装置に設
置しＣ）　５．　ＯＫＶで０．３　ｓｅｅ間コロナ帯電
を行−１直ちに光像を照射した光像はタングステンラン
プ光源を用い、２１ｕｘ＊　ｓｅｅの光量を透過型のテ
ストチャートを通して照射させた。

その後直ちに、■荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を像形成部材表面をカスケードすることによっ
て、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形
成部材上のトナー画像を、０５．　ＯＫＶのコロナ帯電
で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調朽現性の
よい鮮明な高濃度の画像が得られた。

実施例　１６ 実施例１に於いて、牙１層の作成の際にＮＨ３の（８１
Ｈ４＋ＧｅＨ４）に対する流量を第１６表に示す様に変
えた以外は、実施例１と同様の条件で電子写真用像形成
部材の夫々を作成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ第１
３表に示す結果が得られた。

実施例　１４ 実施例１に於いて、第１層の層厚上第１４表に示す様に
変える以外は、実施例１と同様にして各電子写真用像形
成部材全作成した。

こうして得られた各像形成部材に就いて、実施例１と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像全形成したところ第
１４表に示す結果が得られた。

実施例　１５ 実施例１〜１ｏに於いて、光源をタングステンランプの
代Ｊ）ＧＣ８１０ｎｍのＧａＡｓ系牛導体レーザ（１０
ｍＷ）ｔ−用いて、静電像の形成全行った以外は、実施
例１と同様のトナー画像形成条件にして、実施例１〜１
ｏと同様の条件で作成した電子写真用像形成部材の夫々
に就てトナー転写画像の画質評価を行っ之ところ、解像
力に優れ、階調再現性の良い鮮明な高品位の画像が得ら
れた。

実施例　１６ 層（１０の作成条件を第１５表に示す各条件にした以外
は、実施例１の実施例と同様の条件と手順に従って電子
写真用像形成部材の夫々（試料悉１２−４０１〜１２−
４０８．１２−７０１〜１２−７０８．１２−８０１〜
１２−８０８の７２個の試料）を作成した。

こうして得られた各電子写真用像形成部材の夫々を個別
に複写装置に設置し、各実施例に記載したのと同様の条
件によって、各実施例に対応した電子写真用像形成部材
の夫々について、転写画像の総合画質評価と繰返し連続
使用による耐久性の評価を行った。

各試料の転写画像の総合画質評価と、繰返し連続使用に
よる耐久性の評価の結果を第１６表に示す。

実施例　１７ 層（Ｕ）の形！成時、シリコンウェハとグラファイトの
ターゲツト面積比を変えて、層（ＩＩ）におけるシリコ
ン原子と炭素原子の含有量比を変化させる以外は、実施
例１と全く同様な方法によって像形成部材の夫々を作成
した。こうして得られた像形成部材の夫りにつき、実施
例１に述べた如き、作像、現像、クリーニングの工程全
約５万回繰シ返した後、画像評価を行ったところ第１７
表の如き結果を得た。

実施例　１８ 層化）の層の形成時、　ＳｉＨ４ガスとＣ２Ｈ４ガスの
流量比を変えて、層（Ｉｔ）におけるシリコン原子と炭
素原子のき有量比を変化させる以外は実施例１と全く回
様な方法によって像形成部材の夫々を作成した。

こうして得られた各像形成部材につき、実施例１に述べ
た如き方法で転写までの工程を約５万回操シ返した後、
画像評価全行ったところ、第１８表の如き結果を得た。

実施例　１９ ！（ＩＤ０層の形成時、５ｉｎ４ガス、ＳｉＦ、ガス、
Ｃ２１１４ガスの流量比を変えて、層叩におけるシリコ
ン伸子と炭素原子の含有量比を変化させる以外は、実施
例１と全く同様な方法によって像形成部オづの夫々を作
成した。こうして得られた各像形成部材につき実施例１
に述べた如き作像、現像、クリ、＝ングの工程を約５万
回繰シ返した後、画像評価を行ったところ第１９表の如
き結果を得た。

実施例　２０ 層化）の層厚を変える以外は、実施例１と全く同様な方
法によって像形成部材の夫々を作成した。実施例１に述
べた如き、作像、現像、クリーニングの工程を繰シ返し
第２０表の結果を得たＯ 以上の本発明の実施例に於ける共通の層作成条件を以下
に示す。

基　体　温　度　：ゲルマニウム原子（Ｇｅ）含有層・
・・・・・約２００ｔ：’ ゲルマニウム原子（Ｑｅ　）非含有層 ・・・・・・約２５０Ｃ 放電周波数　：　１３．５６ＭＨｚ 反応時反応室内圧　：　０．３Ｔｏｒｒ

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明する為の
模式的層構成図、第２図乃至第１０図は夫々オーの層（
１）中のゲルマニウム原子の分布状態を説明する為の説
明図、第１１図は、本発明で使用された装置の模式的説
明図で、第１２図乃至第１９図は夫々本発明の実施例に
於けるガス流量比の変化率曲線を示す説明図である。 １００・・・光導電部材　１０１・・・支持体１０２・
・・オーの層（１）　１０３・・・オニの層（ＩＤガス
ｊ、ｔ−ｆ上ヒ 力゛ス瀘シを比 躬ｊ７園 力゛ス廉１」北 グｆスＬ量Ｊヒ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）光導電部材用の支持体と、シリコン原子とゲルマ
   ニウム原子とを含む非晶質材料で構成された、光導電性
   を示すオーの層と、シリコン原子と炭素原子とを含む非
   晶質材料で構成された刈・二の層とを有し、前記オーの
   層中に於けるゲルマニウム原子の分布状態が層厚方向に
   不均一であって、該オーの層中には窒素原子が含有され
   ている事を特徴とする光導電部材。 （２）オーの層中に水素原子が含有されている特許請求
   の範囲第１項に記載の光導電部材。 （６）　オーの層中にノ・ロゲン原子が含有されている
   特許請求の範囲第１項粍ハ同牙２項に記載の光導電部材
   。 （４）　オーの層中に於けるゲルマニウム原子の分布状
   態が、前記支持体側の方に多く分布する分布状態である
   特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。