JPS6059360A - 電子写真用光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線。

可視光線、赤外光綜、Ｘａ、γ線等を指す）の様な電磁
波に感受性のある光導電部Ｉに関する。

固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部分や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（Ｉｐ）
／暗電流（Ｉｄ）　）が高く、照射する電磁波のスイク
トル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有する
こと、光応答性が速く、所望の暗抵抛値を有すること、
使用時において人体に対して無害であること、更には固
体撮像装置においては、残像を所定時間内に容易に処理
することができること等の特性が要求されるＯ殊に、事
務機としてオフィスで使用される電子写真装置内に組込
まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記の使用時
における無害性は重要な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光導電Ｉ刺に
アモルファスシリコン（以後ａ−ｓｉと表記す）があり
、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同第２８
５５７１８号公報には電子写真用像形成部拐として、独
国公間第２９３３４１１号公報には光電変換読取装置へ
の応用として記載されている。

百年ら、従来のａ−８１で構成された光導電層を有する
光導１０桐は、暗抵抗値、光感度、光応答住僧の電気的
、光学的、光導電的特性、及び耐湿性等の使用環境特性
の点、更には経時的安定性の点において、結合的な特性
向上を計るには更に改良されるべき点が存するのが実情
である。

例えば、電子写真用像形成部拐に適用した場合間第高光
感度、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると、従来におい
ては、その使用時において残留電位が残る場合が度々観
測され、この種の光導電部材は長時間繰返し使用し続け
ると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残像が生
ずる所謂ゴースト現象を発する様になる、或いは高速で
繰返し使用すると応答性が次第に低下する等の不都合な
点が生ずる場合が少なくなかった。

更には、ａ−８１は可視光領域の短波長側に較べて長波
長側の波長領域よりも長い波長領域の吸収係数が比較的
小さく、現在実用化されている半導体レーザとのマツチ
ングに於いて、又は、通常使用されているノ・口ｒンラ
ンゾや螢光灯を光源とする場合に長波長側の光を有効に
使用し得ないという点に於いて、夫々改良される余地が
残っている。

又、別には、照射される光が光導電層中に於いて充分吸
収されず、支持体に到達する光の量が多くなると、支持
体自体が光導電層を透過して来る光に対する反射率が高
い場合には、光導電層内に於いて多重反射による干渉が
起って画像の「がケ」が生ずる一要因となる。

この影響は、解像度を上げる為に、照射スポットを小さ
くする程大きくなり、殊に半導体レーザを米温とする場
合には大きな問題となっている。

更に、ａ−８ｓ材利で光導電層を構成する場合には、そ
の電気的、光導電的特性の改良を計るために水素原子或
いは弗素原子や塩素原子等のハロゲン原子、及び電気伝
導型の制御のために硼素原子や燐原子等、或いはその他
の特性改良のために他の原子が、各々構成原子として光
導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の含有の仕
方如何によっては、形成した層の電気的或いは光導電的
特性に問題が生ずる場合がある。

即し、例えば、形成した光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でないこ
と、或いは暗部において支持体側よシの電荷の注入の閉
止が充分でないこと等が生ずる場合が少なくない。

更には、層厚が十数μ以上になると、層形成用の兵空准
積室よシ取シ出した後、空気中での放置時間の経過と共
に、支持体表面からの層の浮きゃ剥離、或いは層に亀裂
が生ずる等の現象を引起し勝ちであった。この現象は、
殊に支持体が通常、電子写真分野に於いて使用されてい
るドラム状支持体の場合に多く起るもので、経時的安定
性の点に於いて解決されるべき点である。

従ってａ−８ｉ材刺そのものの特性改良が削られる一方
で、光導電部材を設計する際に、上記した様な問題の総
てが解決される様に工夫されろ必要がある。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−８Ｉに
就て電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読取装置等
に使用される光導電部材としての適用性とその応用性と
いう観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シリ
コン原子を母体とし、水素原子（６）又はハロゲン原子
■のいずれか一方を少なくとも含有するアモルファス側
斜、所謂水素化アモルファスシリコン、ハロダン化アモ
ルファスシリコン、或いはハロゲン含有水素化アモルフ
ァスシリコン〔以後これ等の総称的表記として［−ａ−
８１（Ｈ，Ｘ）　Ｊを使用する〕から構成される光導電
性を示す層を有する光導電部材であって以後に説明され
る様な特定化して設計され作成された光導電部材は、実
用上著しく優れた特性を示すばかりでなく、従来の光導
電部材をあらゆる点において凌駕していること、殊に電
子写真用の光導電部材として著しく優れた特性を有して
いること及び長波長（ＩＩ＋に於ける吸収ス被りトル特
性に優れていることを見出したととに基いている。

本発明は、電気的、光学的、光導電的特性が常時安定し
ていて、殆んど使用環境に制限を受けない全環境型であ
シ、長波長側の光感度特性に優れると共に耐光疲労に著
しく長り、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず、残
留電位が全く又は殆んど観測されない光Ｎｆ導電部材提
供することを主たる目的とする。

本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感度が高く
、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光応答
の速い光導電部材を提供することである。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間および積層される層の各層間の密着性に優れ、構
造配列的に緻密で安定的であシ、層品質の高い光導電部
Ｉを提供することである。

本発明の他の目的は、電子写真用の俳形成間第として使
用した場合、通常の電子写真法が極めて有効に適用され
得る程度に、静電像形成の為の’４１電処理の際の電荷
保持能が充分ちり、且つ多湿雰囲気中でもその特性の低
下が殆んど観測されない優れた電子写真特性を有する光
導電部材を提供することである。

本発明の更に他の目的は、濃度が高く、）・−フトーン
が鮮明に出て且つ解像度の高い高品５．を画像を４する
事が容易に出来る電子写真用の光導電部材を提供するこ
とである。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性。

高ＳＮ比特性及び支持体との間に良好な電気的接触性を
有する光導電部材を提供することでもある。

本発明の光導電部材は、光漕電間第用の支持体と、シリ
コン原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成
された第１の層領域と、シリコン原子を含む非晶質月利
で構成され光導電性を示す第２の層領域と、が前記支持
体側より順に設けられた層構成の第一の層（１）と、シ
リコン原子と炭素原子とを含む非晶質材料で構成された
第二の層とで構成された光受容層を有し、前記第１の層
領域中に於りるダルマニウム原子の分布状態が層厚方向
に不均一であって、前記第一の層（１）中には窒素１り
（子が庁有されている事を特徴とする。

」−記した様々層構成を取る様にして設泪された本発明
の光導電部材は、前記した諸問題の総てを角イ決し得、
極めて優れた電気的、光学的、光導電的ｑ４″付、電気
的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用像形成部材として適用された場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しておシ高感度で、高ＳＮ比をイｊするもの
であって、耐光疲労、繰返し使用！［！Ｊ性に長け、濃
度が高く、ハーフトーンが鮮明に出て、月っ解像度の高
い、高品質の画像を安定して繰返し得ることができる。

又、本発明の光導電部材は支持体上に形成される層自体
が強靭であって、且つ支持体との密着性に裕しく優れて
おり、高速で長時間連続的に繰返し使用することができ
る。

更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且
つ光応答が速い。

以下、図面に従って、本発明のつｒ、導電部材に就て詳
細に説明する。

第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電部材の層
構成を説明するための模式的構成図である。

第１図に示す光導電部材１００は、光漕電間第用として
の支持体１０１と該支持体１０１の上に第一の層（１）
　１０２と、第二の層（ｎ）　ｉ　０３とを有し、該第
二の層（ＩＩ）　１０３は自由表面１０６を一方の端面
に有している。第一の層（１）　１０２は支持体１０１
側よシダルマニウム原子を含有するａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）
（以後「ａ−６ＩＧｅ（Ｉ（、Ｘ）Ｊと略記する）で構
成された第１の層領域（Ｇ）　１０４とａ−８１（Ｈ，
Ｘ）で構成され光導電性を有する第２の層領域（Ｓ）　
１０５とが順に積層された層構造を有する。第１の層領
域（Ｇ）１０４中に含有されるダルマニウム原子は、該
第１０層領域（Ｇ）　１０４の層厚方向には連続的であ
って且つ前記支持体１０１の設けられである側とは反対
の側（第二の層（ｎ）　１０３側）の方よシも前記支持
体１．０１　（！１１の方に多く分布した状態となる様
に前記第１の層領域０）１０４中に含有される。

本発明の光導電部材においては、第１の層領域（Ｇ）中
に含有されるケ゛ルマニウム原子の分布状態は、層ノ９
方向においては、前記の様な分布状態を取り、支持体の
表面と平行な面内方向には均一な分布状態とされるのが
望ましい。

本発明に於いては、第一の層領域り）上に設けられる第
２の層領域（Ｓ）中には、ケ゛ルマニウム原子は含有さ
れておらず、この様々層構造に第一の層（Ｉ）を形成す
ることによって、可視光領域を含む比較的短波長から比
較的短波長迄の全領域の波長の光に対して光感度が優れ
ている光導電部材とし得るものである。

又、ｅ（＞１の層領域０）中に於けるケ゛ルマニウム原
子の分布状態は、全層領域にゲルマニウム原子が連Ｕ、
：的に分布し、ダルマニウム原子の層厚方向の分布濃度
Ｃが支持体側よシ第２の層領域（Ｓ）に向って減少する
変化が掬えられているので、第１の層領域（Ｇ）と第２
の層領域（Ｓ）との間に於ける親和性に優れると共に実
質的に連続した屈折率の変化を力えることが出来るので
可干渉光を使用する場合に於ける層界面に於ける反射に
伴う干渉を阻止することが出来、且つ後述する様に支持
体側端部に於いてダルマニウム原子の分布濃度Ｃを極端
に大きくすることによシ半導体レーザ等を使用した場合
の、第２の層領域（Ｓ）では殆んど吸収し切れない長波
長側の光を第１の層領域り）に於いて実質的に完全に吸
収することが出来、支持体面からの反射による干渉を防
止することが出来る。

又、本発明の光導電部材に於いては、第１の層領域（Ｇ
）と第２の層領域（Ｓ）とを構成する非晶質杓刺の夫々
がシリコン原子という共通の構成要素を有しているので
、積層界面に於いて化学的な安定性の確保が充分酸され
ている。

第２図乃至第１０図には、本発明におりる光導電部材の
第１の層領域（Ｇ）中に含有されるダルマニウム原子の
層厚方向の分布状態の典型的例が示される。

第２図乃至第１Ｑ図において、横軸はゲルマニウム原子
の分布濃度Ｃを、縦軸は第１の層領域Ｏ）の層厚を示し
、ｔＢは支持体側の第１の層領域仁）のｇｆＡ１１’ｊ
１の位置を、ｔ、は支持体側とは反対側の第１の層領域
０）の端面の位置を示す。即ち、ゲルマニウム原子の含
有される第１の層領域（Ｇ）はｔＢ側よｐｔＴ側に向っ
て層形成がなされる。

ｈ′Ｋ　２図には、第１の層領域Ｏ）中に含有されるダ
ルマニウム原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が
示される。

第２図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有され
る第１の層領域←）が形成される支持体表面と該第１の
層領域（Ｇ）の表面とが接する界面位置ｔ□よｐｔｌの
位置までは、ダルマニウム原子の分布濃度ＣがＣ，なる
一定の値を取シ乍らケ゛ルマニウム原子が形成される第
１の層領域（Ｇ）に含有され、位Ｕりｔｌよシ界面位置
ｔＴＫ至るまで濃度Ｃ２ｊＪｌ徐徐に連続的に減少され
ている。界面位置１Ｔにおいてはゲルマニウム原子の分
布濃度ＣはＣ３とされる。

第３図に示される例においては、含イ４されるゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃは位置１Ｂよシ（４買ｔ　Ｔに至
るまで濃度Ｃ４から徐々に連続的に減少して位置ｔＴに
おいて濃度Ｃ１＋となる様な分布状態を形成している。

第４図の場合は、位置１Ｂよ多位置ｔ２まではケゝルマ
ニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６なる一定値とされ、
位ｆｔ１ｔ＋と位ＦＪｔ、との間において徐々に連続的
に減少され、位置ｔＴにおいて分布濃度Ｃは実質的に零
とされている（ここで実質的に零とは検出限界量未満の
場合である）。

第５図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、
位置ｔＢよ多位置ｔＴに至るまで濃度ｃ８より連続的に
徐々に減少され、位ＭｔＴにおいて実質的に零とされて
いる。

第６図に示す例においては、ケ°ルマニウム原子の分布
濃度Ｃは、位置ｔＢと位［、’ｔ３間においては濃度Ｃ
９の一定値であシ、位置ｔＴにおいては濃度ＣｔＯとさ
れる。位置ｔ３と位置ｔＴとの間では、分面濃度Ｃは一
次関数的に位置ｔ３よ多位置ｔ、に至るまで減少されて
いる。

第７図に示される例においては、分布濃度Ｃは位１？Ｔ
ｔＢよ多位置ｔ４までは濃度Ｃ１ｌの一定値を取シ、位
置ｔ４よ多位置ｔ、までは濃度Ｃ１２よシ濃度自３まで
一次関数的に減少する分布状態とされている。

第８図に示す例においては、位置１よ多位置ｔ７に至る
まで、ダルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度ＣＩ４よシ
実質的に零に至る様に一次関数的に減少している。

第９図においては、位置１Ｂよ多位置ｔ８に至るまでは
ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度自。

よシ濃度ＣＩ６まで一次関数的に減少され、位置ｔ５と
位置ｔＴとの間においては濃度Ｃ１６の一定値とされた
例が示されている。

第１０図に示される例においては、ゲルマニウム原子の
分布濃度Ｃは、位置ｔＢにおいて濃度−７でおり、位置
ｔ６に至るまではこの濃度Ｃ１７よシ初めはゆっくりと
減少され、ｔｓの位置付近においては急激に減少されて
位置ｔ６では濃度Ｃ１１ｌとされる。

位置ｔ６と位置ｔ７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩かに徐々に減少されて位置ｔ７で
濃度ＣｔＳとなシ、位置ｔ７と位置ｔ８との間では極め
てゆっくシと徐々に減少されて、位置１．において６度
Ｃ２０に至る。位置ｔ８と位置１Ｔの間においては、濃
度Ｃ２０より実ａ的に零になる様に図に示す如き形状の
曲線に従って減少されている。

以上、第２図乃至第１０図によシ、第１の層領域Ｏ）中
に含有されるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態の
典型例の幾つかを説明した様に、本発明においては、支
持体側において、ダルマニウム原子の分布濃度Ｃの高い
部分を有し、界面ｔ、側においては、前記分布濃度Ｃは
支持体側に較べて可成シ低くされた部分を有するケ゛ル
マニウム原子の分布状態が第１の層領域（Ｇ）に設けら
れている。

本発明に於ける光導電部Ｉを構成する層を構成する第１
の層領域（Ｇ）は、好ましくは上記した様に支持体側の
方にダルマニウム原子が比較的高濃度でｎ有ネれている
局在領域広）を有するのが望ましい。

オ発明に於いてに、局在領域（Ａ）は、第２図乃至第１
０図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置ｔＢより
５μ以内に設けられるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域（４）は、界面位置ｔ
Ｂより５μＮｔでの全層領域（ＬＴ）とされる場合もあ
るし、又、層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ａ）を層領域（Ｌ、）の一部とするか又は全
部とうるかは、形成される第一の層（１）に要求される
特性に従って適宜決められる。

局在領域伝）は、その中に含有されるケ゛ルマニウム原
子の層厚方向の分布状態としてダルマニウム原子の分布
濃度の最大値ｃｍａｘがシリコン原子との和に対して、
好ましくは１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、より
好適には５０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適に
はＩ　Ｘ　Ｉ　Ｑ　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上とされる
様な分布状態となり荘る様に層形成される。

即ち、本発明においては、ダルマニウム原子の含有され
る第１の層領域り）は、支持体側からの層厚で５μ以内
（１Ｂから５μ厚の度コ領域）に分布濃度の最大値ＣＩ
Ｔｌａｘが存在する様に形成されるのが好ましい。

本発明において、第１の層領域り）中に含有されるダル
マニウム原子の含有量は、本発明の目的が効果的に達成
される様に所望に従って適宜決められるが、好ましくは
１〜９．５　Ｘ　１０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ。

よシ好ましくは１００〜８．ＯＸ　１０５ａｔｏｍｉｃ
　ｐｐｍ、最適には５００〜７　Ｘ　１０　ａｔｏｍｉ
ｃ　ｐｐｍとされる。

本発明に於いて第１の層領域（Ｇ）と第２の層領域（Ｓ
）との層厚は、本発明の目的を効果的に達成させる為の
重要な因子の１っであるので、形成される光導電部拐に
所望の特性が充分カ見られる様に、光導電部Ｈの設ｎ１
の際に充分なる注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１の層領域（Ｇ）の層厚ＴＢは、′
ｌｆましくは３０ｉ〜５０μ、よシ好１しくは４゜Ｘ〜
４０μ、最適には５ｏＸ〜３０μとされる。

又、第２の層領域（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくけ０．５
〜９０μ、より好１しくけ１〜８０μ、最適には２〜５
０μとされる。

第１の層領域り）の層厚ＴＢと第２の層領域（Ｓ）の層
厚ＴのオＩＩ（Ｔ、ｌ＋Ｔ）は、両層領域に要求される
特性と第一の層（１）全件に要求される特性との相互間
の有機的関連性に基づいて、光導電部拐の層設言１の際
に所望に従って、適宜決定される。

本発明の光導電部材に於いては、上記の（ＴＢ十Ｔ）の
数値範囲としては好ましくは１〜１ｏｏμ。

上り好摘には１〜８０μ、最適には２〜５０μとさ１す
る。

本発明のより好ましい実施態様例に於いては、上記の層
厚ＴＢ及び層厚Ｔは、打首し７くけＴｎ／Ｔ≦１なる関
係を満足するように、夫々に対して適宜適切な数（ｔｔ
４が選択されるのが９ましい。

上記の場合に於ける層厚ＴＢ及び層厚Ｔの数値の選択に
於いて、よシ好ましくはＴＢ／Ｔ≦０．９．最適にはＴ
Ｂ／Ｔ≦０．８なる関係が満足される様に層厚ＴＢ及び
層厚Ｔの値が決定される。

本発明に於いて、第１の層領域（Ｇ）中に含有されるダ
ルマニウム原子の含有量がＩ　Ｘ　１０　ａｔｏｍｉｃ
ｐｐｍ以上の場合には、第１の層領域（Ｇ）の層厚ＴＢ
としては、成可く薄くされるのが望ましく、好ましくは
３０μ以下、よシ好ましくは２５μ以下、最適には２０
μ以下とされる。

本発明の光導電部拐に於いては、第１の層領域０）中に
於けるケ゛ルマニウム原子の分布状態は、該層領域ａ）
の全層領域にダルマニウム原子が連続的に分布し、ダル
マニウム原子の層厚方向の分布濃度Ｃが支持体側よυ第
一の層（１）の第二の層（ＩＩ）側に向って減少する変
化が与えられているので、分布濃度Ｃの変化率曲線を所
望に従って任意に設削することによって、要求される特
性を持った第一の層（１）を所望通りに実現することが
出来る。

例えば、第１の層領域り）中に於けるゲルマニウムの分
布濃度Ｃを支持体側に於いては充分高め、第一の層（１
）の第二の層（ＩＩ）側に於いては極力低める様な、分
布濃度Ｃの変化をダルマニウム原子の分布濃度曲線に与
えることによって、可視光領域を包む比較的短波長から
比較的短波長迄の全領域の波長の光に対して光感度化を
図ることが出来る。

又、後述される様に第１の層領域Ｇ）の支持体側端部に
於いてケ゛ルマニウム原子の分布濃度Ｃを極姑に太きぐ
することによシ、半導体レーザを使用した場合の、レー
ザ照射面側にある第２の層領域（Ｓ）に於いて充分吸収
し切れない長波長側の光を、層領域＠）に於いて実質的
に完全に吸収することが出来、支持体面からの反射によ
る干渉を効果的に防止することが出来る。

本発明の光導電部拐に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体と第一の層（１）との間の密着性の
改良を図る目的の為に、第一の層（Ｉ）中にＩｊ２、窒
素原子が含有される。

第一の層（１）中に含有される窒素原子は、第一の層（
１）の全層領域に万偏なく含有されても良いし、或いは
、第一の層（夏）の一部の層領域のみに含有させて偏在
させても良い。

又、窒素原子の分布状態は、分布濃度Ｃ（へ））が、第
一の層（１）の層厚方向に於いては、均一であってもよ
いし、第２図乃至第１０図を用いて説明したダルマニウ
ム原子の分布状態と同様に、不均一であっても良い。

詰り、窒素原子の分布濃度Ｃ（へ））が層厚方向に不均
一である場合の窒素原子の分布状態は、第２図乃至第１
０図を用いてダルマニウム原子の場合と同様に説明され
得る。

本発明に於いて、第一０層（１）に設けられる窒素原子
の含有されている層領域軸は、光感度と暗抵抗の向上を
主たる目的とする場合には、第一の層（１）の全層領域
を占める様に設けられ、支持体と第一の層（１）との間
の密着性の強化を図るのを主たる目的とする場合には、
第一の層（１）の支持体側端部層領域（ト）を占める様
に設けられる。

前者の場合、層領域的中に含有される窒素原子の含有量
は、高光感度を維持する為に比較的少なくされ、後者の
場合には、支持体との密着性の強化を確実に図る為に比
較的多くされるのが重重しい。

又、前者と後者の両方を同時に達成する目的の為には、
支持体側に於いて比較的高（濃度に分布させ、第一の層
（１）の第二〇Ｒ（ＩＩ）側に於いて比較的低濃度に分
布させるか、或いは、第一の層（Ｉ）の第二の層（ｎ）
側の表層飴域には、窒素原子をｆＲ極的には含有させな
い様な窒素原子の分布状態を層領域輪中に形成すれば良
い。

本発明に於いて、第一の層（１）に設けられる層領域（
６）に包有される窒素原子の含有量は、層領域（ロ）自
体に要求される特性、或いは該層領域（ハ）が支持体に
直に接触して設けられる場合には、該支持体との接触界
面に於ける特性との関係等、有機的関連性に於いて適宜
選択することが出来る。

又、前記層領域軸に１白に接触して他の層領域が設けら
れる場合には、腰仙の層領域の特性や、該仙の層領域と
の接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、窒素原
子の含有量が適宜選択される。

層領域（ハ）中に含有される窒素原子の預は、形成され
る光導電部Ｉに要求される特性に応じて所望に従って適
宜決められるが、好オしくけ０．００１〜５０　ａｔｏ
ｍｉｃ％、より好ましくは０．００２〜４０ａｔｏｍ１
ｃ　％　、最適には０．００３〜３０　ａｔｏｍｉｃ　
ｑ６とされる。

本発明に於いて、層領域（へ））が第一の層（１）の全
域を占めるか、或いは、第一の層（夏）の全域、を古め
なくとも、層領域峙の層厚’ｒ）＋の第一の層（１）の
層厚Ｔに占める割合が充分多い場合には、層領域□□□
に含有される窒素原子の含有量の上限は、前記の値よシ
充分少なくされるのが望ましい。

本発明の場合には層領域（転）の層厚ＴＩ＋が第一の層
（１）の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上とな
る様な場合には、層領域（へ）中に含有される窒素原子
の量の上限は、好ましくは３０　ａｔｏｍｉｃ％以下、
よシ好ましくは２０　ａｔｏｍｉｃチ以下、最適には１
０ａｔｏｍｉｃ％以下とされる。

本発明において、第一の層（Ｉ）を構成する窒素原子の
含有される層領域（へ）は、上記した様に支持体側の方
に窒素原子が比較的高濃度で含治されている局在領域（
Ｂ）を有するものとして設けられるのが望ましく、この
場合には支持体と第一の層（１）との間の密着性をよシ
一層向上させることが出来る。

上記局在領域Φ）は、第２図乃至第１０図に示す記号を
用いて説明すれば、界面位置ｔＢよシ５μ以内に設けら
れるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域の）は、界面位置１Ｂ
より５μＮまでの全層領域（ＬＴ）とされる場合もある
し、又、層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もある。

局在領域を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全部とす
るかは、形成される第一の層（１）に要求される特性に
従って適宜決められる。

局在領域（１３）は、その中に含有される窒素原子の層
厚方向の分布状態として窒素原子の分布濃度の最大値Ｃ
ｍａＸが、好ましくは５００　ａｔｏｍｌｃ　ｐｐｍ以
上、よシ好適には８００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、
最適には１０００　ａｔｉ）ｍｌｃ　’Ｔｌｐｍ以上と
される様な分布状態となり得る様に層形成される。

即ち、本発明においては、窒素原子の含有される層領域
（ト）は、支持体側からの層厚で５μ以内（１Ｒから５
μ厚の層領域）に分布濃度の最大値Ｃｍａｘが存在する
様に形成されるのが望ましい。

本発明において、必要に応じて第一の層（１）を構成す
る第１の層領域（Ｇ）及び第２の層領域（Ｓ）中に含有
されるノ・ロダン原子（３）としては、具体的にはフッ
素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素
を好適なものとして挙げることが出来る。

本発明において、ａ−８ｉ　Ｇ　ｅ　（Ｈｐ　Ｘ　）で
構成される第１の層領域り）を形成するには、例えはグ
ロー放電法、ス・ぐツタリング法、或いはイオンブレー
ティング法等の放電現象を利用する真空堆積法によって
成される。

例えば、グロー放電法によって、ａ　−５ＩＧｅ（Ｈ，
Ｘ）で構成される第１の層領域り）を形成するには、基
本的にはシリコン原子（Ｓｔ）を供給し得る８１供給用
の原料ガスと、ダルマニウム原子（Ｇｅ　）を供給し得
るＧｅ供給用の原料ガスと、必要に応じて水素原子◇０
導入用の原料ガス又は／及び・・ロダン原子（３）導入
用の原料ガスとを、内部が減圧にし？Ｗる堆積室内に所
望のガス圧状態で導入して、該堆積室内にグロー放電を
生起させ、予め所定位置に設置されである所定の支持体
表面上に含治されるゲルマニウム原子の分布濃度を所望
の変化率曲線に従って制餌Ｉし乍らａ−８ＩＧｅ　（Ｈ
、Ｘ）からなる層を形成さぜれｉ：ｎ−い。又、スパッ
タリング法で形成する場合（／（け、例えばＡｒ、Ｈｅ
匍゛の不活性ガスヌはこれ僧のガスをペースとした混合
ガスの雰囲気中でＳｔで＋１〜成されたターケゝット、
或いは、該ターク゛ットとＧｅ’″ｃ椙成されたターケ
ゞットの二枚を使用して、又は、ＳｉとＧｏの混合され
たターゲットを使用して、必要に応じてＨｅ　、　Ａｒ
等の稀釈ガスで稀釈されだＧｅ供給用の原石ガスを、必
要に応じて、水素原子（Ｉ］）又は／及びハロダン原子
に）導入用のガスと共にスパッタリング用の堆積率に導
入し、所望のガスのプラズマ雰囲気を形成すると共に、
前記Ｇｅ供給用の原石ガスのガス流量を所望の変化率曲
線に従って制御し乍ら、前記のターゲットをスパッタリ
ングしてやれば良い。

イオンブレーティング法の場合には、例えば多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンと多結晶ケ゛ルマニウム又は単
結晶ゲルマニウムとを、夫々蒸発源として蒸着ボートに
収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いは、エレクトロ
ンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ、飛翔蒸
発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通ｉθさせる以外
は、ス・母ツタリング法の場合と同様にする事で行うこ
とが出来る。

本発明において使用されるＳｔ供給用の原石ガスとなシ
得る物質としては、５ｉＨ４１５１２Ｈ６＃　Ｓｔ、Ｈ
８１Ｓｉ４Ｈ１゜等のガス状態の又はガス化し？Ｉる水
床化硅素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙
げられ、殊に、層作成作業時の増扱い易さ、別供給効率
の良さ等の点で８１Ｈ４，Ｓｉ２Ｈ６が好ましいものと
して挙げられる。

Ｇｅ供給用の原石ガスとなシ得る物質としては、ＧｅＨ
４＋　Ｇｅ２Ｈ６ｔ　Ｇ５５１（６１Ｇｅ１４Ｈ１０ｒ
　Ｇｅ５Ｔ１１２　ｅ　Ｇｅ６Ｈ１４１Ｇｅ　７Ｈ１６
＋　Ｇｏ　８ｉｔ、８１　Ｇｅ　？）Ｉ２０′等のガス
状態の又はガス化し得る水素化ダルマニウムが有効に使
用されるものとして挙けられ、殊に、層作成作栗時の取
扱い易さ、Ｇｏ供給効率の良さ等の点で、ＧｅＨ４１Ｇ
ｅ　２ｘｒ６＋Ｇｓ　３ＨＢが好ましいものとして挙け
られる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原ネ」
ガスとして有効なのは多くのハロゲン化合物であり、例
えば、／・ロダンガス、ノ・ロダン化物、ハロケ゛ン間
化合物、ノ・ロダンで置換されだシラン誘２ｊｌ休切の
ガス状ｇ景の又はガス化し得る・・ロダン化合物が好ま
しいものとして誉げられる。

又、更には、シリコン原子とノ・ロダン原子とを（１〜
成要素とするガス状態の又はガス化し得る、）・ロダン
原子を含む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明
においては挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るノ・ロダン化合物とし
ては、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロ
ゲン原子、ＢｒＦ　＊　Ｃ１Ｆ　、Ｃ４Ｆ６　＋ＢｒＦ
５＋ＢｒＦ　、　ＩＦ　、　ＩＦ７　、　ＩＣｊ　、　
ＩＢｒ等の）ｓロダン化合物 合物を挙けることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ノ・ロダン原子
で１Ｆ換されたシラン誘導体としては、具体的には例え
ば５ＩＦ４　、８１２Ｆ６　、５ｉＣ６４、ＳｉＢｒ４
等のハロダン化硅素が好ましいものとして挙げることが
出来る。

この様な／・ロダン原子を含む硅素化合物を採用してグ
ロー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成
する場合には、Ｇｅ供給用の原石ガスと共にＳｉを供給
し得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用し々くと
も、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−８ＩＧｅ
”から成る第１の層領域（Ｇ）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含むｃｍｌの層
領域り）を作成する場合、基本的には、例えば８１供給
用の原料ガスとなるハロダン化硅素とＧｅ供給用の原石
ガスとなる水素化ケゝルマニウムとＡｒ＋Ｈ２、Ｈｅ等
のガス等とを所定の混合比およびガス流量になる様にし
て第１のＭ領域り）を形成する堆積室に導入し、グロー
放電を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成す
ることによって、所望の支持体上に第１の層領域（Ｇ）
を形成し得るものであるが、水素原子の導入割合の制御
を一層容易になる様にする為にこれ勢−のガスに更に水
床ガス又は水素原子を含む硅素化合物の力スも所望員混
合して層形成しても良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で棲数種混
合して使用しても差支えない。

スパッタリング法、イオンシレーティング法の何れの場
合にも、形成される層中にハロダン原子を導入するには
、前記のハロゲン化合物又は前記のハロケ゛ン原子を含
む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプラ
ズマ雰囲気を形成してやれば良い。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
石ガス、例えば、■■２、或いは前記しだシラン類又は
／及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング
用の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形
成してやれば良い。

本発明においては、ハロヶ９ン原子導入用の原料ガスと
して上記されたハロゲン化合物或いはハロダンを含む硅
素化合物が有効なものとして使用されるものであるが、
その他に、ＨＦ　、　ＨＣｔ、　ＨＢｒ　。

ＨＩ笠のハロゲン化水素、ＳｉＨ２Ｆ２．５１１（２Ｉ
２　。

５ｉＨ２ＣＡ２．５ＩＨＣ６３，５ｉＨ２Ｂｒ２　、５
ｉＨＢｒ３等のハロクン置換水素化硅素、及びＧｅＨＦ
３　Ｔ　ＧｅＨ２Ｆ２ｒＧｅｌ（３Ｆ　＋　ＧｅＨＢｒ
３　＊　ＧｅＨ２Ｃｔ２　＋　ＧｅＨＢｒ３　ｒ　Ｇｅ
ＨＢｒ３　ｔＧｅＨ７Ｂｒ２　＋　ＧｅＨＢｒ３− の水素化ハロダン化ダルマニウム、等の水素原子を構成
要素の１つとするＩ・ロダン化物、ＧｅＦ４　ｌＧｅＣ
Ｌ４Ｆ　ＧｅＢｒ４１　ＧｅＩ４１　ＧｅＦ２１　Ｇｅ
Ｃ１２１ＧｅＢｒ２゜ＧｅＩ２等のハロダン化ゲルマニ
ウム、剪々のガス状態の或いはガス化し得る物質も有効
な第１の層領域り）形成用の出発物質として挙ける小が
出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むノ・ロダン化物は、
第１の層領域り）形成の際に層中に・・ロケ゛ン原子の
導入と同時に電気的或いは光電的ｌＬ）性の制御に極め
て有効な水素原子も導入するので、本発明においては好
適なノ・ロダン導入用の原ｔＩとして使用される。

水Ｉ原子を！′ｒｉ１の層領域初中に宿造的に導入する
には、」二記ノ他にＨ２，或いは８１ｒ１４．５１２１
１６ｐＳＩ３Ｈ６，５ｉ４Ｈ１゜等の水素化硅素と、Ｇ
ｅを供給する為のケ゛ルマニウム又はケ“ルマニウム化
合物と、或いは、　（？ｅＨ４ｌＧｅ　２Ｈ６，Ｇｅ　
５１１Ｂ　、Ｇｅ　４Ｈ１０ｌＧｅ　５１１１２　、Ｇ
ｅ　６Ｈ１４ｒＧｅ　７１（１６、Ｇｅ　６ＨＩ　Ｂ　
ｌＧｅ　ｑＨ２０等の水素化ダルマニウムと、Ｓｌを口
（給する為のシリコン又はシリコン化合物と、を堆Ｐｊ
！？　Ｉ７中に共存させて放電を生起させる事でも行う
＠Ｓが出来る。

本発明の好ましい例において、形成される第一の層（１
）を構成する第１の層領域（Ｇ）中に含有される水素原
子（［（）の量、又はハロケ゛ン原子（３）の社、又は
水素原子とハロダン原子の量の和（Ｈ」Ｘ）は、好まＬ
　＜は０．０１〜４０　ａｔｏｍｉｃ％、よシ好適には
０６０５〜３０　ａｔｏｍｉｃ％、最適には０１〜２５
　ａｔｏｍｌｃ％とされる。

２ｐ−１の層領域（Ｇ）中に含有される水素原子（６）
又は／及びハロダン原子閃の量を制御するには、例えば
支持体温度又は／及び水素原子Ｃ０、或いはハロゲンＪ
ｆ、Ｔ、子（３）を含有させる為に使用される出発物質
の堆積装置系内へ導入する量、放電々力等を制御してや
れば良い。

本発明に於いて、ａ　−８１（Ｈ，Ｘ）で構成される第
２の層領域（Ｓ）を形成するには、前記した第１の層領
域（Ｇ）形成用の出発物質（Ｉ）の中よシ、Ｇ供給用の
原料ガスとなる出発物質を除いた出発物質〔第２の層領
域（Ｓ）形成用の出発物質Ｑｌ）　）を使用して第１の
層領域（Ｇ）を形成する場合と同様の方法と条件に従っ
て行うことが出来る。

即ち、本発明において、ａ−８ｔ（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第２の層領域（Ｓ）を形成するには、例えばグロー放
電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング
法等の放電現象を利用する真空堆債法によって成される
。例えば、グロー放電法によって、ａ　−８１（Ｈ，Ｘ
）で構成される第２の層領域（Ｓ）を形成するには、基
本的には前記したシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳ
ｔ供給用の原料ガスと共に、必要に応じて水素原子（ロ
）導入用の又は／及びノ・ロケ゛ン原子（３）導入用の
原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して、
該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設
置されである所定の支持マ・１面一ヒにａ　−５ｌ（Ｈ
，Ｘ）からなる層を形成させれば良い。又、ス・やツタ
リング法で形成する場合には、ト１１えばＡｒ＋Ｈｅ　
＃の不活性ガス又はこれ等のガスをベースとした混合ガ
スの雰囲気中でＳｔで構成されたターグットをスパッタ
リングする際、水素原子（Ｊｏ又は／及びハロゲン原子
（３）導入用のガスをスパッタリング用の堆積室に導入
しておけば良い。

本発明の光導電部材に於いては、ｒルマニウム原子の含
有される第１の層領域（Ｇ）の上に設けられ、ケ゛ルマ
ニウム原子の含有されない第２の層領域（Ｓ）に伝導特
性を制御する物質を含有させることにょシ、該層領域（
Ｓ）の伝導特性を所望に従って任意に制御することが出
来る。

この様な物質としては、所謂、半導体分野で云われる不
純物を挙げることが出来、本発明に於いては、形成され
る第２の層領域（Ｓ）を構成するａ−８ｌ　（１１、Ｘ
）に対して、ｐ型伝導特性を与えるｐ型不純物、及びｉ
型伝導特性を与えるｎ型不純物を挙げることが出来る。

具体的には、ｐ型不純物としては、周期律表第■族に属
する原子（第■族原子）、例えば、Ｂ（硼素）　、　Ａ
Ｌ（アルミニウム）　、　Ｇａ（ガリウム）Ｉｎ（イン
ジウム）　、　Ｔｔ（タリウム）等があシ、殊に好適に
用いられるのはＢ、Ｇａである。

ｎ型不純物としては、周期律表第Ｖ族に属する原子（第
Ｖ族原子）、例えば、Ｐ　（＊）、Ａ１１（砒素）、Ｓ
ｂ（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等であシ、殊に、
好適に用いられるのはＰ　、　Ａｓである。

本発明に於いて、第２の層領域（Ｓ）に含有される伝導
特性を制御する物質の含有量は、該層領域（Ｓ）に要求
される伝導特性、或いは該層領域（Ｓ）に直に接触して
設けられる他の層領域の特性や、腰仙の層領域との接融
界面に於ける特性との関係等、有機的関連性に於いて適
宜選択することが出来る。

本発明に於いて、第２の層領域（Ｓ）中に含有される伝
導特性を制御する物質の含有量は、好ましくは０．００
１〜１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、よシ好適には
０．０５〜５００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　＊最適には
ｏ、ｉ〜２００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされる。

第２の層領域（Ｓ）中に伝導特性を制御する物質、例え
ば第■族原子或いは第■族原子を構造的に導入するには
、層形成の際に第■族原子導入用の出発物質或いは第■
族原子導入用の出発物質をガス状態で堆積室中に、第２
の層領域を形成する為の他の出発物質と共に導入してや
れば良い。この様なｆｆ’　ＩＩＩ族原子導入用の出発
物質となシ得るものとしては、常温常圧でガス状の、又
は、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るもの
が採用されるのが望ましい。その様な第■族原子導入用
の出発物質は、具体的には、硼素原子導入用としては、
Ｂ２Ｈ６、Ｂ４Ｈ１０１Ｂ５Ｈ９、Ｂ５１１１１　、　
Ｂ６）１１　ｏ、　Ｂ６Ｈ１２、Ｂ６Ｈ１４等の水素化
硼素、ＢＦ５＋ＢＣｌ３　ＪＢｒ３等Ｏｆ）　ハロｒ　
ｙ化硼素等が挙げられる。この他、ＡｔＣｌ３＋ＧａＣ
６３゜Ｇａ　（ＣＲ２）　５　＋　Ｉ　ｎｃｔ３　、　
ＴｌＣｌ３等も挙げることが出来る。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として本発明において有効
に使用さｉするのは、燐原子導入用としては、ｐｎ３　
、　Ｐ２Ｈ４等の水素比隣、ＰＨ４Ｉ　、ＰＦ　５　＋
　ＰＦ　５　ｒ　ＰＣｌ３　＊ＰＣ４５＋ＰＢｒ３＋Ｐ
Ｂｒ３＋ＰＩ３等のハロダン化燐が挙げられる。コ（７
）他、ＡｓＨ３、ＡｓＦ５　＋ＡｓＣ４＋ＡｓＢｒ３　
＋ＡｓＦ５　ｙｓｂＨ４。

ＳｂＦ５　＋ＳｂＦ５．５ｂＣＬ５　＋５ｂＣｔ５　、
ＢＩＨ５、ＢＩＣｔ３　、Ｂ１Ｂｒ３等も第Ｖ族原子導
入用の出発物質の有効なものとして挙げることが出来る
。

本発明に於いて、第一の層（Ｉ）中に窒素原子の含有さ
れた層領域勤を設けるには、第一の層（Ｉ）の形成の際
に鷺素原子導入用の出発物質を前記した第一の層（Ｉ）
形成用の出発物質と共に使用して、形成される府中にそ
の量を制御し乍ら含有してやれば良い。層領域（へ））
を形成するのにグロー放電法を用いる場合には、前記し
た第一の層（Ｉ）形成用の出発物質の中から所望に従っ
て選択されたものに窒素原子導入用の出発物質が加えら
れる。その様な窒素原子導入用の出発物質としては、少
なくとも窒素原子を構成原子とするガス状の物質又はガ
ス化し得る物質をガス化したものの中の大概のものが使
用され得る。

例えばシリコン原子（Ｓ＊）を構成原子とする原料ガス
と、窒素原子（ハ）を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じて水素原子α◇又は及びノ・ロダン原子Ｇ９を構
成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用
するか、又は、シリコン原子（Ｓｌ）を構成原子とする
原料ガスと、窒素原子（へ）及び水素原子（ＪＯを４１
り成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で
混合するか、或いは、シリコン原子（Ｓ＋）を構成原子
とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓ＋）　、窒素原子
（ハ）及び水素原子（６）の３つを構成原子とする原料
ガスとを混合して使用することが出来る。

又、別には、シリコン原子（Ｓｌ）と水素原子αめとを
＋１９成原子とする原料ガスに窒素原子軸を構成原子と
する原料ガスを混合して使用しても良い。

ス・母ツタリング法によって、窒素原子を含有する層領
域（へ））を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｌウ
ェーハー又はＳｉ３Ｎ４ウェーハー、又は８１とＳ　ｉ
　５Ｎ４が混合されて含有されているウェーハーをター
グツ）として、これ等を種々のガス雰囲気中でスパッタ
リングすることによって行えば良い。

例えば、Ｓｉウェーハーをターケ”ットとして使用すれ
ば、窒素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロダ
ン原子を導入する為の原料ガスを必要に応じて稀釈ガス
で稀釈して、スノ４　ツタ−用の堆積室中に導入し、こ
れ等のガスのガスプラズマを形成して前記８１ウェーッ
ー−をスノ’？　ツタリングすれば良い。

又、別ンは、ｓｉとＳ　ｌ　５Ｎ４とは別々のターケ゛
ットとして、又はＳｌと８１５Ｎ４の混合した一枚のタ
ーケ゛ットを使用することによって、スノヤツター用の
ガスとしての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素
原子（６）又は／及びノ・ロダン原子００ｆ：構成原子
として含有するガス雰囲気中でスパッタリングすること
によって成される。窒素原子導入用の原料ガスとしては
、先述したグロー放電の例で示した原料ガスの中の窒素
原子導入用の原料ガス力≦、スパッタリングの場合にも
有効なガスとして使用され得る。

本発明に於いて、第一の層（Ｉ）の形成の際に窒素原子
の含有される層領域（６）を設ける場合、該層領域（へ
））に含有される窒素原子の分布濃度Ｃ（Ｎ）を層厚方
向に変化させて所望の層厚方向の分布状態（ｄｅｐｔｈ
　ｐｒｏｆｉｌｅ）を有する層領域φ０を形成するには
、グロー放電の場合には分布濃度Ｃ（Ｎ）を変化させる
べき窒素原子導入用の出発物質のガスを、そのガス流量
を所望の変化率曲線に従って適宜変化させ乍ら、７１＆
ｆｆｌ室内に導入することによって成される。例えば、
手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられている何
らかの手段により、ガス流路系の途中に設けられた所定
のニードルバルブの開口を漸次変化させる操作を行えば
良い。このとき、流量の変化率は線型である必要はなく
、例えばマイコン等を用いて、あらかじめ股制された変
化率曲線に従って流量を制御し、所望の含有率曲線を得
ることもできる。層領域（へ）をスパッタリング法によ
って形成する場合、窒素原子の層厚方向の分布濃度Ｃ（
Ｎ）を層厚方向で変化させて、窒素原子の層厚方向の所
望の分布状態（ｄｅｐｔｈ　ｐｒｏｆｌｌ）を形成する
には、第一にはグロー放電法による場合と同様に窒素原
子導入用の出発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積
室中へ導入する際のガス流ｈ１を所望に従って適宜変化
させることによって成される。第二にはスパッタリング
用のターゲットとして、例えばｓｉとＳ　Ｉ　、Ｎ４と
の混合されたターゲットを使用するのであれば、８１と
Ｓ　ｉ　３Ｎ４との混合比をターゲットの層厚方向に於
いて予めｉ化させておくことによって成される。

本発明に於いて、形成される第一の層（Ｉ）を構成する
第２の層領域（Ｓ）中に含有される水素原子αわの量、
又はハロダン原子（３）の量、又は水素原子とノ・ロダ
ン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ　）は、好ましくは１〜４０　
ａｔｏｍｉｃ％　＋好適には５〜３０　ａｔｏｍｉｃ％
　ｒ最適には５〜２５　ａｔｏｍｉｃ％とされる。

第１図に示される光導電部材１００においては第一の層
（Ｉ）　１０２上に形成される第二の層（Ｉｔ）　１０
３は自由表面を有し、主に耐湿性、連続繰返し使用特性
、電気的耐圧性、使用環境特性、耐久性において本発明
の目的を達成する為に設けられる。

又、本発明においては、第一の層（Ｉ）　１０２と第二
の層（ＩＩ）　１０３とを構成する非晶質材料の各々が
シリコン原子という共通の構成要素を有しているので、
積層界面において化学的な安定性の確保が充分成されて
いる。

本発明における第二の層（Ｉｔ）は、シリコン原子（Ｓ
ｌ）と炭素原子（Ｃ）と、必要に応じて水素原子◇わ又
は／及びハロダン原子（３）とを含む非晶質材料（以後
、ｒ　ａ　（ｓ　ｉＸＣ１ｘ　）ｙ　（ｉｔ　、ｘ　）
　＋　−ｙ　ｊとＭ己す。イ旦し、０　（ｘ、　ｙ＜１
　）で構成さ、ｌＬる。

ａ　（Ｓ　ｌ　ｘＣＩ　Ｘ　）　ｙ　（Ｈ，Ｘ）１ｙで
構成さノＬる第二の層（ＩＩ）の形成はグロー放電法、
スノテツタリング法、イオンプランテーション法、イオ
ンブレーティング法、エレクトロンビーム法部によって
成される。

こ）１等の製造法は、製造条件、設備資本投下の負荷程
１”［、製仇規１莫、作製される光導電７５１〜材に所
望さｉＬる特性等の要因によって適宜選択されて採用さ
り、るが、所望する特性を有するブＣ導電部材を製造す
る為の作製条件の制御が比較的容易である、シリコン原
子と共に炭素原子及び）・ロク゛ン原子を、（［成ｊ−
る第二の層（ｎ）中に導入するのが容易に行える等の利
点から、グロー放電法或いはスパッターリング法が好適
に採用される。

更に、本発明においては、グロー放′亀法とスパッター
リング法とを同一装置系内で併用して第二の層ａＩ）を
形成しても良い。

グロー放電法によって第二の層（■）を形成するには、
ａ−（ＳＩＸＣｌ−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ　）１−ｙ形成用の
原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比で
混合して、支持体の設置しである真空堆積用の堆債室に
導入し、導入されたガスをグロー放電を生起させること
でガスグラズマ化して、前記支」￥体上に１スに形成さ
れである第一の層（１）上に ａ　（８１ＸＣ１−ｚ）ｙ（Ｈｂ　Ｘ）ｉ　ｙを堆積さ
ぜれば良い。

本発明において、ａ−（ＳｉＸＣ１−Ｘ）ｙ（Ｈ，、Ｘ
　）１−ｙ形成用の原料ガスとしては、シリコン原子（
Ｓｌ）、炭素原子（（５、水素原子α℃、〕・ロロケノ
ン子（３）の中の少なくとも１つを構成原子とするガス
状の物質又はガス化し得る物質をガス化したものの中の
大概のものが使用され得る。

Ｓｉ、Ｃ，Ｈ，Ｘの中の１つとしてｓｉを構成原子とす
る原料ガスを使用する場合は、例えばＳＳを構成原子と
する原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガスと、必狭
に応じてＨを構成原子とする原料ガス又は／及びＸを構
成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用
するか、又はＳｉを構成原子とする原料ガスと、Ｃ及び
Ｈを構成原子とする原料ガス又は／及びＸを構成原子と
する原料ガスとを、これも又、所望の混合比で混合する
か、或いは８１を構成原子とする原料ガスと、Ｓｌ、Ｃ
及びＨの３つを構成原子とする原料ガス、又は、Ｓｔ、
Ｃ及びＸの３つを構成原子とする原料ガスとを混合して
使用することが出来る。

又、別には、ＳｔとＩ（とを構成原子とする原料ガスに
Ｃを構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良い
し、ＳｌとＸとを構成原子とする原料ガスにＣを構成原
子とする原料ガスを混合して使用しても良い。

本発明において、第二の層（ｎ）中に含有されるノーロ
ケ゛ン原子（３）として好適なのは’ｊ；’、　Ｃ６，
Ｂｒ、■であシ、殊にＶ、Ｃｔが望ましいものでおる。

本発明において、第二の層（ＩＩ）を形成するのに有効
に使用される原料ガスとなシ得るものとしては。

常温常圧においてガス状態のもの又は容易にガス化し得
る物質を挙げることが出来る。

本発明において、第二の層（ｎ）形成用の原料ガスとし
て有効に使用されるのは、ＳｌとＨとを構成原子とする
ＳｉＨ４，５１２Ｈ６ｙＳｉ５ＨＢ＋Ｓｉ４Ｈ４ｇ等の
シラン（Ｓｔムｎｅ）類等の′水素化硅素ガス、ＣとＨ
とを構成原子とする、例えば炭素数１〜４の飽和炭化水
素、炭素数２〜４のエチレン系炭化水素、炭素数２〜３
のアセチレン系炭化水素、ハロゲン学体、ハロゲン化水
素、ハロゲン間化合物、ハロゲン化水素、ハロケ°ン置
換水素化硅素、水素化硅素等を挙げる事が出来る。

具体的には、飽和炭化水素としてはメタン（ＣＨ４）、
エタン（Ｃ２■６）、プロｙ４ン（ＣｓＦｔａ）　、　
ｎ−ブタン（ｎ　Ｃ４Ｈ１ｏ）、インタン（Ｃ５Ｈ１２
）、エチレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃ２Ｈ４
）　、プロピレン（Ｃ３Ｈ６）、ブテン−１（Ｃ４Ｈ［
］）、］ブテンー２Ｃ４Ｈ８）、イソブチレン（Ｃ４Ｈ
８）、ペンテン（Ｃ５Ｈ４ｏ）　ｂアセチレン系炭化水
素としては、アセチレン（Ｃ２■２）、メチルアセチレ
ン（Ｃ３Ｈ４）、ブチン（Ｃ４Ｈ６）、ハロダン単体と
しては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲンガス、
ハロゲン化水素としては、ＦＨ，ＨＩ　、ＨＣｌ、ＨＢ
ｒ　。

ハＯグン間化合物としては、Ｂ　ｒＦ　、Ｃ１Ｆ　、Ｃ
ｔＦ　３　ｒ　ＣＬＦ　５　ｅＢｒＦ５．ＢｒＦ５．Ｉ
Ｆ７．ＩＦ５＋ＩＣ４＋ＩＢｒ　、ハロダン化硅素とし
ては５ＩＦ４，５１２Ｆ６＋５ｉＣｔ（＋５ｉＣ４３Ｂ
ｒ＋５ＩＣ４２Ｂｒ２ｙＳＩＣＬＢｒ３　＋５ＩＣ４Ｉ
＋５ＩＢｒ４　、ハロダン置換水素化硅素としては−５
ＩＨ２Ｆ２瓢Ｓ　ＩＨ２Ｃｔ２．８ｉＨＣ４、Ｓ　１Ｈ
３ｃＡ。

５ＩＩ（３Ｂｒ、５ｉＨ２Ｂｒ２，５ｉＨＢｒ３　、水
素化硅素としては、５ＩＨ４ｅＳ１２ＨＢ＋５ｉ４Ｈ１
（１等のシラン（Ｓ　Ｉ　ｌ　ｉｎｅ　）類、等々を挙
げることが出来る。

これ等の他にＣＦ４＋ＣＣ４４＋ＣＢｒ４＋ＣＨＦ３．
ＣＨ２Ｆ２．ＣＨ３Ｆ。

ＣＡ１５Ｃ１，Ｃｌｌ３Ｂｒ　、ＣＨ５Ｉ　、Ｃ２Ｈ５
Ｃ４等のハロダン置換パラフィン系炭化水素、ＳＦ４．
ＳＦ６等のフッ素化硫黄化合物、５ｔ（ＣＨ３）４　＋
Ｓｉ（Ｃ２Ｈ５）４等のケイ化アルキルやｓ＋ｃｚ（ｃ
ｎ３）５，５ｔｃｚ２（ｃＩｒ３）２．ｓ＋ｃｚ３ｃＨ
３＠のハロダン含有ケイ化アルキル等のシラン誘導体も
有効なものとして挙げることが出来る。

これ等の第二の層（ＩＩ）形成物質は、形成される第二
の層（１１）中に、所定の組成比でシリコン原子炭素原
子及びハロゲン原子と必要に応じて水素原子とが含有さ
れる様に、第二の層（ｎ）の形成の際に所望に従って選
択されて使用される。

例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子との含有が
容易に成し得て且つ所望の特性の層が形成され得る８１
（ＣＨ５）４と、ノ・ロケ゛ン原子を含有させるものと
してのＳ量ＨＣｔ３．５ｔ）（２Ｃ６２。

５ｉＣ７４或いはｓ　１Ｈ３ｃｚ等を所定の混合比にし
てガス状態で第二の層（ＩＩ）形成用の装置内に導入し
てグロー放電を生起させることによって ａ−（８１ＸＣ１−Ｘ）ｙ（Ｃｔ＋Ｈ）１−ｙからなる
第二の層（Ｉｔ）を形成することが出来る。

スパッターリング法によって第二の層（■）を形成する
には、単結晶又は多結晶のｓｉウェーハー又はＣウェー
ッ・−又はＳｌとＣが混合されて含有されているウェー
ッ・−をターゲットとして、これ等を必要に応じてノ・
ロダン原子又は／及び水素原子を構成要素として含む種
々のガス雰囲気中でスパッターリングすることによって
行えば良い。

例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用すれば
、ＣとＨ又は／及びＸを導入する為の原料ガスを、必要
に応じ゛て稀釈ガスで稀釈して、ス・ぐツタ−用の堆私
室中に導入し、これ等のガスのがスフ０ラズマを形成し
て前記Ｓｌウェーハーをスパッターリングすれば良い。

又、別には、ＳｌとＣとは別々のターゲットとして、又
はＳｔとＣの混合した一枚のターゲットを使用すること
によって、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原
子を含有するガス雰囲気中でスパッターリングすること
によって成される。Ｃ，Ｈ及びＸの導入用の原料ガスと
なる物質としては、先述したグロー放電の例で示した第
二の層（１）形成用の物質がスフ９ツターリング法の場
合にも有効な物質として使用さノを得る。

本発明において、第二の層（ＴＩ）をグロー放電法文ｔ
」、ス・ぐツタ−リング法で形成する際に使用さ力、る
稀釈ガスとしては、所謂希ガス、例えばＴｉｅ　ｒ　Ｎ
ｅ　＋Ａｒ笠が好適なものとして挙げることが出来る。

本発明における第二の層（ＩＩ）は、その要求される特
性が所望通りに与えられる様に注意深く形成される。

即ち、Ｓｔ、Ｃ，必要に応じてＩ（又は／及びＸを構成
原子とする物質は、その作成条件によって構造的には結
晶からアモルファスまでの形態を取り、電気物性的には
導電性から半導体性、絶縁性までの間の性質を、又光導
電的性質から非光導電的性質までの間の性質を各々示す
ので。

本発明においては、目的に応じた所望の層性を有するａ
　（ｓｔｘｃｌ−ｚ）ｙ（Ｈ，Ｘ　）　、ｙが形成され
る様に、所望に従ってその作成条件の選択が９密に成さ
れる。例えば、第二の層（１■）を電気的面ｊ圧性の向
上を主な目的として設けるには＊　（Ｓ　ｉ　ｘＣ１ｘ
　）ｙ　（Ｈ、Ｘ）　１　ｙは部用環境において電気絶
縁性的挙動の顕著な非晶質材料として作成される。

又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる
目的として第二の層（ＩＩ）が設けられる場合には、上
記の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射される
光に対しておる程度の感度を有する非晶質材料として ａ　（ｓ　ＩｘＣ＋　−Ｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　＋　ｙ
が作成される。

第一の層（１）の表面にａ　（８１Ｘｃ１−ｘ）ｙ（ａ
、Ｘ）　＋−ｙから成る第二の層（Ｉｎを形成する際、
層形成中の支持体温度は、形成される層の構造及び特性
を左右する重要な因子であって、本発明においては、目
的とする特性を有するａ　（Ｓ　！ＸＣ、−ｘ）ｙ　（
Ｉｔ　Ｘ）１−ｙが所望ｊ「ｈυに作成され得る様に層
作成時の支持体温度が厳密に制御されるのが望ましい。

本発明における、所望の目的が効果的に達成される為の
第二の層（ＩＴ）の形成法に併せて適宜最適範囲が選択
されて、第二の層０１）の形成が実行されるが、好まし
くは２０〜４００℃、よシ好適には５０〜３５０℃、最
適には１００〜３００℃とされるのが望ましい。第二の
層（Ｉｔ）の形成には、層を構成する原イの組成比の微
妙な制御や層厚の制御が油の方法に較べて比較的容易で
ある事等の為に、グロー放電法やスパッターリング法の
採用が有利でちるが、これ等の層形成法で第二の層（Ｉ
Ｉ）を形成する場合には、前記の支持体温度と同様に層
形成の際の放電・ぐワーが作成される ａ　−（Ｓ　ｌ　ｘＣ１ｘ　）ｙＸ　１−ｙの特性を左
右する重要な因子の１つである。

本発明における目的が達成される為の特性を有するａ−
（８１ＸＣ３−Ｘ）ｙＸｌ−ｙが生産性良く効果的に作
成される為の放電・やワー条件としては、好゛ましくは
１０〜３００Ｗ、よシ好適には２０〜２５０Ｗ。

最適には５０〜２００Ｗとされる。

堆積室内のガス圧は好ましくは０．０１〜１．Ｔｏｒｒ
、より好適には０．１〜０．５　Ｔｏｒｒ程度とされる
。

本発明においては第二の層（ＩＩ）を作成する為の支持
体温度、放電パワーの望ましい数値範囲として前記した
範囲の値が挙げられるが、これ等の層作成ファクターは
、独立的に別々に決められるものではなく、所望特性の
ａ−（ｓｔＸｃ、　−Ｘ）ｙ（）１．Ｘ）、　−ｙから
成る第二の層（ＩＩ）が形成される様に相互的有機的関
連性に基づいて各層作成ファクターの最適値が決められ
るのが望ましい。

本発明の光導電部材における第二の層（ＩＩ）に含有さ
れる炭素原子の量は、第二の層（ｎ）の作成免件と同様
、本発明の目的を達成する所望の特性が得らｊＬる第二
の層（ＩＩ）が形成される重要な因子である。

本発明における第二のｒｒＪ（ＩＩ）に含有される炭素
原子の量は、第二の層（ＩＩ）を構成する非晶質材料の
種類及びその特性に応じて適宜所望に応じて決められる
ものである。

ＲＩＪち、ｎｉｌ記一般式ａ−（ＳｔｘＣｌ　−Ｘ）ｙ
（Ｈ，Ｘ）１−、で示さね、る非晶質材料は、大別する
と、シリコン原子と炭素原子とで構成される非晶質材料
（以後、ｒ　ａ　Ｓ＋ＢＣ１−１１Ｊと記す。但し、０
（ａ（１）、シリコン原子と炭素原子と水素原子とで構
成される非晶質材料（以後、　ｒ　ａ　（Ｓ１ｂＣ１−
ｂ）ｃｔｌｌ−Ｊと記す。

ＩＦ５シ、０（ｂ、ｃ（１）、シリコン原子と炭素原−
子とハロゲン原子と必要に応じて水素原子とで構成さノ
Ｌる非晶質材料（以後、ｒ　ａ−（ＳｔｄＣｌ−４）ｅ
（Ｈ，Ｘ）＋−ｅＪとｉ己す。出し０　（ｄ　、ｅ　（
１）に分類される。

本発明において、第二の層（ＩＩ）がａ　Ｓ　ｌ　ａＣ
１−ａで構成される場合、第二の層（ｎ）に含有される
炭素原子のｉＩｉは好ましくはＩ　Ｘ　１０　’〜９０
　ａｔｏｍｉｃ％、よシ好治には１〜８０　ａｔｏｍｉ
ｃ　’ｌｙ、最適には１０〜７５　ａｔｏｍｉｃ％とさ
オＬる。

即ち、先の１１　８　ｌ　ａＣ１−ａのａの表示で行え
ば、ａが好ましくは０．１〜０．９９９９９、よシ好適
には０２〜０．９９、最適には０，２５〜０．９である
。

本発明において、第二の層（Ｉｆ）がａ−（ＳＩｂＣ１
−ｂ）ｃＨｌ。

で構成される場合、第二の層（１１）に含有される炭素
原子の量は、好ましくはｌＸｌ０’〜９０　ａｔｏｍｉ
ｃチとされ、より好ましくは１〜９０　ａｔｏｍｉｃ％
、最適には１０〜８０　ａｔｏｍｌｃ％とされる。水素
原子の含有量としては５好捷しくは１〜４０　ａｔｏｍ
ｌｅ％、よシ好ましくは２〜３５　ａｔｏｍｉｃ％、最
適には５〜３０　ａｔｏｍｉｃ％とされ、これ等の範囲
に水素含有■入がある場合に形成される光導電部劇は、
実際面において優れたものとして充分適用させ得るもの
である。

即ち、先のａ　（ＳｌｂＣ＋−ｂ）ｃ”１１−ｃの表示
で行えばｂが好ましくはｏ、　ｉ〜０．９９９９９、よ
り好適には０．１〜０，９９、最適には０．１５〜０．
９、Ｃが好１しくは０．６〜０．９９、より好適には０
．６５〜０．９８、最適にはＯ６７〜０．９５である。

第二の層（ＩＩ）が、ａ　−（Ｓｌ、ＩＣ１−ｄ）、（
Ｈ，、Ｘ−）１−ｅで構成される鳴合には、第二の層（
１１）中に含有される炭素原子の含有量は、好ましくは
ｌＸｌ０’〜９０ａｔｏｍｌｃ％、より好適には１〜９
０　ａｔｏｍｉｃ％、最適には１０〜８０　ａｔｏｍｌ
ｃ％とされる。ハｈ　）ｆ　７原子の含有量は、好まし
くは１〜２０　ａｔｏｍｉｃ％、より好適には１〜１８
　ａｔｏ＋ｎｌｃ条、最適には２〜１５ａｔｏｍｉｃ係
とされる。これ等の範囲にノ・ロデン原子ａ有量がある
場合に作成される光導電部材は実際面に充分適用さぜ得
るものである。必要に応じて含有される水素原子の含有
量は、好ましくは１９ａｔｏｍｉｃ％以下、より好適に
は１３　ａｔｏｍｌｃ％以下とさ」１．る。

即ち、先のａ　（Ｓｌ、１自刊几（ｎ、Ｘ）＋−ｅのｄ
５ｅの表示で行えば、ｄが好ましくは０１〜０．９！１
９９９、よシ好適には０．１〜０，９９、最適には０．
１５〜０．９、ｅが好ましくは０．８〜０．９９、より
好適には０．８２〜０，９９、最適には０．８５〜０．
９８である。

本発明における第二のＷＪ（ＩＩ）の層）９の数範囲は
、本発明の目的を効果的に達成する為の重要な因子０１
つである。

本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目的に応じ
てこれは適宜所望に従って決めら１シる。

又、第二の層（ＩＩ）の層厚は、該層（ＩＩ）中に含有
される炭素原子の量や第一の層（１）の層厚との関係に
も・いても、各々の層領域に要求される特性に応じた有
機的な関連性の下に所望に従って適宜決定さノ１゜る必
要がある。

更に加えて、生産性や量産性を加味した経済性の点にお
いても考慮されるのが望せしい。

本発明における第二の層（ｎ）の層厚は、好ましくは０
００３〜３０μ、よシ好適には０．００４〜２０μ、最
適には０．００５〜１０μとさノ′Ｌる。

本発明において使用される支持体は、導電性でも電気絶
縁性であっても良い。導電性支持体としては、例えば、
ＮｌＣｒ　％ステンレス、Ａ’−ｒ　Ｃｒ＋Ｍｏ　＋Ａ
ｕ　＋　Ｎｂ　＋　Ｔａ　ｒ　Ｖ　’ｒ　Ｔｉ　＋　Ｐ
ｔ　ｒ　Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、？リカーゼネート、セルローズ、アセｆ−ｔ・、ポ
リプロピレン、ポリ環化ビニル、ポリ」、Ａ（ヒビニリ
デン、ポリスチレン、ポリアミ１”等の合成樹脂のフィ
ルム又はシート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用
される。これ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なく
ともその一方の表面を導電処理され、該導電処理された
表面側に他の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面にＮｌＣｒ　＊Ａｔ
＋　Ｃｒ　＋　Ｍｏ　＊　Ａｕ　、　Ｉｒ　ｒ　Ｎｂ　
、　Ｔａ　＋　Ｖ　＋　Ｔｉ　ｒＰｔ　、Ｐｄ　、　Ｉ
ｎ２Ｏ３＋　５ｎ０２　＋　ＩＴＯ（Ｉｎ２０３＋　５
ｎ０２）等から成る薄）１久を設けることによって導電
性が付与さり、　、或いは醪すエステルフ、イルム等の
合成樹ｊｊ１″１フィ）レムであれば、ＮｉＣｒ　＋　
Ａｔｒ　Ａｇ　＊　Ｐｂ＋Ｚｎ＋Ｎｉ　ｒ　Ａｕ　＋　
Ｃｒ　＋　Ｍｏ　＋　Ｉｒ　＋　Ｎｂ　ｒ　Ｔａ　＃　
Ｖ　ｒ　Ｔｉ　＋ｒ’ｔζ７の金λｊｅｔの薄膜を真空
蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等でその表面に
設け、又Ｉｔｓ　ｎｉｌ記金属でその表面をラミネート
処理して、その表面に導１１Ｌ性がイ４与される。支持
体の形状は、円筒状、ベルト状、板状等任意の形状とし
胃、所望によって、その形状は決定されるが、ヒ１１え
は、第１図の光導電部材１００を電子写真用像形成部材
として使゛用するのであれば、連続高速複写の場合には
、無端ベルト状又ｄ円筒状とするのが望ましい。支持体
の厚さは、所望通りの光導電部材が形成される様に適宜
決定されるが、光導電部材として可撓性が要求される場
合には、支持体としての機能が充分発揮される範囲内で
あれば可能な限シ薄くされる。面乍ら、この様な場合、
支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度等の点から、
好ましくは１０μ以上とされる。

次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概略につｈ
″′Ｃ′Ｃ説明 第１１図に光導電部材の製造装置詳の一例を示す。

図中の１１０２〜１１０６のガス号ボンペには、本発明
の光導電部桐を形成するだめの原料ｚｒスが密封されて
おり、その１例としてたとえば１１０２はＨｅで稀釈さ
ノした５ＩＨ４ガス（純度９９．９９９％、以下Ｓ　ｉ
　Ｈ４／　Ｈｅと略すＤボンベ、１１０３はＨｌｌで稀
釈さノ′したＧｅＨ４ガス（純度９９．９９９％、以下
Ｇ　ｅ　Ｋ　４／１４ｅと略す。）ボンベ、１１０４は
Ｈｅで稀釈された５ＩＦ４ガス（純度９９．９９％、以
下８１　Ｆ　４　／　Ｈｅと略す。）ボンベ、１１０５
はＮｕｓガス（純度９９．９９９％）ボンベ、１１０６
はＩ■２ガス（純度９９．９９９係）ボンベでちる。

こり、らのガスを反応室１１０１に流入させるにハ、ガ
スボンベ１１０２〜１１０６のバルブ１１２２〜１１２
６、リークバルブ１１３５が閉じられていることを確認
し、又、流入バルブ１１１２〜１１１６、流出バルブ１
１１７〜１１２１、補助バルブ１１３２．１１３３が開
かれていることを確認して、先づメインバルブ１１３４
をＶｌ）いて反応室１１０１及び各ガス配管内を排気す
る。

次［真空＠ｔ　１１３６の読みが約５　Ｘ　１０　’Ｌ
ｏｒｒになった時点で補助バルブ１１３２，１１３３．
流出バルブ１１１７〜１１２１を閉じる。

次にシリンダー状基体１１３７上に第一の層（１）を形
成する場合の１例をあげると、ガスボンベ１１０２より
ＳｉＨ４／Ｈ１’ｌガス、ガスがンペ１１０３よ’ｐ　
Ｑｅｌ（４／　Ｉ（ｅ〕ｆス、ガスボンベ１１０５よＪ
　ＮＨ３ガスを、バルブ１１２２．１１２３．１１２５
を開いて出口圧ｙ−ｊ１１２７，１１２Ｂ、１１ａＯの
圧を１ゆ／ｃｎＩ２に調整し、流入バルブ１１１２゜１
１１３．１１１５を徐々に開けて、マスフロコントロー
ラ１１０７，１１０８．１１１０内に夫々流入させる。

引き続いて流出パル７’ｌ　１１７　。

１１１８　、１１２０　、補助バルブ１１３２を徐々に
開いて夫々のガスを反応室１１０１に流入させる。この
ときのＳ　ｉ　Ｈ４／　Ｈｅがス流量とＧｅＲ４／　Ｈ
ｅガス流量どＮＨ３ガス流量との比が所望の値になるよ
うに流出バルブ１１１７．１１１８．１１２０を調整し
、又、反応室１１０１内の圧力が所望の値になるように
真空計１１３６の読みを見ながらメインバルブ１１３４
の開口を調整する。そして基体１１３７の温度が加熱ヒ
ーター１１３８によシ５０〜４００℃程度の範囲の温度
に設定されていることを確認した後、電源１１４０を所
望の電力に設定して反応室１１０１内にグロー放電を生
起させ、同時にあらかじめ設計された変化率曲線にｔｒ
：ってＧｅＨ４／　Ｈｅガスの流量を手動あるいは外部
駆動モータ等の手段によってバルブ゛１１１８の開口を
漸次変化させる操作を行なうことによ多制御して、形成
される層中に含有されるケ°ルマニウム原子の分布濃度
を制御する。

上記の様にして、所望時間グロー放電を維持して、所望
層厚Ｖこ基体１１３７上に第１の層領域（Ｇ）を形成す
る。所望層厚に第１の層領域（Ｇ）が形成さｉした段階
に於いて、流出バルブ１１１８を完全に閉じること、及
び必要に応じて放電条件を変える以外は、同様な条件と
手順に従って所望時間グロー族”ｉＮ、を維持すること
で第１の層領域（６）上にゲルマニウム原子の実質的に
含有されない第２の層領域（Ｓ）を形成することが出来
る。

第２の層領域（Ｓ）中に、伝導性を支配する物質をｎ゛
有させるには、第２の層領域（Ｓ）の形成の際に例えば
Ｂ２１ｔ６　ｒ　ＰＨ３等のガスを堆積室１１０１の中
に導入するガスに加えてやれば良い。

ｔＩＸ−の層（１）中にハロダン原子を含有させる場合
には、上記のガスに、例えばＳぼ４ｉｆスを更に伺加し
てグロー放電を生起させれば良い。

又、第一の層（１）中に水素原子を含有させずにノーロ
ダン原子を含有させる場合には、先の８１）Ｉ４／Ｈ４
ガス及びＧｅＨ４／　）ｉｏガスの代シに、ＳｉＦ４／
Ｈｅガス及びＧｅＦ４／Ｈｅガスを使用すれば良い。

上記の様にして所望層厚に形成された第一の層（Ｉ）上
に第二の層（ｎ）を形成するには、第一０層（１）の形
成の際と同様なバルブ操作によって、例えばＳ　ＩＨ４
ガス、Ｃ２Ｈ４ガスの夫々を必要に応じてＨｅ等の稀釈
ガスで稀釈して、所望の条件に従って、グロー放電を生
起させることによって成される。

第二の層（Ｉｔ）中にハロダン原子を含有させるには、
例えば５ＩＦ４ガスとＣ２Ｈ４ガス、或いはこれにＳｉ
Ｈ２ガスを加えて上記と同様にして第二のＪｒＩ（ＩＩ
）を形成することによって成される。

夫々の層を形成する際に必要なガスの流出、４　ｉレブ
以外の流出バルブは全て閉じることは言うまでもなく、
又、夫々の層を形成する際、前層の形成に使用したガス
が反応室１１０１内、流出ノ々ルブ１１１７〜１１２１
から反応室１１ｏ１内に至るガス配管内に残留すること
を避けるために、流出ハル７’　１１１７〜１１２１を
閉じ、補助パルプ１１３２．１１３３を開いてメインバ
ルブ１１３４を全開して系内を一旦高真空に排気する操
作を心間に応じて行う。

第二のＷ　（ＩＩ）中に含有される炭素原子の量は、例
えば、グロー放電による場合は、　８１Ｈ４ｉｆスとＣ
２Ｈ４ガスの反応室１１ｏ１内に導入される流量比を所
望に従って変えるが、或いは、スパッターリングで層形
成する場合には、夕〜グツトを形成する除シリコンウェ
ハとグラファイトウェハのスパッタ血清比率を変えるが
、又はシリコン粉末とグラファイト粉末の混合比率を変
えてターダットを成型することによって所望に応じて制
御することが出来る。第二の層（ＩＩ）中に含有される
ハロダン原子■の量は、ハロゲン原子導入用の原料ガス
、例えばＳｔｐ”４ガスが反応室１１０１内に導入され
る際の流ｉｉ１をＭＩ７ｉＩ！にすることによって成さ
れる。

父、層形成を行っている間は層形成の均一化を計るため
基体１１３７はモータ１１３９により一定速度で回転さ
せてやるのが望ましい。

以下実施例について説明する。

実施例　１ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー状のＡｔ
基体上に第１表に示す条件で第１２図に示すガス流量比
の変化率曲線に従ってＧｅ■Ｉ４　／　ＨｅガスとＳ　
Ｉ　Ｈ４／　Ｈｅガスのガス流量比を層作成Ｍ過時間と
共に変化させて層形成を行って電子写真用像形成部材を
得た。

こうして得らり、た像形成部材を、ＶｆＦ電ζ□λ光実
馳装置に設置しｅ５．　ＯｋＶで０．３ｓｅｃ間コロナ
帯電を行い、直ちに光像を照射した。光像照射はタング
ステンランプ光源を用い、２Ｌｕｘ・９ｅＱの光遇を透
過型のテストチャートを通して照射させた。

その後直ちに、■荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を像形成部材表面にカスケードすることによっ
て、像形成部材表面上に１好なｌナー画像を得た。像形
成部材上のトナー画曲を０５、ＯｋＶのコロナ帯電で転
写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調再現性のよい
鮮明な高濃度の画イ５１が得らノＬだ。

一卑迦←例−−４一 実施例　２ 第１１図に示した製造装置により、第２表に示す条件で
第１３図に示すがス流量比の変化率曲線に従って、Ｇｅ
Ｈａ　／Ｈｅ　！　スとＳ　！Ｈ４／Ｈｅガスのガス流
量比を層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は
実施例１と同様にして、層形成を行って電子写真用像形
成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた０実施例　３ 第１１図に示した製造装置により、第３表に示す条件で
第１４図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、Ｇｅ
１４／Ｈｅ　ガスとＳ　ｉＨ４／　Ｈｅガスノガス流量
比を層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実
施例１と同様にして、層形成を行って電子写真用像形成
部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例　４ 第１１図に示した製造装置により、第４表に示す条件で
第１５図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、Ｇｅ
Ｈ４／ｆ−ＴｅガスとＳ　ＩＨ４／　Ｈｅガスのガス流
計比を層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は
実施例１と同様にして、層形成を行って電子写真用像形
成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例　５ 第１１図に示しだ製造装置により、第５表に示す条件で
第１６図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、Ｇｅ
Ｈ４／Ｈｅガスと”Ｈ４／ｎｅガスのガスＯＬ　ＭＨ比
を層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実施
例１と同様にして、層形成を行ってη）；子写へ用像形
成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例　６ 第１１図に示した製造装置により、第６表に示す条件で
第１７図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、Ｇｅ
Ｈ，＋／）ＨｅガスとＳｉＨ４／ｌ（ｅガスのガス流量
比を層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実
施例１と同様にして、層形成を行って電子写真用像形成
部材を得た。

こうして得られた像形成部利に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例　７ 第１１図に示した製造装置により、第７表に示す条件で
第１８図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、Ｇｅ
Ｈ／Ｔ（ｅガスとＳ　ｉＨ４／　Ｈ”ガスのガス流量比
を層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実施
例１と同様にして、層形成を行って電子写真用像形成部
材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた◇実施例　８ 実施例１に於いて、Ｓ　Ｈ１４／Ｈｅガスの代シにＳ　
１２Ｈ６／Ｈｅガスを使用し、第８表に示す条件にした
け外は、実施例１と同様の条件にして層形成を行って電
子写真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例■と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例　９ 実施例１に於いて、Ｓ　ＨＩ４／Ｉｌｅの代りにＳｉＦ
４／Ｈｅガスを使用し、第９表に示す条件にした以外は
、実施例１と同様の条件にして層形成を行って電子写真
用像形成部材を得た。

こうしてイ！Ｉられた鍬形成部材に就いて、実施例１と
同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ
極めて鮮明な画質が得られた。

実施例　１０ 実極例１に於いて、ｓ＋ｕ４／Ｈ”がスの代りに（５Ｉ
Ｈ４／Ｈｅ＋ＳＩＦ　／）ｌｅ　）ガスを使用し、第１
０表に示す条件にした以外は、実施例１と同様の条件に
して層形成を行って電子写真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成；〜だところ極
めて鮮明な画質が得られた。

実施例　１１ 実施例１〜ｉｏに於いて、第２層の作成条件を第１１表
に示す条件にした以外は、各実施例に示す条件と同様に
して電子写真用像形成部材の夫々を作成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ第１
１Ａ表に示す結果が得られた。

実施例　１２ 実施例１〜１０に於いて、第２層の作成条件を第１２表
に示す条件にした以外は、各実施例に示す条件と同様に
して電子写真用像形成部材の夫々を作成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ第１
２Ａ表に示す結果が得られた。

実施例　】３ 第１１図に示した製造装置により、第１３表に示す条件
で第１９図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、Ｇ
ｅＨ４／ＨｅガスとＳｉＨ４／Ｈｅガスと、ＮＨ３ガス
とＳ　ＩＨ４／ｌ（ｅガスとのガス流量比を層作成経過
時間と、共に夫々変化させ、その他の条件は実施例１と
同様にして層形成を行って電子写真用像形成部材を得た
。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例　１４ 第１１図に示した製造装置にょシ、第１４表に示す条件
で第２０図に示すガス流量比の変化率曲線に従って％Ｇ
ｅＩ（／Ｈｅガスと５ＩＨ４／Ｈｅガスと。

ＮＨ３ガスと”Ｈ４／Ｈｅガスとのガス流量比を層作成
経過時間と共に夫々変化させ、その他の条件は実施例１
と同様にして、層形成を行って電子写真用ｒｑ！形成部
材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例　１５ 実施例１〜１０に於いて、光源としてタングステンラン
グの代シに８１０　ｎｍＱＱａＡｓ系半導体Ｌ／　−ザ
（し０ｍＷ）を用いて静電像の形成を行った以外は、実
施例１と同様のトナー画像形成条件にして、実施例１〜
１０と同様の条件で作成した電子写真用像形成部材の夫
々に就いてトナー転写画像の画質評価を行ったところ、
解像力に優れ、階調再現性の良い鮮明な高品位の画像が
得られた。

実施例　１６ 層（ＩＩ）の作成条件を第１５表に示す各条件にｊ−た
以外は、実施例１と同様の条件と手順に従って電子写真
用像形成部材の夫々（試ｎ、８］２−４０１〜１２−４
０８．１２−７０１−１２−７０８．１２−８０１〜１
２−８０８の７２個の試料）を作成した。

こうして得られた各電子写真用像形成部材の夫々を個別
に複写装置に設置し、該実施例に記載したのと同様の条
件によって、該実施例に対応した■・子写真用像形成部
制の夫々について、転写画像の総合１ｉｔｉｉ質評価と
井、π返し連続使用による耐久性の評価を行った。

各試料の転写画像の総合画質評価と、繰返し連続同州に
よる耐久性の評価の結果を第１６表に示す。

実施例　１７ 層（ＩＩ）の形成時、シリコンウェハとグラファイトの
クーケ゛ット面積比を変えて１層（ｎ）におけるシリコ
ン原子と炭素原子の含有量比を変化させる以外は、実施
例ｊと全く同様な方法によって像形成部材の夫々を作成
した。こうして得られた像形成部洞の夫々につき、実施
例１に述べた如き、作像、現像、クリーニングの工程を
約５万回繰り返した後画像評価を行ったところ第１７表
の如き結果を得た。

実施例　１８ 層Ｑｌ）の層の形成時、］ＮＨ４ガスとＣ２Ｉ■４ガス
の流量比を変えて、層（ＩＩ）におけるシリコン原子と
炭素原子の含有量比を変化させる以外は実施例１と全く
同様な方法によって像形成部材の夫々を作成した０ こうして得られた各像形成部側につき、実施例１に述べ
た如き方法で転写までの工程を約５万回繰り返した後、
画像評価を行ったところ、第１８表の如き結果を得た。

実施例　１９ 層０）の層の形成時、ＳｉＨ４がス、ＳｉＦ４ガス、Ｃ
２Ｈ４ガスの流量比を変えて、層Φ）におけるシリコン
原子と炭素原子の含有量比を変化させる以外は、実施例
１と全く同様な方法によって像形成部材の夫々を作成し
た。こうして得られた各像形成部材につき実施例１に述
べた如き作像、現像、りＩＪ−ニングの工程を約５万回
繰り返した後、画像評価を行ったところ第１９表の如き
結果を得た。

実施例　２０ 層（ｎ）の層厚を変える以外は、実施例１と全く同様な
方法によって像形成部材の夫々を作成した。

実施例１に述べた如き、作像、現像、クリーニングの工
程を繰シ返し第２０表の結果を得たＯ以上の本発明の実
施例に於ける共通の層作成売件を以下に示す通りである
。

基体温度：ケ゛ルマニウム原子（Ｇｅ）含有層・・・・
・・約２００℃ゲルマニウム原子（Ｇｏ　）非含有層・
・・約２５０℃放電周波数：　１３．５６　ＭＥＩｚ 反応時反応室反応室内圧、　３　Ｔｏｒｒ

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導電部イ」の層構成を説明する為
の模式的層構成図、第２図乃至第１０図は夫々層領域（
Ｇ）中のゲルマニウム原子の分布状態を説明する為の説
明図、第１１図は、本発明の光導電部材の作製に使用さ
れた装置の模式的説明図、第１２図乃至第２０図は夫々
本発明の実施例に於けるガス流量比の変化率曲線を示す
説明図である。 １００・・・光導電部材　１０１・・・支持体１０２・
・・第一の層（１）１０３・・・第二の層（１１）１０
４・・・第一の層領域（Ｇ） １０５・・・第二の層領域（Ｓ） Ｃ 乙 方゛ズ流量比 ガス涙量良 第１４箇 力゛ス邊量よと ガス：Ｌ量庄 手続補正書 昭和ｆ＆　’ｌ”＋、＋ｆ’Ａ’ｉ　Ｎｆｌ　第１４７
７　’Ａ７　号ｊ１１イ′１との関係　出　願　人 １１　所（１潮）”　’　）Ｋ　）、’：　６１％火田
区下丸子３丁目３０番２号Ｉｔ′ｔ′、ｆ名４ｈ・）　
（１００）キャノン＋′１３弐会７．に４代理人 明！１Ｉｌｌ　ｉ’、ｊの“ｉこ明の詳Ｊｉｌｔな尻切
の欄８、　補正の内容　別紙のとおり 補　正　書 Ｉ」 本願明細書中下記４ｆ項を補正いたし′ｉす。 記 ■、ｓ＜３ｃｔ貞１１行目と１２行目の間に次文を挿入
する。 「　層領域船を形成する際に使用される窒素原子（ロ）
導入用の原料ハスに成り得るものとして有効に使用され
る出発物質は、Ｎを構成原子とする或いはＮとＨとを構
成原子とする例えば窒素（Ｎ２）、アン七ニア（Ｎｔ（
３）、しドラジン（ｆ（ｚＮＨＨ２）、アジ化水素（Ｈ
Ｎ３）、アジ化アン七ニウム（ＮＥ（４Ｎ３）等のカス
状の又はノｊス化し得る窒素、窒化物及びアジ化物等の
１素化合物を挙げることができる。この他に、窒シξ原
子（ロ）の導入に加えてへ〇ゲｙ原子内の導入も行える
という点から、三弗化窒素（１’３Ｎ’）、四弗化窒素
ＣＦ４Ｎ２）等のハロゲン化窒素化合物を挙げることが
できる。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （リ　光酒電部拐用の支持体と、該支持体上に、シリコ
   ン原子とダルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成さ
   れた第１の層領域ＩＧ）と、シリコン原子を含む非晶質
   材料で構成され光導電性を示す第２のＪｒＩ領域（Ｓ）
   と、が前記支持体側より順に設けられた層構成の第一の
   層と、シリコン原子と炭素原子とを含む非晶質材料で構
   成された第二の層とを有し、前記第一の層領域（Ｇ）中
   に於けるゲルマニウム原子の分布状態が層厚方向に不均
   一であって、前記第一の層中には、窒素原子が含有され
   ている事を特徴とする光導電部栃。 （２）第１の層領域←）及び第２の層領域（Ｓ）の少な
   くともいずれか一方に水素・原子が含有されている特許
   請求の範囲第１項に記載の光導電部材。 （３）第１の層領域ＩＧ）及び第２の層領域（８）の少
   なくともいずれか一方にハロゲン原子が含有されている
   特許請求の範囲第１項又は第２項に記載の光導電部材。 （４）　第１の層領域幅）中に於けるゲルマニウム原子
   の分布状態は前記支持体側の方に多く分布す８分布状態
   である特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。