JPS6083945A - 光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線。

可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁
波に感受性のある光導電部材に関する。

固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光′電流（Ｉｐ
　）　／暗電流（Ｉａ））が高く、照射する電磁波のス
ペクトル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有
すること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有するこ
と、匣用時において人体に対して無公害であること、更
には固体撮像装置においては、残像を所定時間内に容易
に処理することができること等の特性が要求される。殊
に、事務機としてオフィスで使用される電子写真装置内
に組込まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記の
使用時における無公害性は重要な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン（以後ａ　−Ｓｊと表　′記す）
があシ、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同
第２８５５７１８号公報には電子写真用像形成部材とし
ての応用、独国公開第２９３３４１１号公報には光戒変
゛換読取装置への応用が記載されている。

丙午ら、従来のａ−８ｉで構成された光導電層を有する
光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的
、光学的、光導電的特性、及び耐湿性等の使用環境特性
の点、更には経時的安定性の点において、総合的な特性
向上を計る必要があるという更に改良される可き点が存
するのが実情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると、従来にお
いては、その使用時において残留電位が残る場合が度々
観測され、この種の光導電部材は長時間繰返し使用し続
けると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残像が
生ずる所謂ゴースト現象を発する様になるか、或いは高
速で繰返し使用すると応答性が次第に低下する等の不都
合な点が生ずる場合が少なくなかった。

更には、ａ−８ｉは可視光領域の短波長側に較べて、長
波長側の波長領域よシも長い波長領域の吸収係数が比較
的小さく、現在実用化されている半導体レーザとのマツ
チングに於いて、通常使用されているハロゲンランプや
螢光灯を光源とする場合、長波長側の光を有効に使用し
得ていないという点に於いて、夫々改良される余地が残
っている。

又、別には、照射される光が光導′覗層中に於いて、充
分吸収されずに、支持体に到達する光の量が多くなると
、支持体自体が光導電層を透過して来る光に対する反射
率が高い場合には、光導電層内に於いて多重反射による
干渉が起って、画像の「ボケ」が生ずる一要因となる。

この影響は、解像度を上げる為に、照射スポットを小さ
くする程犬きくなシ、殊に半導体レーザを光源とする場
合には大きな問題となっている。

更に、ａ−８ｉ材料で”光導電層を構成する場合には、
その′成気的、光導電的特性の改良を計るために、水素
原子或いは弗素原子や塩素原子等のハロゲン原子、及び
電気伝導型の制御のために硼素原子や燐原子等が或いは
その他の特性改良のために他の原子が、各々構成原子と
して光導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の含
有の仕方如何によっては、形成した層の電気的或いは光
導電的特性に問題が生ずる場合がある。

即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でないこ
と、或いは暗部において、支持体側よシの電荷の注入の
阻止が充分でないこと等が生ずる場合が少なくない。

更には、ノー厚が十数μ以上になると層形成用の真空堆
積室よシ取シ出した後、空気中での放置時間の経過と共
に、支持体表面からの層の浮きや剥離、或いは層に亀裂
が生ずる等の現象を引起し勝ちであった。この現象は、
殊に支持体が通常、電子写真分野に於いて使用されてい
るドラム状支持体の場合に多く起る等、経時的安定性の
点に於いて解決される可き点がある。

従ってａ−８ｉ材料そのものの特性改良が計られな問題
の総てが解決される様に工夫される必要がある。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−８ｉに
就で電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読取装置等
に使用される光導電部材としての適用性とその応用性と
いう観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シリ
コン原子を母体とし、水素原子（ロ）又はハロゲン原子
（３）のいずれか一方を少なくとも含有するアモルファ
ス材料、所謂水素化アモルファスシリコン、ハロゲン化
アモルファスシリコン、或いはハロゲン含有水素化アモ
ルファスシリコン〔以後これ等の総称的衣記としてｒａ
　−５ｔ（ｎ、Ｘ）Ｊを使用する〕から構成される光導
゛成性を示す層を有する光導′区部材の構成を以後に説
明される様１こ特定化して設計され作成された光導電部
材は、実用上著しく優れた特性を示すばか９でなく、従
来の光導電部材と較べてみてもあらゆる点において凌駕
していること、殊に電子写真用の光導電部材として著し
く優れた特性を有していると）−居ｔド＃；ｍ長側に於
げ石吸収スペクトル特性に優れていることを見出した点
に基いている。

本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時安定して
いそ、殆んど使用環境に制限を受けない全環境型であシ
、長波長側の光感度特性に優れると共に耐光疲労に著し
く長け、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず、残留
電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を、提供
することを主たる目的とする。

本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感度が高く
、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光応答
の速い光導電部材を提供することである。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であシ、層品質の高い光導電
部材を提供することである。

本発明の他の目的は、電子写真用の画形成部材として適
用させた場合、通常の電子写真法が極めて有効に適用さ
れ得る程度に、静電像形成の為の催眠処理の際の電荷保
持能が充分あシ、且つ多湿雰囲気中でもその特性の低下
が殆んど観測されない優れた電子写真特性を有する光導
電部材を提供することである。

本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ノ・−７トーン
が鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る事が
容易に出来る電子写真用の光導電部材を提供することで
ある。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性。

高ＳＮ比特性及び支持体との間に良好な電気的接触性を
有する光導電部材を提供することである。

本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体と、ゲル
マニウム原子を含む非晶質材料で構成された第１の層領
域（Ｇ）とシリコン原子を含む非晶質材料で構成され光
導電性を示す第２０層領域（Ｓ）とが前記支持体側よシ
順に設けられた層構成の第一の層と、シリコン原子と窒
素原子を含む非晶質材料で構成された第二の層とで構成
された光受容層を有し、前記第一の層中には炭素原子が
含有されている事を特徴とする。

上記した様な層構成を取る様にして設計された本発明の
光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し得、極め
て優れた電気的、光学的、光導電的特性、電気′的耐圧
性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用像形成部材として適用させた場合には
、画家形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しておシ高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。

又、本発明の光導′成部材は支持体上に形成される光受
容層が、層自体が強靭であって、且つ支持体との密着性
に著しく優れており、高速で長時間連続的に繰返し使用
することができる。

更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに鏝れ、且
つ光応答が速い。

以下、図面に従うて、本発明の光導電部材に就て詳細に
説明する。

第１図は、本発明の第１の実施朝様例の光１雷部材の層
構成を説明するために模式的に示した模式的構成図であ
る。

第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材用として
の支持体１０１の上に、第一の層（１）１０２と第二の
層（ｎ）　１０３とを有し、該第二の層（ＩＩ）１０３
は自由表面１０６を一方の端面に有している。

第一の層（１）　１０２は、支持体１０１側よシゲルマ
ニウム原子と、必要に応じてシリコン原子、水素原子、
ハロゲン原子（３）の中の少なくとも１つとを含有する
非晶質材料（以後ｒ　ａ−Ｇｅ（８１、Ｈ，Ｘ）Ｊと略
記する）で構成された第１の層領域（Ｇ）　１０４とａ
　−８１（Ｈ，Ｘ）で構成され、光導電性を有する第２
の層領域（Ｓ）　１０５とが順に積層された層構造を有
する。

第１の層領域（Ｇ）　１０４中に他の原子と共に’Ｎｋ
〜敷曳虱阪玉激含有される礒電ゲルマニウム原子は、該
第１の層領域（Ｇ）　１０４の１＠厚方向及び支持体１
０１の表面と平行な面内方向に連続的であって且つ均一
に分布した状態となる様に前記ｄｃ１の層領域（Ｇ）　
１０４中に含有される。

本発明に於いては、第一の層領域（に）上に設けられる
第２の層領域（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は含有さ
れてお“らず、この様な層構造に第一の層（１）を形成
することによって可視光領域を含む、比較的短波長から
比較的短波長迄の全領域の波長の光に対して光感度が優
れている光導電部材とし得るものである。

又、第１の層領域（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子の
分布状態は、全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分
布しているので第１の層領域（Ｇ）と第２の層領域（Ｓ
）との間に於ける親和性に優れ、半導体レーザ等を使用
した場合の、第２の層領域（Ｓ）では殆んど吸収し切れ
ない長波長側の光を第１の層領域（Ｇ）に於いて、実質
的に完全に吸収することが出来、支持体面からの反射に
よる干渉を防止することが出来る。

又、本発明の光導電部材に於いては、第１の層領域（Ｇ
）に、シリコン原子が含有される場合、第１の層領域（
Ｇ）と第２の層領域（Ｓ）とを構成する非晶質材料の夫
々がシリコン原子という共通の構成要素を有しているの
で、積層界面に於いて化学的な安定性の確保が充分成さ
れている。

本発明において、第１の層領域（Ｇ）中に含有されるゲ
ルマニウム原子の含有量は、本発明の目的が効果的に達
成される様に所望に従って適宜決められるが、シリコン
原子との和に対して好ましくは１〜ｌ　ＯＸ　１０　ａ
ｔｏｍｌｃ　ｐｐｍ　％よシ好ましくは１００〜９、５
　Ｘ　１０５ａｔｏｍｉ　ｃ　ｐｐｍ　、最適には、５
００〜８×１０５１０５ａｔｏ　ｐｐｍとされるのが望
ましい。

本発明に於いて第１の層領域（Ｇ）と第２の層領域（Ｓ
）との層厚は、本発明の目的を効果的に達成させる為の
重要な因子の１つであるので、形成される光導電部材に
所望の特性が充分与えられる様に、光導電部材の設計の
際に充分なる注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１の層領域（Ｇ）の層厚’ｒｎは、
好ましくは３０Ｘ〜５０μ、よシ好ましくは、４０Ｘ〜
４０μ、最適には５０Ｘ〜３０μとされるのが望ましい
。

又、第２の層領域（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは、０．
５〜９０μ、より好ましくは１〜８０μ、最適には２〜
５０μとされるのが望ましい。

第１の層領′域（Ｇ）の層厚ＴＢと第２の層領域（Ｓ）
の層厚Ｔの和ＣＴＢ十Ｔ）は、両層領域に要求される特
性と第一の層（１）全体に要求される特性との相互間の
有機的関連性に基いて、光導電部材の層設計の際に所望
に従って、適宜決定される。

本発明の光導電部材に於いては、上記の（Ｔｎ＋Ｔ）の
数値範囲は、好ましくは１〜１００μ、よシ好適には１
〜８０μ、最適には２〜５０μとされるのが望ましい。

本発明のよシ好ましい実施態様列に於いては、上記の層
厚ＴＢ及び層厚Ｔは、好ましくは、Ｔ　Ｂ／Ｔ≦１なる
関係を満足するように、夫々に対して適宜適切な数値が
選択されるのが望ましい・ 上記の場合に於ける層厚ＴＢ及び層厚Ｔの数値の選択に
於いて、よシ好ましくはＴｎ／Ｔ≦０．９．最適にはＴ
Ｂ　／Ｔ≦０．８なる関係が満足される様に層厚ＴＢ及
び層厚Ｔの値が決定されるのが望ましい。

本発明に於いて、第１の層領域ＣＧ）中に含有されるゲ
ルマニウム原子の含有量がＩ　Ｘ　１０　ａｔｏｒｎｉ
ｃ　ｐｐｍ以上の場合には、第１の層領域（Ｇ）の層厚
’ｒｎは、成可く薄くされるのが望ましく、好ましくは
３０μ以下、よシ好ましくは２５μ以下、最適には２０
μ以下とされるのが望ましい。

本発明の光導電部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には支持体と第一の層（１）との間の密着性の改
良を計る目的の為に第一の層（１）中に、炭素原子が含
有される。第一の層（１）中に含有される炭素原子は、
第一の層（１）の全層領域に万偏なく含有されても疎い
し、或いは、第一の層（１）の一部の層領域のみに含有
させて偏在させても良い。

又、炭素原子の分布状態は、分布濃度Ｃ（Ｃ）が第一の
層（１）の層厚方向に於いて、均一であっても層厚方向
に不均一であっても良い。

本発明に於いて、第一の層（１）に設けられる炭素原子
の含有されている層領域（Ｃ）は、光感度と暗抵抗の向
上を主たる目的とする場合には、第一の層（１）の全層
領域を占める様に設けられ、支持体と第一の層（１）と
の間の密着性の強化を計るのを主たる目的とする場合に
は、第一の層（１）の支持体側端部層領域を占める様に
設けられる。

前者の場合′、層領域（Ｃ）中に含有される炭素原子の
含有量は、高光感度を維持する為に比較的少なくされ、
後者の場合には、支持体との密着性の強化を確実に計る
為に比較的多くされるのが望ましい。

又、前者と後者の両方を同時に達成する目的の為には、
支持体側に於いて比較的高濃度に分布させ、第一の層（
１）の第二の層（ＩＩ）側に於いて比較的低濃度に分布
させるか或いは、第一の層（１）の第二の層（Ｉｌ）側
の表層領域には、炭素原子を積極的には含有させない様
な炭素原子の分布状態を層領域（Ｃ）中に形成すれば良
い。

本発明に於いて、第一０層（１）に設けられる層領域（
Ｃ）に含有される炭素原子のき有量は、層領域（Ｃ）自
体に要求される特性、或いは該層領域（Ｃ）が支持体に
直に接触して設けられる場合には、該支持体との接触界
面に於ける特性との関係等、有機的関連性に於いて、適
宜選択することが出来る。

又、前記層領域（Ｃ）に直に接触して他の層領域が設け
られる場合には、該他の層領域の特性や、該他の層領域
との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、炭素
原子の含有量が適宜選択される０層領域（Ｃ）中に含有
される炭素原子の量は、形成される光導電部材に要求さ
れる特性に応じて所望に従って適宜決められるが、好ま
しくはｏ、ｏｏｉ〜５０ａｔｏｍｉｃ　ｆｙ　、よシ好
ましくは０．００２〜４０ａ　ｔｏｍｉ　ｃ　％、最適
には０．００３〜３０　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望
ましい。

本発明に於いて、層領域（Ｃ）　７５ｊ　４−の層（１
）の全域を占めるか、或いは、第一の層（１）の全域を
占めなくとも、層領域（Ｃ）の層厚ＴＯの第一の層ＣＩ
）の層厚Ｔに占める割合が充分多い場合には、層領域（
Ｃ）に含有される炭素原子の含有量の上限は、前記の値
上シ充分少なくされるのが望ましい。

本発明の場合には、層領域（Ｃ）の層厚ＴＯが第一の層
（１）の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上とな
る様な場合には、層領域（Ｃ）中に含有される炭素原子
の量の上限は、好ましくは３０　ａｔｏｍｉｃチ以下、
よシ好ましくは２０　ａｔｏｍｉｃ係以下、最適には１
０　ａｔｏｍｉｃ　％以下とされるのが望ましい。

第２図乃至−１０図には、本発明における光導電部材の
層領域（Ｃ）中に含有される炭素原子の層厚方向の分布
状態の典型的例が示される。

第２図乃至第１０図において、横軸は炭素原子の分布濃
度Ｃを、縦軸は、層領域（Ｑの層厚を示し、ｔＢは支持
体側の層領域（Ｃ）の端面の位置を、を丁は支持体側と
は反対側の層領域（Ｃ）の端面の位置を示す。

即ち、炭素原子の含有される層領域（Ｃ）はｔＢ側よｐ
ｔＴ側に向って層形成がなされる。

第２図には、層領域（Ｃ）中に含有される炭素原子の層
厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第２図に示される例では、炭素原子の含有される層領域
（Ｃ）が形成される支持体の表面と該層領域（Ｑの表面
とが接する界面位置ｔａよシｔ１の位置までは、炭素原
子の分布濃度Ｃ（Ｃ）がＣ１なる一定の値を取り乍ら炭
素原子が形成される層領域（Ｃ）に含有され、位置ｔ１
よυは濃度Ｃ２よシ界面位置ｔＴに至るまで徐々に連続
的に減少されている。界面位置ｔＴにおいては炭素原子
の分布濃度Ｃ（（１’ｌはＣ５とされる。

第３図に示される例においては、含有される炭素原子の
分布濃度Ｃは位置ｔｎよ９位＋１ｔｔＴに到るまで濃度
Ｃ４から徐々に連続的に減少して位置を丁において濃度
Ｃ５となる様な分布状態を形成している。

第４図の場合には、位置ｔＢよ多位置ｔ２までは炭素原
子の分布濃度Ｃ（Ｃ）は濃度Ｃ６と一定値とされ、位置
ｔ２と位１ｉｔｔｒとの間において、徐々に連続的に減
少され、位置ｔＴにおいて、分布濃度Ｃ（Ｃりは実質的
に零とされている（ここで実質的に零とは検出限界量未
満の場合である）。

第５図の場合には、炭素原子の分布濃度Ｃ（ｃ）は位置
ｔｎ　、１：　、ｊ１１位置ｔＴに到るまで、濃度Ｃ８
より連続的に徐々に減少され、位ｔｔｙにおいて実質的
に零とされている。

第６図に示す例においては、炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ
’ｌは、位置ｔＢと位置ｔ３間においては、濃度Ｃ９と
一定値であシ、位置ｔＴにおいては濃度ＣＩ０とされる
。位置ｔ３と位１ｔｔｔとの間では、分布濃度Ｃ（Ｃ）
は−次間数的に位置ｔ５よシ位置ｔＴに至る゛まで減少
され゛ている。

第τ図に示される例においては、分布濃度Ｃ（Ｑは位ｈ
ｔｌａよシ位置ｔ４までは濃度Ｃ１１の一定値を取シ、
位置ｔ４よシ位置１１までは濃度Ｃ１２よシ濃度Ｃ１５
まで一次関数的に減少する分布状態とされている。

第８図に示す例においては、位置ｔＢよシ位置ｔＴに至
るまで、炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）は濃度Ｃ１４よシ
実質的に零に至る様に一次関数的に減少している。

第９図においては、位置ｔｎよシ位置ｔ５に至るまでは
炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）は、濃度Ｃ＋５よシ濃度自
６まで一次関数的に減少され、位１ｆｆｉｔｓと位置ｔ
Ｔとの間においては、濃度０１６の一定値とされた例が
示されている。

第１０図に示される例においては、炭素原子の分布濃度
Ｃ（Ｃ）は位置ｔＢにおいて濃度Ｃ１７であシ、位置ｔ
６に至るまではこの濃度Ｃ１７よシ初めはゆりく９と減
少され、ｔ６の位置付近においては、急激に減少されて
位置ｔ６では濃度０１Ｂとされる。

位置ｔ６と位置ｔ７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩かに徐々に減少されて位置ｔ７で
濃度Ｃ１９となシ、位置ｔ７と位ｆｉｆｆｉｔａとの間
では、極めてゆりくシと徐々に減少されて位置ｔ８にお
いて、濃度Ｃ２ｏに至る。位置ｔ８と位置ｔＴの間にお
いては、濃度Ｃ２０よシ実質的に零になる様に図に示す
如き形状の曲線に従って減少されている。

以上、第２図乃至第１０図によシ、層領域（Ｃ）中に含
有される炭素原子の層厚方向の分布状態の典型例の幾つ
かを説明した様に、本発明においては、支持体側におい
て、炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）の高い部分を有し、界
面ｔＴ側においては、前記分布濃度Ｃ（Ｃ）は支持体側
に較べて可成シ低くされた部分を有する炭素原子の分布
状態が層領域（Ｃ）に設けられている。

本発明において、第一の層（１）を構成する炭素原子の
含有される層領域（Ｑは、上記した様に支持体側の方に
炭素原子が比較的高濃度で含有されている局在領域（Ｂ
）を有するものとして設けられるのが望ましく、この場
合には、−支持体と第一の層（１）との間の密着性′を
よシ一層向上させることが出来る。

上記局在領域ＣＢ）は、第２図乃至第１０図に示す記号
を用いて説明すれば、界面位置ｔｎよシ５μ以内に設け
られるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域（Ｂ）は、界面位置ｔ
Ｂより５μ厚までの全層領域（ＬＴ）とされる場合もら
るし、又、層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もある。

局在領域を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全部とす
るかは、形成される第一の層（１）に要求される特性に
従って適宜決められる。

局在領域（Ｂ）はその中に含有される炭素原子の層厚方
向の分布状態として炭素原子の分布濃度の最大値Ｃｍａ
ｘが好ましくは５００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、よ
シ好適には８００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ５最適には１
０００　ａｔｏｍｉｃｐｐｍ以上とされる様な分布状態
となシ得る様に層形成されるのが望ましい。

即ち、本発明においては、炭素原子の含有される層領域
（Ｃ）は、支持体側からの層厚で５μ以内（１，から５
μ厚の層領域）に分布濃度Ｃ（Ｃ）の最大値Ｃｍａｘが
存在する様に形成されるのが望ましい。

本発明において、第一の）ｍ　（１）を構成する第１の
層領域（Ｇ）及び第２の層領域（Ｓ）中に必要に応じて
含有されるハロゲン原子■としては、具体的には７ノ素
、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を
好適なものとして挙げることが出来る。

本発明において、ａ　−Ｇｅ　（Ｓｉ＋　Ｈ’ｒ　Ｘ　
）で構成される第１の層領域（Ｇ）を形成するには例え
ばグロー放電法、スパッタリング法、或いはイオンブレ
ーティング法等の放電現象を利用する真壁堆積法によっ
て成される。例えばグロー放電法によって、ａ−Ｇ＝（
Ｓｉ　、Ｈ，Ｘ）で構成されるｉｌの層領域（Ｇ）を形
成するには、例えばゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し
得るＧｅ供給用の原料ガスと、必要に応じて、シリコン
原子（ｓｉ）を供給し得るＳｔ供給用の原料ガスと、水
素原子（ロ）導入用の原料ガス又は／及びハロゲン原子
■導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に
所望のガス圧状態で導入して、該堆積案内にグロー放電
を生起させ、予め所定位置に設置されである所定の支持
体表面上に層形成すれば′良い。第１の層領域（Ｇ）に
、ゲルマニウム原子を不均一な濃度分布で含有させる場
合、ゲルマニウム原子の分布濃度を所望の変化率曲線に
従って制御し乍らａ　−Ｇｏ　（８１＋　Ｈ＋　Ｘ　）
からなる層を形成させれば良い。又、スパッタリング法
で形成する場合には、例えばＡｒ　、　Ｈｅ等の不活性
ガス又はこれ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気
中で８１で構成されたターゲット、或いは該ターゲット
とＧｅで構成されたターゲットの二枚を使用して又は、
ＳｉとＧｅの混合されたターゲットを使用して必要に応
じてＨｅ　ｒ　Ａｒ等の稀釈ガスで稀釈されたＧｅ供給
用の原料ガスを必要に応じて、水素原子（ロ）又は／及
びハロゲン原子（３）導入用のガスをスパッタリング用
の堆積室に導入し、所望のガスのプラズマ芥囲気を形成
することによって成される。この際前記Ｇｅ供給用の原
料ガスのガス流量を所望の変化率曲線に従って制御し乍
ら前記ターゲットをスパッタリングしてやれば第１の層
領域（Ｇ）中のゲルマニウム原子の分布濃度を任意に制
御することが出来る。

イオンブレーティング法の場合には、例えば多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又は単結
晶ゲルマニウムとを、夫々蒸発源として蒸着ボートに収
容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いは、エレクトロン
ビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ、飛翔蒸発
物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以外は、
スパッタリング法の場合と同様にする事で行うことが出
来る。

本発明において使用されるＳｔ供給用の原料ガスと成シ
得る物質としては、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、５ｉｓＨａ
。

５ｉ４Ｈ＋ｏ等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅
素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げられ
、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良
さ等の点で５ＩＨ４、５ｊ２Ｈ６が好ましいものとして
挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成シ得る物質としてはＧｅＨ４
ｒ　Ｇｅ２Ｈ６ｒ　Ｇ１１３Ｈ８ｒ　Ｇｅ４Ｈ１（１＋
　Ｇｅ５Ｈ１２，Ｇｅ６Ｈ１４＋Ｇｅ７Ｈ１６、ＧｅＢ
ＨＩＢ　、　Ｇｅ９Ｈ２０等のガス状態の又はガス化し
得る水素化ゲルマニウムが有効に使用されるものとして
挙゛げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｇｏ供
給効率の良さ等の点で、ＧｅＨ４＋Ｇｅ２Ｈ６。

Ｇｅ　５Ｈ６が好ましいものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を詮
む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明において
は挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ンガス、ＢｒＦ　、　ＣＩＦ　、　ＣｌＦ５　、　Ｂｒ
Ｆ５　。

ＢｒＦ５　ｒ　ＩＦ３　ｒ　ＩＦ７　ｒ　ＩＣ１＋　Ｉ
Ｂｒ　等のハロゲン間化合物を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、）・ロゲン原子
で置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えば
ＳｉＦ４　、　Ｓｉ２Ｆ６　、５ｋＣ１４、ＳｉＢｒ４
等のノ）ロゲン化硅素が好ましいものとして挙げること
が出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｔを供給し
得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも
、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ　−５ｉＧｅ
から成る第１の層領域（Ｇ）を形成する事が出来る。

グロー放′成法に従って、ハロゲン原子を含む第１の層
領域（Ｇ）を作成する場合、例えばＳｔ供給用の原料ガ
スとなるハロゲン化硅素とＧｅ供給用の原料ガスとなる
水素化ゲルマニウムとＡｒ　、　Ｈ２、Ｈｅ等のガス等
を所定の混合比とガス流量になる様にして第１の層領域
（Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー放電を生起し
てこれ等のガスのフリズマ雰囲気を形成することによっ
て、所望の支持体上に第１の層領域（Ｇ）を形成し得る
ものであるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易に
なる様に計る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は水素
原子を含む硅素化合物のガスも所望量混合して層形成し
ても良い。

又、各ガスは単独様のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

スパッタリング法、イオンブレーティング法の何れの場
合にも形成される層中にノ〜ロゲン原子を導入するには
、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子を含む
硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプラズ
マ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２、或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして１吏用されるものであるが、
その他に、ＨＦ　、　ＨＣｌ、　ＨＢｒ　、ＨＩ等のハ
ロゲン化水素、ＳｉＨ２Ｆ２　、５ｉＨ２Ｉ２　、５ｉ
Ｈ２Ｃ１２。

５ｉＨ（Ｊ３　＋　５ｉＨ２Ｂｒ２　ｒ　５ｉＨＢｒ３
等のハロゲン置換水素化硅素、及びＧｅｌ−ＩＦ５．　
ＧｅＨ２Ｆ２　、　ＧｅＨ３Ｆ　、　ＧｅＨＣｌ１３１
ＧａＨ２Ｃ１２１ＧｅＨ５Ｃｌ＋　ＧｅＨＢｒｘ　＋　
ＧｅＨ２Ｂｒ２．　Ｇｅｌ１５Ｂｒ　＋ＧｅＨＩ３　’
＋　ＧｅＨ２Ｉ２　、　ＧｅＨ５１等の水素化ハロゲン
化ゲルマニウム、等の水素原子を構成要素の１つとする
ハロゲン化物、ＧｅＦ４　＋　ＧｅＣｌ４．　ＧｅＢｒ
４　、　ＧｅＩ４　。

ＧｅＦ２　ｒ　ＧｅＣ１１２＋　ＧｅＢｒ２＋ＧｅＩ２
等のハロゲン化ゲルマニウム、等々のガス状態の或いは
ガス化し得る物質も有効な第１の層領域（Ｇ）形成用の
出発物質として挙げることが出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、第
１の層領域（Ｇ）形成の際に層中にハロゲン原子の導入
と同時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な
水素原子も導入されるので、本発明においては好適なハ
ロゲン導入用の原料として使用される。

水素原子を第１の層領域（Ｇ）中に構造的に導入するに
は、上記の他にＨ２、或いはＳｉＨ４＋　５１２Ｈ６＋
Ｓ　ｔ　３Ｈ８、’Ｓ　ｉ　ａｕｌｏ等の水素化硅素を
Ｇｅを供給する為のゲルマニラ又又はゲルマニウム化合
物と、或いは％　ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ５ＨＢ　
、　Ｇｅ４Ｈ１０，Ｇｅ　５１（１２、Ｇｅ６Ｈ１４。

Ｇｅ７Ｈ１６、ＧｅＢＨＩＢ　、　Ｇｅ９Ｈ２０等の水
素化ゲル−ｑ＝ニウムＳＬを供給する為のシリコン又は
シリコン化合物とを堆積室中に共存させて放電を生起さ
せる事でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される第一の層（１
）を構成する第１の層領域Ｃ）中に含有される水素原子
αυの量又はノ・ロゲン原子（３）の蛍又は水素原子と
ハロゲン原子の量の和（Ｈ十Ｘ）は、好ましくは０．０
１〜４０　ａｔｏｍｉｃ　％、与り好適には０．０５〜
３０　ａｔｏｍｉｃ　％、最適には０．１〜２５　ａｔ
ｏｍｌｃ　％とされるのが望ましい。

第１の層領域軽）中に含有される水素原子（ロ）又は／
及びノ・ロゲン原子（３）の址を制御するには、例えば
支持体温度又は／及び水素原子（ロ）、或いはノ・ロゲ
ン原子（３）を含有させる為に使用される出発物質の堆
積装置系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば
良い。

本発明に於いて、ａ−８ｔ（Ｈ，Ｘ）で構成される第２
の層領域（Ｓ）を形成するには前記した第１の層領域（
Ｇ）形成用の出発物質（Ｉ）の中より、Ｇｅ供給用の原
料ガスとなる出発物質を除いた出発物質〔第２の層領域
（Ｓ）形成用の出発物質（■）〕を使用して、第１の層
領域（Ｇ）を形成する場合と同様の方法と条件に従って
行うことが出来る。

即ち、本発明において、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第２の層領域（Ｓ）を形成するには例えばグロー放電
法、スパッタリング法、或いはイオングレーティング法
等の放電現象を利用する真空堆積法によって成される。

例えば、グロー放電法によって、ａ　−Ｓ　ｉ　（）ｌ
　ｒ　Ｘ）で構成される第２層領域（Ｓ）を形成するに
は、基本的には前記したシリコン原子（Ｓｉ）を供給し
得るＳｔ供給用の原料ガスと共に、必要に応じて水素原
子（ロ）導入用の又は／及びノ・ロゲン原子（３）導入
用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入し
て、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置
に設置されである所定の支持体表面上にａ　−Ｓ　ｉ　
（Ｈ＋　Ｘ）からなる層を形成させれば良い。又、スパ
ッタリング法で形成する場合には、例えばＡｒ　＋　Ｈ
ｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスを於＆とした混合ガ
スの雰囲気中でＳｉで構成されたターゲットをスパッタ
リングする際、水素原子（ｋ］）又は／及びハロゲン原
子（３）導入用のガスをスパッタリング用の堆積室に導
入しておけばよい。

本発明の光導電部材に於いては、ゲルマニウム原子の含
有される第１の層領域（Ｇ）の上に設けられ、ゲルマニ
ウム原子の含有されない第２の層領域（Ｓ）には、伝導
特性を制御する物質を含有させることによシ、該層領域
（Ｓ）の伝導特性を所望に従って任意に制御することが
出来る。

この様な物質としては、所謂、半導体分野でいわれる不
純物を挙げることが出来、本発明に於いては、形成され
る第２の層領域（Ｓ）を構成するａ−ｓｌ（ｕ　、　ｘ
）に対して、ｐ型伝導特性を与えるｐ型不純物、及びｎ
ｊＪ伝導特性を与えるｎ型不純物を挙げることが出来る
。

具体的には、ｐ型不純物としては、周期律表第■族に属
する原子（第■族原子）、例えば、Ｂ（硼素）　、　Ａ
Ａ　（アルミニウム）　、　Ｇａ　（ガリウム）、Ｉｎ
（インジウム）　、　Ｔｌ　（タリウム）等があシ、殊
に好適に用いられるのは、Ｂ、Ｇａである。ｎ型不純物
としては、周期律表第■族に属する原子（第■族原子）
、例えば、Ｐ（燐）、Ａｓ（研木）、ｓｂ（アンチモン
）。

ＢＩ（ヒスマス）等であシ、殊に好適に用いられるのは
、Ｐ、Ａａである。

本発明に於いて、第２の層領域（Ｓ）に含有される伝導
特性を制御する物質の含有量は、該層領域（Ｓ）に要求
される伝導特性、或いは該層領域Ｃ８）に直に接触して
設けられる他の層領域の特性や、該他の層領域との接触
界面に於ける特性との関係等、有機的関連性に於いて、
適宜選択することが出来る。

本発明に於いて、第２０層領域（Ｓ）中に含有される伝
導特性を制御する物質の含有量は、好ましくは０．００
１〜１０００　ａｔｏｍｉ　ｅ　ｐｐｍ　＋よシ好適に
は０，０５〜５００　ａｔｏｍｉ　ｃ　ｐｐ　、最適に
は０．１〜２００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされるのが
望ましい。

第２の層領域（Ｓ）中に伝導特性を制御する物質、例え
ば第■族原子或いは第■族原子を構造的に導入するには
、′層形成の際に第■族原子導入用の出発物質、或いは
、第■族原子導入用の出発物質をガス状態で堆積室中に
、第２の層領域を形成する為の他の出発物質と共に導入
してやれば良い。この様な第■族原子導入用の出角物質
と成り得るものとしては、常温常圧でガス状の、又は少
なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用
されるのが望ましい。その様な第■族原子導入用の出発
物質として具体的には硼素原子導入用として　は−Ｂ　
２Ｈ６電　Ｂ１１（１０１Ｂ５Ｈ９＋　Ｂ５Ｈ１１＋　
Ｂ６Ｈ１０Ｉ　ＳｂＦ１２　ＩＢ６１１１４等の水素化
硼素、ＢＦ５　＋　ＢＣ１１５、ＢＢｒ３　＋等の）・
ロゲン化硼素等が挙げられる。この他、ＡｌＣｌ３゜Ｇ
ａＣ６５、Ｇａ（ＣＪ）３　、　Ｉｎ（Ｊ’ｓ　、　Ｔ
ｌＣｌ５等も挙げることが出来る。

第■族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ３＋
　Ｐ２ｆ（４等の水素北隣、　Ｐ）１４’Ｉ　、　ＰＦ
５　、　ＰＦ５　。

ρＣ１ｚ　、　ＰＣ／ｂ　、　ＰＢｒｘ　、　ＰＢｒｓ
　、　ＰＩｘ等のノーロゲン化燐が挙げられる。この他
、ＡｓＨ３ｒ　ＡｇＦ２　、　ＡｓＣβ６゜ＡｓＢｒ３
　、　ＡｇＦ２　、５ｂＨ５、ＳｂＦ５　、　ＳｂＦ５
　、５ｂＣ１５、５ｂＣｌｓ　。

ＢＩＨ３、ＢｉＣＪ３　、　Ｂ１Ｂｒ３等も第■族原子
導入用の出発物質の有効なものとして挙げることが出来
る。

本発明に於いて、第一の層（１）に炭素原子の含有され
た層領域（Ｃ）を設けるには、第一の層（１）の形成の
際に炭素原子導入用の出発物質を前記した第一の層（１
）形成用の出発物質と共に使用して、形成される層中に
その量を制御し乍ら含有してやれば良い。層領域（Ｑを
形成するのにグロー放電法を用いる場合には、前記した
第一の層（Ｉ）形成用の出発物質の中から所望に従って
選択されたものに炭素原子導入用の出発物質が加えられ
る。その様な炭素原子導入用の出発物質としては、少な
くとも炭素原子を構成原子とするガス状の物質又はガス
化し得る物質をガス化したものの中の大概のものが使用
され得る。

例えばシリコン原子（Ｓｋ）を構成原子とする原料ガス
と、炭素原子（Ｃ）を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じて水素原子（ロ）又は及び／・ロゲン原子（３）
を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して
使用するか、又は、シリコン原子（Ｓｉ　）を構成原子
とｊる原料ガスと、炭素原子（Ｃ）及び水素原子（ロ）
を構成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比
で混合するか、或いは、シリコン原子（ｓｉ）を構成原
子とする原料ガスと、シリコン原子（ｓｉ）、炭素原子
（Ｃ）及び水素原子（ロ）の３つを構成原子とする原料
ガスとを混合して使用することが出来る。

又、別には、シリコン原子（Ｓｉ　）と水素原子（ロ）
とを構成原子とする原料ガスに炭素原子（Ｃ）を構成原
子とする原料ガスを混合して使用しても良い。

ＣとＨとを構成原子とするものとしては、例えば炭素数
１〜５の飽和炭化水素、炭素数２〜５のエチレン系炭化
水素、炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素等が挙げら
れる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ４）
　、　！−タ：／　（Ｃ２Ｈ６）　ｒプロパン（Ｃ５Ｈ
ｓ）、ｎ−ブタン（ｎ−Ｃ４Ｈ＋ｏ）　、ペンタン（Ｃ
５Ｈ１２）　、エチレン系炭化水素としては、エチレン
（ｃ２ｕ４）’＋プロピレン（Ｃ３Ｈ６）　、ブチｙ　
−１（Ｃ４Ｈ８）　、ブテン”　（Ｃ４Ｈ８）１イソブ
チレン（Ｃ４Ｈ８）、ヘンナｙ　（Ｃ５ｆ（１ｏ）　、
　７　＊チレン系炭化水素としては、アセチレン（Ｃ２
Ｈ２）　、　メｆルアセチレン（Ｃ５Ｈ４）　、ブチン
（０４Ｈ６）等が挙げられる。

これ等の他にＳｉとＣとＨとを構成原子とする原料ガス
として、５ｉ（ＣＨ５）４．Ｓｉ　（Ｃ２Ｈ５）４　等
（Ｄ　／ｙ　イ化アルキルを挙げることが出来る。

本発明に於いては、層領域（Ｃ）中には、炭素原子で得
られる効果を更に助長させる為に炭素原子に加えて更に
酸素原子又は／及び窒素原子を含有することが出来る。

酸素原子を層領域（Ｃ）に導入する為の酸素原子導入用
の原料ガスとしては、例えば酸素（０２）　、オシ７　
（０３）　、−酸化璧素（Ｎｏ）　、二酸化窒素（ＮＯ
２）　、−二酸化窒素（Ｎ２０）　、三二酸化窒素（Ｎ
２０！ｌ）　、四三酸化窒素（Ｎ２０４　）　、　三二
酸化窒素（Ｎ２０５）＊二酸化窒素（ＮＯｓ）、シリコ
ン原子（Ｓｔ）と酸素原子（０）と水系原子（ロ）とを
構成原子とする、例えば、ジシロキサン（Ｈ３ＳｉＯ８
ＩＨ５）　、　）ジシロキサン（Ｈ５ＳｉＯ３ｉＨ２０
ＳｉＨ３）等の低級シミキサン等を挙げることが出来る
。

層領域（Ｑを形成する際に使用される窒素原子（へ）導
入用の原料゛ガスに成シ得るものとして有効に使用され
る出発物質は、Ｎを構成原子とする或いはＮとＨとを構
成原子とする例えば窒素（Ｎ２）、アンモニア（Ｎｌ（
５）、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）　、アジ化水素（Ｈ
Ｎ３）ｌアジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ３）等のガス状
の又はガス化し得る窒素、窒化物及びアジ化物等の窒素
化合物を挙げることが出来る。この他に、窒素原子軸の
導入に加えて、ハロゲン原子（３）の導入も行えるとい
う点から、三弗化窒素（ＦａＮ）　、四弗化窒素（Ｆ４
Ｎ２）等のノ・ロゲン化窒素化合物を挙げることが出来
る。

スパッターリング法によって、炭素原子を含有する層領
域（Ｃ）を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｌウェ
ーハー又はＣウェーハー、又はＳｔとＣが混合されて含
有されているウェーッ１−をターゲットとして、これ等
を４重々のガス雰囲気中でスパッタリングすることによ
って行えば良い。

例えば、Ｓｉウェーッ・−をターゲットとして使用すれ
ば、炭素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲ
ン原子を導入する為の原料ガスを、必要゛に応じて稀釈
ガスで稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、こ
れ等のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｌウェーハ
ーをスパッターリングすれば良い。

又、別には、ＳｌとＣとは別々のターゲットとして、又
はＳｔとＣの混合した一枚のターゲットを使用すること
によって、スパッター用のガスとしての稀釈ガスの雰囲
気中で又は少なくとも水素原子（６）又は／及びハロゲ
ン原子（３）を構成原子として含有するガス雰囲気中で
スパッタリングすることによって成される。炭素原子導
入用の原料ガスとしては、先述した、グロー放電の例で
示した原料ガスの中の炭素原子導入用の原料ガスが、ス
パッタリングの場合にも有効なガスとして使用され得る
。

本発明に於いて、第一の層（１）形成の際に、炭素原子
の含有される層領域（Ｃ’ｌを設ける場合、該層領域（
Ｑに含有される炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）を層厚方向
に変化させて所望の層厚方向の分布状態（ｄｅｐｔｈ　
ｐｒｏｆｉｌｅ）を有する層領域（Ｃ）を形成するには
、グロー放電の場合には分布濃度ｃ　（Ｃ）を変化させ
るべき炭素原子導入用の出発物質のガスを、そのガス流
量を所望の変化率曲線に従って適宜変化させ乍ら、堆積
室内に導入することによって成される・例えば手動ある
いは外部駆動モータ等の通常用いられている何らかの方
法によシ、ガス流路系の途中に設けられた所定のニード
ルパルプの開口を漸次変化させる操作を行なえば良い。

このとき、流量の変化率は線型である必要はなく例えば
マイコン等を用いて、あらかじめ設計された変化率曲線
に従って流量を制御し、所望の含有率曲線を得ることも
できる。

層領域（Ｃ）をスパッターリング法によって形成する場
合、炭素原子の層厚方向の分布濃度Ｃ（Ｃ）を層厚方向
で変化させて、炭素原子の層厚方向の所望の分布状Ｊｉ
　（ｄｅｐｔｈ　ｐｒｏｆｉｌｅ）を形成するには、第
一には、グロー放電法による場合と同様に、炭素原子導
入用の出発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室中
へ導入する際のガス流量を所望に従って適宜変化させる
ことによって成される。

第二には、スパッターリング用のターゲットを、例えば
、ｓｉとＣとの混合されたターゲットを使用するのであ
れば、ＳｔとＣとの混合比を、ターゲットの層厚方向に
於いて、予め変化させておくことによって成される。

本発明に於いて、形成される第一の層（１）を構成する
第２の層領域（Ｓ）中に含有される水素原子（６）の量
又はハロゲン原子（３）の量又は水素原子とハロゲン原
子の量の和（Ｈ十Ｘ）は、好ましくは１〜４゜ａｔｏｍ
ｉｃ％、よシ好適には５〜３０　ａｔｏｍｉｃチ、最適
には５〜２５　ａｔｏｍｉｃ　％とされるのが望ましい
。

第１図に示される光導電部材１ｏｏに於いては第一の層
（１）　１０２上に形成される第二の層（Ｉｔ）１０３
は自由表面１０６を有し、主に耐湿性、連続繰返し使用
特性、耐圧性、使用環境特性、耐久性に於いて本発明の
目的を達成する為に設けられる。

又、本発明に於いては、第一の層（１）　１０２と第二
０層（１１）　１０３とを構成する非晶質材料の各々が
シリコン原子という共通の構成要素を有しているので、
積層界面に於いて化学的な安定性の確保が充分酸されて
いる。

本発明に於ける第二の層（ｎ）は、シリコン原子（Ｓｔ
　）と窒素原子（へ）と、必要に応じて水素原子（ロ）
又は／及びハロゲン原子（３）とを含む非晶質材料（以
後、ｒ　ａ　−（Ｓ　ｔｘＮ４−ｘ）ｙ（ＨＩＸ）１−
ｙＪと記す。但し０＜ｘ　、ｙ＜１　）で構成される。

ａ−（ＳｉｘＮ１−ｘ）ｙ（Ｈ２Ｘｈ−３’で構成され
る第二の層（ｎ）の形成はグロー放電法、スパッタリン
グ法、エレクトロンビーム法等に１よって成される。こ
れ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の負荷程度、
−造規模、作製される光導電部材に所望される特性等の
要因によって適宜選択されて採用されるが、所望する特
性を有する光導電部材を製造するための作製条件の制御
が比較的容易である、シリコン原子と共に窒素原子及び
ハロゲン原子を、作製する第二の層（１０中に導入する
のが容易に行える等の利点からグロー放電法或はスパッ
ターリング法が好適に採用される。

更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパッターリ
ング法とを同一装置系内で併用して第二の層（［）を形
成してもよい。

グロー放電法によって第二の層（Ｉｔ）を形成するには
ａ　−（８１ｘＮ＋−ｘ）ｙ（Ｈ＊　Ｘ）１−ｙ形成用
の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比
で混合して、支持体の設置しである真空堆積室に導入し
、導入されたガスを、グロー放電を生起させることでガ
スプラズマ化して、前記支持体上に既に形成されである
第一の層（Ｉ）上にａ　−（ＳｉＸＮ１−Ｘ）ｙ（ＨＩ
Ｘ）、−ｙを堆積させれば良い。

本発明に於いて、ａ　−（Ｓ　’ｘＮ１−Ｘ）ｙ（ＨＩ
Ｘ）　＋−ｙ形成用の原料ガスとしては、シリコン原子
（ｓＢ、ａ素原子（Ｎ）、水素原子（ロ）、ハロゲン原
子（３）の中の少なくとも一つを構成原子とするガス状
の物質又はガス化し得る物質をガス化したものの中の大
概のものが使用され得る。

Ｓｉ＋Ｎ＋Ｈ＋Ｘの中の一つとしてＳｔを構成原子とす
る原料ガスを使用する場合は、例えばＳｔを構成原子と
する原料ガスと、Ｎを構成原子とする原料ガスと、必要
に応じてＨを構成原子とする原料ガス又は／及びＸを構
成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用
するか、又はＳＳを構成原子とする原′料ガスと、Ｎ及
びＨを構成原子とする原料ガス又は／及びＮ及びＸを構
成原子とする原料ガスとを、これも又、所望の混合比で
混合するか、或いは、Ｓｔを構成原子とする原料ガスと
、５ｉｓＮ及びＨの３つを構成原子とする原料ガス又は
、Ｓｔ、Ｎ及びＸの３つを構成原子とする原料ガスとを
混合して使用することができる。

又、別には、ＳＩとＨとを構成原子とする原料ガスにＮ
を構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良いし
、ＳＩとＸとｔ　４４成原子とする原料ガスにＮを構成
原子とする原料ガスを混合して使用しても良い。

本発明に於いて、第二の層（１１）中に含有されるハロ
ゲン原子（３）として好適なのはＦ＋Ｃ１＋Ｂｒ＋Ｉ”
Ｃ’おり、殊にＦ　、　Ｃ１が望ましいものでちる。

本発明に於いて、第二の層（ＩＩ）を形成するのに有効
に使用される原料ガスと成シ得るものとしては、常温常
圧に於いてガス状態のもの又は容易にガス化し得る物質
を挙げることができる。

第二の層（ＩＩ）を上記の非晶質材料で構成する場合の
層形成法としてはグロー数社法、スパッターリング法、
イオンインプランテーション法、イオンブレーティング
法、エレクトロンビーム法等が挙げられる。これ等の製
造法は、製造条件、設備資本投下の負荷程度、製造規模
、作製される光導電部材に所望される特性等の要因によ
って適宜選択されて採用されるが、所望する特性を有す
る光導電部材を製造する為の作製条件の制御が比較的容
易である、シリコン原子と共に窒素原子、必要に応じて
水素原子やハロゲン原子を作製する第二の層（ＩＩ）中
に導入するのが容易に行える等の利点からグロー放電法
或いはスパッターリング法が好適に採用される。

更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパッターリ
ング法とを同一装置系内で併用して第二の層（Ｕ）を形
成しても良い。

グロー放電法によって、ａ　−５ｉＮ（Ｈ，Ｘ）で構成
される第二の層（ｎ）を形成するには、基本的にはシリ
コン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｔ供給用の原料ガスと
窒素原子（６）導入用の原料ガスと、必要に応じて水素
原子（６）導入用゛の又は／及びノ・ロゲン原子（３）
導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導
入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定
位置に設置されである所定の第一の層（１）上にａ　５
ｉＮ（Ｈ，Ｘ）からなる第二の層（１１）を形成させれ
ば良い。

又、スパッタリング法で第二の層（ｉｔ）を形成する場
合には、例えば次の様にされる。

第一には、例えばＡｒ　＋　Ｈｅ等の不活性ガス又はこ
れ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でＳｔで
構成されたターゲソＦｅスノくツクリングする際、窒素
原子（財）導入用の原料ガスを、必要に応じて水素原子
（ロ）導入用の又は／及びノ・ロゲン原子（３）導入用
の原料ガスと共にスノ（ツタリングを行う真空堆積室内
に導入してやれば良い。

第二には、スパッタリング用のターゲットとしてＳｉ３
Ｎ４で構成されたターゲットか、或いは８１でｌｌ＊ｄ
フィーｌ−Ｉ４７　Ｎ　、、、　ｋシＱｉｉＮｘず鑵隊
貞れたターゲットの二枚か、又はＳｌと８ｉ５Ｎ４とで
構成されたターゲットを使用することで形成される第二
の層（ｎ）中へ窒素原子（へ）を導入することが出来る
。この際、前記の窒素原子（へ）導入用の原料ガスを併
せて使用すればその流量を制御すること第二の層（ｆｆ
）中に導入される窒素原子的の量を任意に制御すること
が容易である。

第二の層（ＩＩ）中へ導入される窒素原子（財）の含有
量は、窒素原子（へ）導入用の原料ガスが堆積室中へ導
入される際の流量を制御するか、又は窒素原子杓導入用
のターゲット中に含有される窒素原子的の割合を、該タ
ーゲットを作成する際に調整するか、或いは、この両者
を行うことによって、所望に従って任意に制御すること
が出来る。

本発明において使用されるＳ１供給用の原料ガスとなる
出発物質としては、５ｉｌ（４、Ｓｉ２Ｈ６，５ｓ５Ｈ
Ｂ　。

Ｓｉ４Ｈ１０等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅
素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げられ
、殊に、層作成作業の扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等
の点でＳｉＨ４、５ｉ２ｕ６が好ましいものとして挙げ
られる。

これ等の出発物質を使用すれば、層形成条件を適切に選
択す乞ことによって形成される第二の層（ｎ）中にＳｉ
と共にＨも導入し得る。

ＳＩ供給用の原料ガスとなる有効な出発物質としては、
上記の水素化硅素の他に、ノ・ロゲン原子（３）を含む
硅素化合物、所謂、ノ・ロゲン原子で置換されたシラン
誘導体、具体的には例えばＳｉＦ４．Ｓｉ２Ｆ６゜５ｔ
ｃ１４　、　ＳｉＢｒ４等のハロゲン化硅素が好ましい
ものとして挙げることが出来る。

更には、ＳｉＨ２Ｆ２　、５ｉＨ２Ｉ２　、５ｉＨ２（
Ｊ！２　ｒ　５ｉＨＣｌＢ　ｒＳｉＨ２Ｂｒ２　、５ｉ
ＨＢｒＢ等のハロゲン置換水素化硅素、等々のガス状態
の或いはガス化し得る、水素原子を構成要素の１つとす
る）・ロゲン化物も有効な第二の層（ＩＩ）の形成の為
のＳｔ供給用の出発物質として挙げる事が出来る。

これ等のハロゲン原子（３）を含む硅素化合物を使用す
る場合にも前述した様に層形成条件の適切な選択によっ
て、形成される第二の層（■）中にＳｔと共にＸを導入
することが出来る。

上記した出発物質の中水素原子を含むハロゲン化硅素化
合物は、第二の層（ｎ）の形成の際に層中にハロゲン原
子（３）の導入と同時に亀気的或いは光電的特性の制御
に極めて有効な水素原子（ロ）も導入されるので、本発
明においては好適なハロゲン原子■導入用の出発物質と
して使用される。

本発明において第二の層（ｎ）を形成する際に使用され
るハロゲン原子（３）導入用の原料ガスとなる有効な出
発物質としては、上記したものの他に、例えば、フッ累
、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲンガス、ＢｒＦ　、　Ｃ
ＩＦ　＋　ＣＩＪＦ５　、　ＢｒＦ５　、　ＢｒＦ３　
、　ＩＦ５　、　ＩＦ７　。

ＩＣｌ、　ＩＢｒ等のハロゲン間化合物、ＨＦ　、　Ｈ
Ｃｌ、　ＨＢｒ　。

ＨＩ等のハロゲン化水素を挙げることが出来る。

第二の層（Ｕ）を形成する除に使用される窒素原子（へ
）導入用の原料ガスに成シ得るものとして有効に使用さ
れる出発物質は、Ｎを構成原子とする或いはＮとＨとを
構成原子とする例えば窒素（Ｎ２　）　、アンモニア（
ＮＨ５）　、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）　、アジ化水
素（ＨＮ３）　、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ３）等
のガス状の又はガス化し得る窒素、窒化物及びアジ化物
等の窒素化合物を挙げることが出来る。この他に、窒素
原子飼の導入に加えて、ハロゲン原子（３）の導入も行
えると込う点から、三弗化窒素（ＦＡＮ）　、四弗化窒
素（ＦＡＮ２）等のハロゲン化窒素化合物を挙げること
が出来る。

本発明に於いて、第二の層（ｎ）をグロー放電法又はス
パッターリング法で形成する際に使用される稀釈ガスと
しては、所謂、希ガス、例えばＨｅ　、Ｎｅ　。

Ａｒ等が好適なものとして挙げることが出来る。

本発明に於ける第二の層（ｎ）は、その要求される特性
が所望通シに与えられる様に注意深く形成される。

即ち、５ＩＩＮ、必擬に応じてＨ又は／及びＸを構成原
子とする物質は、その作成条件によって構造的には結晶
からアモルファスまでの形態を取り、心気物性的には、
導電性から半導体性、絶縁性までの間の性質を、又光導
電的性質から非光導電的性質を、各々示すので本発明に
於いては、目的に応じた所望の特性を有するａ−（Ｓｔ
ｚＮ＋−ｘ）ｙ（ＨｌＸ）＋　−ｙが形成される様に、
所望に従ってその作成条件の選択が厳密に成される。例
えば、第二の層（ＩＩ）を電気的耐圧性の向上を主な目
的として設けるにはａ−（ＳｉｘＮｔ　−ｚ）ｙ（Ｈｌ
Ｘ）＋−ｙは使用環境に於いて電気絶縁性的挙動の顕著
な非晶質材料として作成される。

又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる
目的として第二の層（ｎ）が設けられる場合には上記の
電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射される光に
対しである程度の感度を有する非晶質材料としてａ　−
（ＳｉｚＮｌ−ｘ）ｙ（Ｈ９Ｘ）１−ｙが作成される。

第一の層（１）の表面にａ　−（ＳｔＸＮｌ−ｘ）ｙ（
Ｈ，Ｘｈ−）’から成る第二の層（ＩＩ）を形成する際
、層形成中の支持体温度は、形成される層の構造及び特
性を左右する重要な因子であって、本発明に於いては、
目的とする特性を有するａ　−（ＳｉｘＮｔ−ｘ）ｙ（
Ｈ２Ｘ）１−ｙが所望通りに作成され得る様に層作成時
の支持体温度が厳密に制御されるのが望ましい。

本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成されるため
の第二の層（ｎ）の形成法に併せて適宜最適範囲が選択
されて、第二の層（１１）の形成が実行されるが、好ま
しくは、２０〜４ｏｏ℃、よシ好適には５０〜３５０℃
、最適には１００〜３００℃とされるのが望ましいも・
のである。第二の層（［０の形成には、層を構成する原
子の組成比の微妙な制御子層厚の制御が他の方法に較べ
て比較的容易である事等のために、グロー放電法やスパ
ッターリング法の採用が有利であるが、これ等の層形成
法で第二の層（ＩＩ）を形成する場合には、前記あ支持
体温度と同様に層形成の際の放電パワーが作成されるａ
−（ｓｔｘｒ’１ｌ−ｘ）ｙ（ｕ＋ｘ）１−ｙの特性を
左右する重要な因子の一つである。

本発明に於ける目的が達成されるための特性を有するａ
−（ＳｉｚＮｌ−ｘ）ｙ（ＨｌＸ）　１−３’が生産性
良く効果的に作成されるための放電パワー条件は、好ま
しくは１．０〜３００Ｗ、よシ好適には２．０〜２５０
　Ｗ％最過には５．Ｑ〜２００Ｗとされるのが望ましい
。

堆積室内のガス圧は、好ましくはｏ、ｏｉ〜Ｉ　Ｔｏｒ
ｒ。

よシ好適には、０．１　＝　０．５　Ｔｏｒｒ程度とさ
れるのが望ましい。

本発明に於いては第二の層（Ｉｆ）　ｅ作成するだめの
支持体温度、放電パワーの望ましい数値範囲として前記
した範囲の値が挙げられるが、これ等の層作成ファクタ
ーは、独立的に別々に決められるものではなく、所望特
性のａ　−（ＳｉｚＮｌ−ｘ）ｙ（ＨｌＸ）１−ｙから
成る第二の層（ＩＩ）が形成される様に相互的有機的関
連性に基づいて各層作成ファクターの最適値が決められ
るのが望ましい。

本発明の光導電部材に於ける第二の層（■）に含有され
る窒素原子の量は、第二の層（ｎ）の作成条件と同様、
本発明の目的を達成する所望の特性が得られる第二の層
（ＩＱが形成される重要な因子である。

本発明に於ける第二の層（ｎ）に含有される窒素原子の
量は、第二の層（Ｕ）を構成する非晶質拐料の種類及び
その特性に応じて適ｉ所望に応じて決められるものであ
る。

即ち、前記一般式ａ−（ｓｔＸＮｌ−ｘ）ｙ（ａ、ｘ）
、ｙ　で示される非晶質材料は、大別すると、シリコン
原子と窒素原子とで構成される非晶質材料（以後、ｒ　
ａ−８ｉａＮ１−Ｂ　Ｊと記す。但し１．０（ａ（１）
、シリコン原子と窒素原子と水素原子とで構成される非
晶質材料（以後、［ａ−（ＳｌｂＮｌ−ｂ）ｃＨｌ　−
ｃ　Ｊと記す。

但し、ｏ（ｂＸｅ（１）、シリコン原子と窒素原子とハ
ロダン原子と必要に応じて水素原子とで構成される非晶
質材料（以後、ｒ　ａ−（ＳｉｄＮｌ−ａ）ｅ（ＨｌＸ
）１−ｅＪと記す。但しｏ　＜　ａ　Ｎ　ｅ　＜　１　
）　、に分類される。

本発明に於いて、第二の層（１１）がａ−８ｉユＮ、−
ａで構成される場合、第二の層（Ｉｔ）に含有される窒
素原子の謎は、好ましくはＩ　ＸＩＯ〜６０ａｔｏｍｉ
ｃチ、よシ好適には１〜５０　ａｔｏｍｉｃ％、最適に
は１０〜４５　ａｔｏｍｉｃ　ｆｙ　とされるのが望ま
しい。即ち、先のａ　−Ｓ　ｉ　ａＮ　＋　−＠のａの
表示で行えば、ａが好噂　１／ｌ汁　１１　Ａ　＋−Ｉ
ｓ　Ｑ　ＣＩ　Ｑ　Ｑ　Ｑ　−？　ｈ　ｂＬ：甜ｒ糾１
１　Ｂ　〜０．９９、最適には０．５５〜０．９である
。

本発明に於いて、第二の層（Ｉｔ）がａ−（ＳｌｂＮ＋
−ｂ）ｃＨｌ−ｃで構成される場合、第二の層（ＩＤＫ
含有される窒素原子の量は、好ましくは１×１０−３〜
５５ａｔｏｍＩＣ％とされ、よシ好ましくは１〜５５　
ａｔｏｍｉｃ％、最適には１０〜５０　ａｔｏｍｉｃ％
とされるのが望ましい。

水素原子の含有量は、好ましくは１　”　４０　ａｔｏ
ｍｉｃチ、よル好ましくは２〜３５　ａｔｏｍｉｃ％、
最適には５〜３０　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望まし
く、これ等の範囲に水素原子含有量がある場合に形成さ
れる光導電部材は、実際面に於いて優れたものとして充
分適用させ得る。

即ち、先のａ−（ＳｉｂＮｌ−ｂ）ｃＨｌ−ｃの表示で
行えばｂが好ましくは０．４５〜０，９９９９９、よシ
好適には０．４５〜０．９９、最適には０．１５〜０．
９、Ｃが好ましくは０．６〜０，９９、よシ好適には０
．６５〜０．９８、最適には０．７〜０．９５であるの
が望ましい。

第二の層（１０が、ａ−（Ｓ’ａＮ１−ｄ）ｅ（Ｈ＋Ｘ
）１−ｅ　で構成される場合には、第二の層（［Ｉ）中
に含有される窒素原子の含有量は、好ましくは１×１０
〜９０　ａｔｏｍｉｃチ、より好適には１〜９　Ｑ　ａ
ｔｏｍｉｃ％）最適には１０〜５５　ａｔｏｍｉｅ％と
されるのが望ましい。ノーログン原子の含有量は、好ま
しくは１〜２０　ａｔｏｍｉｃチ、より好適には１〜１
８　ａｔｏｍｉｃ　％　、最適には２〜ｌ　５　ａｔｏ
ｍｉｃ％とされるのが望ましく、これ等の範囲にノ・ロ
ダン原子含有量がある場合に作成される光導電部材を実
際面に充分＾用させ得るものである。必要に応じて含有
される水素原子の含有量は、好ましくは１９　ａｔｏｍ
ｉｃ　％以下、より好適には１３　ａｔｏｍｉｃ　９６
以下とされるのが望ましい。

即ち、先のａ−（Ｓｉ、ｌＮ１−ａ）ｅ（ＨｌＸ）＋−
ｅのｄｉｅの表示で行えばｄが好ましくは０．４〜０．
９９９９９、よシ好適には０．４〜０．９９、最適には
０．４５〜０．９、ｅが好ましくは０．４〜０．９９９
９９、好適には０．４０〜０．９９、最適には０．４５
〜０．９であるのめ工望ましい。

本発明に於ける第二の層（１０の層厚の数範囲は、本発
明の目的を効果的に達成す丸だめの重要な因子の一つで
ある。

本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目的に応じ
て適宜所望に従って決められる。

又、第二の層（１００層厚は、該層（Ｉｔ）中に含有さ
れる屋素原子の量や第一の層（１）の層厚との関係に於
いても、各々の層領域に要求される特性に応じた壱機的
な関連性の下に所望に従って適宜決定される必要がある
。更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経断性の
点に於いても考慮されるのが望ましい。

本発明に於ける第二の層（Ｉｔ）の層厚は、好ましくは
０．００３〜３０μ、よシ好適には０．００４〜２０μ
、最適には０．００５〜１０μとされるのが望ましい。

本発明において使用される支持体は、導電性でも電気絶
縁性であっても良い。導電性支持体としては、例えば、
ＮｉＣｒ、ステンレス、ａｌ　Ｃｒ　ｔＮｏ　ｒ　Ａｕ
　ｒ　Ｎｂ　＋　Ｔａ　＋　Ｖ　ｒ　Ｔｉ　ｒ　Ｐｔ　
、　Ｐｄ　等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。電
気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレン
、ポリカー？ネート、セルロースアセテート、ポリプロ
ピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリス
チレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシート
、ガラス、セ之ミック、紙等が通常使用される。これ等
の電気絶縁性支持体は、好適には少なくと゛もその一万
の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ＋ＡＪ
−ｒ　Ｃｒ　ｌ　Ｍｏ　ｌ　Ａｕ　ｌ　Ｉｒ　ｌ　Ｎｂ
　ｒ　Ｔａ　ｌ　Ｖ　ｒ　Ｔｌ　ｒＰｔ　、　Ｐｄ　、
　Ｉｎ２Ｏ３、５ｎ０２　、ＩＴＯ（Ｉｎ２０５＋５ｎ
０２　）等から成る薄膜を設けることによりて導電性が
付与され、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フ
ィルムであれば、ＮｉＣｒ　ｒ　ＡＡ　ｒ　Ａｇ　＊　
Ｐｂ　ｔ　Ｚｎ　＋Ｎｉ　＋　Ａｕ　ｌＣｒ　ｒ　Ｍｏ
　、　Ｉｒ　＋　Ｎｂｒ　Ｔａ　ｌＶ　ｒ　Ｔｉ　ｒｐ
ｔ　尋の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパ
ッタリング等でその表面に設け、又は前記金属でその表
面をラミネート処理して、その表面に導電性が付与され
る。支持体の形状は、円筒状、ベルト状、板状等任意の
形状とし得、所望によって、その形状は決定されるが、
例えば、第１図の光導電部材１００を電子写真用像形成
部材として使ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。

支持体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成される様
に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性が要求さ
れる場合には、支持体としての機能が充分発揮される範
囲内であれば可能な限シ薄くされる。

丙午ら、この様な場合支持体の製造上及び取扱い上、機
械的強度等の点から、好ましくは１０μ以上とされる。

次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第１１図に光導電部材の製造装置の一例を示す。

図中の１１０２〜１１０６のガスボンベには、本発明の
光導電部材を形成するための原料ガスが留封されておシ
、その１例としてたとえば１１０２は、Ｈｅで稀釈され
た５ｉｔ（４ｆｆス（純度９９．９９９　％、以下Ｓ　
ｉ　Ｈ４／　Ｌｉｅと略す）ボンベ、１１０３はＨｅで
稀釈されたＧｅ■４ガス（純度９９．９９９９６、以下
ＧｅＨ４／Ｈａと略す）ボンベ、１１０４はＨｅで稀釈
されたＳｉＦ４がス（純度９９．９９％、以下Ｓｉ　Ｆ
４／　ｌｉｅと略す）ボンベ、１１０５ばＣ２Ｈ４ガス
（純度９９．９９９％）ボンベ、１１０６はＨ２ガス（
純度９９．９９９チ）ボンベである。

これらのガスを反応室１１０１に流入させるにはガスデ
ンペ１１’　０２〜１１０６のバルブ１１２２〜１１２
６゜リークバルブ１１３５が閉じられていることを確認
し、又、流入／Ｊルプ１１１２〜１１１６．．流出ノぐ
ルグ１１１７〜１１２１、補助パルプ１１３２．１１３
３が開かれていることを確認して、先ずメインバルブ１
１３４を開いて反応室１１０１、及び各ガス配管内を排
気する。次に真空計１１３６の読みが約５　Ｘ　１０’
ｔａｒｔになった時点で補助バルブ１１３２．１１３３
、流出バルブ１１１７〜１１２１　’に閉じる。

次にシリンダー状基体１１３７上に光受答層を形成する
場合の１例をあげると、〃ヌボンペ１１０２よＶ）　５
ＩＨ４／Ｈｅガス、ガスボンベ１１０３よＪ）　ＧｅＨ
４／１（ｅ　ガス、ガスｄ？ンベ１１０５より　Ｃ２Ｈ
４ガスを）ぐルプ１１２２，１１２３，１１２５を開い
て出口圧グーノ１１２７．１１２１３．１１３０の圧ｋ
　１　ｋｇ／１ｙｎ２に調整し、流入パルプ１１１２，
１１１３．１１１５を徐々に開けて、マスフローコント
ローラ１１０７，１１０８゜１１１０内に夫々流入させ
る。引き続いて流出／々ルブ１１１７，１１１８，１１
２０、補助バルブ１１３２を徐々に開いて夫々のガスを
反応室１１０１に流入させる。このときのＳ　ｔ　Ｉ（
４／Ｉ（ｅ　Ｎス流賛とＧｅＨ４／Ｈｅガス流量とＣ２
Ｈ４ガス流量との比が所望の値になるように流出バルブ
１１１７，１１１８．１１２０を調整し、又、反応室１
１０１内の圧力が所望の値になるように真空計１１３６
の読みを見ながらメインバルブ１１３４の開口を調整す
る。そして基体１１３７の温度が加熱ヒーター１１３８
によシ約５０〜４００℃の範囲の温度に設定されている
ことを確認された後、電源１１４０を所望の電力に設定
して反応室１１０１内にグロー放電を生起させ所望時間
グロー放電を維持して、所望層厚に、基体１１３７上に
第１の層領域（Ｇ）を形成する。θ［望層厚に第１の層
領域（Ｇ）が形成された段階に於いて、流出・クルリプ
１１１８を完全に閉じること、及び必要に応じて放電条
件を変える以外は、同様々条件と手順に従って所望時間
グロー放電を維持することで、第１の層領域（Ｇ）上に
ゲルマニウム厚手の実質的に含有されない第２の層領域
（Ｓ）を形成することが出来る。

第２０Ｍ領域（Ｓ）中に伝導性を支配する物質を含有さ
せるには、第２の層領域（Ｓ）の形成の際に例えば、Ｂ
２Ｈ６’　＊　ＰＨ５等のガスを堆積室１１０１の中に
導入するガスに加えてやれば良い。

上記の様にしてＨ「定層厚に形成された第一の層（１）
上に第二の層（ＩＩ）を形成するには、第一の層（１）
の形成の際と同様なパルプ操作によって、例えば５ＩＨ
４ガス、ＮＨ３の夫々を必要に応じてＨｅ等の稀釈ガス
で稀釈して、ル■望の条件に従って、グロー放電を生起
させることによって成される。第二の層（１Ｎ）中にハ
ロダン原子を含有させるには、例えば５ＩＦ４．？７ス
とＣ２Ｈ４ガス、或いは、これにＳｉＨ４ガスを加えて
上記と同様にして第二の層（１）を形成することによっ
て成される。

夫々の層を形成する際に必要なガスの流出／寸ルブ以外
の流出バルブは全て閉じることは言うまでもなく、又夫
々の層を形成する際、前層の形成に使用したガスが反応
室１１０１内、流出／Ｓルプ１１１７〜１１２１から反
応室１１０１内に至るガス配管内に残留することを避け
るために、流出・ぐルブ１１１７〜１１２１を閉じ、補
助バルブ１１３２　、１１３３を開いてメインバルブ１
１３４′ｆ：全開して系内を一旦高真望に排気する操作
を必要に応じて行う。

第二の層（ＩＩ）中に含有される窒素原子の嗜は例えば
、グロー放電による場合はＳｉＨ４ガスと’Ｉ　ＮＨ５
ガスの反応室１１０１内に導入される流量比を所望に従
って変えるか、或いは、スパッターリングで層形成する
場合には、ターグラトラ形成する際シリコンウェハと屋
化シリコン板のスパッタ面積比率を変えるか、又はシリ
コン粉末と窒化シリコン粉末の混合比率を変えてターグ
ットを成型することによって所望に応じて制御すること
が出来る。第二の層（ＬＤ中に含有される）・ログン原
子（Ｘ）の量は、ハロダ導入子導入用の原料ガス、例え
ばＳｉＦ４ガスが反応室１１０１内に導入される際の流
量を調整することによって成される。

又、層形成を行っている間は層形成の均一化を図るため
基体１１３７はモータ１１３９によυ一定速度で回転さ
せてやるのが望ましい。

以下実施例について説明する。

実施例１ 第１１図に示した製造装置によシ、シリンダー状のｋｔ
基体上に第１表に示す条件で層形成を行って硫子写真用
像形成部制を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置しｅ５．ＯｋＶで０．３ｓｅｃ間コロナ帯電を行い、
直ちに光像を照射した。光像はタングステンランプ光源
を用い、２　ｌｕｘ、ｓｅａの光量を透過型のテストチ
ャートを通して照射させた。

その後直ちに、■荷電性の現１象剤（トナーとキャリア
ーを含む）を像形成部材表面上カスケードすることによ
って、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像
形成部材上のトナー画像を、ｅ５．　ＯｋＶのコロナ帯
電で転写紙上に転写した所、解１象力に優れ、階調再現
性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。

実施例２ 第１１図に示した製造装置によシ、第２表に示す条件に
した以外は実施例１と同様にして、層形成を行って電子
写真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて帯電極性と現像剤
の荷電極性の夫々を実施例１と反対にした以外は実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したと
ころ極めて鮮明な画質が得られた。

実施例３ 第１１図に示した製造装置によシ、第３表に示す条件Ｖ
こした以外は実施例１と同様にして、層形成を行って電
子写真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例４ 実、流側１に於いて、ＧｅＨ４／ＨｅガスとＳ　ｉ　’
ｆ１４　／Ｈｅガスのガス流量比を変えて第１層中に含
有されるダルマニウム原子の含有量を第４表に示す様に
変えた以外は、実施例１と同様にして電子写真用像形成
部材を夫々作成した。

こうして得られた隊形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ第４
表に示す結果が得られた。

実施例５ 実施例１に於いて、第１層の層厚を第５表に示すように
変える以外は、実施例１と同様にして各電子写真用ｆ象
形成部材を作成した。

こうして得られた各像形成部材に就いて、実施例１と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ第
５表に示す結果が得られた。

実施例６ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー状のＡｔ
基体上に第６表に示す条件で層形成を行って電子写真用
像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置しｅ　５．ＯｋＶで０．３ｓｅｃ間コロナ帯電を行い
、直ちに光像を照射した。光像はタングステンランプ光
源を用い、２１ｕｘ＋ａｅｃの光量を透過型のテストチ
ャートラ通して照射させた。

その後直ちに、■荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）ヲ、像形成部材表面をカスケードすることによ
って、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像
形成部材上のトナー画像を、ｅ５．ｏｋｖのコロナ帯電
で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調再現性の
よい鮮明な高濃度の画像が得られた。

実施例７ 実施例１に於いて光源をタングステンラングの代りに８
１０　ｎｍ０ＧａＡｓ系半導体レーザ（１０ｍＷ）を用
いて、静電像の形成を行った以外は、実施例１と同様の
トナー画像形成条件にして、実施例１と同様の条件で作
成した電子写真用像形成部材に就いてトナー転写画像の
画質評価を行ったところ、解像力に優れ、階調再現性の
良い鮮明な高品位の画像が得られた。

実施例８ 層ω）の作成条件を第７表に示す各条件にした以外は、
実施例２〜６の各実施例と同様の条件と手順に従って電
子写真用ｒ象形成部材の夫々（試料点１２−２０１〜１
２−２０８．１２−３０１〜１２−３０８゜・・・・・
・、１２−６０１〜１２−６０８の４０個の試料）を作
成した。

こうして得ら゛れた各電子写真用像形成部材の夫夫を個
別に複写装置に設置し、ｅ５ｋｖで０．２　ｓｅａ間コ
ロナ帯電′を行い、兄像を照射した。光源はタングステ
ンランプを用い、光量は１．０１ｕｘ、ｓｅｃ　トした
。潜像は■荷電性の現像剤（トナーとキャリアーを含む
）によって現像され、通常の紙に転写された。転写画家
は、極めて良好なものであった。

転写されないで電子写真用像形成部材上に残ったトナー
は、コゝムブレードによってクリーニングされた。この
ような工程を繰り返し１０万回以上行っても、いずれの
場合も画像の劣化は見られなかった。

各、試料の転写画像の総合画質評価と繰返し連続使用に
よる耐久性の評価の結果を第７Ａ表に示す。

実施例９ 層（ｎ）の形成時、ＡｒとＮＨ５の混合ガスとシリコン
ウェハと窒化シリコンのターグツト面積比を変えて、層
（Ｕ）に於けるシリコン原子と窒素原子の含有量比を変
化させる以外は、実施例１と全く同様な方法によって像
形成部材の夫々を作成した。こうして得られた像形成部
材の夫々につき、実施例１に述べた如き、作像、現像、
クリーニングの工程を約５万回繰シ返した後画像評価を
行ったところ第８表の如き結果を得た。

実施例１０ 層（ｎ）の層の形成時、ＳｉＨ４ガスとＮＨ５ガスの流
量比を変えて、層（ｎ）に於けるシリコン原子と窒素原
子の含有量比を変化させる以外は実施例１と全く同様な
方法によって像形成部材の夫々を作成した。

こうして得られた各像形成部材につき、実施例１に述べ
た如き方法で転写までの工程を約５万回繰シ返した後、
画像評価を行ったところ、第９表の如き結果を得た。

実施例１１ 層（ｎ）の層の形成時、Ｓ　ｉＨ４ガス、ｓｔｐ’４ガ
ス、ＮＨ３ガスの流量比を変えて、層（のに於けるシリ
コン原子と窒素原子の含有量比を変化させる以外は、実
施例１と全く同様な方法によって像形成部材の夫々を作
成した。こうして得られた各像形成部材につき実施例１
に述べた如き作像、現像、クリーニングの工程を約５万
回繰シ返した後、画像評価を行ったところ第１０表の如
き結果を得た。

実施例１２ 層（ｌ［Ｊの層厚を変える以外は、実施例１と全く同様
な方法によって像形成部材の夫々を作成した。

実施例１に述べた如き、作像、現像、クリーニングの工
程を繰シ返し第１１表の結果を得た。

第１１表 以上の本発明の実施例に於ける共通の層作成条件を以下
に示す。

基体温度：ダルマニウム原子（Ｇａ　）含有層・・・約
２００℃ゲルマニウム原子（Ｇ＠）非含有層・・・約２
５０℃放電周波数：　１３．５６　ＭＨｚ 反応時反応室内圧：　０．３　Ｔｏｒｒ

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明する為の
模式的層構成図、第２図乃至第１０図は夫々層領域（Ｃ
）中の炭素原子の分布状態を説明する為の説明図、第１
１図は実施例に於いて本発明の光導電部材を作製する為
に使用された装置の模式的説明図である。 １００・・・光導電部相　１０１・・・支持体１０２・
・・第一の層（１）　１０３・・・第二の層ω）１０４
・・・第１の層領域（Ｇ）１０５・・・第２の層領域（
Ｓ）−一一一→−Ｃ し Ｃ □Ｃ 手続補正書 昭和ナラ１年／７　月 特許庁長官　志賀　学殿 事件との関係　出　願　、人 （ｉ：’　＋ｉｌｉ　ＵＭｉ″ｉ）　東京都大田区下り
し子３丁口３０番２号Ｉｔ８（＆、ｉ；ゝｆ’１．ＱＱ
）キャノン株ユ（会？ｌ−４、代理人 住　所　束＋１ＣＩｊｌｉＴ代ＩＩＩ区丸の内２丁１」
６番２号九の内へ重洲ビル３３１補　正　書 ２９日 本願明細書中下記事項を補正い／こし筐す。 記 １、第５４貞６行目に ｒ　１０〜５０　ａｔｏｍｉｃ　％　Ｊ　ト１）るを１
１０〜５５　ａｔｏｍｉｃ　％　Ｊと訂正する。 ２、第５４貞１５行目に ｒ　Ｏ，１５〜０．９」とあるを ｒ　Ｏ，４５〜０．９」と訂正する。 ３、第５５頁１〜２行目に ｒ　ｌ　Ｘ　１０　−９０　ａｔｏｍｉｃ　％　Ｊとら
るをｌ　ｒ　Ｉ　Ｘ　１０　〜６０　ａｔｏｍｉｃ％　
Ｊと６１正する。 ４、第５５頁２行目に ｉ”　１〜ｇｇ　ａｔｏｍｉｃ　％　Ｊとあるをｒ　１
〜６０　ａｔｏｍｉｃ　％　ｊ　ト訂正する。 ５、第５４貞１５行目に 「０，４〜Ｑ、９９９９９　、、］とあるを「０．８〜
０．９９　Ｊと訂正する。 ６、第５５頁１５〜１６行目に ｒ　Ｏ，４０〜０．９９　Ｊとあるを ｒ　Ｏ，８２〜０．９９　Ｊと訂正する。 ７、第５５頁１６行目に ｒ　Ｏ，４５〜０．９」と必るを ｒ　Ｏ，８５〜０．９８　Ｊと訂正する。 ８、第７４頁「第７表」°中ｒｌ　２−２Ｊ掴の「流量
比又は面積比」項に ｒ　Ｓｉウェハ：窒化シリ］：、Ｉ＝１：３０Ｊとある
を［Ｓｉウェハ：窒化シリコン−Ｃ６０Ｊと訂正する。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （リ　光導電部材用の支持体と、ゲルマニウム原子を含
   む非晶質材料で構成された第１の層領域（Ｇ）とシリコ
   ン原子を含む非晶質材料で構成され光導電性を示す第２
   の層領域（Ｓ）とが前記支持体側よシ順に設けられた層
   構成の第一の層と、シリコン原子と窒素原子を含む非晶
   質材料で構成された第二の層とを有し、前記第一の層中
   には、炭素原子が富有されている事を特徴とする光導電
   部材。 （２）　第１の層領域ＣＧ）及び第２の層領域（Ｓ）の
   少なくともいずれか一方に水素原子が含有されている特
   許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。 （３）第１の層領域（Ｇ）及び第２の層領域（Ｓ）の少
   なくともいずれか一方にハロゲン原子が含有されている
   特許請求の範囲第１項又は同第２項に記載の光導電部材
   。