JPS6065519A - 固体電解コンデンサ - Google Patents
固体電解コンデンサInfo
- Publication number
- JPS6065519A JPS6065519A JP58174926A JP17492683A JPS6065519A JP S6065519 A JPS6065519 A JP S6065519A JP 58174926 A JP58174926 A JP 58174926A JP 17492683 A JP17492683 A JP 17492683A JP S6065519 A JPS6065519 A JP S6065519A
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- JP
- Japan
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- solid electrolytic
- electrolytic capacitor
- capacitors
- capacitor
- aluminum
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- Pending
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は新規な有機半導体を固体電解質として有し、周
波数特性の改良された大容量の固体電解コンデンサに関
するものである。
波数特性の改良された大容量の固体電解コンデンサに関
するものである。
従来例の構成とその問題点
近年、ディジタル機器の発展に仲々い、高周波領域でイ
ンピーダンスの低い大容量コンデンサへの要望が高まり
つつある。
ンピーダンスの低い大容量コンデンサへの要望が高まり
つつある。
従来知られている高周波コンデンサには、■マ、ヘ−=
−−e−、−h −w 、++、 t、V+ Y((
’h 傭展七七ミンクコンデンサがある。しかしながら
、これらのコンデンサでは1μF以上の大容量を達成す
るにはサイズが極端に犬きくなり、たとえ実現できだと
しても価格が非常に高く斤る。まだ、■のセラミックコ
ンデンサは現状では温度特性の良好なものが得られ難い
。
−−e−、−h −w 、++、 t、V+ Y((
’h 傭展七七ミンクコンデンサがある。しかしながら
、これらのコンデンサでは1μF以上の大容量を達成す
るにはサイズが極端に犬きくなり、たとえ実現できだと
しても価格が非常に高く斤る。まだ、■のセラミックコ
ンデンサは現状では温度特性の良好なものが得られ難い
。
一方、大容量コンデンサとして知られる電解コンデンサ
に、アルミニウム乾式電解コンデンサと、タンタルある
いはアルミニウム焼結形固体電解コンデンサがある。
に、アルミニウム乾式電解コンデンサと、タンタルある
いはアルミニウム焼結形固体電解コンデンサがある。
前者のアルミニウム電解コンデンサは、エツチングを確
したアルミニウム箔を捲回して大容量を達成しているが
、非常に薄い陽極酸化皮膜を保護するために液体状の電
解質を用いている。この電解質は当然イオン伝導性であ
るため、高周波領域および低温領域で著しく抵抗が増大
し、コンデンサの損失およびインピーダンスを増大させ
る。
したアルミニウム箔を捲回して大容量を達成しているが
、非常に薄い陽極酸化皮膜を保護するために液体状の電
解質を用いている。この電解質は当然イオン伝導性であ
るため、高周波領域および低温領域で著しく抵抗が増大
し、コンデンサの損失およびインピーダンスを増大させ
る。
後者のタンタルあるいはアルミニウム固体電解コンデン
サは硝酸マンガンを熱分解して得られる二酸化マンガン
(11nO2)を固体電解質として有するため、ペース
ト電解質を用いたコンデンサよりは改良されだ周波数、
温度特性を有す。しかし外から、このコンデンサではM
nO,、の比抵抗が比較的高く、硝酸マンガンの熱分解
による酸化皮膜の損傷が著しい斤どの理由から、高周波
領域のインピーダンス、損失は十分には小さくなら々い
。
サは硝酸マンガンを熱分解して得られる二酸化マンガン
(11nO2)を固体電解質として有するため、ペース
ト電解質を用いたコンデンサよりは改良されだ周波数、
温度特性を有す。しかし外から、このコンデンサではM
nO,、の比抵抗が比較的高く、硝酸マンガンの熱分解
による酸化皮膜の損傷が著しい斤どの理由から、高周波
領域のインピーダンス、損失は十分には小さくなら々い
。
これらの従来のコンデンサの欠点を解決するために、7
,7,8.8−テトラシアノキノジメタン(以下TON
Qと略す)から成るイオンラジカル塩を固体電解質とす
る固体電解コンデンサが提案されている。上記有機半導
体は溶液あるいは溶融体からアルミニウムあるいはタン
タルの陽極酸化皮膜上に塗布することが可能で、MnO
2の場合のように、塗布時に酸化皮膜に損傷を与えるこ
とが全くない。
,7,8.8−テトラシアノキノジメタン(以下TON
Qと略す)から成るイオンラジカル塩を固体電解質とす
る固体電解コンデンサが提案されている。上記有機半導
体は溶液あるいは溶融体からアルミニウムあるいはタン
タルの陽極酸化皮膜上に塗布することが可能で、MnO
2の場合のように、塗布時に酸化皮膜に損傷を与えるこ
とが全くない。
もし有機半導体として、■酸化皮膜に対する陽極酸化性
を有し、■比抵抗値が低いものが選ばれれば、目的とす
る大容量で周波数特性の良好なコンデンサが得られるこ
とになる。
を有し、■比抵抗値が低いものが選ばれれば、目的とす
る大容量で周波数特性の良好なコンデンサが得られるこ
とになる。
従来使用されているTCNQ化合物としては、本出願人
の提案になる、N位をn−プロピル基、isoプロピル
基、またはtarブチル基で置換したキノリニウムある
いは、ピリジニウムをカチオンとするTCNQコンプレ
ックス塩(特公昭56−10777公報)がある。
の提案になる、N位をn−プロピル基、isoプロピル
基、またはtarブチル基で置換したキノリニウムある
いは、ピリジニウムをカチオンとするTCNQコンプレ
ックス塩(特公昭56−10777公報)がある。
また最近では、N位をn−プロピル基あるいはisoフ
oヒル基で置換したイソキノリンをカチオンとするTC
NQ塩(特開昭68−17609公報)も提案されてい
る。
oヒル基で置換したイソキノリンをカチオンとするTC
NQ塩(特開昭68−17609公報)も提案されてい
る。
これらの材料は確かに固体電解コンデンサ用電解質とし
て利用され、ある程度の特性の改良をもたらすものであ
るが、ともにいくつかの欠点を有するものである。特に
、溶融法により、エツチングを施されたアルミニウム箔
あるいはタンタル焼結体に含浸させる場合、上記の材料
では溶融状態の安定性に乏しいため、十分に高い容量値
および低い損失を有する固体電解コンデンサが得られな
いという欠点がある。
て利用され、ある程度の特性の改良をもたらすものであ
るが、ともにいくつかの欠点を有するものである。特に
、溶融法により、エツチングを施されたアルミニウム箔
あるいはタンタル焼結体に含浸させる場合、上記の材料
では溶融状態の安定性に乏しいため、十分に高い容量値
および低い損失を有する固体電解コンデンサが得られな
いという欠点がある。
発明の目的
本発明は上記従来の欠点を解消するもので、N位をn−
ブチル基で置換したピコリンをカチオンとするTCNQ
コンプレックス塩を固体電解質として用いることにより
、大容量で周波数特性の改良された固体電解コンデンサ
を提供することを目的とする。
ブチル基で置換したピコリンをカチオンとするTCNQ
コンプレックス塩を固体電解質として用いることにより
、大容量で周波数特性の改良された固体電解コンデンサ
を提供することを目的とする。
発明の構成
本発明は上記目的を達成するためになされたもので、N
位をノルマルブチル基で置換したピコリンをカチオンと
し、7,7,8.8−テトラシアノキノジメタンをアニ
オンとするイオンラジカルコ、ンブレソクス塩を用いた
ことを特徴とする固体電解コンデンサを提供するもので
ある。
位をノルマルブチル基で置換したピコリンをカチオンと
し、7,7,8.8−テトラシアノキノジメタンをアニ
オンとするイオンラジカルコ、ンブレソクス塩を用いた
ことを特徴とする固体電解コンデンサを提供するもので
ある。
実施例の説明
本発明の実施例による固体電解コンデンサの基本構成は
、陽極酸化(化成)により表面に陽極酸化皮膜を有する
弁金属(たとえばアルミニウム。
、陽極酸化(化成)により表面に陽極酸化皮膜を有する
弁金属(たとえばアルミニウム。
タンタル、チタンおよびこれらの合金)を第1の電極と
し、第2の電極(対極)とこの第1の電極との間に、T
CNQ塩からなる固体電解質を有するものである。本実
施例によるT C,N Q塩はN位をn−ブチル基で置
換したピコリンである。その合成方法は次のとおりであ
る。
し、第2の電極(対極)とこの第1の電極との間に、T
CNQ塩からなる固体電解質を有するものである。本実
施例によるT C,N Q塩はN位をn−ブチル基で置
換したピコリンである。その合成方法は次のとおりであ
る。
先ず、1モルのヨウ化n−ブチル(184g)と1モル
のピコリン(93g)をフラスコ中で混合しつつウォー
ターバスで熱する。溶液温度が約8゜℃に達すると、急
激に発熱して4級化が起こる(収率100% )。この
溶液を冷却して得られる褐色の液体(ヨウ化N−n−ブ
チルピコリン)を1モル(277g)をアセトニ) l
)ルに沸騰状態で溶解し、1モル(2049)のTCN
Qを溶解したア十ト二トリル溶液(80’C)と混合す
る。
のピコリン(93g)をフラスコ中で混合しつつウォー
ターバスで熱する。溶液温度が約8゜℃に達すると、急
激に発熱して4級化が起こる(収率100% )。この
溶液を冷却して得られる褐色の液体(ヨウ化N−n−ブ
チルピコリン)を1モル(277g)をアセトニ) l
)ルに沸騰状態で溶解し、1モル(2049)のTCN
Qを溶解したア十ト二トリル溶液(80’C)と混合す
る。
約10時間5 ′Cに放置することにより、収率約60
係で所望のN−n−ブチルピコリニウム(TCNQ)X
(以下NBPcTと略す)の針状結晶が得られる。
係で所望のN−n−ブチルピコリニウム(TCNQ)X
(以下NBPcTと略す)の針状結晶が得られる。
この結晶は更に、ボールミル、ジェットミルあるいはル
ーレットミルで4Q○メツシュ寸で粉砕され、固体電解
コンデンサに適用される。
ーレットミルで4Q○メツシュ寸で粉砕され、固体電解
コンデンサに適用される。
上記方法で得られた有機半導体NBPoTを固体電解コ
ンデンサに適用する方法は従来知られた方法の中からい
くつかを選択することができる。たとえばNBPcT
をバインダーとなる高分子と共如アセトニトリル、ジメ
チルフォルムアミド等の溶剤に溶かし、加熱された溶液
中に陽極ユニットをぺ潰し、引上げて乾燥させる方法が
ある。またNBPoT の融点は約210’Cであるの
で、これ以上の温度で溶解した液体中に陽極ユニットを
浸漬し、冷却して含浸させる方法などがある。特に後者
の方法を用いた場合、本実施例の有機半導体は熱安定性
が良好であるため、高い静電容量達成率および良好外周
波数特性を与えることが判明した。
ンデンサに適用する方法は従来知られた方法の中からい
くつかを選択することができる。たとえばNBPcT
をバインダーとなる高分子と共如アセトニトリル、ジメ
チルフォルムアミド等の溶剤に溶かし、加熱された溶液
中に陽極ユニットをぺ潰し、引上げて乾燥させる方法が
ある。またNBPoT の融点は約210’Cであるの
で、これ以上の温度で溶解した液体中に陽極ユニットを
浸漬し、冷却して含浸させる方法などがある。特に後者
の方法を用いた場合、本実施例の有機半導体は熱安定性
が良好であるため、高い静電容量達成率および良好外周
波数特性を与えることが判明した。
以下に本実施例をさらに詳細に説明する。
NBPcTの粉末を100#ip、直径6.3間の7/
L=ミケースに充填し、250 ’Cまで約10秒で加
熱し溶融さぜた。そこに捲取形アルミ電解コンデンサユ
ニットを浸漬きせ、3・漬後約20秒で急激に冷却させ
た。この際、コンデンサユニットはアルミニウム端面を
化成処理して酸化皮膜を形成させたものを用い、有機半
導体の含浸直前に270 ’Cの温度まで上昇させてお
いた。定格47μFの陽極に対し、43μF、損失9.
0%の固体電解コンデンサが得られた。
L=ミケースに充填し、250 ’Cまで約10秒で加
熱し溶融さぜた。そこに捲取形アルミ電解コンデンサユ
ニットを浸漬きせ、3・漬後約20秒で急激に冷却させ
た。この際、コンデンサユニットはアルミニウム端面を
化成処理して酸化皮膜を形成させたものを用い、有機半
導体の含浸直前に270 ’Cの温度まで上昇させてお
いた。定格47μFの陽極に対し、43μF、損失9.
0%の固体電解コンデンサが得られた。
同様の条件で、N−n−プロピルキノリニウム(TCN
Q)2およびN−n−プロピルインキノリニウム(TC
NQ)2を含浸させた従来の場合の容量、損失はそれぞ
れについて38μF、10%および46μF、15%で
あったので、本実施例による有機半導体の効果が著しい
ことが分る。また4、7μF級の小容量コンデンサに対
しては、容量は4.2μF以上、損失は4.0係以下の
良好外結果が得られた。
Q)2およびN−n−プロピルインキノリニウム(TC
NQ)2を含浸させた従来の場合の容量、損失はそれぞ
れについて38μF、10%および46μF、15%で
あったので、本実施例による有機半導体の効果が著しい
ことが分る。また4、7μF級の小容量コンデンサに対
しては、容量は4.2μF以上、損失は4.0係以下の
良好外結果が得られた。
次に焼結形タンタル固体電解コンデンサに本発明の有機
半導体を適用した例を示す。
半導体を適用した例を示す。
二酸化マンガンを付着させた場合に10077Fの容量
を有する焼結形ベレットを用い、前実施例と同様の方法
でN B PcTを含浸させた。
を有する焼結形ベレットを用い、前実施例と同様の方法
でN B PcTを含浸させた。
この場合含浸温度は270 ’Cとし、時間を15秒と
した。陰極として、ポリビニルブチラールをバインダー
とするコロイド状グラファイトをアルコール分散液より
塗布し、次にアクリル系バインダを4−1つ銀ペースト
を塗布し、更にハンダにてリード線を接着した。得られ
たコンデンサの特性は静電容滑か95μF 、損失8%
、漏れ電流0.1μ人であった。
した。陰極として、ポリビニルブチラールをバインダー
とするコロイド状グラファイトをアルコール分散液より
塗布し、次にアクリル系バインダを4−1つ銀ペースト
を塗布し、更にハンダにてリード線を接着した。得られ
たコンデンサの特性は静電容滑か95μF 、損失8%
、漏れ電流0.1μ人であった。
さらに他の実施例として、NBPoTを50rng用い
、前実施例と同様の方法で、捲取形のアルミ電解コンデ
ンサを試作した。
、前実施例と同様の方法で、捲取形のアルミ電解コンデ
ンサを試作した。
定格容量3.3μFに対し、3.2μF、損失3%のコ
ンデンサが得られた。1MHz での等個直列抵抗を測
定したところ0.o3Ωで、従来例の有機半導体を用い
た場合の値、約1Ωよりはるかに低い値であり、高周波
特性が極めて良好であることが証明された。
ンデンサが得られた。1MHz での等個直列抵抗を測
定したところ0.o3Ωで、従来例の有機半導体を用い
た場合の値、約1Ωよりはるかに低い値であり、高周波
特性が極めて良好であることが証明された。
発明の効果
以上型するに本発明はN位をノルマルブチル基で置換し
たピリコンをカチオンとし、7 、7 、8゜8−テト
ラシアノギノジメタンをアニオンとするイオンラジカル
コンプレックス塩を用いたことを特徴とする固体電解コ
ンデンサを提供するもので、大容量で高周波特性の改良
された固体電解コンデンサが得られる利点を有する。
たピリコンをカチオンとし、7 、7 、8゜8−テト
ラシアノギノジメタンをアニオンとするイオンラジカル
コンプレックス塩を用いたことを特徴とする固体電解コ
ンデンサを提供するもので、大容量で高周波特性の改良
された固体電解コンデンサが得られる利点を有する。
Claims (1)
- N位をノルマルブチル基で置換したピコリンをカチオン
とし、了、了、8.8−テトラシアノキノジメタンをア
ニオンとするイオンラジカルコンプレックス塩を用いた
ことを特徴とする固体電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58174926A JPS6065519A (ja) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | 固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58174926A JPS6065519A (ja) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | 固体電解コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6065519A true JPS6065519A (ja) | 1985-04-15 |
Family
ID=15987129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58174926A Pending JPS6065519A (ja) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | 固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6065519A (ja) |
-
1983
- 1983-09-20 JP JP58174926A patent/JPS6065519A/ja active Pending
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