JPS6067362U - スパツタリング装置 - Google Patents

スパツタリング装置

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Publication number
JPS6067362U
JPS6067362U JP15866083U JP15866083U JPS6067362U JP S6067362 U JPS6067362 U JP S6067362U JP 15866083 U JP15866083 U JP 15866083U JP 15866083 U JP15866083 U JP 15866083U JP S6067362 U JPS6067362 U JP S6067362U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
trapping
frequency magnetron
sputtering apparatus
target
magnetron sputtering
Prior art date
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Pending
Application number
JP15866083U
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English (en)
Inventor
高橋　正長
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来のスパッタリング装置の構造を示す断面図
、第２図は異常放電により導体薄膜の膜質が悪くなった
基板を示す平面図、第３図は従来のスパッタリング装置
のシャッター付近の構造を示す断面図、第４図は本考案
によるスパッタリング装置のシャッター付近の構造を示
す断面図、第５図は従来のスパッタリング装置のシャッ
ターの外観図、第６図は本考案によるスパッタリング装
置のシャッターの外観図であ、る。 １・・・陰極、１ａ・・・磁石、２・・・シャッター、
２ａ・・・開口部、３・・・基板ホルダー、４・・・基
板、５・・・チャンバー、６・・・高周波電源、７・・
・ターゲット、８・・・導体薄膜、９・・・異常放電跡
、１０・・・捕捉板、ｎＣ・・・二次電子や二次負イオ
ン。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 １　磁界方向が電界方向と直交し、かつ電極空間におい
    て磁力線がターゲット表面に始まりターゲット表面に終
    るように磁石を設けた陰極を使用し、スパッタリング電
    源として高周波電源を使用した高周波マグネトロンスパ
    ッタリング装置において、陽極近くに置いた被処理材が
    負に帯電しないように、前記ターゲットと前記被処理材
    との間に設けられた前記陽極と同電位のシャツ多−の開
    口部に、前記ターゲットから放出される二次電子や二次
    負イオンを捕捉するための捕捉手段を設けたことを特徴
    とする高周波マグネトロンスパッタリング装置。 ２　前記捕捉手段がすの千秋の捕捉板である実用新案登
    録請求の範囲第１項記載の高周波マグネトロンスパッタ
    リンク装置。 ３　前記捕捉手段が前記シャッターの開口部に張られた
    金網である実用新案登録請求の範囲第１項記載の高周波
    マグネトロンスパッタリング装置。
JP15866083U 1983-10-15 1983-10-15 スパツタリング装置 Pending JPS6067362U (ja)

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JP15866083U JPS6067362U (ja) 1983-10-15 1983-10-15 スパツタリング装置

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JP15866083U JPS6067362U (ja) 1983-10-15 1983-10-15 スパツタリング装置

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JPS6067362U true JPS6067362U (ja) 1985-05-13

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