JPS6068344A - 電子写真用光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線、可視光
線、赤外光線、Ｘ線、ｒ線等を示す）の様な電磁波に感
受性のある光導電部材に関する。

固体撮偉装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料とＬ７ては、高感度で、８Ｎ比〔光電流（Ｉｐ
）／暗電流（Ｉｄ）　）が高く、照射する電磁波のスペ
クトル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有す
ること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること
、使用時において人体忙対Ｉ、７て無公害であること、
更には固体撮偉装置においては、残像を所定時間内に容
易に処理することができること等の特性が要求される。

殊に、事務機としてオフィスで使用される電子写真装置
内に組込まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記
の使用時における無公害性は重要な点である。

この様な点に立脚１−で最近注目されている光導電材料
にアモルファスシリコン（以後ａ　−８ｉと表記す）が
あり、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同第
２８５５７１８号公報には電子写真用像形成部材として
、独国公開第２９３３４１１号公報には光電変換読取装
置への応用が記載されている。

丙午ら、従来のａ−８ｉで構成された光導電層を有する
光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的
、光学的、光導電的特性、及び耐湿性等の使用環境特性
の点、更には経時的安定性の点において、総合的な特性
向上を図る必要があるという更に改良される可き点が存
するのが実情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に図ろうとすると、従来にお
いては、その使用時において残留電位が残る場合が度々
観測され、この種の光導電部材は長時間繰返１〜使用ｔ
〜続けると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残
像が生ずる所謂ゴースト現象を発する様になる、或いは
、高速で繰返し使用すると応答性が次第に低下する、等
の不都合な点が生ずる場合が少なくなかった。

更には、ａ−８ｉは可視光領域の短波長側に較べて、長
波長側の波長領域よりも長い波長領域の吸収係数が比較
的小さく、現在実用化されている半導体レーザとのマツ
チングに於いて、通常使用されているハロゲンランプや
螢光灯を光源とする場合、長波長側の光を有効に使用し
得ていないと旨う点に於いて、夫々改良される余地が残
っている。

又、別には、照射される光が光導電層中に於いて、充分
吸収さｈずに支持体に到達する光の量が多くなると、支
持体自体が光導電層を透過して来る光に対する反射率が
高い場合には、光導電層内姉於いて多重反射による干渉
が起って、画像の「ボケ」が生ずる一要因となる。

この影響は、解像度を上げる為に、照射スポットを小さ
くする程大きぐなり、殊に半導体レーザを光源とする場
合には大きな問題となっている。

或すは又、ａ−８ｉ材料で光導電層を構成する場合には
、その電気的、光導電的特性の改良を図るために、水素
原子或いは弗素原子や塩素原子等のハロゲン原子、及び
電気伝導型の制御のために硼素原子や燐原子等が或いは
その他の特性改良のために他の原子が、各々構成原子と
して光導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の含
有の仕方如何によっては、形成した層の電気的或いは光
導電的特性や電気的耐圧性に問題が生ずる場合があった
。

即ち、例えば、形成１．た光導電層中に光照射によって
発生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でない
ことや暗部において、支持体側よりの電荷の注入の阻止
が充分でないこと、或いは、転写紙に転写された画像に
俗ｋ［白ヌケ」と呼ばれる、局所的な放電破壊現象によ
ると思われる画像欠陥や、例えば、クリーニングに、ブ
レードを用いるとその摺擦によると思われる、俗に１白
スジ」と太われている所謂画像欠陥が生じたりしてｈた
。又、多湿雰囲気中で使用したシ、或いは多湿雰囲気中
に長時間放置ｊ−た直後に使用すると俗に云う画像のボ
ケが生ずる場合が少なくなかった。

従ってａ−８ｉ材料そのものの特性改良が図られる一方
で光導電部材を設計する際に、上記１〜た様な問題の総
てが解決される様に工夫される必要がある。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−８ｉに
就いて電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読取装置
等に使用される光導電部材と１、ての適用性とその応用
性という観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、
シリコン原子を母体とし、水素原子０又はハロゲン原子
（ハ）のいずれか一方を少なくとも含有するアモル７ア
ｘｓａ、所ｎ水素化アモルファスシリコン、ハロゲン化
アモルファスシリコン、或いはハロゲン含有水素化アモ
ルファスシリコン〔以後コれ等の総称的表記として［ａ
−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）　Ｊを使用する〕から構成され、光
導電性を示す光受容層を有する光導電部材の層構成を以
後に説明される様な特定化の下に設計されて作成された
光導電部材は実用上著しく優れた特性を示すばかりでな
く、従来の光導電部材と較べてみてもあらゆる点におい
て凌駕していること、殊に電子写真用の光導電部材とし
て著しく優れた特性を有していること及び長波長側に於
ける吸収スペクトル特性に優ねていることを見出し、た
点に基いている。

本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時安定して
いて、殆んど使用環境に制限を受けない全環境型であり
、長波長側の光感度特性に優れると共に耐光疲労に著し
く長け、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず、残留
電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を提供す
ることを主たる目的とする。

本発明の別の目的は、全可視光域に於すて光感度が高く
、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光応答
の速い光導電部材を提供することである。

本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材と１〜で
適用させた場合、通常の電子写真法が極めて有効に適用
され得る程度に、静電像形成の為の帯電処理の際の電荷
保持能が充分ある光導電材を提供することである。

本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフトーンが
鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る事が容
易に出来る電子写真用の光導電部材を提供することであ
る。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、高８Ｎ比
特性を有する光導電部材を提供することでもある。

本発明の更に他の目的は、長期の使用に於すて画像欠陥
や画像のボケが全くなく、濃度が高く、ハーフトーンが
鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得ることが
容易にできる電子写真用の光導電部材を提供することで
ある。

本発明の光導電部材は光導電部材用の支持体と、該支持
体上に、シリコン原子とゲルマニウム原子とを含む非晶
質材料で構成された第１の層領域と、シリコン原子を含
む非晶質材料で構成され、光導電性を示す第２の層領域
とが前記支持体側よ）順に設けられた層構成の第一の層
と、シリコン原子と酸素原子とを含む非晶質材料で構成
された第二の層とを有し、前記第１の層領域中に於ける
ゲルマニウム原子の分布状態が層厚方向に不均一である
事を特徴とする。

上記した様な層構成を取る様に１て設計さねた本発明の
光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決１１．得、
極めて優れた電気的、光学的、光導電的特性、電気的耐
圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用像形成部材と１．て適用させた場合に
は、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気
的特性が安定（−でおり高感度で、高ＳＮ比を有するも
のであって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が
高く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、
高品質の画像を安定１，７て繰返［７得ることができる
。

更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、月
つ光応答が速い。

以下、図面に従って、本発明の光導電部材に就て詳細に
説明する。

第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電部材の層
構成を説明するために模式的に示１た模式的構成図であ
る。

第１図に示す光導電部材１００け、光導電部材用として
の支持体１０１の上に、第一の層（Ｉ）１０２、該第−
の層α）１ｏ２の上に、第二の層（１）１０５を有し、
層（１）　１０５け自由表面１０６を有している。

第一の層α）１０２は、支持体１０１側よりゲルマニウ
ム原子を含有するａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）　（以後［ａ−８
ｉＧｅ（）３．Ｘ）　Ｊと略記する）で構成された第１
の層領域０１０３と、！ｌ−８４（Ｈ，Ｘ）で構成され
、光導電性を有する第２の層領域ａ）１０４とが顔に積
層された層構造を有する。

第１の層領域０１０３中に含有されるゲルマニウム原子
は、該第１の層領域０）１０３の層厚方向には連続的で
あって且つ前記支持体１０１の設けられである側とは反
対の側（第二の層（１）　１０５側）の方に対して前記
支持体１０１側の方に多く分布した状態となる様に前記
第１の層領域Ｑ１０３中に含有される。

本発明の光導電部材においては、第１の層領０ 域０中に含有されるゲルマニウム原子の分布状態は、層
厚方向においては、前記の様な分布状態を取り、支持体
の表面と平行な面内方向には均一な分布状態とされるの
が望ｔ　Ｌいものである。

本発明に於いては、第一の層領域Ｏ）上に設けられる第
２の層領域６）中には、ゲルマニウム原子は含有されて
おらず、この様な層構造に層を形成することによって、
可視光領域を含む、比較的短波長から比較的短波長迄の
全領域の波長の光に対して光感度が優れている光導電部
材と１得るものである。

又、第１の層領域Ｏ中に於けるゲルマニウム原子の分布
状態は全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分布し、
ゲルマニウム原子の層厚方向の分布濃度Ｃが支持体側よ
り第２の層領域の）に向って減少する変化が与えられて
いるので、第１の層領域０）と第２の層領域（Ｉ’１１
との間に於ける親和性に優れ、且つ後述する様に、支持
体側端部に於いてゲルマニウム原子の分布濃度Ｃを１ 極端に大きくすることにより、半導体レーザ等を使用し
た場合の、第２の層領域＠）では殆んど吸収１切ねない
長波長側の光を第１０層領域０に於いて、実質的に完全
に吸収することが出来、支持体面からの反射による干渉
を防止することが出来る。

又、本発明の光導電部材に於いては、第１の層領域Ｏ）
と第２の層領域＠）とを構成する非晶質材料の夫々がシ
リコン原子という共通の構成要素を有しているので、積
層界面に於いて化学的な安定性の確保が充分成されてい
る。

第２図乃至第１０図には、本発明における光導電部材の
第１の層領域ｎ中に含崩されるゲルマニウム原子の層厚
方向の分布状態の典型的例が示される。

第２図乃至第１０図において、横軸はゲルマニウム原子
の分布濃度Ｃを、縦軸は、第１の層領域０の層厚を示１
〜、ｔＢは支持体側の第１の層領域ｎの端面の位置を、
１Ｔは支持体側とは反対側の第１の要領域日の端面の位
置を示す。即ち、２ ゲルマニウム原子の含有される第１０要領Ｍ（１はｔＢ
側よりｔＴ側に向って層形成が寿される。

第２図には、第１の層領域ｎ中に含有されるゲルマニウ
ム原子の層厚方向の分布状態の＃ｃ１の典型例が示され
る。

第２図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有され
る第１の要領竣旬が形成される表面と該第１の層領域０
の表面とが接する界面位置ｔＢよりｔ□の位置までは、
ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃが０１なる一定の値を取
り乍らゲルマニウム原子が形成される第１の層領域０に
含有され、位置ｔ１よりけ濃度Ｃ２よシ界面位置ｔＴに
至るまで徐々に連続的に減少されている。界面位置１Ｔ
においてはゲルマニウム原子の分布濃度ＣはＣ３とされ
る。

第３図に示される例においては、含有されるゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃけ位置ｔＢよ多位置１Ｔに至るまで
濃度Ｃ４から徐々に連続的に減少して位置１Ｔにお込て
濃度ＣＩｓとなる様な分布状態を形成している。

３ 第４図の場合には、位置ｔＢより位置ｔ２まではゲルマ
ニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６と一定値とされ、位
置ｔ２と位置ｔＴとの間におじで、徐々に連続的に減少
され、位置ｔＴにおいて、分布濃度Ｃは実質的に零とさ
れている（ここで実質的に零とけ検出限界量未満の場合
である）。

第５図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは位
置ｔＢより位置ｔＴに至るまで、濃度Ｃ８より連続的に
徐々に減少され、位置ｔＴにおいて実質的に零とされて
いる。

第６図に示す例においては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位置ｔＢと位置ｔ３間においては、濃度Ｃ９と
一定値であり、位置ｔＴにおいては濃度Ｃ１゜とされる
。位置ｔ３と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃは一次関
数的に位ｔｔ３より位置ｔＴに至るまで減少されている
。

第７図に示される例においては、分布濃度Ｃけ位ｆｔＢ
よ多位置ｔ４までは濃度Ｃ□１の一定値を取〕、位置ｔ
４よ多位置ｔＴまでは濃度Ｃ１２より濃度Ｃ１Ｂまで一
次関数的に減少する分布状態とさ　Ａ れている。

第８図に示す例においては、位置ｔＢより位置ｔＴに至
るオで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ□４よ
り実質的に零に至る様に一次関数的に減少１−１でいる
。

第９図においては、位置ｔＢ、１′り位置ｔ５に至るま
ではゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ１５よね
濃度０□６貫で一次関数的に減少され、位置ｔ、と位置
ｔＴとの間においては、濃度Ｃ１６の一定値とされた例
が示されている。

第１０図に示される例においては、ゲルマニウム原子の
分布濃度Ｃ＃′ｉ位攬ｔＢにおいて濃度Ｃ□７であシ、
位置ｔ６に至るまではこの濃度Ｃ１７より初めはゆっく
りと減少され、ｔ６の位置付近においては、急激に減少
されて位ｆｉｔａでＦｉ濃度０１８とされる。

位置ｔ６と位１１ｔ７との間においては、初め急激に減
少されて、その後は、緩かに徐々に減少されて位置ｔ７
で濃度Ｃ１ｅとなり、位置ｔ７と位置ｔ８との間では、
極めてゆつ〈シと徐々に減少されて位置ｔ８において、
濃度Ｃ２゜に至る。位ｔｉｌｔ８と位置ｔＴの間におい
ては、濃度Ｃ２゜より実質的に零になる様に図に示す如
き形状の曲線に従って減少されている。

以上、第２図乃至第１０図により、第１の層領域Ｑ中に
含有されるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態の典
型例の幾つかを説明１〜た様に、本発明においては、支
持体側において、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃの高い
部分を有り１、界面ｔＴ側においては、前記分布濃度Ｃ
け支持体側に較べて可成シ低ぐされた部分を有するゲル
マニウム原子の分布状態が第１の層領域Ｑに設けられて
込る。

本発明に於ける光導電部材を構成する光受容層を構成す
る第１の層領域０は好ましくけ上記した様に支持体側の
方にゲルマニウム原子が比較的高濃度で含有されている
局在領域囚を有するのが望ましい。

本発明に於いては、局在領域（Ａ）は、第２図乃至第１
０図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置ｔＢよシ
５μ以内に設けられるのが望ましいものである。

本発明においては、上記局在領域（Ａ）は、界面位置ｔ
Ｂよル５μ厚までの全層領域（ＬＴ）とされる場合もあ
るし、又、層領域（ＬＴ　）の一部とされる場合もある
。

局在領域（Ａ）を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される光受容層に要求される特性に
従って適宜決められる。

局在領域（Ａ）はその中に含有されるゲルマニウム原子
の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム原子の分布濃
度の最大値Ｃｍａｘがシリコン原子との和に対して、好
ましくは１０００ａｔ１０００ａｔｏ以上、より好適に
は５０００ａｔｏｍｉｅ　ｐ戸板上、最適にはＩ　Ｘ　
１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　以上とされる様な分布
状態となシ得る様に層形成されるのが望ましい。

即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の含有され
る層は、支持体側からの層厚で５μ以内（ｔＢから５μ
厚の層領域）に分布濃度の最大値Ｃｍａｘが存在する様
に形成されるのが好ましいものである。

本発明において、第１の層領域（Ｇ）中に含有されるゲ
ルマニウム原子の含有量としては、本発明の目的が効果
的に達成される様に所望に従って適宜決められるが、シ
リコン原子との和に対して好ましくは１〜９．５　Ｘ　
１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ％より好ましくは１００
〜８　ＸＩ　Ｏ”　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　１最適には
５００〜７Ｘ１０”　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされるの
が望ましいものである。

本発明に於いて第１の層領域（Ｇ）と第２０層領域（８
）との層厚は、本発明の目的を効果的に達成させる為の
重要な因子の１つであるので形成される光導電部材に所
望の特性が充分与えられる様に、光導電部材の設計の際
に充分なる注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１０層領域（Ｇ）の層厚１Ｂは、好
ましくは、３０Ａ〜５０μ、より好ましくは４０Ａ〜４
０μ、最適には５０Ａ〜３０μとされるのが望ましい。

又、第２の層領域（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは、０．
５〜９０μ、よシ好ましくは１〜８０μ、最適には２〜
５０μとされるのが望ましい。

第１の層領域（Ｇ）の層厚ＴＢと第２の層領域（８）の
層厚Ｔの和（ＴＢ　＋　Ｔ　）　としては、両層領域に
要求される特性と層全体に要求される特性との相互間の
有機的関連性に基いて、光導電部材の層設針の際に所望
に従って、適宜決定される。

本発明の光導電部材に於いては、上記の（ＴＢ＋Ｔ）の
数値範囲としては、好ましくは１〜１００μ、よシ好適
には１〜８０μ、最適には２〜５０μとされるのが望ま
しい。

本発明のより好ましい実施態様例に於いては、上記の層
厚ＴＢ及び層厚Ｔとしては、通常はＴＢ／Ｔ≦１なる関
係を満足する際に、夫々に対して適宜適切な数値が選択
されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚ＴＢ及び層厚Ｔの数値の選択に
於いて、よシ好ましくは、ＴＢ／Ｔ≦０９、最適にはＴ
Ｂ／Ｔ≦０．８なる関係が満足される様に層厚ＴＢ及び
層厚Ｔの値が決定されるのが望ましいものである。

本発明に於いて、第１の層領域（Ｇ）中に含有されるゲ
ルマニウム原子の含有量がＩ　Ｘ　１０”　ａｔｏｎｉ
ｃｐｐｍ以上の場合には、第１の層領域（Ｇ）の層厚Ｔ
！ｌとしては、可成シ薄くされるのが望ましく、好まし
くは３０μ以下、よシ好ましくは２５μ以下、最適には
２０μ以下とされるのが望ましいものである。

本発明において、必要に応じて第一の層（Ｉ）を構成す
る第１の層領域（Ｇ）及び第２の層領域（Ｓ）中に含有
される・・ロゲン原子（Ｘ）としては、具体的にはフッ
素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素
を好適なものとして挙げることができる。

本発明において、ａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）で構成される
第１の層領域（Ｇ）を形成するには例えばグロー放電法
、スパッタリング法、或いはイオングレーティング法等
の放電現象を利用する真空堆積法によって成される。例
えば、グロー放電法によって、ａ−８ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ
）で構成される第１の層領域（Ｇ）を形成するには、基
本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用
の原料ガスとゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し得る龜
供給用の原料ガスと、必要に応じて水素原子（イ）導入
用の原料ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原
料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス圧
状態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、
予め所定位置に設置されである所定の支持体表面上に含
有されるゲルマニウム原子の分布濃度を所望の変化率曲
線に従って制御し乍らａ−８ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）からな
る層を形成させれば良い。又、スパッタリング法で形成
する場合には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこ
れ等のガスをペースとした混合ガスの雰囲気中でＳｉで
構成されたターゲットとＧｅで構成されたターゲットの
二枚を使用して、又はＳｌとＧｅの混合されたターゲッ
トを使用してスパッタリングする際、必要に応じて水素
原子（Φ又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスを
スパッタリング用の堆積室に導入してやれば良い０本発
明において使用される別供給用の原料ガスと成シ得る物
質としては、５ｔ）Ｌ　、　Ｓ　ｉｔＨ，、８ＬＨｓ。

８ｉ、Ｈ，・等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅
素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げられ
、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良
さ等の点でＳ　ｉ　Ｈ４、Ｓ　ｉｚ　Ｈｓが好ましいも
のとして挙けられる〇 伽供給用の原料ガスと成シ得る物質としては、Ｇｅ＆　
、　ＧＩＪＨｓ　、　ＧｅｇＨａ　、　０４）Ｌｅ　、
　Ｇｅ５Ｈｔ＊　、　Ｇｅ５Ｈｔ＊　。

Ｇｅマ几・、　Ｇｅ５Ｈｔ＊　、　Ｇｅ、Ｈ，等のガス
状態の又はガス化し得る水素化ゲルマニウムが有効に使
用されるものとして挙げられ、殊に、層作成作業時の取
扱い易さ、Ｇｅ供給効率の良さ等の点で、ＧｅＨ４、Ｇ
ｅ雪＆　、　Ｇｅ・Ｈ，が好ましいものとして挙げられ
る。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、−・ロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態
の又はガス化し得る・・ロゲン化合物が好ましく挙げら
れる。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得るハはゲン原子を含む
水素化硅素化合物も有効なものとして本発明においては
挙げることが出来る０ 本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ン原子、ＢｒＦ　、　ＣＩＦ　、　ＣＩＦ、。

ＢｒＦ、　、　ＢｒＦ−、ＩＦｇ　、　ＩＲ、ＩＣＡ’
　、　ＩＢｒ等のハロゲン間化合物を挙げることが出来
る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えばＳ
ｉＦ＊　、　８ｉｍＦｇ　、　５ｉＣ１＋　、８ｉＢｒ
４等のハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げること
が出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、由供給用の原料ガスと共に８ｉを供給し得
る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも、
所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−８ｉＧｅから
成る第１の層領域（Ｇ）を形成する事ができる。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の層領
域（Ｇ）を作成する場合、基本的には例えば８ｉ供給用
の原料ガスとなるハロゲン化硅素と充供給用の原料ガス
となる水素化ゲルマニウムと人ｒ　、　Ｈ官、　Ｈｅ等
のガス等を所定の混合比とガス流量になる様にして第１
の層領域（Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー放電
を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成するこ
とによって、所望の支持体上に第１の層領域（Ｇ）を形
成し得るものであるが、水素原子の導入割合の制御を一
層容易になる様に図る為にこれ等のガスに更に水素ガス
又は水素原子を含む硅素化合物のガスも所望量混合して
層形成しても良い０ 又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

反応スパッタリング法或いはイオンブレーティング法に
依ってａ−８ｉ　Ｇｅ　（Ｈ，Ｘ）から成る第１の層領
域（Ｇ）を形成するには、例えばスパッタリング法の場
合にｒＪ：　Ｓ　ｉから成るターゲットとＧｅから成る
ターゲットの二枚を、或いは８ｉと［有］から成るター
ゲットを使用して、これを所望のガスプラズマ雰囲気中
でスパッタリングし、イオングレーティング法の場合に
は、例えば多結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶
ゲルマニウム又は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源と
して蒸着ボートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或
いはエレクトロンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸
発させ飛翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過
させる事で行う事が出来る。

この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を導入す
るには、前記のハロゲン化金物又は前記のハロゲン原子
を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスの
プラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈｌ、或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記され九ハ四ゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ　、　ＨＣＩ　。

ＨＢ　ｒ　、　ＨＩ等のハロゲン化水素、８　ｉ　Ｈｅ
　Ｆｔ　、　８１ＨＩ　Ｌ　ｔ８ｉＨ＊Ｃ４、Ｓ　１Ｈ
Ｃ４、８ｉＨ＊Ｂｒｔ　、　８ｉＨＢｒｓ等の２、ロゲ
ン置換水素化硅素、及びＧｅＨＩ％　、　ＧｅＨｓＦ雪
。

ＧｅＨｓＦ　、　ＧｅＨＣｌａ　、　Ｇｅ＆　Ｃム、　
ＧｅＨａＣｌ　、　ＧｅＨＢｒ５　。

ＧｅＨｓ　Ｂｒｔ　、　ＧｅＨｓＢ　ｒ　、　ＧｅＨＬ
　、　ＧｅＨ，Ｌ　、　ＧｅＨｓ　Ｉ等の水素化ハロゲ
ン化ゲルマニウム、等の水素原子を構成要素の１つとす
るハロゲン原子ｓ　Ｇｅ　Ｆａ　ＨＧｅＣ４、ＧｅＢｒ
、　、　ＧｅＩ４．　ＧｅＦｗ　、　０ｅＣ１，、Ｇｅ
Ｂｒ＊　。

Ｇｅ１．　等のハロゲン化ゲルマニウム等々のガス状態
の或いはガス化し得る物質も有効な第１の層領域（Ｇ）
形成用の出発物質として挙げる事が出来る。

これ等の物質の中水素原子を含むノ・ロゲン化物は、第
１の層領域（Ｇ）形成の際に層中に−・ロゲン原子の導
入と同時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効
な水素原子も導入されるので、本発明においては好適な
−・ロゲン導入用の原料として使用されるＯ 水素原子を第１の層領域（Ｇ）中に構造的に導入するに
は、上記の他にル、或いは８ｉＨ，，８ｉ＊Ｈａ。

８ｉ、Ｈ，、ＳらＨｒ　ａ等の水素化硅素をＧｅを供給
する為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と、或い
は、ＧｅＨ，、Ｇｅ、ａ　、　Ｇｅ５Ｈ，、Ｇｅ、Ｈ，
。、Ｇｅ５ａ＊　ｔＧｅ、ｎｕ　、　ＧｅｖＨ１＠　、
　Ｇｅ５ｆ’Ｌａ　、　Ｇｅ、Ｈｗｓ等の水素化ゲル１
ニウムとＳｉを供給する為のシリコン又はシリコン化合
物と、を堆積室中に共存させて放電を生起させる事でも
行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される層を構成する
１ａ１の要領Ｍ　（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）
の景又は・・ロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とＩ・
ロゲン原子の量の和（Ｈ十Ｘ）は好ましくは０．０１〜
４０　ａｔｏｍｉｃ％、よシ好適には０、０５〜３　Ｑ
　ａｔｏｍｉｃ％　、最適には０．１〜２５ａｔｏｍｉ
ｃ％とされるのが望ましい。

Ｍｌの層領域（Ｇ）中に含有される水素原子（ロ）又Ｆ
ｉ／及び・・ロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには５例
えば支持体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロ
ゲン原子（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の
堆積装置系内へ導入する量、族１１！電力等を制御して
やれば良い。

本発明に於いて、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される第２
の層領域（Ｓ）を形成するには、前記した第１の層領域
（Ｇ）形成用の出発物質（Ｉ）の中よシ［有］供給用の
原料ガスとなる出発物質を除いた出発物質〔第２の層領
域（８）形成用の出発物質αη金使用して、第１０屓領
域（Ｇ）を形成する場合と、同様の方法と条件に従って
行う事が出来る。

即ち、本発明において、ａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ　）で構成
される第２の層領域（Ｓ）を形成するには例えばグロー
放電法、スパッタリング法、成いはイオンブレーティン
グ法等の放電現象を利用する真空堆積法によって成され
る。例えば、グロー放電法によって、ａ−８ｉ　（Ｈ，
Ｘ）で構成される第２の層領域（８）を形成するには、
基本的には前記したシリコン原子（８ｉ）を供給し得る
Ｓｉ供給用の原料ガスと共に、必要に応じて水素原子（
Ｈ）導入用の又け／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原
料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して、該
堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設置
されである所定の支持体表面上にａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）か
らなる層を形成させれば良い。

又、スパッタリング法で形成する場合には、例えばＡｒ
、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをペースとした
混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成されたターゲットをス
パッタリングする際、水素原子０又は／及びハロゲン原
子（３）導入用のガスをスパッタリング用の堆積室に導
入しておけば良い。

本発明の光導電部材に於いては、ゲルマニウム原子の含
有される第１０層領域（Ｇ）の上に設けられ、ゲルマニ
ウム原子の含有されない第２の層領域（８）には、伝導
特性を制御する物質を含有させることにより、該層領域
（Ｓ）の伝導特性を所望に従って任意に制御することが
出来る。

この様な物質としては、所謂、半導体分野で盲われる不
純物を挙げることが出来、本発明に於いては、形成され
る第２の層領域（Ｓ）　ｆ構成するａ　Ｓ＋　（Ｈ，Ｘ
　）に対して、ｐ型伝導特性を与えるｐ型不純物、及び
ｎ型伝導特性を与えるｎ型不純物を挙げることが出来る
。

具体的には、ｐ型不純物としては周期律表第■族に属す
る原子（第■族原子）、例えば、Ｂ（硼１）、Ａｎｔ（
アルミニウム）、侵（ガリウム）、Ｉｎ　（インジウム
）　ｓ　Ｔｔ　（タリウム）等があり、殊に好適に用い
られるのは、Ｂ、Ｇａである。

ｎ型不純物としては、周期律表第Ｖ族に属する原子（第
Ｖ族原子）、例えば、Ｐ（燐）、Ａｓ　（砒素）、８ｂ
　（アンチモン）％Ｂｉ（ビスマス）等テアリ、殊に、
好適に用いられるのけ、Ｐ、Ａｓである。

本発明に於いて、第２０層領埴（ｓ）に含有される伝導
特性を制御する物質の含有量は、該層領域（Ｓ）　ｌ’
ｉ！：要求される伝導特性、或いは該層領域（Ｓ）に直
に接触して設けられる他の層領域の特性や、該他の層領
域との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連性
に於いて、適宜選択することが出来る。

本発明に於いて、第２の層領域（８）中に含有される伝
導特性を制御する物質の含有量としては、好ましくは、
０．００１〜１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、より
好適には０．０５〜５００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、
最適には０１〜２０　Ｑ　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされ
るのが望ましいものである。第２の層領域（８）中に伝
導特性を制御する物質、例えば第■族原子或いは第Ｖ族
原子を構造的に導入するには、層形成の際に第１族原子
導入用の出発物質或いは第Ｖ族原子導入用の出発物質を
ガス状態で堆積室中に、第２の層領域を形成する為の他
の出発物質と共に導入してやれば良い。この様な第１族
原子導入用の出発物質と成り得るものとしては、常温常
圧でガス状の又は、少なくとも層形成条件下で容易にガ
ス化し得るものが採用されるのが望ましい。その様な第
１族原子導入用の出発物質として具体的には硼素原子導
入用としては、Ｂ２Ｈ，、Ｂ４Ｈ１ｏ。

Ｂ、）Ｉ９．　Ｂ、Ｈｌｌ、　Ｂ、Ｉ（１，、Ｂ、Ｂ１
２．　Ｂ、Ｂ１４等の水素化硼素、ＢＦ３　、　Ｂｅｔ
ａ　、　ＢＢ　ｒｓ等の・・ロゲン化硼素等が挙げられ
る。この他、ｋｌｃｔｓ、　ＧａＣ１４３，Ｇａ　（Ｃ
Ｈ３）ａ　。

Ｉｎｃｔｓ、　ＴｔＣ１３等も挙げることが出来る＠第
１族原子導入用の出発物質として、本発明において有効
に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ３，Ｐ
、Ｈ４等の水素北隣、ＰＨ４Ｉ。

Ｐ　Ｐａ　ｔ　Ｐ　Ｐｓ　＋　ＰＣＺｓ　＋　ＰＣＩ４
Ｔ　ＰＢｒｓ　ｔ　ＰＢ　ｒｓ　Ｔ　Ｐ　Ｉｎ等のハロ
ゲン什燐が挙げられる。この他、Ａ８Ｈ３、ＡｓＦａ　
。

ＡｓＣ１Ｂ、　ＡｓＢｒ３　、　ＡｓＦ５　、８ｂＨ３
，５ｂＦＢ　、　８ｂＦ５　、５ｂＣ４３。

５ｂＣ４，ＢｉＨ３，Ｂ１Ｃ４，Ｂ１Ｂｒ３等も第Ｖ族
原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げることが
出来る。

本発明に於いて、形成される第一の層（Ｉ）を構成する
第２の層領域（Ｓｌ中に含有される水素原子（６）の量
又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子と／％　Ｉｆ
ｆゲン原子の量の和（ＨｘＸ）は、好ましくは１〜４０
　ａｔｏｍｉｃ　％、より好適には５〜３０　ａｔｏｍ
ｉｃチ、最適には５〜２５　Ｈｔｏｍｉｃ％とされるの
が望ましい。

第１図に示される光導電部材１００に於いては第一の層
（ｒ）　１０２上に形成される第二の層（Ｕ）１０５は
自由表面１０６を有し、主に耐湿性、連続繰返し使用特
性、電気的耐圧性、使用環境特性、耐久性に於いて本発
明の目的を達成する為に設けられる。

又、本発明に於いては、第一の層（１）　１０２と第二
の層（ＩＩ）　１０５とを構成する非晶質材料の各々が
シリコン原子という共通の構成要素を有しているので、
積層界面に於いて化学的な安定性の確保が充分成されて
いる。

本発明に於ける第二の層（ＩＴ）は、シリコン原子（８
４）と酸素原子（へ）と、必要に応じて水素原−Ｒ１１
又は／及びハロゲン原子（３）とを含む非晶質材料（以
後、［ａ　−（５ｉｘＯ１−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）　１−Ｙ
　Ｊと記す。

但し、ｏ（ｘ、ｙ＜１）で構成される。

ａ　−（８ｉｘｏ　１−ｘ）ｙ（Ｈ＋　ｘ）　１−）’
で構成される第二の層（Ｉ）の形成はグロー放電法、ス
パッタリング法、エレクトロンビーム法等によって成さ
れる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の負
荷程度、製造規模、作製される光導電部材に所望される
特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、所
望する特性を有する光導電部材を製造するための作製条
件の制御が比較的容易である、シリコン原子と共に酸素
原子及びハロゲン原子を、作製する第二の層（ＩＩ）中
に導入するのが容易に行える等の利点からグロー放電法
或はスパッターリング法が好適に採用される。

更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパッターリ
ング法とを同一装置系内で併用して第二の層（ＩＩ）を
形成してもよい。

グロー放電法によって第二の層（Ｉｆ）を形成するに／
ｄ、　ａ　−（８ｉｚｏ　ｘ−１）ｙ（Ｈ，Ｘ）１−ｙ
形成用の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の
混合比で混合して、支持体の設置しである真空堆積室に
導入し、導入されたガスを、グロー放電を生起させるこ
とでガスプラズマ化して、前記支持体上に既に形成され
である第一の層（Ｉ）上にａ−（Ｓ　ｉｘｏ　１−ｘ）
ｙ　（Ｈ、Ｘ）　１−ｙを堆積させれば良い。

本発明に於いて、ａ　−（ＳｉｘＯｔ−ｙ）　（Ｈ，Ｘ
）１　、形成用の原料ガスとしては、シリコン原子（８
ｉ）、酸素原子（０）、水素原子（Ｉ（）、ハロゲン原
子（３）の中の少なくとも一つを構成原子とするガス状
の物質又はガス化し得る物質をガス化したものの中の大
概のものが使用され得る。

Ｓｉ、０．Ｈ，Ｘの中の一つとしてＳｉを構成原子とす
る原料ガスを使用する場合は、例えばＳｉを構成原子と
する原料ガスと、０を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じてＨを構成原子とする原料ガス又ｔＩ′ｉ／及び
Ｘを構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合し
て使用するか、又は８ｉを構成原子とする原料ガスと、
０及びＨを構成原子とする原料ガス又は／及び０及びＸ
を構成原子とする原料ガスとを、これも又、所望の混合
比で混合するか、或いは、８ｉを構成原子とする原料ガ
スと、Ｓｉ、０及びＨの３つを構成原子とする原料ガス
又は、Ｓｉ、０及びＸの３つを構成原子とする原料ガス
とを混合して使用することができる。

又、別には、ＳｉとＨとを構成原子とする原料ガスに０
を構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良いし
、ＳｉとＸとを構成原子とする原料ガスにＯを構成原子
とする原料ガスを混合して使用しても良い。

本発明に於いて、第二の層（ＩＩｌ中に含有されるハロ
ゲン原子（Ｘ）として好適なのはＦ、　Ｃ４Ｂｒ、　Ｉ
であり、殊にＦ、　ｃｔが望ましいものである。

本発明に於いて、第二の層（ＩＤを形成するのに有効に
使用される原料ガスと成り得るものとしては、常温常圧
に於いてガス状態のもの又は容易にガス化し得る物質を
挙げることができる。

第二の層（ＩＩ）を上記の非晶質材料で構成する場合の
層形成法としてはグロー放電法、スパッターリング法、
イオンインプランテーション法、イオンブレーティング
法、エレクトロンビーム法等が挙げられる。これ等の製
造法は、製造条件、設備資本投下の負荷程度、製造規模
、作製される光導電部材に所望される特性等の要因によ
って適宜選択されて採用されるが、所望する特性を有す
る光導電部材を製造する為の作製条件の制御が比較的容
易である、シリコン原子と共に酸素原子、必要に応じて
水素原子やハロゲン原子を作製する第二の層（ＩＩ）中
に導入するのが容易に行える等の利点からグロー放電法
或いはスパッターリング法が好適に採用される。

更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパッターリ
ング法とを同一装置系内で併用して第二の層（ＩＩ）を
形成しても良い。

グロー放電法によって、ａ−８４０（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れる第二の層（「）を形成するには、基本的にはシリコ
ン原子（８ｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと酸
素原子（ロ）導入用の原料ガスと、必要に応じて水素原
子（９）導入用の又は／及びハロゲン原子（３）導入用
の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して
、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に
設置されである所定の第１の層（Ｉ）上にａ　−ＳｉＯ
（Ｈ，Ｘ　）からなる第二の層（Ｉｆ）を形成させれば
良い。

又、スパッタリング法で第二の層（ＩＩ）を形成する場
合には、例えば次の様にされる。

第一には、例えばＡｒ、　Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ
等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中で８ｉで構
成されたターゲットをスパッタリングする際、酸素原子
（５）導入用の原料ガスを、必要に応じて水素原子（６
）導入用の又は／及びハロゲン原子閃導入用の原料ガス
と共にスパッタリングを行う真空堆積室内に導入してや
れば良い。

第二には、スパッタリング用のターゲットとして８ｉ０
２で構成されたターゲットか、或いはＳｉで構成された
ターゲットとＳｉ０２で構成されたターゲットの二枚か
、又はＳｉと５ｉＱＩとで構成されたターゲットを使用
することで形成される第二の層（Ｕｌ中へ酸素原子（ｏ
）を導入することが出来る。

この際、前記の酸素原子（Ｑ導入用の原料ガスを併せて
使用すればその流量を制御すること第二の層（ＩＩ）中
に導入される酸素原子■の量を任意に制御することが容
易である。

第二の層（ＩＩ）中へ導入される酸素原子（０）の含有
量は、酸素原子（Ｑ導入用の原料ガスが堆積室中へ導入
される際の流量を制御するか、又は酸素原子（０）導入
用のターゲット中に含有される酸素原子（０）の割合を
、該ターゲットを作成する際に調整するか、或いは、こ
の両者を行うことによって、所望に従って任意に制御す
ることが出来る３゜ 本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスとなる
出発物質としては、ＳｉＨ４，５ｆＨ６，５ｉａＨａ。

５ｉ４Ｈ１（１等のガス状態の又はガス化し得る水素化
硅素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げら
れ、殊に、層作成作業の扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ
等の点でＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６が好ましいものとして挙
げられる。

これ等の出発物質を使用すれば、層形成条件を適切に選
択することによって形成される第二の層（ＩＩｌ中にＳ
ｉと共にＨも導入し得る。

８ｉ供給用の原料ガスとなる有効な出発物質としては、
上記の水素化硅素の他に、ハロゲン原子（３）を含む硅
素化合物、所謂、ハロゲン原子で置換されたシラン誘導
体、具体的には例えばＳｉＦ４．８ｉｚＦａ、　８ｉＣ
ｔ４．　ＳｉＢｒ４等のハロゲン化硅素が好ましいもの
として挙げることが出来る。

更には、ＳｉＨ２Ｆ２．８ｉＨ２Ｉ２．８ｉＨ２Ｃｔ２
．８ｉＨＣｔ３゜８ｉＨ２Ｂｒ２．８ｉＨＢｒ３等のハ
ロゲン置換水素化硅素、等々のガス状態の或いはガス化
し得る、水素原子を構成要素の１つとするハロゲン化物
も有効な第二の層（Ｉｎの形成の為のＳｉ供給用の出発
物質として挙げる事が出来る。

これ等のハロゲン原子間を含む硅素化合物を使用する場
合にも前述した様に層形成条件の適切な選択によって、
形成される第二の層（Ｕ）中にＳｉと共にＸを導入する
ことが出来る。

上記した出発物質の中で水素原子を含むハロゲン化硅素
化合物は、第二の層（ＩＩ）の形成の際に層中にハロゲ
ン原子００の導入と同時に電気的或いは光電的特性の制
御に極めて有効な水素原子（９）も導入されるので、本
発明においては好適なハロゲン原子（３）導入用の出発
物質として使用される。

本発明において第二の層（１１）を形成する際に使用さ
れるハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスとなる有効な
出発物質としては、上記したものの他に、例えば、フッ
素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲンガス、ＢｒＦ、　Ｃ
１Ｆ、　Ｃ４Ｆ３　、　ＢｒＦ５　、　ＢｒＦ５　、　
ＩＦ５ＩＦ７　、　ＩＣｔ、　ＴＢｒ等の／’％（ＩＩ
ゲン間化合物、ＨＰ　、　ＨＣｔ。

ＨＢｒ　、　ｌ（Ｉ等のハロゲン化水素を挙げることが
出来る。

第二の層（Ｉｆ）を形成する際に使用される酸素原子（
０）導入用の原料ガスに成り得るものとして有効に使用
される出発物質は、０を構成原子とする或いはＮとＯと
を構成原子とする例えば酸素（０２）、、：ｔシフ　（
０３）、　−酸化室−Ｘ　（ＮＯ）、　二酸化窒素（Ｎ
Ｏ２）　、Ｚ　ｅ　化窒素（Ｎ２０）、　三二酸化窒素
（Ｎ２０ａ　）、　四二酸化窒素（Ｎｌｌ　０４　）、
　三二酸化窒素（Ｎ２０５）。

三酸化窒素（ＮＯａ）、シリコン原子（８１）と酸素原
子（０）と水素原子（Ｉとを構成原子とする、例えば、
ジシロキサン（Ｈ３８ｉ０８ｉＨａ）、トリシロキサン
（ＨＢ　Ｓ　ｉ０８　ｉＨ２０Ｓ　ｉＨａ　）等の低級
シロキサ７等を挙げることか出来る。

本発明に於いて、第二の層（Ｉｆ）をグロー放電法又は
スパッターリング法で形成する際に使用される稀釈ガス
としては、所謂、希ガス、例えばＨｅ、　Ｎｅ、　Ａｒ
等が好適なものとして挙げることが出来る。

本発明に於ける第二の層（Ｕ）は、その要求される特性
が所望通りに与えられる様に注意深く形成される。

即ち、８ｉ、０．必要に応じてＨ又は／及びＸを構成原
子とする物質は、その作成条件によって構造的には結晶
からアモルファスまでの形態を取り、電気物性的には、
導電性から半導体性、絶縁性までの間の性質を、又光導
電的性質から非光導電的性質を、各々示すので本発明に
於いては、目的に応じた所望の特性を有するａ−（８ｉ
ｘ０１−ｘ）ｙ（ＫＸｈ−ｙが形成される様に、所望に
従ってその作成条件の選択が厳密に成される。

例えば、第二の層（Ｉ）を電気的耐圧性の向上を主な目
的として設けるにはａ　−（８１ＸＯ１−）Ｏｙ　（Ｈ
，Ｘ）　１−ｙは使用環境に於いて電気絶縁性的挙動の
顕著な非晶質材料として作成される。

又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる
目的として第二の層（ＩＩ）が設けられる場合には上記
の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射される光
に対しである程度の感度を有する非晶質材料としてａ　
−（ＳｉＸＯｌ−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）　１−ｙが作成され
る。

第一の層（Ｉ）の表面にａ　−（ＳｉｘＣｈ−ｘ）ｙ（
Ｈ，Ｘ）１−ｙから成る第二の層（Ｉ［）の表面にａ　
−（５ｉｘ（ｈ　−ｘ）　ｙ（Ｈ，Ｘ）　、−ｙから成
る第二の層（Ｉｆ）を形成する際、層形成中の支持体温
度は、形成される層の構造及び特性を左右する重要な因
子であって、本発明に於いては、目的とする特性を有す
るａ　−（Ｓ　１）（Ｏｔ　−ｘ）パＨ，Ｘ）　ｔ−ｙ
が所望通りに作成され得る様に層作成時の支持体温度が
厳密に制御されるのが望ましい。

本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成されるため
の第二の層（ＩＩ）の形成法に併せて適宜最適範囲が選
択されて、第二の層（Ｉｆ）の形成が実行されるが、好
ましくは、２０〜４００”０．より好適には５０〜３５
０℃、最適には１００〜３００℃とされるのが望ましい
ものである。

第二の層（Ｉｔ）の形成には、層を構成する原子の組成
比の微妙な制御や層厚の制御が他の方法に較べて比較的
容易である事等のために、グロー放電法やスパッターリ
ング法の採用が有利であるが、これ等の層形成法で第二
の層（ＩＩ）を形成する場合には、前記の支持体温度と
同様に層形成の際の放電パワーが作成されるａ　−（８
ｉｘＯｘ−ｘ）ｙ（Ｈ、Ｘ）　１−ｙの特性を左右する
重要な因子の一つである。

本発明に於ける目的が達成されるための特性を有するａ
　−（８１ｘＯｔ−ｘ）ｙ（Ｈ２Ｘ）ｔ−ｙが生産性良
く効果的に作成されるための放電パワー条件としては好
ましくは１．０〜３００層％より好適には２．０〜２５
０Ｗ、最適には５．０〜２００Ｗとされるのが望ましい
ものである。

堆積室内のガス圧は好ましくは０．０１〜ＩＴｏｒｒ。

より好適には、０１〜０．５　Ｔｏｒｒ程度とされるの
が望ましい。

本発明に於いては第二の層（ＩＩ）を作成するための支
持体温度、放電パワーの望ましい数値範囲として前記し
た範囲の値が挙げられるが、これ等の層作成ファクター
は、独立的に別々に決められるものではなく１、所望特
性のａ　−（ＳｉｘＯｔ−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）　１−ｙか
ら成る第二の層（「）が形成される様に相互的有機的関
連性に基づいて各層作成ファクターの最適値が決められ
るのが望ましい。

本発明の光導電部材に於ける第二の層（ｎ）に含有され
る酸素原子の量は、第二の層（Ｉ）の作成条件と同様、
本発明の目的を達成する所望の特性が得られる第二の層
（ＩＩ）が形成される重要な因子である。

本発明に於ける第二０層（１０に含有される酸素原子の
量は、第二の層（ＩＩ）を構成する非晶質材料の種類及
びその特性に応じて適宜所望に応じて決められるもので
ある。

即ち、前記一般式ａ　−（８’ｘＯｔ−ｘ）ｙ（Ｈｐ　
Ｘｈ−ｙで示される非晶質材料は、大別すると、シリコ
ン原子と酸素原子とで構成される非晶質材料（以後、［
ａ　−８ｉＢＯ１−１４と記す。但し、０＜８＜１）、
シリコン原子と酸素原子と水素原子とで構成される非晶
質材料（以後、ｒａ　−（Ｓ’ｂＯ１−ｂ）ｃＨｔ　−
ｃ　Ｊと記す。但し、０くす、Ｃく１）、シリコン原子
と酸素原子とハロゲン原子と必要に応じて水素原子とで
構成される非晶質材料（以後、［ａ　−（８ｉｄＯｉ−
ａ）ｅ（Ｈ２Ｘ）ｘ−ｅＪと記す。但しＯｄｄ、　ｅ＜
１）、に分類される。

本ａｑ＜於イテ、第二の層（Ｉｆ）がａ　−８ｉａＯ１
−Ｂで構成される場合、第二の層（ＩＩ）に含有される
酸素原子の量は、ａ−８ｉａＯ□−８のａの表示で行え
ば、ａが好ましくは０．３３〜０．９９９９９より好適
には０５〜０．９９　、最適にＦｉｏ、　６〜０９であ
る。

本発明に於いて、第二の層（ｎ）がａ　−（８ｉｂＯ□
−ｂ）。Ｈ８−６で構成される場合、第二の層（ＩＩ）
に含有される酸素原子の量は、ａ　−（８１ｂ０１−ｂ
）、Ｈｌ　−Ｃの表示で行えばｂが好ましくは０．３３
〜０．９９９９９、より好適には０５ん０．９、最適に
は０６〜０．９、Ｃが好ましく　ｔ′ｉ０．６〜０．９
９、より好適には０．６５〜０９８、最適にＩｆｉｏ、
　７〜０９５であるのが望ましい。

第二の層（Ｉｆ）が、ａ−（Ｓ’ｄｏｓ　−ｄ　）ｅ　
（Ｉ（＋　Ｘ）ｉ−ｅで構成される場合には、第二の層
（「）中に含有される酸素原子の含有量としては、ａ−
（８ｉｄＯ□ａ）ｅ（Ｈ−Ｘ）１−ｅのｄ、ｅの表示で
行えばｄが好ましくは、０３３〜０．９９９９９、より
好適には０５〜０９９、最適には０．６〜０．９、ｅが
好ましくは０８〜ｏ９９、より好適には０．８２〜０．
９９　、最適には０．８５〜０９８であるのが望ましい
。

本発明に於ける第二の層（ＩＩ）の層厚の数範囲は、本
発明の目的を効果的に達成するための重要な因子の一つ
である。

本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目的に応じ
て適宜所望に従って決められる。

又、第二の層（ＩＩ）の層厚は、該層（ＩＩｌ中に含有
される酸素原子の量や第一の層（１）の層厚との関係に
於いても、各々の層領域に要求される特性に応じた有機
的な関連性の下に所望に従って適宜決定される必要があ
る。

更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経済性の点
に於いても考慮されるのが望ましい。

本発明に於ける第二の層（ＩＩ）の層厚としては、好ま
しくは０００３〜３０μ、より好適には０．００４〜２
０μ、最適には０．００５〜１０μとされるのが望まし
い〇 本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、ん−Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、
Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ　、Ｐｔ、Ｐｄ等の金属又はこれ
等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。これ
等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方
の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ。

Ａ７．Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、　Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔ
ｉ、Ｐｔ、Ｐｄ。

ＩｎｚＯｓ、　Ｓｎｏｗ、　ＩＴＯ（ＩｎｚＯａ＋８ｎ
Ｏｚ　）等から成る薄膜を設けることによって導電性が
付与され、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フ
ィルムであれば、ＮｉＣｒ　、　ＡＬ　、　Ａｇ　、　
Ｐｂ　、　Ｚｎ　、　Ｎｉ　、　Ａｕ　。

Ｃｒ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ　、Ｐｔ等の
金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリン
グ等でその表面に設け、又は前記金属でその表面をラミ
ネート処理して、その表面に導電性が付与される。支持
体の形状としては、円筒状、ベルト状、板状等任意の形
状とし得、所望によって、その形状は決定されるが、例
えば、第１図の光導電部材１ｏｏを電子写真用像形成部
材として使用するのであれば連続高速複写の場合には、
無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持体の
厚さは、所望通りの光導電部材が形成される様に適宜決
定されるが、光導電部材として可撓性が要求される場合
には、支持体としての機能が充分発揮される範囲内であ
れば可能な限り薄くされる。百年ら、この様な場合支持
体の製造上及び取扱い上、機械的強度等の点から、好ま
しくは、１０μ以上とされる。

次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第１１図に光導電部材の製造装置の一例を示す。

図中の１１０２〜１１０６のガスボン−！ＶＣは、本発
明の光導電部材を形成するだめの原料ガスが密封されて
おり、その１例としてたとえば１１０２は、Ｈｅで稀釈
されたＳｉＨ４ガス（純度９９．９９９％、以下ＳｉＨ
４／Ｈｅと略丁。）ボンベ、１１０３はＨｅで稀釈され
たＧｅＨ４ガス（純度９９．９９ｉ、以下Ｇ　ｅＨ４／
）Ｉｅと略丁。）ボンベ、１１０４はＨｅで稀釈された
ＳｉＦ４ガス（純度９９．９４Ｉｎ、以下８　ｉ　Ｆ　
４　／　Ｈｅと略丁。）ボンベ、１１０５はＮＯガス（
純度９９．９９９％）ボンベ、１１０６はＨ２ガス（純
度９９．９９９％）ボンベである。

これらのガスを反応室１１０１に流入させるにはガスボ
ンベ１１０２〜１１０６のバルブ１１２２〜１１２６、
リークバルブ１１３５が閉じられていることｔ確認し、
又、流入バルブ１１２２〜１１１６、流出バルブ１１１
７〜１１２１、補助バルブ１１３２゜１１３３が開かれ
ていることを確認して、先づメインバルブ１１３４Ｙ開
いて反応室１１０１、及び各ガス配管内を排気する。次
に真空計１１３６の読みが約５　Ｘ　１Ｏ−６ｔｏｒｒ
になった時点で補助バルブ１１３２．１１３３、流出パ
ルプ１１１７〜１１２１を閉じる。

次にシリンダー状基体１１３７上に第一の層（Ｉ）を形
成する場合の１例をあげると、ガスボンベ１１０２より
Ｓ　ｉ　Ｈ４／Ｈｅガス、ガスボンベ１１０３よりＧｅ
Ｈ４／ＨｅガＸＶパルプ１１２２．１１２３　Ｙ開いて
出口圧ゲー：）１１２７．１１２８の圧’１ｌＫ１Ｆ／
ｉに調整し、流入ノＺルプ１１１２．１１１３　Ｙ徐々
に開けて、マスフロコントローラ１１０７．１１０８内
に夫々流入させる。引き続いて流出パルプ１１１７゜１
１１８　、補助／２ルゾ１１３２を徐々に開いて夫々の
ガスを反応室１１０１に流入させる。このときのＳｉＨ
４／Ｈｅガス流量とＧｅＨ４／Ｈｅガス流量との比が所
望の値になるように流出パルプ１１１７゜１１１８を調
整し、又、反応室１１０１内の圧力が所望の値になるよ
うに真空計１１３６の読みを見ながらメインバルブ１１
３４の開口を調整する。

そして基体１１３７の温度が加熱ヒーター１１３８によ
り５０〜４００Ｃの範囲の温度に設定されていること？
確認された後、電源１．１４０’に所望の電力に設定し
て反応室１１０１内にグロー放電を生起させ、同時にあ
らかじめ設計された変化率曲線に従ってＧｅＨ２／Ｈｅ
ガスの流量を手動あるいは外部駆動モータ等の方法によ
ってバルブ１１１８の開口を漸次変化させる操作を行な
って形成される層中に含有されるゲルマニウム原子の分
布濃度を制御する。

上記の様にして、所望時間グロー放電Ｚ維持して、所望
層厚に、基体１１３７上に第１の層領域（Ｇｌを形成す
る。所望層厚に第１の層領域０）が形成された段階に於
いて、流出パルプ１１１Ｂ　’ｉ’に完全に閉じること
、及び必要に応じて放電条件を変える以外は、同様な条
件と手順に従って、所望時間グロー放電を維持すること
で第１の層領域向上にゲルマニウム原子の実質的に含有
さレナ「い第２の層領域＋８）ｔｊｒ：形成することか
出来る。

第２の層領域（８）中に、伝導性を支配する物質を含有
させるには、第２の層領域ｆｓｌの形成の際に例えばＢ
２Ｈ６，ＰＨ３等のガスを堆積室１１０１の中に導入す
るガスに加えてやれば良い。

第一の層ｍ中にハロゲン原子Ｙ含有させる場合には、上
記のガスに、例えばＳ　ｉ　Ｆ　４ガスを更に付加して
、グロー放電を生起させれば良い。

又、第一の層＋１）中に水素原子を含有させずにハロゲ
ン原子を含有させる場合には、先の８ｉＨ４／Ｈｅガス
及びＧｅＨ４／Ｈｅガスの代りに、８ｉＦ４／Ｈｅガス
及びＧｅＦ４／Ｈｅガスを使用丁れば良い。この様にし
て、基体１１３７上に第１の要領斌旬と第２の層領域（
Ｓ）とで構成された第一の層（Ｉ）が形成される。

上記の様にして所定層厚に形成された第一の層＋１１上
に第二の層（［Ｉ　ｋ形成するには、第一の層（Ｉ）の
形成の際と同様なバルブ操作によって、例えば８ｉＨ４
ガス、Ｎｏの夫々を必要に応じてＨｅ等の稀釈ガスで稀
釈して、所望の条件に従って、グロー放電を生起させる
ことによって成される。

第二の層ｆＩｌ中にハロゲン原子を含有させるには、例
えばＳ　ｉ　Ｆ　４ガスとＣ２Ｈ４ガス、或いは、これ
に８ｉＨ４ガスを加えて上記と同様にして第二の層（Ｉ
ＴＩ　’＆層形成ることによって成される。

夫々の層を形成する際に必要なガスの流出パルプ以外の
流出パルプは全て閉じることは言うまでもなく、又夫々
の層を形成する際、前層の形成に使用したガスが反応室
１１０１内、流出パルプ１１１７〜１１２１から反応室
１１０１内に至るガス配管内に残留することＹ避けるた
めに、流出パルプ１１１７〜１１２１を閉じ、補助パル
プ１１３２゜１１３３ｖ開いてメインパルプ１１３４’
Ｙ全開して系内を一旦高真空に排気する操作を必要に応
じて行なう。

第二の層（ＴＩ）中に含有される酸素原子の量は例えば
、グロー放電による場合はＳｉＨ４ガスと、ＮＯガスの
反応室１１０１内に導入される流量比を所望に従って変
えるか、或いは、スパッターリングで層形成する場合に
は、ターゲットを形成する際シリコンウェハと５ｉ０２
板のスパッタ面積比率を変えるか、又はシリコン粉末と
Ｓ　ｉ　０２粉末の混合比率を変えてターゲットを成型
することによって所望に応じて制御することが出来る。

第二の層（ＩＴＩ中く含有されるハロゲン原子（３）の
量は、ハロゲン原子導入用の原料ガス、例えば８ｉＦ４
ガスが反応室１１０１内に導入される際の流量を調整す
ることによって成される。

又、層形成を行なっている間は層形成の均一化を図るた
め基体１１３７はモータ１１３９により一定速度で回転
させてやるのが望ましい。

以下実施例について説明する。

実施例１ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー状のＡＩ
基体上に、第１表に示す条件で第１２図に示すガス流量
比の変化率曲線に従って、ＧｅＨ４／ＨｅガスとＳｉＨ
４／Ｈｅガスノガス流量比を層作成経過時間と共に変化
させてＡＪ基体上に第一の層（Ｔ）　ｋ形成し、次いで
第１表に示す条件で、該第−の層（Ｉ）上に第二の層（
Ｉｆ）　Ｙ形成して、電子写真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置しｅ５．ＱＫＶでＱ、３　ｓｅｃ間コロナ帯電を行い
、直ちに光像を照射した光像はタングステンランプ光源
Ｙ用い、２１　ｕｘ−ｓｅｃの光量を透過型のテストチ
ャートラ通して照射させた。

その後直ちに、■荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
７含む）を像形成部材表面！カスケードすることによっ
て、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形
成部材上のトナー画像を、ｅ　５．　ＯＫＶのコロナ帯
電で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調再現性
のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。

実施例２ 第１１図に示した製造装置により、第２表に示す条件で
第１３図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、Ｇｅ
Ｈ４／Ｈｅガスと５ｆＨ４／Ｈｅガスのガス流量比を層
作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実施例１
と同様にして、第一の層（１）の形成を行い、次いで実
施例１と同様にして第二の層（ｌｒ）の形成を行って電
子写真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例３ 第１１図に示した製造装置により、第３表に示す条件で
第１４図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、Ｇｅ
Ｈ４／ＨｅガスとＳ＋Ｈ４／Ｈｅガスのガス流量比を層
作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実施例１
と同様にして電子写真用像形成部材を形成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例４ 第１１図に示した製造装置により、第４表に示す条件で
第１５図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、Ｇｅ
’Ｈ４／ＨｅガスとＳｉＨ４／Ｈｅガスのガス流量比な
層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実施例
１と同様にして電子写真用像形成部材ケ形成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像ヶ形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例５ 第１１図に示した製造装置により、第５表に示す条件で
第１６図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、Ｇｅ
　Ｆ　４　／ＨｅガスとＳｉＦ４／Ｈｅガスのガス流量
比を層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実
施例１と同様にして電子写真用像形成部材ン形成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例６ 第１１図に示した製造装置により、第６表に示す条件で
第１７図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、Ｇｅ
Ｈ４／ＨｅガスとＳ＋Ｈ４／Ｈｅガスのガス流量比を層
作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実施例１
と同様にして電子写真用像形成部材を形成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例７ 第１１図に示した製造装置により、第７表に示す条件で
第１８図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、Ｇｅ
Ｉ（４／Ｈｅガスと８　＋Ｈ４／Ｈｅガスのガス流量比
ケ層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実施
例１と同様にして電子写真用像形成部材を形成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例８ 第１１図に示した製造装置により、第８表に示す条件で
第１９図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、Ｇｅ
Ｈ４／Ｈｅガスと８ｉＨ４／Ｈｅガスのガス流量比を層
作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実施例１
と同様にして電子写真用像形成部材を形成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像馨形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例９ 実施例１に於いて、ＳｉＨ４／Ｈｅガスの代りにＳｉ２
Ｈ６／Ｈｅガスを使用し、第９表に示す条件にした以外
は、実施例１と同様の条件にして電子写真用像形成部材
を形成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像ケ形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例１０ 実施例１に於いて、８　ｉ　Ｈ４／Ｈｅガスの代りにＳ
ｉＦ４／Ｈｅガスン使用し、第１０表に示す条件にした
以外は、実施例１と同様の条件にして電子写真用像形成
部材を形成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例１１ 実施例１に於いて、Ｓ　＋Ｈ４／Ｈｅガスの代りに（８
＋Ｈ４／Ｈｅ　＋　８　ｉ　Ｐ４　／Ｈｅ　）ガスヲ使
用し、第１１表に示す条件にした以外は、実施例１と同
様の条件にして電子写真用像形成部材を形成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例１２ 実施例１〜１１に於いて、第一の層（１）を構成する第
２層の作成条件を第１２表に示す条件にした以外は、各
実施例に示す条件と同様にして電子写真用像形成部材の
夫々を作成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ第１
２Ａ表に示す結果が得られた。

実施例１３ 実施例１〜１１に於いて、第一の層（１１を構成する第
２層の作成条件を第１３表に示す条件にした以外は、各
実施例に示す条件と同様にして電子写真用像形成部材の
夫々を作成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ第１
３Ａ表に示す結果が得られた。

実施例１４ 実施例１に於いて、光源をタングステンランプの代つに
８１０ｎｍＯＧａＡｓ系半導体レーザ（１０ｍＷ　）を
用いて、静電像の形成を行った以外は、実施例１と同様
のトナー画像形成条件にして、実施例１と同様の条件で
作成した電子写真用像形成部材に就いてトナー転写画像
の画質評価を行ったところ、解像力に優れ、階調再現性
の良い鮮明な高品位の画像が得られた。

実施例１５ 層（ＩＩ）の作成条件を第１４表に示す各条件にした以
外は、実施例２〜１１の各実施例と同様の条件と手順に
従って電子写真用像形成部材の夫々（試料Ｈａ１５−２
０１〜１５−２０８．１５−３０１〜１５−３０８．・
・・・・・、１５−１．００１〜１５−１００’９の７
２個の試料）を作成した。

こうして得られた各電子写真用像形成部材の夫々を個別
に複写装置に設置し、　ｅ５　ＫＶで０．２ｓｅｃ間コ
ロナ帯電を行い、光像を照射した。光源はタングステン
ランプを用い、光量は１．、Ｏｌｕｘ・ｓｅｅとした。

潜像は■荷電性の現像剤（トナーとキャリヤを含む）に
よって現像され、通常の紙に転写された。転写画像は、
極めて良好なものであった。転写されないで電子写真用
像形成部材上に残ったトナーは、！ムブレードによって
クリーニングされた。このような工程馨繰り返し１０万
回以上行っても、いずれの場合も画像の劣化は見られな
かった。

各、試料の転写画像の総合画質評価と繰返し連続使用に
よる耐久性の評価の結果を第１４Ａ表に示ｊ６ 実施例１６ 層（［１の形成時、ＡｒとＮｏの混合ガスとシ１］コン
ウェハとＳ　ｉ　Ｏ２のターゲツト面積比を変えて、層
（Ｉｌｌに於けるシリコン原子と酸素原子の含有量比を
変化させる以外は、実施例１と全く同様な方法によって
像形成部材の夫々を作成した。こうして得られた像形成
部材の夫々につき、実施例］に述べた如き、作像、現像
、クリーニングの工程を約５万回繰り返した後画偉評価
を行ったところ第１５表の如き結果を得た。

実施例１７ 層（ＩｌｌＯ層の形成時、Ｓ　ｉ　Ｈ４ガスとＮｏガス
の流量比を変えて、層（ＩＩ）に於けるシリコン原子と
酸素原子の含有量比を変化させる以外は実施例１と全く
同様な方法によって像形成部材の夫々を作成した。こう
して得られた各像形成部材につき、実施例ＩＫ述べた如
き方法で転写までの工程を約５万回繰り返した後、画像
評価を行ったところ、第１６表の如き結果を得た。

実施例１８ 層（■の層の形成時、ＳｉＨ４ガス、ＳｉＦ４ガス、Ｎ
ｏガスの流量比を変えて、層（ＩＩ）に於けるシリコン
原子と酸素原子の含有量比を変化させる以外は、実施例
１と全く同様な方法によって像形成部材の夫々を作成し
た。こうして得られた各像形成部材につき実施例１に述
べた如き作像、現像、クリーニングの工程を約５万回繰
り返した後、画像評価を行ったところ第１７表の如き結
果を得た。

実施例１９ 層（Ｉｆ）の層厚を変える以外は、実施例１と全く同様
な方法によって像形成部材の夫々を作成した。実施例１
に述べた如き、作像、現像、クリーニングの工程を燥シ
返し第１８表の結果を得第１８表 以上の本発明の実施例に於ける共通の層作成条件を以下
に示す。

基体温度：ゲルマニウム原子（（′）ｅ）含有層　・・
・約２００℃ゲルマニウム原子（Ｇｅ　）非含有層・・
・約２５０℃放電周波数：　１３．５６　ＭＨｚ 反応時反応室内圧：　０．３　Ｔｏｒｒ

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明する為の
模式的層構成図、第２図乃至第１０図は夫々層中のゲル
マニウム原子の分布伏仰を説明する為の説明図、第１１
図は、本発明で使用された装置の模式的説明図で、第１
２図乃至第１９図は夫々本発明の実施例に於けるガス流
量比の変化率曲線を示す説明図である。 １００・・・光導電部材　１０１・・・支持体１０２・
・・第一の層（１） １０５・・・第二の膚（Ｕ） 出願人　キャノン株式会社 ガス流ｉ七 がス淀ｉ乞 方ス流量先 ガス流量先 手続補正書（自発） 昭和５９年１０月２５日 特許庁長官　志　賀　学　殿 昭和５８年特許願第１５４６７９号 ２、発明の名称 光導電部材 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 住所　東京都大田区下丸子３−３０−２名称　（１００
）キャノン株式会社 代表者　賀　来　龍　三　部 ４、代理人 居所　〒１４６東京都大田区下丸子３−３０−２キャノ
ン株式会社内（電話７５８−２１１１）５、補正の対象 明　細　書 ６、補正の内容 （１）明細書第４６頁第１９行の「０．５〜０．８」を
「０．５〜０．８９Ｊと補正する。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 光導電部材用の支持体と、該支持体上に、シリコン原子
   とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成された第
   １の層領域と、シリコン原子を含む非晶質材料で構成さ
   れ、光導電性を示す第２の層領域とが前記支持体側より
   順に設けられた層構成の第一の層と、シリコン原子と酸
   素原子とを含む非晶質材料で構成された第二の層とを有
   し、前記第１０層領斌中に於けるゲルマニウム原子の分
   布状態が層厚方向に不均一である事を特徴とする光導電
   部材。