JPS6069825A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁性薄膜を磁気記録層とする磁気記録媒体に関
し、特に防蝕性、電磁変換特性、走行性、耐摩耗性にす
ぐれた金属薄膜型磁気記録媒体に関する。

〔従来技術〕

磁気記録媒体としては、非磁性支持体上に磁性粉末を結
合剤中に分散せしめ、塗布乾燥させる塗布型のものが広
く使用されてきている。しかし、近年高密度記録への要
求が高まるにつれ、真空蒸着、スパッタリング、イオン
ブレーティング等の真空槽内で膜を形成する方法あるい
は電気メッキ、無電解メッキ等のメッキ法により形成さ
れる強磁性金属薄膜を磁気記録層とする金属薄膜型磁気
記録媒体が注目を浴びており実用化に至っている。

金属薄膜型磁気記録媒体は、飽和磁化の大きな強磁性金
属をノミイングーの如き非磁性物質を介在させない状態
で、極めて薄い層として形成できるので、電磁変換特性
上非常に有利で、高蜜度記録にも適している。

しかしながら、金属薄膜型磁気記録媒体についての大き
な問題点は、製造後経時しておくと金属表面が腐蝕し電
磁変換特性が低下してしまうことである。この欠点を防
止する方法として、熱可塑性ポリマー、熱硬化性ポリマ
ーを金属表面に塗設し、保護層を付与することによって
解決することが提案されている。この方法では、ヘッド
と磁性層間のスは−シング損失のために保護層の厚みを
大きくできないという制約があるため、充分な防蝕性を
付与することはできなかった。また、磁性層表面を窒化
させる方法（特開昭５０−３３８０６号公報）あるいは
酸化させる方法（特公昭４２−２００２５号公報）など
によって防蝕性が向上することが知られているが、これ
らの方法では１０分〜２時間もの長時間処理が必要であ
ったり、処理時間を短か（すると充分な防蝕効果が得ら
れなかった。

また、金属薄膜型磁気記録媒体についてのもうひとつの
大きな問題点は、走行性及び耐久性が悪く、デツキ走行
中に走行経路に貼りついて走行停止したり、あるいは、
メチル耐久性が悪かったりすることである。この欠点を
防止するため、熱可塑性、熱硬化性ポリマーあるいは脂
肪酸、脂肪酸エステル等の潤滑剤を強磁性金属薄膜上に
塗設する方法が考えられるが、これらの方法を用いたど
き走行性が不充分であったり、あるいは耐久性が不充分
であったりする。また充分な走行性、耐久性を確保しよ
うとすると、塗設層が厚くなりスペーシング損失によっ
て電磁変換特注が悪、化するのである。防蝕性を充分満
足のあるものを司るためにもＱ設層を厚くする必要があ
り電磁変換特性上好ましくなかった。

本発明者らは上記欠点を克服するため鋭Ｐ、研冗を重ね
た結果本発明に到達した。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、ヘッドと磁性層間のスペーシング損失
を極力小さくするため超薄層でしかも防蝕性、走行性、
耐久性に於て良好な保護層を有する金属薄膜型磁気記録
媒体を得ることにある。

〔発明の構成〕

本発明の上記の目的は強磁性金属薄膜を有する高分子支
持体の該金属薄膜上に下記の一般式で表わされる一種以
上の化合物のモノマーガスまたは該モノマーガスを含む
ガス中で形成されたプラズマ重合層を設けたことを特徴
とする磁気記録媒体によって達成される。

（式中人はＨあるいはＦ原子、ＢはＨ％Ｇｌ原子、また
は夫々炭素数４以下のアルキル基、アルキレン基、アル
キレン基、アルカノイルオキシ基、またはこれらのふっ
素置換体である。）本発明によるプラズマ重合層は金属
薄膜上に均一な厚みの層として形成されているものと考
えられる。このために、腐蝕の原因となる酸素、水分等
を金属薄膜から遮断しかつ酸素、水分等を透過しないこ
とによって防蝕性に優れ、しかも極めて薄い層として形
成できるのでヘッド・磁性層間のスペーシング損失が小
さくなることによって電磁変換特性の良好な磁気記録媒
体を得ることができる。

本発明に使用される支十寺体としては、酢酸セルロース
；硝酸セルロース；エチルセルロース；メチルセルロー
ス；ポリアミド９；ポリメチルメタクリレート；ポリテ
トラフルオルエチレン；ポリトリフルオルエチレン；エ
チレン、フロピレンのＪ二うｌＺα−オレフィンの重合
体あるいは共Ａ（合体；塩化ビニルの重合体あるいは共
重合体；ポリ塩化ビニリデン；ポリカーボネート；ポリ
イミド；ポリアミドイミド：ポリエチレンテレフタレー
トのようなポリエステル類等である。

不発狗における強磁性金属薄膜は、は−、ξ−デポジシ
ョンあるいはメッキ法により形成される。

ペーパーデポジション法とは、不活性ガスあるいは酸素
等の気体あるいは真空空間中において、膜として形成せ
しめようという物質又はその化合物を蒸気あるいはイオ
ン化した蒸気として発生もしくは導入させて所望の支持
体上に膜として析出させる方法で、真空蒸着法、スパッ
タリング法、イオンプレーテング法、イオンビームデポ
ジション法、化学気相メッキ法等がこれに相当する。ま
たメッキ法とは電気メッキあるいは無電解メッキ法等の
液相より支持体上に物質を膜として形成させる方法を言
う。強磁性金属薄膜の材料としては、Ｆｅ、Ｃ０１Ｎ１
その他の強磁性金属あるいはこれらの合金、さらにＦｅ
−８ｉ、　Ｆｅ−Ｒｈ％Ｆｅ−Ｖ、Ｆｅ−Ｔｉ。

Ｇｏ−Ｐ、　Ｃ□−Ｂ、　Ｇｏ−８ｉ、　Ｃ□−Ｖ、Ｇ
ｏ−Ｙ、　Ｇｏ　−８ｍ。

Ｇｏ−Ｍｎ、　Ｃｏ−Ｎ１−Ｐ、　Ｃｏ−Ｎ１−Ｂ、　
Ｇｏ−Ｃｒ、　Ｇｏ−Ｎｉ−Ｇｒ％Ｇｏ−Ｎｉ−Ａｇ、
　Ｇｏ−Ｎｉ　−ｐａ、　Ｇｏ−Ｎｉ−Ｚｎ、　Ｃｏ−
Ｃｕ、　Ｇｏ−Ｎｉ−Ｃｕ、　Ｃｏ−Ｗ、Ｇｏ−Ｎ１−
Ｗ、　Ｇｏ−Ｍｎ−Ｐ。

Ｃｉｏ−８ｍ−Ｃｕ、　Ｃｏ−Ｎ１−Ｚｎ−Ｐ、　Ｇｏ
−Ｖ−Ｏｒ、笠が用いられる。特に好ましくは、強磁性
薄膜はｃｏ　を５０　ｖｒ　ｔ％以上含有する。

本発明による磁気記録媒体の強磁性薄膜の膜厚は一般に
は０．０２μｍ〜５μｍ、好ましくは０．０５μｍ〜２
μｍである。支持体の厚さは４μｍ〜５０μｍが好まし
い。強磁性薄膜の密着向上、磁気特注の改良のために支
持体上に下地層を設けてもいい。支持体の磁性層と反対
側にバックコート層を設けてもよい。

本発明におけるプラズマ重合膜形成のためのモノマーガ
スとしては、 式中ＡはＨあるいはＦ原子、ＢはＨ，Ｃｅ原子あるいは
夫々炭素数４以下のアルキル茫、アルキレン基、アルコ
キシ基、アルカノイルオキシ基、又はこれらのふフン置
換体である。で表わされる化合物である。これらの具体
例としては１，１−ジフロロエチレン、トリフロロエチ
レン、１．１−ジクロロクロロエチレン。１．１−シフ
ロロプロピレン、１．１−ジンロロブタン、１，１−ジ
フロロブタジェン、ｘ、ｘ−）フロロヘキサン、１．１
−９７ｏロメトキシエチレン、１．１−）フロロエトキ
シエチレン、１．１−ジフロロブトキシエチレン、１．
１−シフロロアセトキシエチレン、１，１．２−）リフ
ロロブタジエン、ヘキサフロロブタジェンなどを挙げる
ことができる。とくに好ましくは、１，１−ジフロロエ
チレン、）！Ｊ７ｅｌロエチレン、１．１−シノロロク
ロロエチレン、ヘキサフロロブタジェンである。これら
のモノマーガスは混合して用いることもできる。

本発明に用いられる磁性金属薄膜上に設けるプラズマ重
合膜は以下のようにして形成される。すなわち、前記の
如きモノマーガスを用い、後に述べるような方法によっ
てプラズマを発生させこのプラズマを磁性金属薄膜上に
作用させることによりプラズマ重合膜を形成する。

また、モノマーガス以外にアルゴン、ヘリウム、ネオン
、クリプトン等の不活性ガスを加えてもよＸ、−０ このようにして得らハたプラズマ重合膜上に、高級脂肪
酸、脂肪酸エステル、脂肪酸アミド、フッソ系化合物、
シリコン系化合物などの潤滑剤を塗設することもできる
。また重合膜の反対の面にバックフート層を設けてもよ
い。

プラズマを励起するだめの方法は、プラズマに供給する
エネルギー密度（平行平板型電極の場合は供給電力を電
極間容積で割った値）が０．００２ｗ／ｃｍ　３　の範
囲であれば、特に制限はない。すなわち、直流放電低周
波放電（数Ｈｚ−数百ＫＨｚ）、高周波放電（数百ＫＨ
ｚ〜数十ＭＨ，ｔ；）　、マイクロ波放電、陰極加熱型
放電、レーザー放電等のいずれでもよく、また、電極形
式も平行平板型でもコイル型でもよい。さらに、本発明
におけるプラズマ重合を行なわせる場所は、普通は電極
付近であるが、電極からはなれていても上記エネルギー
密度の条件を満していればよい。供給エネルギー密度が
０．００２　ｗ／ｃＴｔ３　より小さい場合は、重合速
度が特に遅いため、実用化が困難であり、　０．５’ｗ
／Ｃｍ”より大きい場合はピンホールのない、均一な重
合膜を形成することが困難である。　。

モノマーガそあるいはモノマーガスと不活性ガスとの混
合ガスは連続的に反応容器中へ流入させる。単位時間当
りの流入量は反応容器の大きさに依るが、反応容器の容
積が１００１の場合はモノマーガス流量として１〜１０
０　ｃｃ（ＳＴＰ）／　ｍｉｎが好ましい。

本発明における重合膜の厚みは２μｍ〜１００μｍが好
ましく、さらに好ましくは２μｍ〜４０μｍ　である。

厚みが４０μｍ　以上の場合は蒸着テープの電磁変換特
性が４０μｍ以下の場合に比較し七、劣ってくる。２μ
ｍ以下の場合は微小なピンホールが発生する場合があり
、そのために、局所的に錆が発生する場合がある。

プラズマ重合時の系の圧力はＩＱ　ｔｏｒｒ＝１ｔｏｒ
ｒの範囲が好ましく、さらに好ましべは１Ｏ−３ｔｏｒ
ｒ　〜１Ｏ−２ｔｏｒｒである。

〔実施例〕

以下本発明について具体的に説明する。

第１図は本発明方法の実施に好適に用いられる装置を示
す。この装置は、Ｘ空ポンプｌが接続された真空容器２
内に、互に対向する一対の板状電極３．３を設けて例え
ば交流電源４を接続し、一方前記真空容器２内にモノマ
ーガスを供給する単数若しくは複数のモノマーガス供給
管５を接続して構成され、例えば磁気記録層が形成され
た長尺なベースフィルムＦ（支持体上に磁性層を設げた
もの）が、供給ロール６Ａ及び巻取りロール６Ｂにより
、前記電極３，３間を通過するよう走行せしめられ、次
のようにして保護膜が形成されて磁気記録媒体を製造す
る。

即ち、真空ポンプ１により真空容器２内を排気しながら
、モノマーガス供給管５を介して、既述のモノマーガス
（不活性ガスを含む場合もある）を真空容器２内へ導入
する。

真空容器２内の雰囲気を、上述のようにして一定に保っ
た状態において、電極３．３に交流室ぶ４により電力を
供給し、これにより電極３．３間に放電によるプラズマ
を生起せしめ、更に当該プラズマをベースフィルムＦが
通過する位置において供給するエネルギー密度が０．０
０２　ｗ／ｃ；ｎ　３〜０．５　ｗ／ｃｍ３　の状態と
し、このプラズマを供給ロール６Ａより引き出されて走
行するベースフィルムＦに作用させてその表面に前記モ
ノマーガスによるプラズマ重合により形成される保護膜
を連続的に形成し、斯くして得られる磁気記録媒体を巻
取りロール６Ｂに巻取る。

なお、真空容器２内の到達真空度は好ましくは１０″″
５ｔｏｒｒ以下であり、プラズマ発生時の真空度は通常
１０−３〜ｌ　ｔｏｒｒ温度とされ、好ましくは１０　
〜１０　ｔｏｒｒとされる。

本発明は以上のような方法によるものであり。

（−スフイルム上にはプラズマ重合により保護膜が形成
されるため、当該保護膜は通常の方法によって得られる
重合体被膜に比して、非常に小さい厚みのものでありな
がら硬度が高くてガス透過率が低く、高密度であって強
度が大きく、しかも摩擦係数が小さいものとなる。

〔実施例〕

以下実施例について説明する。

１２μｍ　厚のポリエチレンテレフタレートフィルムの
表面に、斜め蒸着によってＧｏ−Ｎｉ（Ｎｉ２０ｗｔ％
）磁性膜（膜厚１００μｍ）を設けたものを以下の実験
に使用した。第１表に示す条件で第１図の装置を用いて
上記磁性金属薄膜上にプラズマ重合膜を形成した。

また比較例として下記に示す潤滑剤塗布液■、■を夫々
乾燥後の厚さが１０μｍになるように上記磁性層上に塗
布乾燥し比較例５．６のサンプル１１　、　１２　と　
しプこ。

潤滑剤塗布液Ｉ カプリン酸　２部 へキサン　５００部 潤滑剤塗布液］ １．１−ジクロロエチレン−アクリロニトリル共重合体
　２部メチルエチルケトン　５００部 上記のサンプル／１６１〜腐１２について以下の評価方
法に従ってテストを行なった。結果を第二衣にまとめた
。

■　防蝕性 ６０℃、８０％ＲＨの雰囲気で７日間曝したのち目視で
錆の発生を調べた。

■　走行性 サンプルを捧インチ巾にスリットし家庭用ビデオテープ
レコーダー（松下電器産朶（株）製ＮＶ８３１０）　を
用いて回転シリンダーの入口側のテンションＴ１　と出
口側のテンションＴ２ヲ測定した。

Ｔｚ／Ｔｘ＝ｅｘｐ　（μπ）の関係式より摩擦係数μ
を算出した。Ｔ１、Ｔ２の測定は２３℃６５％掛（で行
った。

■　耐久性 家庭用ビデオテープレコーダー（ビクター製３６００）
を用いてスチル耐久時間（分）を調べた。測定条件は２
３℃６５％ＲＨ０ ■　重合膜の厚み測定 水晶発振子を用いて測定した。厚みの小さいものは、ウ
ェブスピードを遅くして１００μｍ以上のものを作成し
電極内滞在時間を算出した。

第２表 〔発明の効果〕 第２表より明かなように、本発明のプラズマ重合体を設
けた金属薄膜型磁気記録媒体が、従来の潤滑剤や樹脂に
よる保護層を設けたものと比較して、特に防蝕性、走行
性、及び耐久性において優れた性能を有することがわか
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明プラズマ重合膜を形成するため好適に用
いることのできる装置の構成の一例を示す説明図。 １・・・真空ポンプ　２・・・真空容器　３・・・電極
４・・・交流電源　５・・・モノマーガス供給管　６Ａ
・・・供給ロール　６Ｂ・・・巻取りロール　Ｆ・・・
ベースフイルム 第１頁の続き ０発　明　者　新　海　正　浩　東京都中央区築坩内 ［相］発　明　者　柳　原　健　児　東京都中央区築川
内 ０発　明　者　木　村　光　夫　東京都中央区築川１２
丁目１１番２４号　日本合成ゴム株式会社！２丁目１１
番２４号　日本合成ゴム株式会社１２丁目１１番２４号
　日本合成ゴム株式会社手続補正書 昭和５８年１０月／（、（日 特許庁長官　若杉和夫　殿 １、　事件の表示　、ｆ：：辞−／ハ守、す昭和５８年
９月２６日付提出の特許願（２）２、　発明の名称 磁気記録媒体 ３、　補正をする者 事件との関係；特許出願人 発明の訂細な説明の欄 ７、　補正の内容 発明の詳細な説明の欄を次のように補正する。 １）明細書第１０頁、２０行目の２ｕｍ　〜１００μｍ
を２ｎｍ〜１１００ｎと補正する。 ２）明細書第１１頁、１１行目の２μｍｍ−４０ｕを２
ｎｍ〜　４０口ｍと補正する。 ３〉明細書第１１頁、２行目及び３行目の４０μ■を４
０ｎｍと補正する。 ４）明細書第１１頁、４行目の２μ■を２１１１１１と
補正づる。 ５）明細書第１３頁、１５行目の１００μｍを’ｉｏｏ
ｎｍと補正する。 ６）明細書第１６頁、２行目の１０μｍｒＬを１Ｑｎｍ
と補正７１第１７頁、１２行目の１００μｍを１１００
ｎど１第１８頁、第２表の厚み（μＴｒＬ）を厚み（ｎ
ｍ）手続補正書 昭和５９年　１　月７７日 昭和５８年持許願第　１７６３８８ぢ ２、発明の名称 磁気記録媒体 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 名称　（５２０）冨士写具フィルム株式会社　（ほか１
名）霞が関ビル内郵便局　私書箱第４９列 ７　補正の対象 １）明細書第５頁１０〜１１行「アルキレン基」を「ア
ルケニル基」と補正する。 ２）明細書第５頁１１行「アルコキシル基」を「アルコ
キシ基」と補正する。 ３）明細ル第８頁６〜７行「アルキレン基」を「アルケ
ニル基」と補正する。 ｈな許狛求の範囲 （１）支持体上にＣｏを含有する磁性金属薄膜を設けて
なる磁気記録媒体において、該磁性金属薄膜上に、下記
の一般式で蝕わされる一種以上の化合物のモノマーガス
または該モノマーガスを含むガス中で形成されたプラズ
マ重合層を設けたことを特徴とする磁気記録媒体。 （式中、Ａは水系原子またはふっ素原子、Ｂは水系原子
、線素原子、またはそれぞれ炭素数４以下のアルキ／Ｉ
−′基、アルケニル基、アルコキシ基、アルカノイルオ
キシ基またはこれらのふっ素ビＬ侠体な表わす）。 （２）モノマーガスがＣＦ２＝ｃＨＦ及びＣＦ２：Ｃｌ
−１２の単独または混合ガスである特ｆｌｆ’Ｆ　請求
のＩｔＯ囲第＋１１項に記載の磁気記録媒体。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）支持体上に磁性金属薄膜を設けてなる磁性記録媒
   体において、該磁性金属薄膜上に、下記の一般式で表わ
   される一種以上の化合物のモノマーガスまたは該モノマ
   ーガスを含むガス中で形成されたプラズマ重合層を設け
   たことを特徴とする磁気記録媒体。 （式中、Ａは水素原子またはふっ素原子、Ｂは水素原子
   、塩素原子、またはそれぞれ炭素数４以下のアルキル基
   、アルキレン基、アルコキシル基、アルカノイルオキシ
   基またはこれらのふっ素置換体を表わす）。
2. （２）　モ／　マーカスカＣＦ２＝ＣＨＦ　及ヒＣＦ２
   ＝ＣＨ２ノ単独または混合ガスである特許請求の範囲第
   （１）項に記載の磁気記録媒体。