JPS6069855A - 磁気テ−プ走査装置用案内ドラムの製造法 - Google Patents
磁気テ−プ走査装置用案内ドラムの製造法Info
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- JPS6069855A JPS6069855A JP7740584A JP7740584A JPS6069855A JP S6069855 A JPS6069855 A JP S6069855A JP 7740584 A JP7740584 A JP 7740584A JP 7740584 A JP7740584 A JP 7740584A JP S6069855 A JPS6069855 A JP S6069855A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＡＱ−８ｉ系合金により、表面状態の良好な耐
摩耗性の優れた磁気テープ案内ドラムを製造する方法に
関するものである。
摩耗性の優れた磁気テープ案内ドラムを製造する方法に
関するものである。
一般に、磁気テープ走査装置の案内ドラムはＡＱあるい
はＡＱ合金の鋳造品で製作されている。
はＡＱ合金の鋳造品で製作されている。
必要があればその表面はセラミックコーティングやアル
マイトコーティングあるいは各種メッキなどの表面処理
を施し、すべり摩擦係数を小さくすると共に、接触面に
おいてテープに傷をつけること、あるいは静電気が帯電
することを防止している。しかしこのような表面処理は
耐摩耗性、すベリ摩擦係数の点で十分ではなく、がっ、
研磨やラッピングなどの厄介な後加工を必要とする問題
がある。従って寸法精度が出にくく、仕」二げまでに工
数がかかり大量生産には不向きであるなどの欠点があっ
た。
マイトコーティングあるいは各種メッキなどの表面処理
を施し、すべり摩擦係数を小さくすると共に、接触面に
おいてテープに傷をつけること、あるいは静電気が帯電
することを防止している。しかしこのような表面処理は
耐摩耗性、すベリ摩擦係数の点で十分ではなく、がっ、
研磨やラッピングなどの厄介な後加工を必要とする問題
がある。従って寸法精度が出にくく、仕」二げまでに工
数がかかり大量生産には不向きであるなどの欠点があっ
た。
本発明の目的は、長時間にわたり良質な再生画面が得ら
れる磁気テープ案内ドラムの製造法を提供することにあ
る。
れる磁気テープ案内ドラムの製造法を提供することにあ
る。
本発明は、ＡＱ−３ｉ系合金溶湯を急冷凝固し、得られ
た鋳塊をドラム形状に鍛造し、その後機械加工によって
ドラム外周の磁気テープ案内通路に、磁気テープ進行方
向に沿って表面粗さ１〜６μｍの平行なほぼ連続した加
工線を形成することにある。
た鋳塊をドラム形状に鍛造し、その後機械加工によって
ドラム外周の磁気テープ案内通路に、磁気テープ進行方
向に沿って表面粗さ１〜６μｍの平行なほぼ連続した加
工線を形成することにある。
ＶＴＲの磁気ヘッド型磁気記録再生装置における磁気テ
ープ走査装置は、下記（１）〜（４）の構成を有する。
ープ走査装置は、下記（１）〜（４）の構成を有する。
（１）円筒静止ドラムを含み、該ドラムの外周に形成さ
れた案内路の平滑面に沿って磁気テープを滑動案内する
ための案内手段と、 （２）該ドラムの円周から半径方向にわずかに突出し、
磁気テープとすベリ接触しうる位置に設けられた少なく
とも１つの磁気ヘッドを含む回転磁気ヘッド装置と、 （３）該磁気ヘッド装置と該案内ドラムを同心円的に支
持し、磁気ヘッド装置の下端と案内ドラムの上端の間に
小さい間隙を形成することにより、該案内ドラムとは独
立して回転するように支持する手段、及び （４）該支持手段を駆動する手段。
れた案内路の平滑面に沿って磁気テープを滑動案内する
ための案内手段と、 （２）該ドラムの円周から半径方向にわずかに突出し、
磁気テープとすベリ接触しうる位置に設けられた少なく
とも１つの磁気ヘッドを含む回転磁気ヘッド装置と、 （３）該磁気ヘッド装置と該案内ドラムを同心円的に支
持し、磁気ヘッド装置の下端と案内ドラムの上端の間に
小さい間隙を形成することにより、該案内ドラムとは独
立して回転するように支持する手段、及び （４）該支持手段を駆動する手段。
−例を第１図及び第２図に示す。シリンダー状の静止上
ドラム１と静止下ドラム２の間に、クリアランス（間隙
）４を保って回転盤３が挿入されている。回転盤３とド
ラム１と２はシャフト５で同軸に固定されており、上ド
ラムｌと下ドラム２はコネクター６とボルト６′で結合
されている。回転盤３はシャフト５に固定されており、
ボールベアリング１１と回転摺動部により回転出来るよ
うになっている。一方、ドラムｌとドラム２は第２図に
示すように、ベース板１８にポル１−１０と補助ベース
板１７で固定されている。回転盤３は１６ つもしくは
それ以上の磁気ヘッド７で構成されており、磁気ヘッド
７はドラム１及びドラム２のテープガイド８と回転盤３
の半径方向に０．０５〜０ 、３ ｍｍの範囲で突き出
されている。ドラム１とドラム２には磁気テープの適切
なガイドをするために、斜線状もしくは螺旋状のテープ
ガイド８が切っである。下ドラム２は第１図と第２図に
示すように、スリーブ９と一体となっており、このスリ
ーブ９はアースのためにブツシュ１３が取り付けられて
いる。プーリー１４はボルト１６でシャフト５に固定さ
れており、ベルト１５で駆動されプーリー１４が回転す
ることにより、シャフト５及び回転盤３が回転する構造
となっている。
ドラム１と静止下ドラム２の間に、クリアランス（間隙
）４を保って回転盤３が挿入されている。回転盤３とド
ラム１と２はシャフト５で同軸に固定されており、上ド
ラムｌと下ドラム２はコネクター６とボルト６′で結合
されている。回転盤３はシャフト５に固定されており、
ボールベアリング１１と回転摺動部により回転出来るよ
うになっている。一方、ドラムｌとドラム２は第２図に
示すように、ベース板１８にポル１−１０と補助ベース
板１７で固定されている。回転盤３は１６ つもしくは
それ以上の磁気ヘッド７で構成されており、磁気ヘッド
７はドラム１及びドラム２のテープガイド８と回転盤３
の半径方向に０．０５〜０ 、３ ｍｍの範囲で突き出
されている。ドラム１とドラム２には磁気テープの適切
なガイドをするために、斜線状もしくは螺旋状のテープ
ガイド８が切っである。下ドラム２は第１図と第２図に
示すように、スリーブ９と一体となっており、このスリ
ーブ９はアースのためにブツシュ１３が取り付けられて
いる。プーリー１４はボルト１６でシャフト５に固定さ
れており、ベルト１５で駆動されプーリー１４が回転す
ることにより、シャフト５及び回転盤３が回転する構造
となっている。
もう一つの型式の磁気ヘッド型記録再生装置は第３図に
示すように、上ドラム２０が回転し、下ドラム２１が静
止ドラムである。故にこの型式では第１図に示すような
回転盤３は必要としない。
示すように、上ドラム２０が回転し、下ドラム２１が静
止ドラムである。故にこの型式では第１図に示すような
回転盤３は必要としない。
この型式ではドラム２０にテープガイドかられずかに突
き出た、一対の磁気ヘッド２２が組合わされており、上
ドラム２０はシャフト５に固定されている。この上ドラ
ム２０は回転摺動部１２とボールベアリング１１により
回転可能となっており、第１図及び第２図に示すものと
同様な手段で回転するようになっている。
き出た、一対の磁気ヘッド２２が組合わされており、上
ドラム２０はシャフト５に固定されている。この上ドラ
ム２０は回転摺動部１２とボールベアリング１１により
回転可能となっており、第１図及び第２図に示すものと
同様な手段で回転するようになっている。
本発明は上述したような装置において、第１図及び第２
図の上ドラム１．下ドラム２と回転盤３の少なくとも１
つ及び第３図における」ニドラム２０と下ドラム２Ｊの
少なくとも１つを前述した方法によって製造することに
ある。Ａ Ｑ −Ｓ ｉ系合金の好適な組成は８〜１５
重量％の５ｉ−０，５〜４重量％のＣｕ−０，０５〜１
．０重量％のＭｇを含有し、残部は実質的にＡＱから成
る合金である。この合金を溶湯から急冷凝固してＳｉ晶
を微細に晶出させる。この冷却速度は速い程良いのであ
るが、望ましくは３０〜ｂ 却速度で連続鋳造するのが良い。鋳塊のままのＳｉ晶は
針状あるいは片状であり、この状態では磁気テープ案内
ドラムとしては好ましくない。この鋳塊を２００℃〜融
点以下の温度領域に於いて、加工度３０％以」二の温間
鍛造を施した後に再び上記温度範囲で成形するか、ある
いは鋳塊を直径２００℃〜融点以下の温度範囲で加工度
３０％以上の成形時の外力により、Ｓｉ品を機械的に微
細分断して均一に分散させる。この場合、加工後の温度
が再結晶温度以上〜融点以下であるならば、外力で分断
したＳｉ晶は球状化される。その分断球状化されたＳｉ
晶の平均粒子径は１．７ μｍ以下となる。前記鍛造に
よって共晶Ｓｉを平均粒径５μｍ以下に分断することが
望ましい。これによってほぼ連続、した機械加工線を形
成しやすくなる。
図の上ドラム１．下ドラム２と回転盤３の少なくとも１
つ及び第３図における」ニドラム２０と下ドラム２Ｊの
少なくとも１つを前述した方法によって製造することに
ある。Ａ Ｑ −Ｓ ｉ系合金の好適な組成は８〜１５
重量％の５ｉ−０，５〜４重量％のＣｕ−０，０５〜１
．０重量％のＭｇを含有し、残部は実質的にＡＱから成
る合金である。この合金を溶湯から急冷凝固してＳｉ晶
を微細に晶出させる。この冷却速度は速い程良いのであ
るが、望ましくは３０〜ｂ 却速度で連続鋳造するのが良い。鋳塊のままのＳｉ晶は
針状あるいは片状であり、この状態では磁気テープ案内
ドラムとしては好ましくない。この鋳塊を２００℃〜融
点以下の温度領域に於いて、加工度３０％以」二の温間
鍛造を施した後に再び上記温度範囲で成形するか、ある
いは鋳塊を直径２００℃〜融点以下の温度範囲で加工度
３０％以上の成形時の外力により、Ｓｉ品を機械的に微
細分断して均一に分散させる。この場合、加工後の温度
が再結晶温度以上〜融点以下であるならば、外力で分断
したＳｉ晶は球状化される。その分断球状化されたＳｉ
晶の平均粒子径は１．７ μｍ以下となる。前記鍛造に
よって共晶Ｓｉを平均粒径５μｍ以下に分断することが
望ましい。これによってほぼ連続、した機械加工線を形
成しやすくなる。
温間鍛造によって作られた成形品は合金の特性を向上さ
せるためにＴ４処理（４５０〜ｂ１ｈ→急冷→約１週間
以上放置）、Ｔ６処理（４５０〜５２０℃Ｘｌｈ→急冷
→人工時効；例えば１５０〜２００℃Ｘ８ｈ→空冷）あ
る０はＴ５処理（温間成形後直ちに急冷→人工時効）等
の熱処理を施すことが望ましい。
せるためにＴ４処理（４５０〜ｂ１ｈ→急冷→約１週間
以上放置）、Ｔ６処理（４５０〜５２０℃Ｘｌｈ→急冷
→人工時効；例えば１５０〜２００℃Ｘ８ｈ→空冷）あ
る０はＴ５処理（温間成形後直ちに急冷→人工時効）等
の熱処理を施すことが望ましい。
上述のようにして作られた成形品は機械加工によって仕
上げられ、且つドラム外周の磁気テープ案内通路に、テ
ープ進行方向に沿って表面粗さ１〜６μｍの平行なほぼ
連続した加工線が形成される。
上げられ、且つドラム外周の磁気テープ案内通路に、テ
ープ進行方向に沿って表面粗さ１〜６μｍの平行なほぼ
連続した加工線が形成される。
本発明は、鋳塊を鍛造し共晶Ｓｉを細かく分断してから
機械加工するので、機械加工線をほぼ連続するように形
成することができる。第１図、第２図及び第３図の磁気
テープ案内ドラムに供される。
機械加工するので、機械加工線をほぼ連続するように形
成することができる。第１図、第２図及び第３図の磁気
テープ案内ドラムに供される。
実施例
第１表に示すＡＣ−５Ａ及びＡＣ−８Ｂの組成を溶解後
、鋳造法によってすべり摩擦試験片及び実機磁気テープ
案内ドラムを製造した。一方、第１表に示す組成のＡＱ
−３ｉ系合金を溶解後、３０〜ｂ ビレットを作成し、４５０℃で４０〜９０％の塑性加工
を施した。その後各種の熱処理例えば４５０℃〜５２０
℃ｘｉｈの溶体化処理を行い、１週間以上放置したもの
及び１７０’ｃＸ８ｈ→徐冷の時効処理を行った。また
、温間鍛造後直ちに急冷させた熱処理も行った６塑性加
工後の８４晶の大きさは１．６μｍ〜２．８μｍである
。上記の試料より、すベリ摩擦試験片３ｏ及び実機磁気
テープ案内ドラムを機械加工により作製した。
、鋳造法によってすべり摩擦試験片及び実機磁気テープ
案内ドラムを製造した。一方、第１表に示す組成のＡＱ
−３ｉ系合金を溶解後、３０〜ｂ ビレットを作成し、４５０℃で４０〜９０％の塑性加工
を施した。その後各種の熱処理例えば４５０℃〜５２０
℃ｘｉｈの溶体化処理を行い、１週間以上放置したもの
及び１７０’ｃＸ８ｈ→徐冷の時効処理を行った。また
、温間鍛造後直ちに急冷させた熱処理も行った６塑性加
工後の８４晶の大きさは１．６μｍ〜２．８μｍである
。上記の試料より、すベリ摩擦試験片３ｏ及び実機磁気
テープ案内ドラムを機械加工により作製した。
第４図はすベリ摩擦係数の測定方法を示したものであり
、ＶＴＲ用の磁気テープ（Ｃｒｙ２テープ）３１が荷重
３２とスプリングゲージ３３にセラ１−される。この時
の磁気テープの角度θは９ｏ６とする。磁気テープ３１
はすベリ摩擦係数をめるための力ＦＷ及びスプリングゲ
ージ３３によって引張られ、すべり摩擦力Ｆ−１が得ら
れる。但し、この場合の荷重は１０〜１００ｇの範囲内
である。
、ＶＴＲ用の磁気テープ（Ｃｒｙ２テープ）３１が荷重
３２とスプリングゲージ３３にセラ１−される。この時
の磁気テープの角度θは９ｏ６とする。磁気テープ３１
はすベリ摩擦係数をめるための力ＦＷ及びスプリングゲ
ージ３３によって引張られ、すべり摩擦力Ｆ−１が得ら
れる。但し、この場合の荷重は１０〜１００ｇの範囲内
である。
このような装置及び条件で行った試験結果より。
すべり摩擦係数μは次式によってめることが出来る。
第５図は上式によりめた測定結果である。曲線ＡはＡ
Ｑ −Ｓ ｉ系合金のすべり摩擦係数であり、０．３以
下の値である。
Ｑ −Ｓ ｉ系合金のすべり摩擦係数であり、０．３以
下の値である。
通常、ＶＴＲが正常運転状態で録画、再生を行っている
場合、本ＡＱ−８ｉ系合金はこの範囲ですべり摩擦係数
が０．２４〜０．２５と小さく、案内ドラムとして適し
ている。曲線りは表面にセラミックコーティングを施し
た場合のすべり摩擦係数であり、本ＡＱ−８ｉ系合金は
セラミックコーティングよりも非常に優れていることが
わかる。
場合、本ＡＱ−８ｉ系合金はこの範囲ですべり摩擦係数
が０．２４〜０．２５と小さく、案内ドラムとして適し
ている。曲線りは表面にセラミックコーティングを施し
た場合のすべり摩擦係数であり、本ＡＱ−８ｉ系合金は
セラミックコーティングよりも非常に優れていることが
わかる。
また、硬質クロムメッキを施した場合についても試験し
たが、セラミックロッドよりも大きいすべり摩擦係数で
ある。曲線ＢはＡＣ−５Ａ、曲線ＣはＡに−８Ｂ材の表
面アラサ３〜４μｍに機械仕上げされている場合のすべ
り摩擦係数である。
たが、セラミックロッドよりも大きいすべり摩擦係数で
ある。曲線ＢはＡＣ−５Ａ、曲線ＣはＡに−８Ｂ材の表
面アラサ３〜４μｍに機械仕上げされている場合のすべ
り摩擦係数である。
ＡＣ−５Ａ及びＡＣ−８Ｂのすベリ摩擦係数は０．２７
〜０．３１．３０〜４０ｇの荷重下でも０．２６〜０．
２７となっており、本Ａ Ｑ −Ｓ ｉ系合金の方が優
れていることがわかる。すベリ摩擦係数が大きい場合に
は画面のチラッキの原因となる傾向があり、このように
して測定したすべり摩擦係数は実機磁気テープ案内ドラ
ムのすベリ摩擦を再現しているものであることを確認し
た。実験によれば磁気テープ案内ドラムの摩擦係数は０
，３以下、望ましくは０．２８以下にすべきである。ま
た、０．３以下のすべり摩擦係数を得るためには、表面
アラサがｌ゛〜６μｍであり、望ましくは２〜５μｍに
すべきである。
〜０．３１．３０〜４０ｇの荷重下でも０．２６〜０．
２７となっており、本Ａ Ｑ −Ｓ ｉ系合金の方が優
れていることがわかる。すベリ摩擦係数が大きい場合に
は画面のチラッキの原因となる傾向があり、このように
して測定したすべり摩擦係数は実機磁気テープ案内ドラ
ムのすベリ摩擦を再現しているものであることを確認し
た。実験によれば磁気テープ案内ドラムの摩擦係数は０
，３以下、望ましくは０．２８以下にすべきである。ま
た、０．３以下のすべり摩擦係数を得るためには、表面
アラサがｌ゛〜６μｍであり、望ましくは２〜５μｍに
すべきである。
第６図ａ〜第６図Ｃはへ〇−３ｉ系合金、ＡＣ−５Ａ及
びＡＣ−８Ｂ材製の磁気テープ案内ドラム表面の断面を
顕微鏡により４００倍で撮影したものであるが、これら
は全て表面アラサ３〜４μｍに機械加コニ仕上げさせて
いるものである。第６図ａは本ＡＱ−５ｉ系合金、第６
図すはＡＣ−５Ａ、第６図ＣはＡＣ−８Ｂ材である。本
ＡＱ−８ｉ系合金は小さなＳｉ品であるが、ＡＣ−５Ａ
。
びＡＣ−８Ｂ材製の磁気テープ案内ドラム表面の断面を
顕微鏡により４００倍で撮影したものであるが、これら
は全て表面アラサ３〜４μｍに機械加コニ仕上げさせて
いるものである。第６図ａは本ＡＱ−５ｉ系合金、第６
図すはＡＣ−５Ａ、第６図ＣはＡＣ−８Ｂ材である。本
ＡＱ−８ｉ系合金は小さなＳｉ品であるが、ＡＣ−５Ａ
。
ＡＣ−８Ｂ材は大形のＳｉ晶であり、鋳巣も見られる。
また、表面状態を見るとＡＱ−８ｉ系合金は機械加工線
の凹凸があるだけであるが、ＡＣ−５Ａ及びＡＣ−８Ｂ
材は比較的大形のＳｉ晶がむしり取られた跡あるいは鋳
巣による凹凸が見られる。
の凹凸があるだけであるが、ＡＣ−５Ａ及びＡＣ−８Ｂ
材は比較的大形のＳｉ晶がむしり取られた跡あるいは鋳
巣による凹凸が見られる。
第７図ａ〜第７図Ｃは磁気テープ案内ドラムのテープガ
イド表面を電子顕微鏡で観察した結果であり、倍率は２
０００倍である。第７図ａは本発明のＡΩ−Ｓｉ系合金
、第７図すはＡＣ−５Ａ、第７図ＣはＡＣ−８ｂ材の表
面状態であり、これらは全て表面アラサ３〜４μｍに機
械加工仕上げされているものである。この図からもわか
るように本Ａ Ｑ −Ｓ ｉ系合金の表面は機械加工線
が磁気テープの動く方向に対してほぼ連続的であり、か
つ、なめらかである。しかし、ＡＣ−５Ａ及びＡＣ−８
Ｂ材は表面にくぼみが見られ、特にＡ Ｃ−８１３材は
大きなくぼみがある。このくぼみは第６図に示した凹凸
を平面的に見たものであり、機械加工の際に比較的大形
のＳｉ品がむしり取られた跡、あるいは鋳巣である。こ
わらのくぼみは磁気テープを傷つける原因ともなる。
イド表面を電子顕微鏡で観察した結果であり、倍率は２
０００倍である。第７図ａは本発明のＡΩ−Ｓｉ系合金
、第７図すはＡＣ−５Ａ、第７図ＣはＡＣ−８ｂ材の表
面状態であり、これらは全て表面アラサ３〜４μｍに機
械加工仕上げされているものである。この図からもわか
るように本Ａ Ｑ −Ｓ ｉ系合金の表面は機械加工線
が磁気テープの動く方向に対してほぼ連続的であり、か
つ、なめらかである。しかし、ＡＣ−５Ａ及びＡＣ−８
Ｂ材は表面にくぼみが見られ、特にＡ Ｃ−８１３材は
大きなくぼみがある。このくぼみは第６図に示した凹凸
を平面的に見たものであり、機械加工の際に比較的大形
のＳｉ品がむしり取られた跡、あるいは鋳巣である。こ
わらのくぼみは磁気テープを傷つける原因ともなる。
本発明のもう一つの重要な特徴は良好な耐摩耗性を有し
ているーことである。
ているーことである。
第８図ａ〜第８図Ｃは実際の磁気テープ案内ドラムを使
って６００〜７００ｈｒの連続で行ったＩｒ耗試験結果
である。また、この試験に用いた磁気テープはすべり摩
擦試験に用いたものと同様のものである。第８図ａは本
発明のＡＱ−Ｓｉ系合金、第８図すはＡ Ｃ−５Ａ 、
第８図ＣはＡＣ−８Ｂ製ドラｌ＼の試験結果であり、こ
れらの摩耗量はアラサの減少で示している。比較のため
に第８図ａ〜第８１ｆｆｌ ｃの左側部分にテス１へ前
のアラサを示したが、これらの曲線はアラサＮ１の記録
図であり、実際の表面は第７図ａ〜第７図Ｃに示したよ
うにくぼみがあることに注意しておく必要がある。
って６００〜７００ｈｒの連続で行ったＩｒ耗試験結果
である。また、この試験に用いた磁気テープはすべり摩
擦試験に用いたものと同様のものである。第８図ａは本
発明のＡＱ−Ｓｉ系合金、第８図すはＡ Ｃ−５Ａ 、
第８図ＣはＡＣ−８Ｂ製ドラｌ＼の試験結果であり、こ
れらの摩耗量はアラサの減少で示している。比較のため
に第８図ａ〜第８１ｆｆｌ ｃの左側部分にテス１へ前
のアラサを示したが、これらの曲線はアラサＮ１の記録
図であり、実際の表面は第７図ａ〜第７図Ｃに示したよ
うにくぼみがあることに注意しておく必要がある。
！；発明のＡＱ−Ｓｉｍドラムの摩耗量は０．５μｍで
あるが、Ａ、Ｃ−５Ａ及びＡＣ−８Ｂ製ドラムは０．７
−０．９μｍであり１本発明のＡ Ｑ −Ｓ ｉ製ドラ
ムは長期間の使用においても所望の表面状態を保つこと
ができ、耐摩耗性が優れていることがわかる。更に発明
者らは第１表に示したようにＡＭ−８ｉ系合金の組成、
Ｓｉ品の大きさ及び熱処理を変えたドラムについても上
記試験を行った結果、Ｓｉ晶が５μｍより大きい場合に
はテープガイド表面を機械加工により所望の表面状態に
することが困難であり、Ｓｉ晶の大きさは５μｍ以下と
すべきことがわかった。
あるが、Ａ、Ｃ−５Ａ及びＡＣ−８Ｂ製ドラムは０．７
−０．９μｍであり１本発明のＡ Ｑ −Ｓ ｉ製ドラ
ムは長期間の使用においても所望の表面状態を保つこと
ができ、耐摩耗性が優れていることがわかる。更に発明
者らは第１表に示したようにＡＭ−８ｉ系合金の組成、
Ｓｉ品の大きさ及び熱処理を変えたドラムについても上
記試験を行った結果、Ｓｉ晶が５μｍより大きい場合に
はテープガイド表面を機械加工により所望の表面状態に
することが困難であり、Ｓｉ晶の大きさは５μｍ以下と
すべきことがわかった。
第１表
処理条件
Ｔ４：５００°Ｃｘ １ ｈ ｒ→急冷→常温１週間以
上放装Ｔ５：４７０°Ｃ温間成形→急冷→ｌ ７０℃Ｘ
８ ｈ ｒ時効処理’１７６：５００℃Ｘ１ｈｒ−＊急
冷→１７０℃Ｘ８ｈｒ時効処理ａｓ ｃａＳＬ： ：
Ｑ構造のまま また、Ｓｉ量が８重量％以下の場合にはドラムの摩耗量
が増加し、１５重量％以上では塑性加工により分断して
分散させることができない一次Ｓｉ晶が多く晶出するの
で、八Ｃ−５Ａ及びＡＣ−８Ｂ材のように機械加工の際
にくぼみができ、磁気テープを傷つける原因ともなる。
上放装Ｔ５：４７０°Ｃ温間成形→急冷→ｌ ７０℃Ｘ
８ ｈ ｒ時効処理’１７６：５００℃Ｘ１ｈｒ−＊急
冷→１７０℃Ｘ８ｈｒ時効処理ａｓ ｃａＳＬ： ：
Ｑ構造のまま また、Ｓｉ量が８重量％以下の場合にはドラムの摩耗量
が増加し、１５重量％以上では塑性加工により分断して
分散させることができない一次Ｓｉ晶が多く晶出するの
で、八Ｃ−５Ａ及びＡＣ−８Ｂ材のように機械加工の際
にくぼみができ、磁気テープを傷つける原因ともなる。
望ましくはＡＱ−Ｓｉ共共成成分付近１２重重景程度が
よい。
よい。
更に、ＭｇはＳｉと結合して金属間化合物を形成し、基
地の析出強化作用をする。しかし、Ｍｇは０．０５重量
％以下の添加ではその効果が少なく、１．０重量％以上
の添加は靭性及び衝撃値が低下する傾向があり、温間鋳
造性が悪くなる。望ましくは０．３〜０．６重量％にす
べきである。また、ＣｕはＡＱの基地に固溶してＣｕ−
１／ＩＱを形成し、熱処理による強化作用をするととも
に、被切削性あるいは耐摩耗性を向上させる。しかし、
Ｃｕは０．５重量％以下では熱処理効果が少なく、３重
量％以上になると機械的性質の向上が飽和するので、経
済性の面からも４重量％以下とすべきであり、望ましく
は１〜３重量％添加がよい。その他Ｆｅ。
地の析出強化作用をする。しかし、Ｍｇは０．０５重量
％以下の添加ではその効果が少なく、１．０重量％以上
の添加は靭性及び衝撃値が低下する傾向があり、温間鋳
造性が悪くなる。望ましくは０．３〜０．６重量％にす
べきである。また、ＣｕはＡＱの基地に固溶してＣｕ−
１／ＩＱを形成し、熱処理による強化作用をするととも
に、被切削性あるいは耐摩耗性を向上させる。しかし、
Ｃｕは０．５重量％以下では熱処理効果が少なく、３重
量％以上になると機械的性質の向上が飽和するので、経
済性の面からも４重量％以下とすべきであり、望ましく
は１〜３重量％添加がよい。その他Ｆｅ。
Ｃｒ ｙ Ｎ ｌ ｐ Ｚ ｒ ＋ Ｔ ｉ等の不純物
が合金中に存在することがあるが、それらの総量は５重
量％以下とずべきである。
が合金中に存在することがあるが、それらの総量は５重
量％以下とずべきである。
以上詳述したように、本発明の方法によって磁気テープ
案内ドラムを製造することにより、ドラムの表面状態及
び耐摩耗性が従来のセラミックコーティング、ＡＣ−５
Ａ及びＡＣ−８Ｂ等には見られない程優オシた特性を有
するようになる。
案内ドラムを製造することにより、ドラムの表面状態及
び耐摩耗性が従来のセラミックコーティング、ＡＣ−５
Ａ及びＡＣ−８Ｂ等には見られない程優オシた特性を有
するようになる。
第１図は磁気テープ走査装置の外観を示す斜視図であり
、第２図はその断面図、第３図は第１図及び第２図とは
構造の異った磁気テープ走査装置の断面図、第４図はす
べり摩擦係数の試験装置の略図、第５図はすべりＪ？擦
係数試験結果を示すグラフ、第６図は磁気テープ案内ド
ラム表面の断面の顕微鏡写真、第７図は磁気テープ案内
ドラムのテープガイド表面状態の電子顕微鏡写真、およ
び第８図は使用前及び使用後の磁気テープ案内ドラム表
面状態をアラサ計で測定した結果を示すグラフである。 １・・・静止上ドラム、２・・・静止下ドラム、３・・
・回転盤、４・・・間隙、５・・・シャフト、６・・・
コネクター、６′・・・ボルト、７・・・磁気ヘッド、
８・・・テープガイド、９・・・スリーブ、１０・・・
ポル１−１１１・・・ボールベアリング、１２・・・励
磁コイル、１３・・・ブツシュ、１４・・・プーリー、
１５・・・磁気テープ、２０・・・回転ドラム、２１・
・・静止ドラム、２２・・・磁気ヘッド、３０・・・試
験片、３１・・・磁気テープ、３２・・・重り、第 ム
昏］ 第７図 （Ｃ） 第１頁の続き ０発 明 者 寺 １） 明 猷 横浜市戸塚区吉究所
内 田町２９旙地 株式会社日立製作所家電研手続補正書（
方式ン 昭和５耐 ＋１ｉ ２＋１４ １’＋１ｉ’＋’ Ｉ−；長杓志賀 学殿・Ｉ−ｆ’ｌ
の表小 昭４１１５９年特ｆｒｌＲｆｉ第７７４０５ 号発明の
名利。 磁気テープ走査装置用案内ドラムの製造法抽１］をする
と １“・１′１との関係 １旨’ｒ １１１ ’＋ Ｉｘ
ｒ１人と、１′１西ｍｌ Ｉｔ式カケ１ 目 立 製
作 ｌす１代 理 人 ２、明細書の図面の簡単な説明を次の通り補正する。 （１）第１７頁１６行目の「顕微鏡写真」の前に「金属
組織を示す」を加入する。 （２）第１７頁１７行目の「状態の」を「のマクロ的な
金属組織を示す走査型」と訂正する。 以」ニ
、第２図はその断面図、第３図は第１図及び第２図とは
構造の異った磁気テープ走査装置の断面図、第４図はす
べり摩擦係数の試験装置の略図、第５図はすべりＪ？擦
係数試験結果を示すグラフ、第６図は磁気テープ案内ド
ラム表面の断面の顕微鏡写真、第７図は磁気テープ案内
ドラムのテープガイド表面状態の電子顕微鏡写真、およ
び第８図は使用前及び使用後の磁気テープ案内ドラム表
面状態をアラサ計で測定した結果を示すグラフである。 １・・・静止上ドラム、２・・・静止下ドラム、３・・
・回転盤、４・・・間隙、５・・・シャフト、６・・・
コネクター、６′・・・ボルト、７・・・磁気ヘッド、
８・・・テープガイド、９・・・スリーブ、１０・・・
ポル１−１１１・・・ボールベアリング、１２・・・励
磁コイル、１３・・・ブツシュ、１４・・・プーリー、
１５・・・磁気テープ、２０・・・回転ドラム、２１・
・・静止ドラム、２２・・・磁気ヘッド、３０・・・試
験片、３１・・・磁気テープ、３２・・・重り、第 ム
昏］ 第７図 （Ｃ） 第１頁の続き ０発 明 者 寺 １） 明 猷 横浜市戸塚区吉究所
内 田町２９旙地 株式会社日立製作所家電研手続補正書（
方式ン 昭和５耐 ＋１ｉ ２＋１４ １’＋１ｉ’＋’ Ｉ−；長杓志賀 学殿・Ｉ−ｆ’ｌ
の表小 昭４１１５９年特ｆｒｌＲｆｉ第７７４０５ 号発明の
名利。 磁気テープ走査装置用案内ドラムの製造法抽１］をする
と １“・１′１との関係 １旨’ｒ １１１ ’＋ Ｉｘ
ｒ１人と、１′１西ｍｌ Ｉｔ式カケ１ 目 立 製
作 ｌす１代 理 人 ２、明細書の図面の簡単な説明を次の通り補正する。 （１）第１７頁１６行目の「顕微鏡写真」の前に「金属
組織を示す」を加入する。 （２）第１７頁１７行目の「状態の」を「のマクロ的な
金属組織を示す走査型」と訂正する。 以」ニ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、円型静止ドラムと回転ドラムを含み、それらのドラ
ムの外周に形成された案内通路に沿って磁気テープを滑
動案内する磁気テープ走査装置において前記ドラムの少
なくとも一方を下記の工程によって製造することを特徴
とする磁気テープ走査装置用案内ドラムの製造法。 （１）アルミニウムーシリコン合金系溶湯を急冷凝固し
て鋳塊を製造する工程と、 （２）前記鋳塊を鍛造してドラム形状をした成型品を製
造する工程、および （：ｌ）機械加工によって、該成型品の外周に磁気テー
プの進行方向に沿って表面粗さ】〜６μｍの平行な実質
的に連続した加工線を形成する工程。 ２、特許請求の範囲第１項において、前記鍛造工程によ
り鋳塊の共晶シリコンを平均粒径５μｍ以下の大きさに
分断することを特徴とする磁気テープ走査装置用案内ド
ラムの製造法。 ３、円型静止ドラムと回転ドラムを含み、それらのドラ
ムの外周に形成された案内通路に沿って磁気テープを滑
動案内する磁気テープ走査装置において前記ドラムの少
なくとも一方を下記の工程によって製造することを特徴
とする磁気テープ走査装置用案内ドラムの製造法。 （１）アルミニウムーシリコン系合金溶湯を急冷凝固し
て鋳塊を製造する工程と、 （２）前記鋳塊を鍛造してドラム形状をした成型品を製
造する工程と、 （３）前記成形品に溶体化処理とその後の時効処理を含
む熱処理を施す工程、および （４）機械加工によって、該成型品の外周に磁気テープ
の進行方向に沿って表面粗さ１〜６μｍの平行な実質的
に連続した加工線を形成する工程。 ４、特許請求の範囲第３項において、前記鍛造工程によ
り鋳塊の共晶シリコンを平均粒径５μｍ以下の大きさに
分断することを特徴とする磁気テープ走査装置用案内ド
ラムの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7740584A JPS6053377B2 (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 磁気テ−プ走査装置用案内ドラムの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7740584A JPS6053377B2 (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 磁気テ−プ走査装置用案内ドラムの製造法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53072110A Division JPS5833612B2 (ja) | 1978-06-16 | 1978-06-16 | 磁気テ−プ走査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6069855A true JPS6069855A (ja) | 1985-04-20 |
| JPS6053377B2 JPS6053377B2 (ja) | 1985-11-25 |
Family
ID=13632998
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7740584A Expired JPS6053377B2 (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 磁気テ−プ走査装置用案内ドラムの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6053377B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62138344U (ja) * | 1986-02-25 | 1987-09-01 | ||
| JPH03502968A (ja) * | 1988-02-29 | 1991-07-04 | フエレイラ，ニコラス・シー | 超音波検査方法 |
| US7291095B2 (en) | 2003-03-28 | 2007-11-06 | Nissan Diesel Motor Co., Ltd. | Automatic start control apparatus of vehicle |
| US11131351B2 (en) | 2017-10-31 | 2021-09-28 | Honda Motor Co., Ltd. | Clutch control device |
| US11162546B2 (en) | 2017-10-31 | 2021-11-02 | Honda Motor Co., Ltd. | Clutch control device |
-
1984
- 1984-04-16 JP JP7740584A patent/JPS6053377B2/ja not_active Expired
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62138344U (ja) * | 1986-02-25 | 1987-09-01 | ||
| JPH03502968A (ja) * | 1988-02-29 | 1991-07-04 | フエレイラ，ニコラス・シー | 超音波検査方法 |
| US7291095B2 (en) | 2003-03-28 | 2007-11-06 | Nissan Diesel Motor Co., Ltd. | Automatic start control apparatus of vehicle |
| US11131351B2 (en) | 2017-10-31 | 2021-09-28 | Honda Motor Co., Ltd. | Clutch control device |
| US11162546B2 (en) | 2017-10-31 | 2021-11-02 | Honda Motor Co., Ltd. | Clutch control device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6053377B2 (ja) | 1985-11-25 |
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