JPS6364052B2 - - Google Patents

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JPS6364052B2
JPS6364052B2 JP57048541A JP4854182A JPS6364052B2 JP S6364052 B2 JPS6364052 B2 JP S6364052B2 JP 57048541 A JP57048541 A JP 57048541A JP 4854182 A JP4854182 A JP 4854182A JP S6364052 B2 JPS6364052 B2 JP S6364052B2
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wire
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Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は半導体装置に係り、特にその半導体
素子の電極とリードとを接続するボンデイングワ
イヤと、当該リードとの接続部の改良に関する。
〔発明の技術的背景〕
半導体装置の組立てには、半導体素子（ペレツ
ト）の電極と外部リードとをボンデイングワイヤ
で接続するボンデイング工程がある。第１図はそ
の工程を示すものである。すなわち、半導体素子
１を銀（Ag）ペースト等のマウント剤によりリ
ードフレーム２のベツド２ａに固着した後、この
半導体素子１の電極とボンデイングワイヤ３の一
端とをボンデイング接続し、しかる後このボンデ
イングワイヤ３の他端とリードフレーム２のイン
ナーリード部とをボンデイング接続する。ここ
に、半導体素子１の電極部は一般にアルミニウム
（Al）、リードフレーム２は鉄（Fe）系又は銅
（Cu）系の材料で構成されリードフレーム２のボ
ンデイング部には通常金めつきが施されている。
また、ボンデイングワイヤ３としては＝30μｍ
程度の金又はアルミニウムの細線が用いられてい
る。なお、ボンデイング方法としては熱圧着法又
は超音波法が一般に用いられる。
このように半導体素子１がボンデイング接続さ
れたリードフレーム２はその後モールド金型に入
れられ、第２図に示すように例えばエポキシ樹脂
４でトランスフアーモールドされた後、個別に切
断分離されるようになつている。
〔背景技術の問題点〕
ところで、上記ボンデイング後のボンデイング
ワイヤ３の接合強度には引張り強度等に基準値が
定められている。これは、後工程において、例え
ばリードフレーム２を移動させる際に衝撃、振動
が生じることにより、あるいはモールド工程の熱
処理時にエポキシ樹脂４とリードフレーム２との
間の熱膨張係数が異なるために、ボンデイングワ
イヤ３が剥離されることがあるため、これを防止
するものである。ボンデイングワイヤ３の接合部
のうち、第１ボンデイング側すなわち半導体素子
１との接続部は所望の引張り強度（15〜20ｇ）が
得られるため問題はない。
しかしながら、第２ボンデイング側すなわちボ
ンデイングワイヤ３とリードフレーム２との接続
部においては、リードフレーム２の材質、表面の
酸化状態によつて接合条件が悪くなり、引張強度
が低下する（４〜５ｇ）。このように引張強度が
低下すると、後工程において設備や部品の管理が
複雑になる。
〔発明の目的〕
この発明は上記実情に鑑みてなされたもので、
その目的は、導電性ワイヤとリードとの接合部に
おける強度が向上した半導体装置を提供すること
にある。
〔発明の概要〕
この発明は、ボンデイングワイヤとリードとの
接合部を銀ペーストで被覆し固着させるものであ
る。
〔発明の実施例〕
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説
明する。第３図はボンデイング工程の終了した状
態を示すもので、リードフレームのベツド１１上
には銀ペースト１２により半導体素子１３がマウ
ント固着されている。銀ペースト１２としては、
例えばEPO−TEK社製の商品名Ｈ−31、Ｈ−
31D、Ｈ−21、Ｈ−21Dなどが用いられる。そし
て、半導体素子１３の電極には例えば金でなるボ
ンデイングワイヤ１４の一端が接着され、このボ
ンデイングワイヤ１４の他端はリード１５の表面
に接着されている。しかして、このボンデイング
ワイヤ１４とリード１５との接続部は、上記半導
体素子１３のマウントに用いられた銀ペースト１
２と同じ材料の銀ペースト１６により被覆されて
おり、これにより強固に固着されている。
上記銀ペースト１６は150℃の温度で30分〜３
時間の熱処理を施すことにより硬化されるもので
ある。
このような構造にあつては、ボンデイングワイ
ヤ１４とリード１５との接続部はボンデイング後
さらに銀ペースト１６により固着されているの
で、引張り強度は半導体素子１３の電極側と同等
（15〜20ｇ）にまで向上する。従つて、その後の
工程において、振動、衝撃が生じてもボンデイン
グワイヤ１４が剥れる心配はなく、設備や部品の
管理が簡単になる。また、リード１５の材質や表
面状態にかかわらず所望の強度が得られるもので
ある。さらに、上記実施例のように半導体素子１
３のマウント樹脂として銀ペースト１２を使用す
ると、同じ材料でボンデイングワイヤ１４の接合
強度を向上させることができる。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば、導電性ワイヤ
とリードとの接合強度が向上した半導体装置を提
供できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のボンデイング工程を示す平面
図、第２図は同じくモールド工程を示す平面図第
３図はこの発明の一実施例に係るボンデイング工
程を示す断面図である。 １１……ベツド、１３……半導体素子、１４…
…ボンデイングワイヤ、１５……リード、１６…
…銀ペースト。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 半導体素子の電極とリードとが導電性ワイヤ
    で接続された半導体装置において、前記リードと
    前記導電性ワイヤとの接合部を銀ペーストで被覆
    し固着したことを特徴とする半導体装置。
JP57048541A 1982-03-26 1982-03-26 半導体装置 Granted JPS58165359A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57048541A JPS58165359A (ja) 1982-03-26 1982-03-26 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

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JP57048541A JPS58165359A (ja) 1982-03-26 1982-03-26 半導体装置

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Publication Number Publication Date
JPS58165359A JPS58165359A (ja) 1983-09-30
JPS6364052B2 true JPS6364052B2 (ja) 1988-12-09

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JP57048541A Granted JPS58165359A (ja) 1982-03-26 1982-03-26 半導体装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7278948B2 (en) 2005-04-25 2007-10-09 American Axle & Manufacturing, Inc. “Zero” lash spherical differential assembly using spring washers
JP5299575B1 (ja) * 2011-11-04 2013-09-25 トヨタ自動車株式会社 車両用デファレンシャル装置

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JPS58165359A (ja) 1983-09-30

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