JPS6077434A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS6077434A
JPS6077434A JP58188092A JP18809283A JPS6077434A JP S6077434 A JPS6077434 A JP S6077434A JP 58188092 A JP58188092 A JP 58188092A JP 18809283 A JP18809283 A JP 18809283A JP S6077434 A JPS6077434 A JP S6077434A
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JP
Japan
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semiconductor chip
chip
insulating substrate
semiconductor
pad
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JP58188092A
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Takayoshi Kawakami
川上 隆由
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、最近の半導体装置の高密度実装化傾向に適
合するように、回路構成後洗発見さねた不良半導体チッ
プの交換が容易になるよう医、半導体チップとその取付
はパット部との構成時における相互の寸法関係にあらか
じめ引剥しのための〔従来技術〕 第1図は従来の半導体装置を示すものである。
この図において、1はセラミック等からなる絶縁基板、
2は導電パターンを形成する電極、3は半導体チップ、
4はこの半導体チップ3ケ絶縁基板1上のその取付はバ
ット部A上に機械的、電気的に接続するための接着剤、
5は前記半導体チップ3と電極2とを接続する金線であ
る。
一般に、混成集積回路装置とかマルチチップIC等の半
導体装置の製造工程においては、目視検査または中間電
気試験により半導体チップ3の傷、電気的接続不良ある
いに接着不良が発見された場合は、こh4.不良品とし
て廃却するか、または当該半導体チップ3’/交換する
方法があるが、集積回路装置の種類の規模が拡太さねた
高密度実装の現状では、コストとの兼ね合いから後者の
半導体チップ交換作業が必要となってきている。
ところで、このような半導体装fiにおいて、不良半導
体チップ乞交換するには、絶縁基板1ケ全接着剤4の接
着強度ン低下させ、半導体装ツブ3と接着剤4との接着
部をその側方より機械的に押すことにエリ、不良半導体
チップを取り除いていた。
このように取り除き作業は、半導体チップ3の接着部を
側方より押すことになるために、具体的にはLSIチッ
プのようなものを取り除こうとすると、10k17以上
の力を要し、こねかため専用治具な用いてもその取り除
き作業が非常に困難であった。
これは半導体チップ3の厚みが250ミクロン〜500
ミクロンと薄いこと、半導体チップ側面(切断面)がそ
れ自体の結晶面により斜めになっていたりして、加えら
第1た力により斜めに割れてしまうということからであ
る。
なお、現在では、接着強度がより強いものが採用され、
例えば350℃で30分間加熱した場合においても接着
強度の劣化が少ない接着剤を用いる傾向から、取り除き
作業をより困難にしているという欠点があった。
〔発明の概要〕 この発明は、上記のような従来のものの欠点l除去する
ためKなさねたもので、取+j1ナパット部として絶縁
基板に突出部を形成し半導体チップと取付はバット部と
の相互の寸法関係?生成不良半導体チップが容易に交換
できるようにしたものである。
〔発明の実施例〕
以下、この発明の一実施例について説明する。
第2図はこの発明の一実施例を示す側断面図で、第1図
と同一個所は同一符号で示している。絶縁基板11の中
央には、半導体チップ3の直下に位置するように突出部
11mを形成させ、かつ、この突出m1laを含めた半
導体装ツブ3の取付け/くント部への縦横寸法は、その
上に接着剤4で固着した半導体チップ30am寸法より
小さくシ。
当該半導体チップ3の四辺の外周縁部を取付はバット部
A外に突出させている点に特徴ケ有するものである。
このようにして、回路構成後に不具合が発見された、い
わゆる不良半導体チップを交換する場合には、従来の方
法と同様に絶縁基板を全体的若しくは局部的に加熱し、
半導体チップ3の突出外周縁部を引剥し治具の当て代と
して核部を下面から押し上げることが可能になるように
し、半導体チップ3の割ねを生することな(容易に取り
除くことができるようにしたものである。
なお、取付はバット部A外に突出させる半導体チップ3
の外周縁部は必すしも四辺でなくとも前後あるいは左右
の二辺であつあもj、(・。
〔発明の効果〕
以上説明したよ5VC1この発明は、半導体チップより
その取利ロパット部を突出部とし、そσ〕面積を半導体
チップより小さくして、半導体クーツブの外周縁部を取
付はノくント部外に突出させて(・るりで、不良半導体
チップが発見された場合その引剥しが容易にでき、その
部分の交換グ)みですむので、特に作業ミスの多(なる
高密度のマルチチップ型理#:集積回路装置にこの発明
を採用すること利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の半導体装置における半導体チップの取付
はバット部を示1−側断面図、第2図し工この発明の一
実施例を示す側断面−である。 図中、1は絶縁基板、3は半導体チップ、4番1接着剤
、11&は突出部、Aは取付はパント部である。 なお、図中の同一符号はβ1−または相当部分ケ示す。 代理人 大岩増雄 C外2名) 手続補正書(自発) 昭和オ?年タ月/7日 特許庁長官殿 間色 1、事件の表示 特願昭58−188092号2、発明
の名称 半導体装置 3、補正をする者 5、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 6、補正の内容 明細書第2頁15行の1種類」を、「回路」と補正する
。 以上

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体チップ!固着する取付はパット部として絶縁基板
    に突出部ケ形成し、この突出部の前記半導体チップを固
    着する部分の面′fRを前記半導体チップの面積より小
    さく形成して、この半導体チップの外周縁部を前記取付
    はパット部外に突出させ、この突出させた部分で不良半
    導体チップヶ引剥し治具の当て代を形成させたことを%
    徴とする半導体装置。
JP58188092A 1983-10-04 1983-10-04 半導体装置 Pending JPS6077434A (ja)

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JP58188092A JPS6077434A (ja) 1983-10-04 1983-10-04 半導体装置

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JP58188092A JPS6077434A (ja) 1983-10-04 1983-10-04 半導体装置

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JP58188092A Pending JPS6077434A (ja) 1983-10-04 1983-10-04 半導体装置

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