JPS6078135U - イオンビ−ムエツチング装置 - Google Patents

イオンビ−ムエツチング装置

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Publication number
JPS6078135U
JPS6078135U JP16933783U JP16933783U JPS6078135U JP S6078135 U JPS6078135 U JP S6078135U JP 16933783 U JP16933783 U JP 16933783U JP 16933783 U JP16933783 U JP 16933783U JP S6078135 U JPS6078135 U JP S6078135U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ion beam
ion
ion source
current density
sample
Prior art date
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Pending
Application number
JP16933783U
Other languages
English (en)
Inventor
矢板　司
村上　欽一郎
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Kokusai Denki Electric Inc
Original Assignee
Hitachi Kokusai Electric Inc
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Kokusai Electric Inc filed Critical Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority to JP16933783U priority Critical patent/JPS6078135U/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来のイオンビームエツチング装置の構成概要
図、第２図は従来のシャッタの一例の平面図と側面図、
第３図は従来のイオンビーム電流の密度分布測定器の一
例の平面図と側面図、第４図はイオンビームの分布特性
の一例図、第５図は理想的なイオンビームの分布特性側
図、第６図は本考案を実施した一方向イオンビーム電流
密度分布測定器の構成原理図である。 １・・・真空容器、３・・・試料ホルダ、４・・・試料
、５・・・試料ホルダ支柱、６・・・傾斜と回転機構、
７・・・シャッタ、８，２１・・・イオンビーム電流密
度検出器（ファラデイカツブ）、１０・・・イオンビー
ム、１１・・・イオンビーム源、１２・・・ガス導入口
、１３・・・排気口、１４・・・丸穴、１５・・・カバ
ー、１６・・・ファラデイカツブリード線、１７・・・
ファラデイカツブ、１８・・・イオンビーム電流密度検
出器取付用治具、２０・・・イオンビーム放射面、２２
・・・２１の支持棒、２３・・・２２の移動ねじ棒。 ＋Ｍ、ｆｉ；ｉ　ｌ１ｌ １１３］ ４へ、＋５　　　Ｉ＝１”８−１ ・・（）　旧　二ｊ

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 真空容器内にあって制御されたプラズマ発生用ガスを流
    入させ、イオンビームを一定方向に発生させるイオン発
    生源と、イオンビームによってエツチングされる試料を
    装着した面の中心を軸として、回転自在な試料ホルダお
    よびその支持駆動部と、イオン発生源と上記試料装着面
    との中間に設けられ、試料面に到達するイオンビームを
    開閉するシャッタのほかに、上記シャッタとイオン発生
    源の間にイオンビーム電流密度検出器をイオン発生源の
    イオンビーム発生面の少なくとも一方の端より他方の端
    まで連続、的に直線移動させるための、上記イオンビー
    ム電流密度検出器およびその支持棒の送りねじ棒よりな
    るイオンビーム電流密度分布計測機構を具備したことを
    特徴とするイオンビームエツチング装置。
JP16933783U 1983-11-02 1983-11-02 イオンビ−ムエツチング装置 Pending JPS6078135U (ja)

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JP16933783U JPS6078135U (ja) 1983-11-02 1983-11-02 イオンビ−ムエツチング装置

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JPS6078135U true JPS6078135U (ja) 1985-05-31

Family

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JP16933783U Pending JPS6078135U (ja) 1983-11-02 1983-11-02 イオンビ−ムエツチング装置

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5368075A (en) * 1976-11-29 1978-06-17 Nec Corp Manufacture of element containing micro pattern
JPS5797688A (en) * 1980-12-10 1982-06-17 Ibm Method of reacting surface

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5368075A (en) * 1976-11-29 1978-06-17 Nec Corp Manufacture of element containing micro pattern
JPS5797688A (en) * 1980-12-10 1982-06-17 Ibm Method of reacting surface

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