JPS6079525A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、磁気記録媒体に関し、さらに詳しくは高密度
記録に適した磁気記録媒体に関する。

〔発明の背景〕

近年、開発が進められてきている高密度記録用磁気記録
媒体においては磁気ヘッドと磁気テープとの間のいわゆ
る間隙損失を軽減させるため、磁性層の表面性をよシ高
度なものとすることが要求される。この目的のためには
、磁性層の製造技術、すなわち磁性粒子の分散、塗布、
表面成形技術などの改良により磁性層の表面性を向上さ
せることが必要であると同時に、支持体の表面性を向上
させることもまた必要となる。とくに、記録密度が高く
なるにともない記録波長が小となることにより、厚み損
失を逃がれるために磁性層を薄くする試みがなされてき
ている。それによシ、支持体の表面性が磁性層の表面性
に与える影響はますます大となってきている。

しかしながら磁気記録媒体に使用される支持体の表面性
を向上させることは下記の理由から限界がある。つまり
、製膜して巻き取る工程において、フィルムの表面性が
良いと搬送ローラーに対する摩擦抵抗が犬となり、しば
しば蛇行を起こしたシ、シワが生じたシする。またフィ
ルに藺の摩擦抵抗が増大し巻き取りロールの形状にユガ
ミが生じたりもする。

〔従来技術〕

前記の背反する問題点の解決のために、これまでに種々
の試みがなされてきている。たとえば特開昭ｈｓ−ｔｏ
２６ｏｚには、支持体上に熱可塑性樹脂の微粒子を突出
させ、その后溶剤にて溶解除去しその表面に磁性層を形
成する方法が記載されている。が、この方法もい１だ高
ｆｊ度記録用磁気記録媒体としての満足すべき特性を賦
与しうるにはいたっていない。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、第７にビデオ特性のすぐれる磁気記録
媒体を提供するＫある。第２にＳ／Ｎのすぐれる磁気記
録媒体を提供するにある。

〔発明の構成〕

本発明者らは上記目的を達成すべく鋭意検討した結果、
裏面（すなわち、磁性層を設けない側）の表面あらさが
０．００７μ（カッニドオフ０．２ｊｍｍ　）以上であ
る支持体と磁性層との中間に放射線照射により重合可能
な化合物を含有し放射線間こと金兄い出し本発明にいた
った。

すなわち、本発明は（１）裏面の表面あらさが００００
７μ以上である非磁性支持体と磁性層との中　・間に放
射線照射によシ重合可能な化合物を含有する非磁性層を
設け、該層が放射線により照射されゐことを特徴とする
磁気記録一体、（２）前記中間層の表面あらさがｏ　、
ｏｏｓμ以下であることを特徴とする（１）に記載の磁
気記録媒体、に関する。

本発明に使用される非、磁性支持体の表面あらさ１は表
、裏で異なるように調製することも可能であるが、その
ような支持体の調製には高度の技術を要し、また製造増
率も低い。そこで本発明では表裏両面の表面あらさが＃
１ｙ同一に調製された支持体を主たる適用対象とするが
、本発明の範囲はこれのみにとｙまるものではない。

本発明に使用される支持体は、ポリエチレンテレフタレ
ート、ポリエチレン、−Ｊ、、４−ナフタレート等のポ
リエステル類；ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリ
オレフィン類；セルローストリアセテート、セルロース
ダイアセテート、セルロースアセテートブチレート、セ
ルロースアセテ−ドブｐビオネート等のセルロース誘導
体；ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のｒニル系
樹脂；ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミドイミ
ド等のプラスチックの他に用途に応じてアルミニウム、
銅、スズ、亜鉛またはこれら声含む非磁性合金、不銹銅
などの非磁性金属類；紙、／ぐライタまたはポリエチレ
ン、ポリプロピレン、エチレンーヅテン共重合体などの
炭素数λ〜、／　０のα−ポリオレフィン類を塗布また
はラミネートした紙な□ どである。

本発明における表面あらさとは、ＪＩＳ−ＢＯｔｏｉの
３項で定義される中心静平均あらさをさし、カットオフ
値は０．２ｊｚｍである。

本発明１使ｍ−ａａ、ｂ支持体の表面↑ら５さは０・Ｏ
θ７μ〜ｏ、ｓμであり、とくに０，０／ｊμ以上であ
ることが好ましい。

支持体の裏面には走行性などの数表を目的としていわゆ
るパック層を設けることができる。この場合、パック層
の表面あらさを０．００７μ以上、好ましくは０．０／
ｊμ以上とすることによｐ本発明の効果は同様に発揮さ
れる。　。

本発明の中間層に使用される放射線照射により重合可能
な化合物は炭素−炭素不飽和結合を分子中に１個以上有
する化合物でありアクリル酸エステル類、アクリルアミ
ド類、メタクリル酸エステル類、メタクリルアミド類、
アリル化合物、ビニ”亡−テ２類・１＝−８テ１類・１
＝２異節環化哀物、Ｎ−ビニル化合物、スチレン類、ク
ロトンｉ類、イタコン酸類、オレフィン類、オレフィン
慴などが例としてあけられる。これらのうち好ま←いも
のとしてアクリロイル基またはメタクリロイル基を２個
以上含む下記の化合物があげられる。ジエチレングリコ
ールジアクリレート、トリエ門レンゲリコールジアクリ
レート、テトラエチレしグリコールジアクリレート、ト
リメチロールプロノξンドリアクリレート、ペンタエリ
スリトールでトラアクリレート、などのアクリレート類
、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエ、？Ｊ
７ケリヨー＃）＋７／ＪＩＩＪｙ−）、ケト、エチレン
グリコールジメタクリレート、トリメチロールプロノン
トリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタ
クリレート、などのメタクリレ−ＩＪ’ＪＩあるいはそ
の他の２官能以上のポリオールとアクリル酸メタクリル
酸とのエステル類、など。

咬た、これらの化合物は高分子量体のものであってもよ
い。好ましくは高分子の主鎖末端あるいは側鎖にアクリ
ル酸またはメタクリル酸とのエステル結合を有する化合
物であや、これらはＡ、Ｖｒａｎｃｋｅｍ　’Ｆａｔｉ
ｐｅｃ　Ｃｏｎｇｒｅｓｓ“／／　／り（ｌり７２）に
引用されている。たとえば以下に示す化合物 であり、例示した化合物のポリエステル骨格がポリウレ
タン骨格、エポキシ樹脂の骨格、ポリエーテル骨格、ポ
リカゼネート骨格であってもあるいはこれらの混合され
た骨格でもよい。分子量はｌ。

θ００−２０，０００が好咬しいが、とくに限定される
ものではない。

上記の放射線照射によ多重合可能な化合物は単独に、ま
た任意の割合で混合して使用することができる。

さらに塩ビ酢ビ系共重合体、繊維素系樹脂、アセタール
系樹脂、塩ビー塩化ビニリデン系樹脂、ウレタン樹脂、
アクリロニトリルブタジェン樹脂等の熱可塑性樹脂を必
要により前記放射線照射によｐ重合可能な化合物と混合
使用することができる。

本発明において使用される放射線は電子線および紫外線
である。紫外線を使用する場合には前記の化合物に光重
合開始剤を添加することが必要となる。

光重合開始剤としては芳香族ケトンが使用される。

芳香族ケトンは、特に限定されないが、紫外線照射光源
として通常使用される水銀灯の輝線スペクトルを生ずる
２ｊ４Ａ、、３／３、ＪＡｊｎｍの波長において吸光係
数の比較的大なるものが好ましい。その代表例としては
、アセトフェノン、ベンゾフェノン、ベンゾインエチル
エーテル、ベンジルメチルケタール、ベンジルエチルケ
タール、ベンゾインイソブチルケトン、ヒドロキシジメ
チルフェニルケトン、ｌ−ヒドロキシシクロへキシルフ
ェニルケトン、ノー２ジエトキシアセトフエノン、Ｍｉ
ｃｈｌｅｒ’ｓケトンなどがあり、種々の芳香族ケトン
が使用できる。

芳香族ケトンの混合比率は、化合物（ａ）　／　００重
量部に対し０．ｊ、２０重量部、好ましくは２〜ｌｊＭ
量部、さらに好ましくは３〜ｉｏ重量部である。

前記放射線照射によ多重合可能な化合物を、または芳香
族ケトンとの混合物全支持体上に塗設する場合、椋々の
有機溶媒が必要に応じ使用できるが化合物が常温で液体
である場合無溶媒でもよい。

使用できる有機溶媒としてはアセトン、メチルエチルケ
トン、メチルインブチルケトン、シクロヘキサノン等の
ケトン系；メタノール、エタノール、プロパツール、ブ
タノール等のアルコール系；酢酸メチル、酢酸エチル、
酢酸ブチル、乳酸エチル、酢酸グリコールモノエチルエ
ーテル等のエステル系；エーテル、グリコールジメチル
エーテル、グリコールモノエチルエーテル、ジオキサン
等のグリコールエーテル系；ベンゼン、トルエン、キシ
レン等のタール系（芳香族炭化水素）；メチレンクロラ
イド、エチレンクロライド、四塩化炭素、クロロホルム
、エチレンクロルヒドリン、ジクロルベンゼン等があげ
られる。

前記塗設層の厚さは放射線照射により重合硬化層の測定
でｏ、ｉ〜λμであることが好ましい。

該層の表面あらさはｏ、ｏｏｚμ以下であることが好ま
しい。このためには比較的低粘度の化合物、あるいは有
機溶媒の添加により低粘度に保ち塗設によるいわゆるレ
ベリング効果をもたせることが有効な手段の１つとなる
。

電子線加速器としてはバンプグラ−７型のスキャニング
方式、ダブルスキャニング方式あるいはカーテンビーム
方式が採用できるが、好ましいのは比較的安価で大出力
が得られるカーテンビーム方式である。電子線特性とし
ては、加速電圧がｌ０〜１０００ｋＶ、好ましくはｊＯ
〜３００ｋｖであり、吸収線量として０．２〜２０メガ
ラッド好ましくは／、１０メガラツドである。加速電圧
がｌＯｋ■以下の場合は、エネルギーの透過量が不足し
ｔｏｏＯｋＶｆ超えると重合に使われるエネルギー効率
が低下し経済的でない。

吸収線量が（１）、ｊメガラッド以下では硬化反応が不
充分で磁性層強度が得られず、２０メガラツド以上にな
ると、硬化に使用されるエネルギー効率が低下したり、
被照射体が発熱し、特にプラスティック支持体が変形す
るので好ましくない。

本発明の重合硬化層の上に設けられる磁性層は強磁性粉
末と結合剤とを主成分とするものであっても、磁性金屑
薄膜であってもよい。

本発明に適用される磁性金円薄膜の形成法は真空槽内で
膜を形成する方法あるいはメッキ法によればよく、全組
薄膜の形成速度の速いこと、製造工程が簡単であること
、あるいは排液処理等の必要のないこと等の利点を有す
る真空槽内で膜を形成する方法が好ましい。真空槽内で
膜を形成する方法とは希薄な気体あるいは真空空間中に
おいて析出させようという物質またはその化合物を蒸気
あるいはイオン化した蒸気として基体となる支持体上に
析出させる方法で真空蒸着法、スノξツタリング法、イ
オンブレーティング法、化学気相メッキ法等がこれに相
当する。

さらに本発明において磁気記録層となるべき強磁性金属
層としては鉄、コバルト、ニッケルその他の強磁性金属
あるいはＦｅ−Ｃｏ、Ｆｅ−Ｎｉ。

Ｃｏ−Ｎｉ、　Ｆｅ−８ｉ、　Ｆｅ−Ｒｈ、　Ｃｏ−Ｐ
、　Ｃｏ−Ｂ。

Ｃｏ−８ｉＸＣｏ−Ｖ、Ｃｏ−′ＹＸＣｏ−ＬａＸＣｏ
＝Ｃｅ。

Ｃｏ７ＰｒＸＣｏ−８ｍ、　Ｃｏ−Ｐｔ、　Ｃｏ−Ｍｎ
、　Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ。

Ｃｏ−Ｎ　ｉ　−Ｐ、　Ｃｏ　−Ｎ　ｉ　−Ｂ、　Ｃｏ
−Ｎ　１−ＡｇＸＣｏ−Ｎｉ→八Ｃへ−Ｎｉ−Ｃｅ、　
Ｃｏ−Ｎｉ−ＺｎＸＣｏ−Ｎｉ−Ｃｕ。

Ｃｏ、７Ｎ　ｉ　−Ｗ、　Ｃｏ−Ｎ　ｉ　−Ｒｅ、　Ｃ
ｏ−８ｍ−Ｃｕ等の強磁性合金を真空槽内で膜を形成す
る方法あるいはメッキ法によって薄膜状に形成せしめた
もので、その膜厚は磁気記録係体として使用する場合０
．０部μｍ−２μｍの範囲であり特にｏ、ｉβｍ〜０゜
１μｍが好ましい。

本発明の磁性層に使用される強磁性粉末、各種添加剤、
有機溶媒、さらに分散・塗布方式などの詳細に関しては
特開昭１２−１０ｇ＋　”　”　号、同１＜＜−λｌ、
ざ０４号、同ｔ４Ａ−ｕ６．ｏｉｉ号に記載されており
必要に応じ本発明に適用できる。

〔実施例〕

以下に本発明を実施例によりさらに具体的に説明する。

なお実施例中「部」は重量部を示す。

実施例Ｌ １４に、１μ厚ノポリ工チレンテレフタレート支持体上
にジエチレングリコールを塗設し、加速電圧１００ｋＶ
、ビーム電流、ｔｍＡで吸収線量ＳＭｒａｄ　の電子線
照射を行なった。

上記支持体裏面の表面あらさは０．００７μでありζ塗
設層厚はｏ、Ｂｔである。

下記組成の磁性塗液をボールミルでｉｏ時間混線分散し
た。

分散後、トリイソシアネート化合物のトリメチロールプ
ロパン付加体（分子的７ｔ０、ＮＣＯ含有量／Ｊ、３ｗ
ｔ’！、商品名：バイエルＡ、Ｇ。

社製［デス七ジュールＬ−７ｊｔＪ）の７部ｗｔ４酢酸
エチル溶液ｔｌ−，２，２部加え１時間高速剪断分散し
て磁性塗布液を調製した。得られた塗布液を前記層の上
側に乾燥層の厚さがμμとなるよう塗設した。ついで、
直流磁場中で配向処理してｉｏ。

０Ｃの熱風を送って乾燥した。乾燥後、カレンダリング
処理を施して、ｌ／２インチ巾にスリットしてビデオ用
の磁気テープサンプルＡ／を得た。

比較例１ 実施例１において放射線重合硬化層を塗設せず、他は実
施例１と同様に磁気テープサンプル扁２を得た。

実施例２ 実施例１において、ジエチレングリコールニ代えて下記
組成の塗液を調製し、塗設層ｒｏｗ７儂の水銀灯で１秒
間照射した。

重合硬化層の厚さ全Ｏ８！ムとした。

他は実施例１と同様にして磁気テープサンプルＡ３を得
た。

実施例３ 実施例１において裏面の表面あらさ０．０／ｊμのポリ
エチレンテレフタレート支持体ヲ使用し、他は実施例１
と同様にして磁気テープサンプル煮ｌを得た。

比較例２ 比較例１において裏面の表面あらさ０．０／、ｔμのポ
リエチレンテレフタレート支持体を使用し、他は比較例
１と同様にして磁気テープサンプル煮ｊを得た。

実施例４ 実施例１において裏面の表面あらさ０　、　ＯＪ、Ｄμ
のポリエチレンテレフタレート支持体を使用し、他は実
施例１と同様にして磁気テープサンプル扁ｔを得た。

比較例３ 比較例１において裏面の表面あらさ００Ｏ−２０μのポ
リエチレンテレフタレート支持体を使用し、他は比較例
１と同様にして磁気テープサンプル煮７を得た。

実施例５ 実施例１と同様にして放射線重合硬化層を設けた。該層
上に斜め蒸着によりＣｏ−Ｎ１（Ｎｉ；２０ｗｔ４）磁
性膜を、１０００Ａ厚となるよう設け、磁気テープサン
プルＡＩを得た。、比較例４ 実施例５において、放射線重合硬化層を塗設せず、他は
実施例５と同様に磁気テープサンプル蔦りを得た。

以上のサンプルについてビデオ感度およびＣ／Ｎを測定
した。測定方法の概略を下記に示す。

ビデオ感度：ＶＨ８方式ＶＴＲ（松下電産製造、商品名
「ＮＶ−ｔざＯθ」）を使用 してｊＭＨｚでの再生出力を測定し た。

Ｃ／Ｎ　：ｊＭＨｚおよび３．ｊＭＨｚの搬送波（キャ
リヤー）を記録し、再生し たときのキャリヤーとノイズの比 （Ｓ／Ｎに相当）を比較例１を基準 （±０ｄＢ）として測定した。

結果を表に示す。

〔発明の効果〕

表よシ明らかなごとく、支持体の表面あらさが０．００
７μ以上で、かつ支持体と磁性層との間に放射線照射に
より重合硬化させた表面あらさσ。

ＯＯＳμ以下の層を設けることによりビデオ感度および
Ｃ／Ｎが著しく改良された磁気記録媒体の見られること
がわかる。

手続補、正書 昭和、ｔｒ年ｌｌ枢省日 特許庁長官殿 １、事件の表示　昭和！ｊ年特願第１１７ｊ／り号２、
発明の名称　磁気記録媒体 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 名　称（５２０）富士写真フィルム株式会社４、補正の
対象　明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ５、補叫の内容 ｌ）明細書画６頁第ｒ行、 「オレフィン類」 を削除する。

２）明細書第１／頁第を行、 「磁性層」 を削、除する。

手続補正書 昭和ｊ″を年／／月行 特許庁長官殿 １、事件の表示　昭和５に年特願第１ざ７！／９号２、
発明の名称　磁気記録媒体 ３、補正をする者 事件との関係　・特許出願人 名　称（５２０）富士写真フィルム株式会社４、補正の
対象　明ａ書の「特許請求の範囲」の欄および「発明の
詳細な説 明」の欄 ５、補正の内容 （１）本願明細善第１頁「′特許請求の範囲」を別紙の
ごとく補正する。

（２）同書紀１３頁ｌλ行 「ジエチレングリコール」を 「ジエチレングリコールジアクリレート」と補正する。

（３）同訃第１３頁λＯ行 ［ｔ　３ｏ　ｏ　Ｏｅ　Ｊを 「Ａ　３００ｅ　Ｊ と補正する。

（４）［司書第１ｊ頁７７行 １−ジエチレングリコール」を 「ジエチレングリコールジアクリレート」と補正する。

（５）同督第ｌり頁岩中サンプルの″特徴列３付（サン
プル盃ｌ楠） 「ジエチレングリコール」を 「ジエチレングリコールジアクリレート」と補正する。

（６）同誓第１り頁岩中サンプルの特徴列７行（サンプ
ル扁≠欄） 「ジエチレングリコール」を 「ジエチレングリコールジアクリレート」と補正する。

（７）同筈第１り画表中サンプルの特徴列ヂ行（サンプ
ルノに６枕） 「ジエチレングリコール」を 「ジエチレングリコールジアクリレート」と補正する。

（８）同畜第１り頁岩中サンプルの・特徴列ｌ１行（サ
ンプル形ｒ櫛１） ［ジエチレングリコール」を 「ジエチレングリコールジアクリレート」と輻正する。

特許請求の範囲 ｆｉｌ　＆ＩＪ性層を設けないイトりの表面あらさが０
．００７μ以上である非磁性支持体と磁性飽との中間に
放射線照射により、Ｔｍ可能な比片物を合イｆする非イ
、Ｂ性層を設け、該１ζ１が放射Ｇ照射されることを′
持Ｃ改とする磁気記録媒体。

（２）前記非出性層の表面あらさがｏ、ｏｏｓμ以下で
あることｔ′侍徴とする′特許請求のｌ？ｌｅ）囲り１
；ｆｌ）項記載の（み気７混媒体。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）磁性層を設けない側の表面あらさが０．０７Ｌ以
   上である非磁性支持体と磁性層との中間に放射線照射に
   より、重合可能な化合物を含有する非磁性層を設け、該
   層が放射線照射されることを特徴とする磁気記録媒体。
2. （２）前記非磁性層の表面あらさが０，０θ！μ以下で
   あることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の
   磁気記録媒体。